JPS598700A - シリコン単結晶チツプの分割方法 - Google Patents
シリコン単結晶チツプの分割方法Info
- Publication number
- JPS598700A JPS598700A JP57116660A JP11666082A JPS598700A JP S598700 A JPS598700 A JP S598700A JP 57116660 A JP57116660 A JP 57116660A JP 11666082 A JP11666082 A JP 11666082A JP S598700 A JPS598700 A JP S598700A
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- JP
- Japan
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- opening
- single crystal
- substrate
- silicon single
- openings
- Prior art date
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Weting (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の分野〉
この発明はシリコン単結晶チップの分割方法に関するも
のである。
のである。
〈従来技術とその問題点〉
シリコン単結晶基板の所定区画内に、たとえば異方性エ
ツチングによる微細加工部を形成し、各区画ごとに分割
して、多数個の単結晶チップを得たい場合、一般に上記
区画ごとにスクライプフィンを形成する必要がある。
ツチングによる微細加工部を形成し、各区画ごとに分割
して、多数個の単結晶チップを得たい場合、一般に上記
区画ごとにスクライプフィンを形成する必要がある。
しかるに、従来では上記スクライプフィンの形成をダイ
ヤモンドスフフィバやホイーμなどの機械加工手段に依
存していたから、上記微細加工工程とは別にスクライプ
フイン形成工程を要し、製造工程の簡略化の支障となっ
ていた。
ヤモンドスフフィバやホイーμなどの機械加工手段に依
存していたから、上記微細加工工程とは別にスクライプ
フイン形成工程を要し、製造工程の簡略化の支障となっ
ていた。
〈発明の目的〉
この発明は上記スクライプフィンの形成を異方性エツチ
ングで行なえるようにして、製造工程の簡略化を推進で
きるようにしたものである。
ングで行なえるようにして、製造工程の簡略化を推進で
きるようにしたものである。
〈発明の構成と効果〉
この発明は上記目的を達成するため、面方位が（１００
）であるシリコン単結晶基板の主面に表面保護層を形成
し、＜１１０＞方向とこれに直交する方向の両区画線の
交差部で途切れ該区画線に沿って延びる直線状開口部お
よび上記交差部に形成され九点状開口部を上記保護層に
形成して蝕刻用マスクとし、このマスクを介して上記シ
リコン単結晶基板に異方性エツチングを行なってスクラ
イプフィンを形成することを特徴としている。
）であるシリコン単結晶基板の主面に表面保護層を形成
し、＜１１０＞方向とこれに直交する方向の両区画線の
交差部で途切れ該区画線に沿って延びる直線状開口部お
よび上記交差部に形成され九点状開口部を上記保護層に
形成して蝕刻用マスクとし、このマスクを介して上記シ
リコン単結晶基板に異方性エツチングを行なってスクラ
イプフィンを形成することを特徴としている。
このように構成することによυ、シリコン単結晶基板に
異方性エツチングで微細加工部を形成するのと並行して
スクライプフィンを形成でき、工程数の削減化を図れる
うえ、スクライプフィンの機能が高められて分割操作も
容易に行なうことができる効果がある。
異方性エツチングで微細加工部を形成するのと並行して
スクライプフィンを形成でき、工程数の削減化を図れる
うえ、スクライプフィンの機能が高められて分割操作も
容易に行なうことができる効果がある。
〈実施例の説明〉
以下、この発明の一実施例を図面にしたがって説明する
。
。
まず、第１図に示すように面方位が（１００）であるシ
リコン基板１１の主面上にＣ−Ｖ＠Ｄ法等で、たとえば
二酸化シリコンの表面保護膜認を形成する。ついでスク
ライプフィン方向が＜１１０＞になるようにマスキング
し、周知のフォトリゾグラフィ法および酸エツチングに
より開口部す、１４を形成して、第２図に示すようなパ
ターンを得る。上記開口部！３は後述する微細加工部と
しての片持梁を形成するだめのものであり、また開口部
１４はスー′クフイプフインを形成するためのものであ
る。開口部１４は、第１図に示す所定の区Ｗ４線Ｐ、Ｑ
の交差部を避けて該区画線Ｐ、Ｑに沿って延びる直線状
開口部正と上記交差部に形成された点状開口部論とから
なる。
リコン基板１１の主面上にＣ−Ｖ＠Ｄ法等で、たとえば
二酸化シリコンの表面保護膜認を形成する。ついでスク
ライプフィン方向が＜１１０＞になるようにマスキング
し、周知のフォトリゾグラフィ法および酸エツチングに
より開口部す、１４を形成して、第２図に示すようなパ
ターンを得る。上記開口部！３は後述する微細加工部と
しての片持梁を形成するだめのものであり、また開口部
１４はスー′クフイプフインを形成するためのものであ
る。開口部１４は、第１図に示す所定の区Ｗ４線Ｐ、Ｑ
の交差部を避けて該区画線Ｐ、Ｑに沿って延びる直線状
開口部正と上記交差部に形成された点状開口部論とから
なる。
しかる後、ピロカテコール、エチレンジアミンなどの異
方性エツチング液によシ開ロ部１３ 、１４を通して、
シリコン基板１１をエツチングする。上記開口部困を通
してエツチングされた部分には、第３図のように二酸化
シリコンの片持梁１７が残存形成される。これと並行し
て他方の開口部１４を通してエツチングされた部分には
、Ｖ状溝用と角錐四部東がスクライプフィンとして形成
される。
方性エツチング液によシ開ロ部１３ 、１４を通して、
シリコン基板１１をエツチングする。上記開口部困を通
してエツチングされた部分には、第３図のように二酸化
シリコンの片持梁１７が残存形成される。これと並行し
て他方の開口部１４を通してエツチングされた部分には
、Ｖ状溝用と角錐四部東がスクライプフィンとして形成
される。
ここで、シリコン単結晶基板Ｈに対する異方性エツチン
グにおいては、上記基板Ｈの面方位によシ、エツチング
速度が異なシ、たとえば（１００）： （１１０）！
（１１１）＝５０：３０：１ 程度のものとなってお
シ、（１１１）面のエツチング速度が極め工遅いという
特徴を有する。したがって、結晶方位を上記のように設
定した場合、第４図に示すように、（１１１）面でエツ
チングが停止し、（１１１）面で囲まれたＶ状溝用なら
びに角錐凹部ｍが形成され、この時上記保ｓｘｔｇにお
ける各開口部属。
グにおいては、上記基板Ｈの面方位によシ、エツチング
速度が異なシ、たとえば（１００）： （１１０）！
（１１１）＝５０：３０：１ 程度のものとなってお
シ、（１１１）面のエツチング速度が極め工遅いという
特徴を有する。したがって、結晶方位を上記のように設
定した場合、第４図に示すように、（１１１）面でエツ
チングが停止し、（１１１）面で囲まれたＶ状溝用なら
びに角錐凹部ｍが形成され、この時上記保ｓｘｔｇにお
ける各開口部属。
１６をこえてシリコン単結晶基板１１がオーバーエッチ
されることもない。
されることもない。
また、に酸化シリコンの保護膜間の開口部属。
１６の幅を弯えることにより、深さを自由に制御するこ
とができ、かつエツチング時間によシ最適な幅を選択す
ることによシ、■形状および錐形状をｍ実に維持させて
先端に応力集中が生じやすい形状、っまシ上記基板ｌｌ
を分割させ易い形状に保つことができる。。
とができ、かつエツチング時間によシ最適な幅を選択す
ることによシ、■形状および錐形状をｍ実に維持させて
先端に応力集中が生じやすい形状、っまシ上記基板ｌｌ
を分割させ易い形状に保つことができる。。
トコ口で、スクライプフィン方向が第５図の実線ように
＜Ｌ］、、０＞方向に対して角度θだけずれていると、
同図点線で示すようなオーバエッチ団が生じることにな
るが、この発明の方法においては、マスク用の開口部１
４を、区Ｍ−Ｐ、Ｑ、の交差部を避けた直線状開口部１
５と交差部に連成された点状開口部用とに分割して構成
して短寸化しであるから、上記オーバエッチ団の発生を
抑制できるうえ、交差させた場合のように交差部６１か
らエツチングが進行してしまうこともないため、適正な
スクライプフィンを得ることができる。
＜Ｌ］、、０＞方向に対して角度θだけずれていると、
同図点線で示すようなオーバエッチ団が生じることにな
るが、この発明の方法においては、マスク用の開口部１
４を、区Ｍ−Ｐ、Ｑ、の交差部を避けた直線状開口部１
５と交差部に連成された点状開口部用とに分割して構成
して短寸化しであるから、上記オーバエッチ団の発生を
抑制できるうえ、交差させた場合のように交差部６１か
らエツチングが進行してしまうこともないため、適正な
スクライプフィンを得ることができる。
〈他の実施例の説明〉
上記マスク用開口部１４は、上記実施例のものに限定さ
れるものではなく、たとえば第６図に示すような直線状
開口部位と点状開口部鑓との配列の組み合せであっても
、同様の効果を奏するものである。
れるものではなく、たとえば第６図に示すような直線状
開口部位と点状開口部鑓との配列の組み合せであっても
、同様の効果を奏するものである。
また、上記表面保護膜ルについては、ｙリコン単結晶基
板ｌｌに対する異方性エツチングの際にそのエツチング
溶液に耐える材料であれば、上記二酸化シリコンに限定
されるものではない。
板ｌｌに対する異方性エツチングの際にそのエツチング
溶液に耐える材料であれば、上記二酸化シリコンに限定
されるものではない。
第１図〜第３図はこの発明に係るシリコン単結晶チップ
の分割方法に適用されたシリコン単結晶基板におけるス
クライプフィン形成を工程順に示す斜視図、第４図は第
３図の４−４線断面図、第５図は結晶軸方位のずれの説
明図、第６図は二酸化シリコン保護膜の開口部の他の変
形例を示す乎面図である。 ■−シリコン単結晶基板、稔−表面保護膜、１４−開口
部、■ト・直線状開口部、１６（転）・一点状開口部、
Ｐ、Ｑ−区画線。 特許出願人 立石電機株式会社 代理人 弁理士 難 波 国 英（外１名）第１図 第２図 第３図 ｑ
の分割方法に適用されたシリコン単結晶基板におけるス
クライプフィン形成を工程順に示す斜視図、第４図は第
３図の４−４線断面図、第５図は結晶軸方位のずれの説
明図、第６図は二酸化シリコン保護膜の開口部の他の変
形例を示す乎面図である。 ■−シリコン単結晶基板、稔−表面保護膜、１４−開口
部、■ト・直線状開口部、１６（転）・一点状開口部、
Ｐ、Ｑ−区画線。 特許出願人 立石電機株式会社 代理人 弁理士 難 波 国 英（外１名）第１図 第２図 第３図 ｑ
Claims (1)
- （１）０置方位が（１００）であるシリコン単結晶基板
の主面上に異方性エツチング溶液に耐え得る表面保護膜
を形成し、上記基板の＜１１０＞方向とこれに直交方向
の所定区画線の各交差部で途切れて該区画線に沿って延
びる直線状開口部ならびに上記交差部に形成された点状
開口部を上記保護膜に形成して蝕刻用マスクとしたのち
、このマスクを介して上記基板に対して異方性エツチン
グを行なうことによシ、上記基板主面の上記両開口部に
対応してスクライプフィンを形成することを特徴とする
シリコン単結晶チップの分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57116660A JPS598700A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | シリコン単結晶チツプの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57116660A JPS598700A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | シリコン単結晶チツプの分割方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS598700A true JPS598700A (ja) | 1984-01-17 |
| JPH037141B2 JPH037141B2 (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=14692737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57116660A Granted JPS598700A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | シリコン単結晶チツプの分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598700A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196378A (en) * | 1987-12-17 | 1993-03-23 | Texas Instruments Incorporated | Method of fabricating an integrated circuit having active regions near a die edge |
| JPH10506204A (ja) * | 1994-09-26 | 1998-06-16 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | Ｏｅｉｃモジュールおよび光ファイバを光学的に相互結合するための結合装置 |
-
1982
- 1982-07-05 JP JP57116660A patent/JPS598700A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196378A (en) * | 1987-12-17 | 1993-03-23 | Texas Instruments Incorporated | Method of fabricating an integrated circuit having active regions near a die edge |
| JPH10506204A (ja) * | 1994-09-26 | 1998-06-16 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | Ｏｅｉｃモジュールおよび光ファイバを光学的に相互結合するための結合装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH037141B2 (ja) | 1991-01-31 |
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