JPS5988873A - 非晶質シリコン薄膜太陽電池 - Google Patents
非晶質シリコン薄膜太陽電池Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、可読性フィルム基板上に光起電力= 1−
要素として非晶質シリコン薄膜を設けた太陽電池に関す
る。丈に詳しくは、該基板に峻燃加したポリエステルフ
ィルムからなる一f撓性鴻分子フーイルノ、を用いた太
陽電池に関する。
る。丈に詳しくは、該基板に峻燃加したポリエステルフ
ィルムからなる一f撓性鴻分子フーイルノ、を用いた太
陽電池に関する。
非晶質シリコン薄膜をポリイミドフィルム。
芳香族ポリアミドフィルム、ポリ7リレートフイルムの
如き耐熱性を有する可読性フィルム基板上に設けた太陽
電池は、特開昭54−14’1489号、特開昭55−
4944号、特開昭55−29154号、特開昭56−
169372号、特開昭5fi−169371号に提案
されている。
如き耐熱性を有する可読性フィルム基板上に設けた太陽
電池は、特開昭54−14’1489号、特開昭55−
4944号、特開昭55−29154号、特開昭56−
169372号、特開昭5fi−169371号に提案
されている。
非品質シリコン薄膜太lvI電池を製造するに際して、
IIJ撓性フィルム基板を用いる特徴は、特開昭54−
4994号や特開昭55−29154号などに開示され
ている如く、支持糸板上に必慄な層を連続法で設ける非
晶質シリコン#膜太1瀞厩池の、R造を可能ならしめる
ことにある。また、特開昭54−449489号に示さ
れるv日<、可読性基板上に形成された非晶質シリコン
薄膜太陽電池は、フィルム状であるため、1±、木に曲
げることがBf能であって、その応用か広がると期待さ
れている。
IIJ撓性フィルム基板を用いる特徴は、特開昭54−
4994号や特開昭55−29154号などに開示され
ている如く、支持糸板上に必慄な層を連続法で設ける非
晶質シリコン#膜太1瀞厩池の、R造を可能ならしめる
ことにある。また、特開昭54−449489号に示さ
れるv日<、可読性基板上に形成された非晶質シリコン
薄膜太陽電池は、フィルム状であるため、1±、木に曲
げることがBf能であって、その応用か広がると期待さ
れている。
高分子フィルムを町原性基板として用いた非晶質シリコ
ン薄膜太陽電池は、その#−IfLI+]]と応用面と
〃・ら、上記した如き種々の利点な旬する。
ン薄膜太陽電池は、その#−IfLI+]]と応用面と
〃・ら、上記した如き種々の利点な旬する。
したかつて、非晶質シリコン薄膜の成膜技術の進歩と相
まって、用碗性基板の対象は、耐熱性を有するポリイミ
ド、芳香族ポリ/ミドなどのフィルムに限定されス、ポ
リエステルフィルムのような汎用の昼分子フィルムにま
で拡大通用されるものとルj侍される。
まって、用碗性基板の対象は、耐熱性を有するポリイミ
ド、芳香族ポリ/ミドなどのフィルムに限定されス、ポ
リエステルフィルムのような汎用の昼分子フィルムにま
で拡大通用されるものとルj侍される。
然るに、ポリエステルフィルムのような汎用の縞分子ノ
イルム基板は、ガラス基板、ステンレス鋼板、あるいを
工耐熱性なMする芳合朕ポリアミドフィルムやポリイミ
ドフィルムの如き高分子フィルムを基板とした場合と異
なり、空気中で比較的燃焼しやすい性質を有するもので
あイ)。したかつて、ポリエステルフィルムの如き汎用
の畠分子フィルムを)k板として月jいた非晶質シリ:
コン薄膜太陽電池を、難燃性基材や不燃性基材に併置し
て使用する場合、例えば、難燃化が強力に進められてい
る建造物の壁や屋上などに取り付けて便用1−る1易げ
、この高分子フィルムの離燃1向上を計ることは、防災
面から有膜なMSと考える。
イルム基板は、ガラス基板、ステンレス鋼板、あるいを
工耐熱性なMする芳合朕ポリアミドフィルムやポリイミ
ドフィルムの如き高分子フィルムを基板とした場合と異
なり、空気中で比較的燃焼しやすい性質を有するもので
あイ)。したかつて、ポリエステルフィルムの如き汎用
の畠分子フィルムを)k板として月jいた非晶質シリ:
コン薄膜太陽電池を、難燃性基材や不燃性基材に併置し
て使用する場合、例えば、難燃化が強力に進められてい
る建造物の壁や屋上などに取り付けて便用1−る1易げ
、この高分子フィルムの離燃1向上を計ることは、防災
面から有膜なMSと考える。
本発明者らは、ポリエステルフィルムを句読性基板の対
象として、離燃性向上をilつだ非晶質シリコン薄膜太
14電池を開発する観点ρ)ら、該ポリエステルフィル
ムの離燃ノJIl工と非晶質シリコン薄膜太1i1電池
との関連について鋭意検討を行一つだ。
象として、離燃性向上をilつだ非晶質シリコン薄膜太
14電池を開発する観点ρ)ら、該ポリエステルフィル
ムの離燃ノJIl工と非晶質シリコン薄膜太1i1電池
との関連について鋭意検討を行一つだ。
従来、ポリエステルフィルムを耐燃化する方法としこは
、(1)ポリ〜7−亜せ時に14II燃剤な含有せしめ
る方法、(2)製膜前にポリマーに燻燃剤をドライプレ
ノド(、溶融押出しする方法、+31Jli燃性被榎組
成物をコーティングする方法などが知られている。しか
し、(11及び(2)の方法はポリエステル樹脂の融点
が約260℃という高温であり、それに伴い、溶融押出
し温圧は、280〜315 ”Cとなり、この高温に耐
える離燃剤は少なく、樹脂の滞留や熱履歴のため離燃剤
の分離。
、(1)ポリ〜7−亜せ時に14II燃剤な含有せしめ
る方法、(2)製膜前にポリマーに燻燃剤をドライプレ
ノド(、溶融押出しする方法、+31Jli燃性被榎組
成物をコーティングする方法などが知られている。しか
し、(11及び(2)の方法はポリエステル樹脂の融点
が約260℃という高温であり、それに伴い、溶融押出
し温圧は、280〜315 ”Cとなり、この高温に耐
える離燃剤は少なく、樹脂の滞留や熱履歴のため離燃剤
の分離。
分解、昇華等が起り、ポリマーが分解しゲル化する。こ
のため、異物、ゴミ、ス泡が生じフィルムの延伸時にお
ける幌破れを多発させ、著しく生産性が低下するだけで
なく、フィルムの有する諸物性も低下する。その上、発
生ガスのため、成形後、装置類を腐蝕させ、また、作業
環境をも汚染するという欠点がある。またポリエステル
フィルムは二軸延伸して実用に供されるため、横勉伸の
後切り落されるエツジ部分を回収再利用することが、コ
スト的な面から重要であるが、これらの方法では、離燃
剤が他系列に混入するのを防ぐために、系列毎に完全に
区分して、溶融押出M膜や回収を行なう必要があり、工
程が複雑化するという欠点がある このような欠点を避けるには、前記(3)の方法(コー
ティング)によらざるを得ない。そしてこの方法は、フ
ィルムの特性を損うことなく難燃化できる利点を有し、
非晶質シリコン薄膜太陽電池用の可撓性基板の形成方法
として好適である。しかし、在来のこの方法によって得
られたポリエステルフィルムは、難燃剤が析出して白粉
を生じたり、内部からの滲み出しによってブpンキング
を生じる。さらに、太陽電池形成時に、難燃剤もしくは
離燃剤に起因する物質が、非晶質シリコン薄膜太陽電池
に混入してしまい、太陽電池の光電変換効率を低1ζさ
せるという関着しい粗面な有するフィルム面に、難燃剤
溶液を塗布して溶媒を除去するならば、難燃剤がフィル
ムの凹面に緊密に付着して充分な難燃性な付与でき、し
かも白粉の析出やブーツキングを避けられるだけでなく
、太陽電池への離燃剤もしくは難燃剤起因物質の混入か
らも解放されることを見出し、本発明に到達した。
のため、異物、ゴミ、ス泡が生じフィルムの延伸時にお
ける幌破れを多発させ、著しく生産性が低下するだけで
なく、フィルムの有する諸物性も低下する。その上、発
生ガスのため、成形後、装置類を腐蝕させ、また、作業
環境をも汚染するという欠点がある。またポリエステル
フィルムは二軸延伸して実用に供されるため、横勉伸の
後切り落されるエツジ部分を回収再利用することが、コ
スト的な面から重要であるが、これらの方法では、離燃
剤が他系列に混入するのを防ぐために、系列毎に完全に
区分して、溶融押出M膜や回収を行なう必要があり、工
程が複雑化するという欠点がある このような欠点を避けるには、前記(3)の方法(コー
ティング)によらざるを得ない。そしてこの方法は、フ
ィルムの特性を損うことなく難燃化できる利点を有し、
非晶質シリコン薄膜太陽電池用の可撓性基板の形成方法
として好適である。しかし、在来のこの方法によって得
られたポリエステルフィルムは、難燃剤が析出して白粉
を生じたり、内部からの滲み出しによってブpンキング
を生じる。さらに、太陽電池形成時に、難燃剤もしくは
離燃剤に起因する物質が、非晶質シリコン薄膜太陽電池
に混入してしまい、太陽電池の光電変換効率を低1ζさ
せるという関着しい粗面な有するフィルム面に、難燃剤
溶液を塗布して溶媒を除去するならば、難燃剤がフィル
ムの凹面に緊密に付着して充分な難燃性な付与でき、し
かも白粉の析出やブーツキングを避けられるだけでなく
、太陽電池への離燃剤もしくは難燃剤起因物質の混入か
らも解放されることを見出し、本発明に到達した。
即ち、本発明は、6J撓性フイルム基板上に光起電力要
素として、非晶質シリコン薄膜を設け 6− ゛た太1−1!池において、該基板としてA面の中心平
均粗さが0.5〜0.8μで、その背面の8面の中心線
平均粗さが0.002〜0.08μであるポリエステル
フィルムを用いそのA面は難燃剤または該離燃剤とバイ
ンダの塗布によって離燃加工し、その8面に前記非晶質
シリコン薄膜を設けたことを特徴とする非晶質シリコン
薄膜太陽電池である。
素として、非晶質シリコン薄膜を設け 6− ゛た太1−1!池において、該基板としてA面の中心平
均粗さが0.5〜0.8μで、その背面の8面の中心線
平均粗さが0.002〜0.08μであるポリエステル
フィルムを用いそのA面は難燃剤または該離燃剤とバイ
ンダの塗布によって離燃加工し、その8面に前記非晶質
シリコン薄膜を設けたことを特徴とする非晶質シリコン
薄膜太陽電池である。
本発明で用いるポリエステルフィルムは、芳香族線状ポ
リエステル(時にポリエチレノテンフタレート、ポリエ
チレン−2,6−ナンタレンジノノルボキシレート、ポ
リブナンンテレフタレート*>のフィルムが好ましい。
リエステル(時にポリエチレノテンフタレート、ポリエ
チレン−2,6−ナンタレンジノノルボキシレート、ポ
リブナンンテレフタレート*>のフィルムが好ましい。
延伸ポリエステルフィルム、とりlっけ二軸延伸ポリエ
ステルフィルムが好筐しく用いられる。通常の延伸ポリ
エステルフィルムの表面の中心線平均粗さく C,L、
A )は0.002〜0.08μ程度である。
ステルフィルムが好筐しく用いられる。通常の延伸ポリ
エステルフィルムの表面の中心線平均粗さく C,L、
A )は0.002〜0.08μ程度である。
しかしながら、本発明ではベースフィルムの片面の中上
MJ平均粗さが()、5〜0.8μという極めて粗い面
であるフィルムを用いる。このようなフィルムを作るに
は、コロナ放電酸化法、化平均粗さが0.5〜0.1j
pである面に、(at IJA fm Hの溶液を塗
布して溶媒を除去するか、あるいは、(bl M燃剤お
よびバインダーの溶液を塗布して溶媒を除去することに
より離燃化を行う。塗布されるポリエステルフィルム面
の中心線平均粗さが0.5μより小さいと、難燃剤の付
層性が低下し、充分な付着性が得られないと共に、非晶
質シリコン薄膜太陽電池用基板としては、前記した如く
、太陽電池形成時に、難燃剤もしくは難燃剤起因物質が
太陽電池に混入してしまい、その光電変換効率が低1丁
シてしまうので、好ましくない。
MJ平均粗さが()、5〜0.8μという極めて粗い面
であるフィルムを用いる。このようなフィルムを作るに
は、コロナ放電酸化法、化平均粗さが0.5〜0.1j
pである面に、(at IJA fm Hの溶液を塗
布して溶媒を除去するか、あるいは、(bl M燃剤お
よびバインダーの溶液を塗布して溶媒を除去することに
より離燃化を行う。塗布されるポリエステルフィルム面
の中心線平均粗さが0.5μより小さいと、難燃剤の付
層性が低下し、充分な付着性が得られないと共に、非晶
質シリコン薄膜太陽電池用基板としては、前記した如く
、太陽電池形成時に、難燃剤もしくは難燃剤起因物質が
太陽電池に混入してしまい、その光電変換効率が低1丁
シてしまうので、好ましくない。
また、本発明で用いる難燃剤は、融点が非晶質シリコン
薄膜形成時の基板温度以上のものが好ましい。実用面か
らは融点が180℃以上の難燃剤であれば良い。これよ
り低融点のものな用いると、塗布されたフィルム面Vこ
嬌燃剤白粉換効率に悪影響を及ぼすことになり、好まし
くない。好ましく用いられる難燃剤として、テトラブロ
モブタン、l、2−ジブロモ−3−クロロプロパン、1
,213−)リプル七ブpパン、テトラプロ七無水フタ
ル酸、テトラクロロ無水フタル酸、パーフルロペンタシ
クロデカン、りロレンデイツク酸、デカクロロビフェニ
ル、ヘキサズロモベンゼン、トリス−(2,3−ジブロ
モプロピル−1−)インシアヌレート等が例示される。
薄膜形成時の基板温度以上のものが好ましい。実用面か
らは融点が180℃以上の難燃剤であれば良い。これよ
り低融点のものな用いると、塗布されたフィルム面Vこ
嬌燃剤白粉換効率に悪影響を及ぼすことになり、好まし
くない。好ましく用いられる難燃剤として、テトラブロ
モブタン、l、2−ジブロモ−3−クロロプロパン、1
,213−)リプル七ブpパン、テトラプロ七無水フタ
ル酸、テトラクロロ無水フタル酸、パーフルロペンタシ
クロデカン、りロレンデイツク酸、デカクロロビフェニ
ル、ヘキサズロモベンゼン、トリス−(2,3−ジブロ
モプロピル−1−)インシアヌレート等が例示される。
難燃剤はIMiの入を用いても、2種以上を併用しても
よい61a燃剤の塗布量は、塗布された表面積1rrl
’あたり1〜590割酋で付着せしめるようにするのが
好ましい。
よい61a燃剤の塗布量は、塗布された表面積1rrl
’あたり1〜590割酋で付着せしめるようにするのが
好ましい。
本発明では、離燃剤を溶液にして塗布する釦際し、該溶
液中にバインダーを含有せしめることもできる。バイン
ダーとしては、熱硬化型アクリル樹脂、メチルエーテル
化メラミン樹脂。
液中にバインダーを含有せしめることもできる。バイン
ダーとしては、熱硬化型アクリル樹脂、メチルエーテル
化メラミン樹脂。
シリコーン樹脂(加熱或いは常温下で硬化するものが好
ましい。)、エポキシ樹脂、及びポリウレタン(とりわ
け、加熱或いは常温で硬化する型のものが好ましい。)
より成る群から選ばれた高分子が好ましく用いられる。
ましい。)、エポキシ樹脂、及びポリウレタン(とりわ
け、加熱或いは常温で硬化する型のものが好ましい。)
より成る群から選ばれた高分子が好ましく用いられる。
バインダーは、難燃剤1重量部あたり1〜2重量部の割
合で配合するのが好ましい。
合で配合するのが好ましい。
難燃剤及びバインダーを含有する溶液の塗布量は、塗布
された表面積1mlあたり難燃剤剤1〜5yの割合で付
着せしめるようにするのが好ましい。これを塗布し溶媒
を除去したあと、硬化m(熱硬化型、常温硬化型)のバ
インダーは、硬化処理すべきことは言うまでもない。
された表面積1mlあたり難燃剤剤1〜5yの割合で付
着せしめるようにするのが好ましい。これを塗布し溶媒
を除去したあと、硬化m(熱硬化型、常温硬化型)のバ
インダーは、硬化処理すべきことは言うまでもない。
かかる難燃化ポリエステルフィルムは、中心線平均粗さ
が0.5〜0.8μであるフィルム面に難燃剤を塗布す
るので、投錨効果や表面積の拡大作用等により難燃剤を
フィルム表面に充分な貴付着せしめることができ、離燃
性、可撓性。
が0.5〜0.8μであるフィルム面に難燃剤を塗布す
るので、投錨効果や表面積の拡大作用等により難燃剤を
フィルム表面に充分な貴付着せしめることができ、離燃
性、可撓性。
耐際傷性、耐摩耗性、密着性、耐溶剤性、耐ズpツキ7
グ注などが晴れ、このように難燃加工したポリエステル
フィルムは、太陽醒池用の可撓性フィルム基板として好
適である。
グ注などが晴れ、このように難燃加工したポリエステル
フィルムは、太陽醒池用の可撓性フィルム基板として好
適である。
さらに、基板の表面粗さは、太陽電池の性能に大きな影
譬を及はし、表面fflさが大きい場合太−電池の性h
ヒは、著しくI¥14害される。したがって、本発明で
は、ポリエステルフィルムの片面のみを、その中心線平
均粗さカ0.5〜0.8μの粗面として燻燃加工して、
難燃加工していないフィルム面(中心線平均粗さ0.0
02〜0.08μ)上に太陽電池を形成して成るもので
ある。
譬を及はし、表面fflさが大きい場合太−電池の性h
ヒは、著しくI¥14害される。したがって、本発明で
は、ポリエステルフィルムの片面のみを、その中心線平
均粗さカ0.5〜0.8μの粗面として燻燃加工して、
難燃加工していないフィルム面(中心線平均粗さ0.0
02〜0.08μ)上に太陽電池を形成して成るもので
ある。
なお、かかる離燃加工したポリエステルフィルムを、非
晶質シリコン#膜太陽電池の基板として用いる場合、ベ
ースフィルムの厚さが、10〜500μが可撓性の点か
ら好適である。
晶質シリコン#膜太陽電池の基板として用いる場合、ベ
ースフィルムの厚さが、10〜500μが可撓性の点か
ら好適である。
厚さが500μを超えると可撓性に欠け、可撓性高分子
フィルムを基板に用いる利点の1つである連続ロールア
ップが困難となる。一方、厚さがlθμより薄くなると
、非晶質シリコン簿膜を沈積した場合、沈積時に加わる
熱応力な緩和しきれずに該基板が変形するのが好ましく
ない。
フィルムを基板に用いる利点の1つである連続ロールア
ップが困難となる。一方、厚さがlθμより薄くなると
、非晶質シリコン簿膜を沈積した場合、沈積時に加わる
熱応力な緩和しきれずに該基板が変形するのが好ましく
ない。
なお、フィルム面の中心線平均粗さく C,L、A )
は、つぎのようiC測定した。即ち、フィルム表面をタ
イヤモンド欝によって退優トレースし、凹凸による針の
動きと、触針の上下動忙対応した′底流に変換し−Cオ
シログラフで記録し、得られた波形を流れ方向に市って
その上ドに分析した直線を設けるに際し、該1M 17
の上側のグラフの面積と下側のグラフの面積との差が最
小となる位置に該直線を設け、該直線が規準線とどれ僚
船れているかを示す値をもって表示されるもので、東京
精密に、に製サーフコム3B(E−MD−810Aタイ
プ)万能表面形状測廻磯を用い、この値を計器で直続し
た。
は、つぎのようiC測定した。即ち、フィルム表面をタ
イヤモンド欝によって退優トレースし、凹凸による針の
動きと、触針の上下動忙対応した′底流に変換し−Cオ
シログラフで記録し、得られた波形を流れ方向に市って
その上ドに分析した直線を設けるに際し、該1M 17
の上側のグラフの面積と下側のグラフの面積との差が最
小となる位置に該直線を設け、該直線が規準線とどれ僚
船れているかを示す値をもって表示されるもので、東京
精密に、に製サーフコム3B(E−MD−810Aタイ
プ)万能表面形状測廻磯を用い、この値を計器で直続し
た。
また、該フィルムの難燃性を示す尺度として、オキシジ
エンインデックスを用い、ASTMD 2863−7
0(C準じて測定した。太陽電池の光電変換効率は、オ
リエル社製のAM=1KBN4節したソーラー・シュミ
レータ−(P i n−100mw /crI)を光源
として測定した。
エンインデックスを用い、ASTMD 2863−7
0(C準じて測定した。太陽電池の光電変換効率は、オ
リエル社製のAM=1KBN4節したソーラー・シュミ
レータ−(P i n−100mw /crI)を光源
として測定した。
以下に、実施例により本発明な詳述する。
なお以下の実施例において、非晶買シリコン薄膜太@電
池の製造方法は、つぎのとおりである。
池の製造方法は、つぎのとおりである。
実施例に示すポリエステルフィルム処おいて、ベースフ
ィルムの粗面化してない面を堆積面とする如く、スパッ
タリング装置内vc装置し、ステンレス銅クーゲットよ
り、厚さ約400OAのステンレス#lのスパッタ膜を
設け、導電化ポリエステルフィルムを得る。
ィルムの粗面化してない面を堆積面とする如く、スパッ
タリング装置内vc装置し、ステンレス銅クーゲットよ
り、厚さ約400OAのステンレス#lのスパッタ膜を
設け、導電化ポリエステルフィルムを得る。
非晶質シリ−17薄膜は、内部電&型の冒周波(xa、
5eMH1)グロー放電装置を用いて、前記基板上に設
ける。グロー放電装置内の一方の電極上に前記基板を装
着し、10=Torrに排気しながら200℃に該基板
を加熱する。その後、アルゴンガスな導入して1.0
Torrのアルゴン雰囲気下で30Wの藁周波電力を印
加し前記基板のプレスバタリングを行って基板のクリm
; 13− ングを行う。次に水素ガスでxoqby希釈したシラン
ガスと同様に水素ガスで1%lC希釈したジポランガス
を混合し、グロー放電装置内に導入し、 0.8 To
rrの該ガス雰囲気下でIOWの高周波電力を印加して
該基板上に厚さ240Aのホウ累をド・−プしたp型の
非晶質シリコン薄膜を設ける。引続いてシランガス単独
で前記と同様にし−C4#の非晶質ンリコン薄膜上に厚
さ4000Aの非晶質ツリー17薄膜を積層する。
5eMH1)グロー放電装置を用いて、前記基板上に設
ける。グロー放電装置内の一方の電極上に前記基板を装
着し、10=Torrに排気しながら200℃に該基板
を加熱する。その後、アルゴンガスな導入して1.0
Torrのアルゴン雰囲気下で30Wの藁周波電力を印
加し前記基板のプレスバタリングを行って基板のクリm
; 13− ングを行う。次に水素ガスでxoqby希釈したシラン
ガスと同様に水素ガスで1%lC希釈したジポランガス
を混合し、グロー放電装置内に導入し、 0.8 To
rrの該ガス雰囲気下でIOWの高周波電力を印加して
該基板上に厚さ240Aのホウ累をド・−プしたp型の
非晶質シリコン薄膜を設ける。引続いてシランガス単独
で前記と同様にし−C4#の非晶質ンリコン薄膜上に厚
さ4000Aの非晶質ツリー17薄膜を積層する。
次に、シランガス中に水素ガスで1%に希釈したホスフ
ィ/ガスを混会し前記と同様にして1型の非晶質ンリコ
/薄膜上に厚さ240Aのリンをドープしたn型の非晶
質シリコン薄膜を設け、可撓性基板上Kpin型の非晶
質シリコン薄膜からなる元起′遊力要素を設けた。
ィ/ガスを混会し前記と同様にして1型の非晶質ンリコ
/薄膜上に厚さ240Aのリンをドープしたn型の非晶
質シリコン薄膜を設け、可撓性基板上Kpin型の非晶
質シリコン薄膜からなる元起′遊力要素を設けた。
次に、可撓性基板上にpin壓非晶質シリコン薄膜を設
けたフィルムを真空蒸着装置内に装着した。10−’
Torr K排気しながら200°GK該フイルムを加
熱する。その後、アルゴンと酸累の混合ガスを導入して
10−’Torrの雰囲気下で 14 − 電子ビーム加熱法で酸化インジウムと酸化錫の混合酸化
物ターゲットから、厚さ600Aの錫をドープした酸化
イシジウム薄膜を真空蒸着してヘテロフェイス層とした
。・硬後にこのヘテロフェイスI−上に、収東X他とし
て厚さ2 Q O+Iへの銀薄膜をくし形に真空蒸着し
、難燃加工したもしくは難燃加工してないポリエステル
フィルム基板上にpinヘテロフェイス型太陽電池を得
た。
けたフィルムを真空蒸着装置内に装着した。10−’
Torr K排気しながら200°GK該フイルムを加
熱する。その後、アルゴンと酸累の混合ガスを導入して
10−’Torrの雰囲気下で 14 − 電子ビーム加熱法で酸化インジウムと酸化錫の混合酸化
物ターゲットから、厚さ600Aの錫をドープした酸化
イシジウム薄膜を真空蒸着してヘテロフェイス層とした
。・硬後にこのヘテロフェイスI−上に、収東X他とし
て厚さ2 Q O+Iへの銀薄膜をくし形に真空蒸着し
、難燃加工したもしくは難燃加工してないポリエステル
フィルム基板上にpinヘテロフェイス型太陽電池を得
た。
実施例
分子t1s、ooo、臭素含有率30重量%。
酸価45.OH価630のエポキシ基含有臭素化ポリエ
ーテルポリエステル(難燃剤兼バインダー)のメチルイ
ソブチルケトン溶液(該樹脂含有率60重ii%)(商
品名工ビタロン[940゜大日本インキに、K 6品を
使用)sooliit部。
ーテルポリエステル(難燃剤兼バインダー)のメチルイ
ソブチルケトン溶液(該樹脂含有率60重ii%)(商
品名工ビタロン[940゜大日本インキに、K 6品を
使用)sooliit部。
ブチルエーテル化メラミン樹脂のキシレン−ブタノール
l:1混合物溶液(該樹脂含有率50重量%)(商品名
フラン20:日立化成に、K #品を使用)150重量
部、トルイレンジイソシアイードとトリメチロールプロ
パンとの付加反応物でNCO含;打率127〜137重
度係、粘度(25℃) 1520 cpsのもののrY
ト酸エチ/L。
l:1混合物溶液(該樹脂含有率50重量%)(商品名
フラン20:日立化成に、K #品を使用)150重量
部、トルイレンジイソシアイードとトリメチロールプロ
パンとの付加反応物でNCO含;打率127〜137重
度係、粘度(25℃) 1520 cpsのもののrY
ト酸エチ/L。
溶e、(該反応物含有率75i憧う)(商品名コロ不一
トム;日本ポリウレタン工業に、に製品を使用)100
重遍部及びテトラズロモベンゼン93.75 ]i部を
よ(攪拌混合し、メチルエチルケトン、酢酸エチル、I
ルエン(重量比1:2;2)混合物で希釈し、固形分含
有率251Ii覆≠の塗布液を調製した。
トム;日本ポリウレタン工業に、に製品を使用)100
重遍部及びテトラズロモベンゼン93.75 ]i部を
よ(攪拌混合し、メチルエチルケトン、酢酸エチル、I
ルエン(重量比1:2;2)混合物で希釈し、固形分含
有率251Ii覆≠の塗布液を調製した。
中心線平均粗さくCLA)がA面で0.69μかつ8面
で0.02μで厚さ50μのポリエチレンテレフタレー
ト(二軸延伸)サンドマットフィルムのA面に、譲塗布
液を乾燥後の固形分付着量がフィルム面1mlあたり1
1〜15.9となるヨウに、ロールコータ−を用いて塗
布し、150〜160℃の熱風中で2分間乾燥硬化させ
た。
で0.02μで厚さ50μのポリエチレンテレフタレー
ト(二軸延伸)サンドマットフィルムのA面に、譲塗布
液を乾燥後の固形分付着量がフィルム面1mlあたり1
1〜15.9となるヨウに、ロールコータ−を用いて塗
布し、150〜160℃の熱風中で2分間乾燥硬化させ
た。
得られた迩燃化ポリエチレンテンフタレートフィルムは
、僅かに黄味を帯びた光沢のある外観を呈し、nf婦性
、 it擦慢性、耐摩耗性、耐溶剤性、l1Tt/Ij
ソキング性が没れてぃた、また、この瑞燃化ポリエチ1
7ンテレフタレートフイルムのt−r−シジエン・イン
デックス及びこの離燃化ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムの1lIL燃化していないB面上に、前述の方法
で形成した非晶質シリコン薄膜太陽電池の光電変換効率
を表1に示した。
、僅かに黄味を帯びた光沢のある外観を呈し、nf婦性
、 it擦慢性、耐摩耗性、耐溶剤性、l1Tt/Ij
ソキング性が没れてぃた、また、この瑞燃化ポリエチ1
7ンテレフタレートフイルムのt−r−シジエン・イン
デックス及びこの離燃化ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムの1lIL燃化していないB面上に、前述の方法
で形成した非晶質シリコン薄膜太陽電池の光電変換効率
を表1に示した。
比較例1
中心線平均粗さく CLA )が11.02μで厚さ5
0μのポリエチレンテレフタレート(二軸延伸)フィル
ムに、実施例で用いたと同じ党布液な同じ条件で塗布乾
燥し、難燃性フィルムな得た 。
0μのポリエチレンテレフタレート(二軸延伸)フィル
ムに、実施例で用いたと同じ党布液な同じ条件で塗布乾
燥し、難燃性フィルムな得た 。
この離燃性フィルムのオキシジエン・インデックス及び
この難燃性フィルムの難燃化していない8面に前述の方
法で、非晶質、・リコ/薄膜太陽電池を形成して得られ
た光電変換効率を表−17− 1に示した。
この難燃性フィルムの難燃化していない8面に前述の方
法で、非晶質、・リコ/薄膜太陽電池を形成して得られ
た光電変換効率を表−17− 1に示した。
比較例2
癲すた化しない中心線平均粗さく c r−A )が0
.02μで厚さ50μのポリエチレンテレフタレート(
二軸延伸)フィルムのオキシジエンインデックス及び、
該ポリエチレンテレフタレートフィルムを基板として前
述の方法で非晶質シリコン薄膜太1゛4電池を形成して
得られた光電変換効率を表IK示した。
.02μで厚さ50μのポリエチレンテレフタレート(
二軸延伸)フィルムのオキシジエンインデックス及び、
該ポリエチレンテレフタレートフィルムを基板として前
述の方法で非晶質シリコン薄膜太1゛4電池を形成して
得られた光電変換効率を表IK示した。
比較例3
両面の中心脚平均粗さくCLA)が0.69μで膜厚5
0μのポリエチレンテレフタレート(二軸延伸)ザンド
マアトフイルム馨用いる以外;・ま、実施例と(tI]
様Vこして得られた非晶質シリコン薄膜太陽電池の光電
変換効率を表1に示した。
0μのポリエチレンテレフタレート(二軸延伸)ザンド
マアトフイルム馨用いる以外;・ま、実施例と(tI]
様Vこして得られた非晶質シリコン薄膜太陽電池の光電
変換効率を表1に示した。
−18−
表−1
以上の実/lB1例と比較例との比較から、(11m燃
゛性と(2)電池性能としての光電変換効率の2点につ
いて以下の通り本発明の効果が明らかとなる。
゛性と(2)電池性能としての光電変換効率の2点につ
いて以下の通り本発明の効果が明らかとなる。
実施例と比較例1とな比べれば、明らかなように、フィ
ルムの龍燃化面を粗面化したものとしないものとでは、
粗面化しない場合には、離燃性の尺度であるオキシジエ
ンインテックスが低く、しかも、太陽電電の光電変換効
率も低い。
ルムの龍燃化面を粗面化したものとしないものとでは、
粗面化しない場合には、離燃性の尺度であるオキシジエ
ンインテックスが低く、しかも、太陽電電の光電変換効
率も低い。
したがって、難燃加工に先立って、フィルムの片面を粗
面化し、との面K M撚加工することが、(]l#[燃
性付力、(2)元11L変換効率の低下防止の面から必
須であり、非常に効果があることかゎかる。
面化し、との面K M撚加工することが、(]l#[燃
性付力、(2)元11L変換効率の低下防止の面から必
須であり、非常に効果があることかゎかる。
また、実施し1jと比較例2とを比べれば、難燃加工を
してい7rいフィルノ、は、実施例の離燃加工フイルノ
、より、離燃性の17111で!−1、るかに劣ること
は、オキシジエンインテックスの値から明らかである。
してい7rいフィルノ、は、実施例の離燃加工フイルノ
、より、離燃性の17111で!−1、るかに劣ること
は、オキシジエンインテックスの値から明らかである。
実施Vuと比較働2とから、その太陽?fi池の電池性
能を示す光電変換効率は、同一レベルであって、本発明
は、斌燃性付力に半つ光電変換効率の低)′の問題なI
W yi4 していることがわかる。
能を示す光電変換効率は、同一レベルであって、本発明
は、斌燃性付力に半つ光電変換効率の低)′の問題なI
W yi4 していることがわかる。
ざらtこ、実施例と比較例3とを比べれば、光起′鳴力
要系の堆積面に対しても粗面化することは、離燃性の而
では何ら支障がないが、電池性能としての光電変換効率
に悪影響を及ぼしていることが明白である。パすなわち
本発明((おけるフィルムの片面のみ粗面化し、その面
にj!it燃加工を施こし、他面に非晶質、シ、す、j
〕薄膜太11!電池を形hiEする画成のみが目的を達
するものであ・5ことを示している。
要系の堆積面に対しても粗面化することは、離燃性の而
では何ら支障がないが、電池性能としての光電変換効率
に悪影響を及ぼしていることが明白である。パすなわち
本発明((おけるフィルムの片面のみ粗面化し、その面
にj!it燃加工を施こし、他面に非晶質、シ、す、j
〕薄膜太11!電池を形hiEする画成のみが目的を達
するものであ・5ことを示している。
Claims (2)
- (1) 可撓性フィルム基板上に光起電力要素として
非晶質シリコン*gを設けた非晶質シリコン薄膜太陽慮
池において、前記可読性フィルム基板が4面の中心線竹
均粗さが0.5〜0.8μで8面の中心線IP均粗さが
0.002〜0.08μであるポリエステルフィルムで
あり、8面に前記非晶質シリコン薄膜か設けられ、4面
は難燃剤または該難燃剤とバイダーの塗布によ−p′(
、難燃加工されCいることを特徴とする非晶質シリコ/
薄膜太陽電池。 - (2) 上記難燃剤の融点が180 ”Q以上である
特許請求の範囲第1項記載の非晶質シリコン薄膜太−′
亀池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57198348A JPS5988873A (ja) | 1982-11-13 | 1982-11-13 | 非晶質シリコン薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57198348A JPS5988873A (ja) | 1982-11-13 | 1982-11-13 | 非晶質シリコン薄膜太陽電池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5988873A true JPS5988873A (ja) | 1984-05-22 |
JPS6227554B2 JPS6227554B2 (ja) | 1987-06-15 |
Family
ID=16389616
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57198348A Granted JPS5988873A (ja) | 1982-11-13 | 1982-11-13 | 非晶質シリコン薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5988873A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0326178A2 (en) * | 1988-01-28 | 1989-08-02 | Hitachi, Ltd. | Method of making a photosensor |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02106172U (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-23 |
-
1982
- 1982-11-13 JP JP57198348A patent/JPS5988873A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0326178A2 (en) * | 1988-01-28 | 1989-08-02 | Hitachi, Ltd. | Method of making a photosensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6227554B2 (ja) | 1987-06-15 |
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