JPS5984467A - モノリシツク赤外線電荷転送素子 - Google Patents
モノリシツク赤外線電荷転送素子Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は赤外線用撮像デバイスに使用せるモノリシック
赤外線電荷転送素子に関するものである。
赤外線電荷転送素子に関するものである。
従来、３〜５μｍ帯赤外線電荷転送素子についてはモノ
リシックシリコンショットキ形赤外線電荷転送素子がほ
ぼ唯一のモノリシック形として開発されてきている。
リシックシリコンショットキ形赤外線電荷転送素子がほ
ぼ唯一のモノリシック形として開発されてきている。
一方、もう一つの重要な８〜１４μｍ帯においては、テ
ルル化水銀カドミウム（Ｈｇｔ−ｘ ｃａｘ Ｔｅ”。
ルル化水銀カドミウム（Ｈｇｔ−ｘ ｃａｘ Ｔｅ”。
Ｘ〜０．２）およびテルル化鉛スズ（Ｈｇ１−ｘ ５ｎ
Ｔｅ’ ； ｘ 〜０．２ ） が８〜１４μｍ帯赤
外線の検出能が大きいことから、有望視されている。し
かしながら、上記テルル化水銀カドミウム、テルル化鉛
スズは材料的に、従来、半導体工業の中で用いられてき
たシリコン（Ｓｔ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）と比べ
未確立で、特にテルル化水銀カドミウムは熱的および機
械的に極めて弱く、またテルル化鉛スズはその誘電率が
極めて大きいため、電荷転送素子（ＣＣＤ）の製作が困
難でかつその転送特性が悪く、モノリシック赤外線電荷
転送素子は実現されておらず、赤外線検出素子としての
み用いられてきた。このため、例えばテルル化水銀カド
ミウム赤外線検出素子とシリコン電荷転送素子をハイブ
リッドに結合する試みがなされている。しかしながら、
上記ハイブリッド方式では、赤外線検出素子と電荷転送
素子とを電気的に接続しなければならず、その接続の煩
雑さを招いたり、また上記接続による寄生容量、寄生イ
ンダクタンスが生じて特性上好ましくないという欠点が
あった。
Ｔｅ’ ； ｘ 〜０．２ ） が８〜１４μｍ帯赤
外線の検出能が大きいことから、有望視されている。し
かしながら、上記テルル化水銀カドミウム、テルル化鉛
スズは材料的に、従来、半導体工業の中で用いられてき
たシリコン（Ｓｔ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）と比べ
未確立で、特にテルル化水銀カドミウムは熱的および機
械的に極めて弱く、またテルル化鉛スズはその誘電率が
極めて大きいため、電荷転送素子（ＣＣＤ）の製作が困
難でかつその転送特性が悪く、モノリシック赤外線電荷
転送素子は実現されておらず、赤外線検出素子としての
み用いられてきた。このため、例えばテルル化水銀カド
ミウム赤外線検出素子とシリコン電荷転送素子をハイブ
リッドに結合する試みがなされている。しかしながら、
上記ハイブリッド方式では、赤外線検出素子と電荷転送
素子とを電気的に接続しなければならず、その接続の煩
雑さを招いたり、また上記接続による寄生容量、寄生イ
ンダクタンスが生じて特性上好ましくないという欠点が
あった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、電荷転送
素子の形成された第１の半導体上に該半導体と材料の異
なる第２の半導体層を形成し、この第２の半導体層を用
いて赤外線検出素子を形成することにより、赤外線検出
素子と電荷転送素子とをモノリシックに集積化して製作
を容易にしかつ素子の特性を向上せしめたモノリシック
赤外線電荷転送素子を提供するものである。
素子の形成された第１の半導体上に該半導体と材料の異
なる第２の半導体層を形成し、この第２の半導体層を用
いて赤外線検出素子を形成することにより、赤外線検出
素子と電荷転送素子とをモノリシックに集積化して製作
を容易にしかつ素子の特性を向上せしめたモノリシック
赤外線電荷転送素子を提供するものである。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明によるモノリシック赤外線電荷転送素子
の一実施例を示す主要断面図、第２図はその平面図であ
る。ここでは、赤外線検出部をテルル化水銀カドミウム
、電荷転送部を砒化ガリウムとして一つのエレメントを
構成した場合を示し、（１）は半絶縁性砒化ガリウム基
板、（２）は半絶縁性砒化ガリウム基板（１）上に形成
されたｎ形砒化ガリウム層、（３）はｐ形砒化ガリウム
層もしくは半絶縁性砒化ガリウム層、（４）はトランス
ファゲート、（５）は電荷転送ゲート、（６）は絶縁膜
、（７）は電荷転送ゲート（５）を制御する信号ライン
であって、（７ａ） 、 （７ｂ） 、 （７ｃ）’
、 （７ｄ）はそれぞれ第１相。
の一実施例を示す主要断面図、第２図はその平面図であ
る。ここでは、赤外線検出部をテルル化水銀カドミウム
、電荷転送部を砒化ガリウムとして一つのエレメントを
構成した場合を示し、（１）は半絶縁性砒化ガリウム基
板、（２）は半絶縁性砒化ガリウム基板（１）上に形成
されたｎ形砒化ガリウム層、（３）はｐ形砒化ガリウム
層もしくは半絶縁性砒化ガリウム層、（４）はトランス
ファゲート、（５）は電荷転送ゲート、（６）は絶縁膜
、（７）は電荷転送ゲート（５）を制御する信号ライン
であって、（７ａ） 、 （７ｂ） 、 （７ｃ）’
、 （７ｄ）はそれぞれ第１相。
第２相、第３相、第４相の信号ラインである。（８）は
前記信号ライン（７）と電荷転送ゲート（５）とをそれ
ぞれ絶縁膜（６）を介して電気的に接続するためのコン
タクトホール、（９）はｎ形砒化ガリウム層（２）上に
形成されたｎ形テルル化カドミウム層、（１０）はｎ形
テルル化水銀カドミウム層、（１１）はｐ形テルル化水
銀カドミウム層、（，１２）はｐ形テルル化水銀カドミ
ウム層（１１）とオーム接触をとる電極である。
前記信号ライン（７）と電荷転送ゲート（５）とをそれ
ぞれ絶縁膜（６）を介して電気的に接続するためのコン
タクトホール、（９）はｎ形砒化ガリウム層（２）上に
形成されたｎ形テルル化カドミウム層、（１０）はｎ形
テルル化水銀カドミウム層、（１１）はｐ形テルル化水
銀カドミウム層、（，１２）はｐ形テルル化水銀カドミ
ウム層（１１）とオーム接触をとる電極である。
しかして、かかる構造の素子を製作するには、まず半絶
緘性砒化ガリウム基板（１）に、例えばシリコン原子、
ベリリウム（Ｂｅ）原子の選択的イオン注入によってそ
れぞれｎ形砒化ガリウム層（２）、ｐ形砒化ガリウム層
（３）を形成する。その後、真空蒸着法、写真製版法な
どによってｎ形砒化ガリウム層（２）上に所定の形状を
もったアルミニウム（Ａ 、Ｅ ）ショットキバリヤに
よるトランスファゲート（４）および電荷転送ゲート（
５）を形成する。次に、例えばプラズマＣＶＤ法による
窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）の絶縁膜ｔ６）を形成し、
該絶縁膜（６）を写真製版法によって所定の形状とする
。更に、真空蒸着法および写真製版法などによってアル
ミニウム（Ａ Ｊ、 ）からなる信号ライン（７）を所
定の形状に形成し、この信号ライン（７）と前記電荷転
送ゲート（５）をコンタクトホール（８）を介して電気
的にそれぞれ接触される。
緘性砒化ガリウム基板（１）に、例えばシリコン原子、
ベリリウム（Ｂｅ）原子の選択的イオン注入によってそ
れぞれｎ形砒化ガリウム層（２）、ｐ形砒化ガリウム層
（３）を形成する。その後、真空蒸着法、写真製版法な
どによってｎ形砒化ガリウム層（２）上に所定の形状を
もったアルミニウム（Ａ 、Ｅ ）ショットキバリヤに
よるトランスファゲート（４）および電荷転送ゲート（
５）を形成する。次に、例えばプラズマＣＶＤ法による
窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）の絶縁膜ｔ６）を形成し、
該絶縁膜（６）を写真製版法によって所定の形状とする
。更に、真空蒸着法および写真製版法などによってアル
ミニウム（Ａ Ｊ、 ）からなる信号ライン（７）を所
定の形状に形成し、この信号ライン（７）と前記電荷転
送ゲート（５）をコンタクトホール（８）を介して電気
的にそれぞれ接触される。
かかる工程によって砒化ガリウムを用いた電荷転送素子
が形成される。次に、赤外線検出１−トの工程について
述べる。
が形成される。次に、赤外線検出１−トの工程について
述べる。
上記電荷転送素子がその上に形成された半絶縁性砒化ガ
リウム基板（１）は、例えば分子線エピタキシャル成長
法および写真製版法などにより、ｎ形砒化ガリウム層（
２）上にｎ形テルル化カドミウム層（９）、ｎ形テルル
化水銀カドミウム層（１ｏ）、ｐ形テルル化水銀カドミ
ウム層（１１）を選択的に形成する。次に、真空蒸着法
、写真製版法によって金（Ａｕ）の電極（１２）をｐ形
テルル化水銀カドミウム層（１１）上に形成する。これ
によって、電荷転送素手の形成された半絶縁性砒化ガリ
ウム基板（１）を含むｎ形砒化ガリウム層（２）上には
、ｎ形テルル化ガリウム層（９）とｎ形テルル化水銀カ
ドミウム層（１０）およびｐ形テルル化水銀カドミウム
層（１１）からなる赤外線検出素子が形成される。これ
によシ、前記赤外線検出素子と電荷転送素子がモノリシ
ックに集積化された赤外線電荷転送素子を製作すること
ができる。
リウム基板（１）は、例えば分子線エピタキシャル成長
法および写真製版法などにより、ｎ形砒化ガリウム層（
２）上にｎ形テルル化カドミウム層（９）、ｎ形テルル
化水銀カドミウム層（１ｏ）、ｐ形テルル化水銀カドミ
ウム層（１１）を選択的に形成する。次に、真空蒸着法
、写真製版法によって金（Ａｕ）の電極（１２）をｐ形
テルル化水銀カドミウム層（１１）上に形成する。これ
によって、電荷転送素手の形成された半絶縁性砒化ガリ
ウム基板（１）を含むｎ形砒化ガリウム層（２）上には
、ｎ形テルル化ガリウム層（９）とｎ形テルル化水銀カ
ドミウム層（１０）およびｐ形テルル化水銀カドミウム
層（１１）からなる赤外線検出素子が形成される。これ
によシ、前記赤外線検出素子と電荷転送素子がモノリシ
ックに集積化された赤外線電荷転送素子を製作すること
ができる。
かかる構造の素子では、半絶縁性砒化ガリウム基板（１
）、ｎ形砒化ガリウム層（２）およびｎ形テルル化カド
ミウム層（９）のバンドギャップがｎ形テルル化水銀カ
ドミウムＦｆＡ （１０）、Ｐ形テルル化水銀カドミウ
ム層（１１）より大きいため、符号（２０）で示す被写
体からの赤外線を半絶縁性砒化ガリウム基板（１）側か
ら受けることができる。そのため、この入射した赤外線
によってｎ形テルル化水銀カドミウムｆｉ （１０）と
ｐ形テルル化水銀カドミウム層（１１）との間に電荷が
蓄積され、トランスファゲート（４）を開とすれば、上
記電荷が電荷転送ゲート（５）下のｎ形砒化ガリウム層
（２）に送り込まれ、次いで信号ライン（７）の信号に
よって転送される。
）、ｎ形砒化ガリウム層（２）およびｎ形テルル化カド
ミウム層（９）のバンドギャップがｎ形テルル化水銀カ
ドミウムＦｆＡ （１０）、Ｐ形テルル化水銀カドミウ
ム層（１１）より大きいため、符号（２０）で示す被写
体からの赤外線を半絶縁性砒化ガリウム基板（１）側か
ら受けることができる。そのため、この入射した赤外線
によってｎ形テルル化水銀カドミウムｆｉ （１０）と
ｐ形テルル化水銀カドミウム層（１１）との間に電荷が
蓄積され、トランスファゲート（４）を開とすれば、上
記電荷が電荷転送ゲート（５）下のｎ形砒化ガリウム層
（２）に送り込まれ、次いで信号ライン（７）の信号に
よって転送される。
したがって、この転送された電荷を外部回路（図示せず
）にて取り出すことによシ、被写体から放射される赤外
＋ｆｆｊｆｆｉに応じた電気信号を取り出すことができ
る。
）にて取り出すことによシ、被写体から放射される赤外
＋ｆｆｊｆｆｉに応じた電気信号を取り出すことができ
る。
なお、ｐ形もしくは半絶縁性砒化ガリウム層（３）は隣
接する素子どうしの素子間分離および所望の電荷転送ゲ
ート（５）下のｎ形砒化ガリウム層（２）に電荷を転送
するために設けられたもので、その障壁の働きを有して
いる。
接する素子どうしの素子間分離および所望の電荷転送ゲ
ート（５）下のｎ形砒化ガリウム層（２）に電荷を転送
するために設けられたもので、その障壁の働きを有して
いる。
このように上記実施例によると、電荷転送素子が形成さ
れたｎ形砒化ガリウム層（２）上に、テルル化水銀カド
ミウムを分子線エピタキシャル法などによシ成長させて
赤外線検出素子を形成することにより、この赤外線検出
素子と前記電荷転送素子がモノリシックに集積化された
赤外線電荷転送素子を容易に製作することができる。ま
た、前記赤外線検出素子は赤外線検出能の大きいテルル
化水銀カドミウムからなるため、赤外線険に対する検出
感度が高くなるとともに、砒化ガリウムによる電荷転送
素子の転送効率が高くなる。しかも、上記ハイブリッド
方式に比して、各々の素子の電気的な接続が不要になる
ので、その寄生容量、寄生インダクタンスの影響もなく
なり、素子の特性を著しく向上させることができる。
れたｎ形砒化ガリウム層（２）上に、テルル化水銀カド
ミウムを分子線エピタキシャル法などによシ成長させて
赤外線検出素子を形成することにより、この赤外線検出
素子と前記電荷転送素子がモノリシックに集積化された
赤外線電荷転送素子を容易に製作することができる。ま
た、前記赤外線検出素子は赤外線検出能の大きいテルル
化水銀カドミウムからなるため、赤外線険に対する検出
感度が高くなるとともに、砒化ガリウムによる電荷転送
素子の転送効率が高くなる。しかも、上記ハイブリッド
方式に比して、各々の素子の電気的な接続が不要になる
ので、その寄生容量、寄生インダクタンスの影響もなく
なり、素子の特性を著しく向上させることができる。
なお、上述の実施例では半絶縁性砒化ガリウム基板（１
）を用いたが、本発明は、電荷転送素子が形成できる半
導体であれば、前記砒化ガリウム以外にシリコンなどで
もよい。また、テルル化水銀カドミウムの他に赤外線検
出能の大きなテルル化鉛スズなどで赤外線検出素子を形
成してもよい。
）を用いたが、本発明は、電荷転送素子が形成できる半
導体であれば、前記砒化ガリウム以外にシリコンなどで
もよい。また、テルル化水銀カドミウムの他に赤外線検
出能の大きなテルル化鉛スズなどで赤外線検出素子を形
成してもよい。
さらに、ｎ形砒化ガリウム層（２）とｎ形テルル化水銀
カドミウム層（１０）との間にｎ形テルル化カドミウム
層（９）を設けたが、これはｎ形テルル化カドミウム層
でなくてもアンチモン化インジュームなどでもよく、ま
た該層を省くこともできる。
カドミウム層（１０）との間にｎ形テルル化カドミウム
層（９）を設けたが、これはｎ形テルル化カドミウム層
でなくてもアンチモン化インジュームなどでもよく、ま
た該層を省くこともできる。
さらに、トランスファゲート（４） 、電荷転送ゲート
（５）ハアルミニウムショットキバリアとしたが、他の
白金などの金属でもよいし、ＭＩＳゲートとしてもよい
。また、素子を形成する各部の拐料の導電形についてｎ
形をｐ形に、ｐ形をｎ形に反転し得ることも当然である
。さらには、赤外線を基板（１）側からではなく、赤外
線が透過できるように形成された電極（１２）側から受
けてもよいことは勿論である。
（５）ハアルミニウムショットキバリアとしたが、他の
白金などの金属でもよいし、ＭＩＳゲートとしてもよい
。また、素子を形成する各部の拐料の導電形についてｎ
形をｐ形に、ｐ形をｎ形に反転し得ることも当然である
。さらには、赤外線を基板（１）側からではなく、赤外
線が透過できるように形成された電極（１２）側から受
けてもよいことは勿論である。
以上説明したように、本発明は、電荷転送素子と赤外線
検出素子とをモノリシックに集積化することにより、そ
の製造を容易にでき、また素子の特性を向上させること
ができるなど赤外線用撮像デバイスに適用して優れた効
果を奏する。
検出素子とをモノリシックに集積化することにより、そ
の製造を容易にでき、また素子の特性を向上させること
ができるなど赤外線用撮像デバイスに適用して優れた効
果を奏する。
第１図および第２図は本発明によるモノリシック赤外約
電荷転送素子の一実施例を示す主要断面図およびその平
面図である。 （１）・・・・半絶縁性砒化ガリウム基板、（２）・・
・・ｎ形砒化ガリウム層、（３）・・・・ｐ形もしくは
半絶縁性砒化ガリウノ・層、（４）−・・・トランスフ
ァゲート、（５）・・・・電荷転送ゲート、（６）・・
・・絶縁膜、（７）・・・・信号ライン、（７ａ）・・
−・第１相信号ライン、（７ｂ）・拳−・第２相信号ラ
イン、（７Ｃ）・・・・第３相信号ライン、’（７ｄ）
・會・・第４相信号ライン、（８）・の・会コンタクト
ホール、（’９）・・・・ｎ形テルル化カドミウム層、
（１０）・・・・ｎ形テルル化水銀カドミウム層、（１
１）・・・・ｐ形テルル化水銀カドミウム層、（１２）
・・・・電極。 代理人 葛 野 信 − 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 ］、事ｒ’ｌ・の表示 ↑；ｆ１ｇ「ｉ昭 ５７
−１９５４４１号２ 発明の名称 モノリシック赤外線電荷転送素子 ３ 浦正をする者 代表り片由仁へ部 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の梱 ６、補正の内容 ＋１１ 明細書第２頁第７行の［Ｉ（ｇｔ−ｘ Ｓｎ
Ｊをｊ ｐｂｓ−ｘｓｎｘＪと補正する。 以 上
電荷転送素子の一実施例を示す主要断面図およびその平
面図である。 （１）・・・・半絶縁性砒化ガリウム基板、（２）・・
・・ｎ形砒化ガリウム層、（３）・・・・ｐ形もしくは
半絶縁性砒化ガリウノ・層、（４）−・・・トランスフ
ァゲート、（５）・・・・電荷転送ゲート、（６）・・
・・絶縁膜、（７）・・・・信号ライン、（７ａ）・・
−・第１相信号ライン、（７ｂ）・拳−・第２相信号ラ
イン、（７Ｃ）・・・・第３相信号ライン、’（７ｄ）
・會・・第４相信号ライン、（８）・の・会コンタクト
ホール、（’９）・・・・ｎ形テルル化カドミウム層、
（１０）・・・・ｎ形テルル化水銀カドミウム層、（１
１）・・・・ｐ形テルル化水銀カドミウム層、（１２）
・・・・電極。 代理人 葛 野 信 − 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 ］、事ｒ’ｌ・の表示 ↑；ｆ１ｇ「ｉ昭 ５７
−１９５４４１号２ 発明の名称 モノリシック赤外線電荷転送素子 ３ 浦正をする者 代表り片由仁へ部 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の梱 ６、補正の内容 ＋１１ 明細書第２頁第７行の［Ｉ（ｇｔ−ｘ Ｓｎ
Ｊをｊ ｐｂｓ−ｘｓｎｘＪと補正する。 以 上
Claims (2)
- （１）電荷転送素子の形成された第１の半導体上に該半
導体と異なる第２の半導体層を形成し、該第２の半導体
層を用いて赤外線検出素子を形成することを特徴とする
モノリシック赤外線電荷転送素子。 - （２）第１の半導体を砒化ガリウムあるいはシリコンの
いずれか一方で形成するとともに、第２の半導体層をテ
ルル化水銀カドミウムあるいはテルル化鉛スズのいずれ
か一方にて形成することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のモノリシック赤外線電荷転送素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57195441A JPS5984467A (ja) | 1982-11-06 | 1982-11-06 | モノリシツク赤外線電荷転送素子 |
| FR8317565A FR2535899B1 (fr) | 1982-11-06 | 1983-11-04 | Element de transfert de charges en infrarouge monolithique |
| US06/548,755 US4553152A (en) | 1982-11-06 | 1983-11-04 | Monolithic infrared ray charge transfer element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57195441A JPS5984467A (ja) | 1982-11-06 | 1982-11-06 | モノリシツク赤外線電荷転送素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984467A true JPS5984467A (ja) | 1984-05-16 |
| JPH0436470B2 JPH0436470B2 (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=16341109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57195441A Granted JPS5984467A (ja) | 1982-11-06 | 1982-11-06 | モノリシツク赤外線電荷転送素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4553152A (ja) |
| JP (1) | JPS5984467A (ja) |
| FR (1) | FR2535899B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271270A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Nec Corp | 赤外線検出器およびその製造方法 |
| JPS635560A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-11 | Nec Corp | 配列型赤外線検知器 |
| EP0606350A1 (en) * | 1991-09-30 | 1994-07-20 | Luminis Pty. Limited | Gallium arsenide mesfet imager |
| JP2008058238A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Hitachi Ltd | ガスモニタリング装置及びガスモニタリング方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107758A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Fujitsu Ltd | ＧａＡｓ集積回路及びその製造方法 |
| US4689650A (en) * | 1985-10-03 | 1987-08-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Infrared epitaxial detector structure and method of making same |
| FR2592740B1 (fr) * | 1986-01-08 | 1988-03-18 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur photovoltaique en hgcdte a heterojonction et son procede de fabrication |
| DE3622879C2 (de) * | 1986-07-08 | 1997-04-10 | Licentia Gmbh | Detektoranordnung |
| US5473162A (en) * | 1987-10-26 | 1995-12-05 | Baylor University | Infrared emission detection of a gas |
| EP0383829A4 (en) * | 1987-10-26 | 1993-06-30 | Research Corporation Technologies, Inc | Infrared emission detection |
| US4970567A (en) * | 1987-11-23 | 1990-11-13 | Santa Barbara Research Center | Method and apparatus for detecting infrared radiation |
| EP0345343B1 (en) * | 1987-11-23 | 1993-08-25 | Santa Barbara Research Center | Method and apparatus for detecting infrared radiation |
| US5936268A (en) * | 1988-03-29 | 1999-08-10 | Raytheon Company | Epitaxial passivation of group II-VI infrared photodetectors |
| GB8828348D0 (en) * | 1988-12-05 | 1989-01-05 | Secr Defence | Photodetector |
| US4965649A (en) * | 1988-12-23 | 1990-10-23 | Ford Aerospace Corporation | Manufacture of monolithic infrared focal plane arrays |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3883437A (en) * | 1974-01-25 | 1975-05-13 | Hughes Aircraft Co | Monolithic IR detector arrays with direct injection charge coupled device readout |
| US3873836A (en) * | 1974-04-19 | 1975-03-25 | Us Navy | Charge coupled radiation detector imaging system |
| US4063268A (en) * | 1976-07-15 | 1977-12-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Silicon-polysilicon infrared image device with orientially etched detector |
| US4188709A (en) * | 1977-02-07 | 1980-02-19 | Honeywell Inc. | Double sided hybrid mosaic focal plane |
| US4275407A (en) * | 1977-09-01 | 1981-06-23 | Honeywell Inc. | Durable insulating protective layer for hybrid CCD/mosaic IR detector array |
| GB1579291A (en) * | 1978-01-17 | 1980-11-19 | Plessey Co Ltd | Photodiode image sensor |
| US4273596A (en) * | 1978-10-03 | 1981-06-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of preparing a monolithic intrinsic infrared focal plane charge coupled device imager |
| US4422091A (en) * | 1981-01-19 | 1983-12-20 | Rockwell International Corporation | Backside illuminated imaging charge coupled device |
| GB2095905B (en) * | 1981-03-27 | 1985-01-16 | Philips Electronic Associated | Infra-red radiation imaging devices and methods for their manufacture |
| US4488165A (en) * | 1981-12-22 | 1984-12-11 | Levine Michael A | Extrinsic infrared detector with a charge reset function |
-
1982
- 1982-11-06 JP JP57195441A patent/JPS5984467A/ja active Granted
-
1983
- 1983-11-04 US US06/548,755 patent/US4553152A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-11-04 FR FR8317565A patent/FR2535899B1/fr not_active Expired
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271270A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Nec Corp | 赤外線検出器およびその製造方法 |
| JPS635560A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-11 | Nec Corp | 配列型赤外線検知器 |
| EP0606350A1 (en) * | 1991-09-30 | 1994-07-20 | Luminis Pty. Limited | Gallium arsenide mesfet imager |
| EP0606350A4 (en) * | 1991-09-30 | 1994-11-17 | Luminis Pty Ltd | GALLIUM ARSENIDE MESFET IMAGE RECORDERS. |
| JP2008058238A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Hitachi Ltd | ガスモニタリング装置及びガスモニタリング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2535899B1 (fr) | 1986-05-09 |
| FR2535899A1 (fr) | 1984-05-11 |
| US4553152A (en) | 1985-11-12 |
| JPH0436470B2 (ja) | 1992-06-16 |
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