JPS5987886A - ホ−ル素子 - Google Patents
ホ−ル素子Info
- Publication number
- JPS5987886A JPS5987886A JP57198396A JP19839682A JPS5987886A JP S5987886 A JPS5987886 A JP S5987886A JP 57198396 A JP57198396 A JP 57198396A JP 19839682 A JP19839682 A JP 19839682A JP S5987886 A JPS5987886 A JP S5987886A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hall
- hall voltage
- ball
- current
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はホール素子に係り、特に、ボール電圧検出部
にトランジスタを設置してポール化ＩＬの検出を司能に
したものに関する。
にトランジスタを設置してポール化ＩＬの検出を司能に
したものに関する。
第１図及び第２図は従来のボール素子を示し２、第１図
はへ１等による内部配線層を１警↑いた状態の甲面４Ｒ
造、第２図は第１図のボール重圧検出部のＩｊ−１１線
に沿う断面を示しζいる。即ら、ごのホール素子では、
Ｐ形の半導体系板２の表面部にエピタキシャルＪｒｆ４
が形成され、このエピタキシャル屓４は半導体基板２を
直’ＱＥ ’Ｊる方向に１）１形拡１１（を形成したう
）８１【領域６で一定の範囲に区画分８１］されている
。このように１Ｘ画う） ｆ’ｔｌｌされノ、：エピク
キシ中ルＪを４の長手６向のとｌ、 ！ＨＩＨにシ、１
、ボール電流１共給用の拡１１に領域８．１ （＋が対
向しご形成され、この拡＋１＆領域８．１０にＧ、ｌ電
ＩＪｉ Ｉ ２．１４がそれぞれ形成され′Ｃいる。
はへ１等による内部配線層を１警↑いた状態の甲面４Ｒ
造、第２図は第１図のボール重圧検出部のＩｊ−１１線
に沿う断面を示しζいる。即ら、ごのホール素子では、
Ｐ形の半導体系板２の表面部にエピタキシャルＪｒｆ４
が形成され、このエピタキシャル屓４は半導体基板２を
直’ＱＥ ’Ｊる方向に１）１形拡１１（を形成したう
）８１【領域６で一定の範囲に区画分８１］されている
。このように１Ｘ画う） ｆ’ｔｌｌされノ、：エピク
キシ中ルＪを４の長手６向のとｌ、 ！ＨＩＨにシ、１
、ボール電流１共給用の拡１１に領域８．１ （＋が対
向しご形成され、この拡＋１＆領域８．１０にＧ、ｌ電
ＩＪｉ Ｉ ２．１４がそれぞれ形成され′Ｃいる。
そして、エピタキシャル屓４の幅方向の縁部分にはボー
ル重圧検出（ｌ目６．１）３が対向して設定され、この
ボール電圧検出部１（ｉ、ＩｌｌにはＰ形の拡１＆領域
２０．２２が形成され、この拡ｆｌ＆領威２０．２２か
らエピタキシャル１ｒ１４の表面層に臨む部分には、：
Ｉ−ビタキシ中ルＪ？’ｔ ４と同一・導電形のＮ′の
エミッタ拡１１＆てＩ？ン・す・部２４．２６が相対向
して形成されζいる。このセンザ部２４．２６の表面部
には、電極２８、；（（１が形成されている。
ル重圧検出（ｌ目６．１）３が対向して設定され、この
ボール電圧検出部１（ｉ、ＩｌｌにはＰ形の拡１＆領域
２０．２２が形成され、この拡ｆｌ＆領威２０．２２か
らエピタキシャル１ｒ１４の表面層に臨む部分には、：
Ｉ−ビタキシ中ルＪ？’ｔ ４と同一・導電形のＮ′の
エミッタ拡１１＆てＩ？ン・す・部２４．２６が相対向
して形成されζいる。このセンザ部２４．２６の表面部
には、電極２８、；（（１が形成されている。
なお、第２図において、３２ε、［酢化ｌｌｌ７Ｉｅあ
る。
る。
このよ・うなボール素子においζ、ボール電圧を検出す
るためのセン刀部２４．２６の形成には、検出感度を高
めるため、その人きき等において、相当なす０度を必要
とし、この４１１１度がＩＥ丸い場合に番、１、ボール
電流の分布を乱Ｌ７、ボール電圧が低下したリ、十分な
利得が得られない等の欠点がある。そこで、センサ部２
４．２６の形状を小さくし、ホール電流の分布を乱さな
いよ、うに形成することが必要である。
るためのセン刀部２４．２６の形成には、検出感度を高
めるため、その人きき等において、相当なす０度を必要
とし、この４１１１度がＩＥ丸い場合に番、１、ボール
電流の分布を乱Ｌ７、ボール電圧が低下したリ、十分な
利得が得られない等の欠点がある。そこで、センサ部２
４．２６の形状を小さくし、ホール電流の分布を乱さな
いよ、うに形成することが必要である。
また、ごのよ・）なボール素子の製造過程では、ヘース
拡ａでレンザ部２４．２６を形成する部”Ｊの領域２０
．２２を形成し、センリ一部２４．２６はエミッタ拡１
１１に時に同時に形成される。このため、ペース及びエ
ミッタの各ホトレシスｉ−二に程におい°ζ、アライメ
ント誤差を生じ、センタ部２４．２６の形状が不均一に
なるおそれかあＳｏこの上・）なヒンサ部２４．２６に
生じるアラ・イメン１誤差は、ホール出力のオフセソｌ
とム′る。
拡ａでレンザ部２４．２６を形成する部”Ｊの領域２０
．２２を形成し、センリ一部２４．２６はエミッタ拡１
１１に時に同時に形成される。このため、ペース及びエ
ミッタの各ホトレシスｉ−二に程におい°ζ、アライメ
ント誤差を生じ、センタ部２４．２６の形状が不均一に
なるおそれかあＳｏこの上・）なヒンサ部２４．２６に
生じるアラ・イメン１誤差は、ホール出力のオフセソｌ
とム′る。
この発明は、ボール電圧検出部の領域に、その領域をゲ
ートとする電界効果トランジスタを設置し、この電界効
Ｍ目・ランジスタでホール電圧の検出を１１能にし、そ
の検出を容易にしたホール素子の提供をＩｌ的とする。
ートとする電界効果トランジスタを設置し、この電界効
Ｍ目・ランジスタでホール電圧の検出を１１能にし、そ
の検出を容易にしたホール素子の提供をＩｌ的とする。
この発明の実施例を図面を参１１６シてｎ’ｐ ｉｎ＋
に説明する。第３し１及び第４図はこの発明０月１テ・
−ル素子の実施例を示し、第３図は八ｌ ：ｐ、’にＪ
、る内部配線層を除いた状態の平ｎｉｉ ｌ旧ｉ７、第
イ１ツ目Ｊ第３図の１ｖ−ＩＶ線に沿うｌ’Ｕｉ面を示
していイ）。図において、第１図に示°］ボール素子と
同一にＩＸづ１にむ、１同一性号を（＝Ｌ Ｌである。
に説明する。第３し１及び第４図はこの発明０月１テ・
−ル素子の実施例を示し、第３図は八ｌ ：ｐ、’にＪ
、る内部配線層を除いた状態の平ｎｉｉ ｌ旧ｉ７、第
イ１ツ目Ｊ第３図の１ｖ−ＩＶ線に沿うｌ’Ｕｉ面を示
していイ）。図において、第１図に示°］ボール素子と
同一にＩＸづ１にむ、１同一性号を（＝Ｌ Ｌである。
即ら、ユビタ・トシ、トル層４の幅方向の縁部に設定さ
れたボール電圧検出部１６．１８には、ボール電圧を検
１１０る）、二めに、咽別に接合形の電界効果トランジ
スタ（に）、王Ｊ−Ｆ ＥＴとい・））３４．３６が形
成されている。即し、ボール電圧検出部１Ｇにはソース
３８、ｌ−レーＣン４（）が一定の間１１．［、％で形
成され、このソース３８とルイン４０の間１’Ａ内にお
りるエピタキシャル層４にはチャンネルりｍ−１・４２
が形成さ扛゛ζいる。同（・会に、ボール電圧検出部１
８にも、■）１形のソース４４、ｉレイン４Ｇが形成さ
れ、その間１’１．４内にはチャンネルりｍ−１・４日
が形成されている。各ソース３８．４４及びｌ＝’し・
イン４０．４６には、電極５０．５２．５４．５６がそ
れぞれ形１１１７さｌ＋、ている。ヂャンネルケ−１・
４２．４８は、第４１ヱ１に示すように、ホール電圧検
出部１６．１Ｂのエピタキシャル層４に臨んでおり、ボ
ール電圧検出部１Ｇ、１８がケート電極と成っている。
れたボール電圧検出部１６．１８には、ボール電圧を検
１１０る）、二めに、咽別に接合形の電界効果トランジ
スタ（に）、王Ｊ−Ｆ ＥＴとい・））３４．３６が形
成されている。即し、ボール電圧検出部１Ｇにはソース
３８、ｌ−レーＣン４（）が一定の間１１．［、％で形
成され、このソース３８とルイン４０の間１’Ａ内にお
りるエピタキシャル層４にはチャンネルりｍ−１・４２
が形成さ扛゛ζいる。同（・会に、ボール電圧検出部１
８にも、■）１形のソース４４、ｉレイン４Ｇが形成さ
れ、その間１’１．４内にはチャンネルりｍ−１・４日
が形成されている。各ソース３８．４４及びｌ＝’し・
イン４０．４６には、電極５０．５２．５４．５６がそ
れぞれ形１１１７さｌ＋、ている。ヂャンネルケ−１・
４２．４８は、第４１ヱ１に示すように、ホール電圧検
出部１６．１Ｂのエピタキシャル層４に臨んでおり、ボ
ール電圧検出部１Ｇ、１８がケート電極と成っている。
以上のように構成したので、拡１１に領域８．１０にボ
ール電流を流し、この電流に直〜３する方向、即ら、エ
ピタキシャル層４をＲｉＩＩＩする方向にｒ６１界を与
えると、ボール電圧検出部１６．１８のＢ’ Ｊ−ＦＥ
ｉ’３４．３６０）チャ７ネルゲート４２．４８は、そ
の部分に発生ずるボール重圧で制御され、エピタキシャ
ルＪＰ？４に流れるホール電流及び直父する磁束に応じ
てポール電圧が検出される。このホール電圧は、ソース
３８．４４の電極５０，５２の間から外部に取り出すこ
とができる。
ール電流を流し、この電流に直〜３する方向、即ら、エ
ピタキシャル層４をＲｉＩＩＩする方向にｒ６１界を与
えると、ボール電圧検出部１６．１８のＢ’ Ｊ−ＦＥ
ｉ’３４．３６０）チャ７ネルゲート４２．４８は、そ
の部分に発生ずるボール重圧で制御され、エピタキシャ
ルＪＰ？４に流れるホール電流及び直父する磁束に応じ
てポール電圧が検出される。このホール電圧は、ソース
３８．４４の電極５０，５２の間から外部に取り出すこ
とができる。
このような構成によれば、従来のよ・）なポイントコン
タクトを形成する必要がなく、製ｊ査−にのす青度に注
意を払・）必要もない。また、ｆｊＣ来σ月りンリ・部
の設置と異なり１．Ｊ −１ｉ’ ＩＥ Ｔ３４．３（
Ｈのチャンネルゲート４２．４８にポール電圧を印加す
るため、高・ｆンピーダンスとなり、ボール電流の分布
を乱すことがなく、ポール電圧を高感度、高利ｉＵご検
出できる。
タクトを形成する必要がなく、製ｊ査−にのす青度に注
意を払・）必要もない。また、ｆｊＣ来σ月りンリ・部
の設置と異なり１．Ｊ −１ｉ’ ＩＥ Ｔ３４．３（
Ｈのチャンネルゲート４２．４８にポール電圧を印加す
るため、高・ｆンピーダンスとなり、ボール電流の分布
を乱すことがなく、ポール電圧を高感度、高利ｉＵご検
出できる。
マタ、Ｊ −Ｆ Ｅ ｉ” ３４１．ｉ （ｉ ４．１
よれば、ｉｊＬ来のポイントコンタクｉが不肖−・に成
るために生していたオソセノト等の不都合はη−しスｉ
′い。
よれば、ｉｊＬ来のポイントコンタクｉが不肖−・に成
るために生していたオソセノト等の不都合はη−しスｉ
′い。
また、１・し・イン４０ 、 ４ Ｇ ：４：、−１１
、荊に接続し、Ｊ−Ｆ Ｅ Ｔ３４．３６で差ｉ、１ｉ
ｆＪＩｉ’ｌ Ｉｆｏ：’、ｉ ｅ：ｔを１ｖ成ずれは
、ボール重ＩＬをさらに凸利１７で１１（乞り出Ｊ−こ
とができる。
、荊に接続し、Ｊ−Ｆ Ｅ Ｔ３４．３６で差ｉ、１ｉ
ｆＪＩｉ’ｌ Ｉｆｏ：’、ｉ ｅ：ｔを１ｖ成ずれは
、ボール重ＩＬをさらに凸利１７で１１（乞り出Ｊ−こ
とができる。
以上説明したようにこの発明によれば、ボール電流を乱
すことなく、ポール電圧を高感度、高利ｆｏで検出する
ことができる。
すことなく、ポール電圧を高感度、高利ｆｏで検出する
ことができる。
第１図ＩＪ： ｔｊｌｌ ３トのホール素子を示す平面
図１、第２図は第１図の１１−１１線に沿う１；）１面
１２（１、第３図はこの発明の；１；−ル卑子の実施例
、に：示す平面図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線に沿
’、 １１．Ｉｉ面図である。 ４・・・エピタキシャルＩｆ１−．３４．３（ｉ・・・
電界効果ｌ・ランジスタ。 第１図 第３図 第４図 五 ６４ ３６
図１、第２図は第１図の１１−１１線に沿う１；）１面
１２（１、第３図はこの発明の；１；−ル卑子の実施例
、に：示す平面図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線に沿
’、 １１．Ｉｉ面図である。 ４・・・エピタキシャルＩｆ１−．３４．３（ｉ・・・
電界効果ｌ・ランジスタ。 第１図 第３図 第４図 五 ６４ ３６
Claims (1)
- ボール電圧検出部を設定−」る領域に、その領域を含ん
で（Ｒ成される電界効果ｌ・ランジスタを設置し、この
電界効果トランジスタでボール電圧を検出するようにし
たことを特徴とするホール素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198396A JPS5987886A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | ホ−ル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198396A JPS5987886A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | ホ−ル素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987886A true JPS5987886A (ja) | 1984-05-21 |
| JPH0122994B2 JPH0122994B2 (ja) | 1989-04-28 |
Family
ID=16390428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57198396A Granted JPS5987886A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | ホ−ル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987886A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5344118A (en) * | 1976-10-01 | 1978-04-20 | Philips Nv | Video amplifier |
-
1982
- 1982-11-11 JP JP57198396A patent/JPS5987886A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5344118A (en) * | 1976-10-01 | 1978-04-20 | Philips Nv | Video amplifier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0122994B2 (ja) | 1989-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0828431B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| US10062836B2 (en) | Magnetic sensor and method of manufacturing the same | |
| JPH05206470A (ja) | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ | |
| JPS5987886A (ja) | ホ−ル素子 | |
| JP2924741B2 (ja) | 電流検出器付き半導体装置 | |
| JPS5987887A (ja) | ホ−ル素子 | |
| JPH0232795B2 (ja) | ||
| JPS6286880A (ja) | 磁電変換素子 | |
| JPH0249032B2 (ja) | ||
| JPH0336301B2 (ja) | ||
| JPH01301120A (ja) | 半導体流速センサ | |
| RU2122258C1 (ru) | Сенсор вектора магнитного поля | |
| JP2904082B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS5987885A (ja) | ホ−ル素子 | |
| US2987581A (en) | Slotted hall effect transducer | |
| JPS59228759A (ja) | Ｍｏｓ型ホ−ル素子 | |
| JPH04150073A (ja) | 接合型電界効果トランジスタ | |
| JP2523709B2 (ja) | 半導体集積回路の配線方法 | |
| RU2055422C1 (ru) | Интегральный элемент холла | |
| JPS6352788B2 (ja) | ||
| JPS589359A (ja) | Ｍｏｓ集積回路 | |
| JPH0224391B2 (ja) | ||
| JPH0122993B2 (ja) | ||
| JPS6216571A (ja) | ホトサイリスタにおけるｐｎｐトランジスタの構造 | |
| JPH05206245A (ja) | 半導体装置 |