JPS5983575A - 高圧電源装置 - Google Patents
高圧電源装置Info
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- JPS5983575A JPS5983575A JP19370882A JP19370882A JPS5983575A JP S5983575 A JPS5983575 A JP S5983575A JP 19370882 A JP19370882 A JP 19370882A JP 19370882 A JP19370882 A JP 19370882A JP S5983575 A JPS5983575 A JP S5983575A
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- Japan
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- bias
- base
- winding
- power supply
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
- H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
- H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、複写機等において使用される高圧電源装置に
関する。
関する。
一般に、複写機のプロセスでは、第１図に示すように感
光体ドラム（１）からコピー紙（２）にコピー内容が転
写されるが、感光体ドラム（１）は転写時に転写チャー
ジャ（３）によｐ直流で５〜６ＫＶに帯電されているた
め、コピー紙（２）もかなシの高電圧で帯電される。し
たがって、この帯電されたコピー紙（２）を電気的に中
和（除電）して複写機外へ紙詰まり等の故障なく引き出
さなくてはならない。すなわち、除電することは静電力
で感光体ドラム（１）に吸着されているコピー紙（２）
の外部への引き出しプロセスを容易にするとともに、オ
ペレータがコピー紙（２）に触れたときの静電気による
感電が防止される。したがって、この除電はコピープロ
セス上極めて重要である。ところが、除電のために交流
の高電圧を印加するが帯電されたコピー紙を吸着されて
いる感光体ドラムから引き剥すこと、および電気的中和
を行なうことの２つの動作を安定的に行うことは実用上
簡単なことではない。
光体ドラム（１）からコピー紙（２）にコピー内容が転
写されるが、感光体ドラム（１）は転写時に転写チャー
ジャ（３）によｐ直流で５〜６ＫＶに帯電されているた
め、コピー紙（２）もかなシの高電圧で帯電される。し
たがって、この帯電されたコピー紙（２）を電気的に中
和（除電）して複写機外へ紙詰まり等の故障なく引き出
さなくてはならない。すなわち、除電することは静電力
で感光体ドラム（１）に吸着されているコピー紙（２）
の外部への引き出しプロセスを容易にするとともに、オ
ペレータがコピー紙（２）に触れたときの静電気による
感電が防止される。したがって、この除電はコピープロ
セス上極めて重要である。ところが、除電のために交流
の高電圧を印加するが帯電されたコピー紙を吸着されて
いる感光体ドラムから引き剥すこと、および電気的中和
を行なうことの２つの動作を安定的に行うことは実用上
簡単なことではない。
そこで、この複雑なプロセスのため、近年では感光体ド
ラムおよび帯電コピー紙に印加する交流電圧も第２図に
示すように直流バイアスを印加したものとし、コピープ
ロセス性能の向上と安定性を図るようにしたものがある
。すなわち、第２図において実線で示すＥ’ｏｐが正負
対称波形のピーク電圧値であるのに対し、点線で示した
波形がプロセス上要求される直流バイアスされた偏位波
形であシその偏位値はＥ’０Ｐ１−Ｅ’ｏｐｉである。
ラムおよび帯電コピー紙に印加する交流電圧も第２図に
示すように直流バイアスを印加したものとし、コピープ
ロセス性能の向上と安定性を図るようにしたものがある
。すなわち、第２図において実線で示すＥ’ｏｐが正負
対称波形のピーク電圧値であるのに対し、点線で示した
波形がプロセス上要求される直流バイアスされた偏位波
形であシその偏位値はＥ’０Ｐ１−Ｅ’ｏｐｉである。
また、交流出力電圧も近年では半導体化されたインバー
タ等の高圧電源装置にて供給゛されるもので、その−例
の概略は第３図に示すように直流ｉｉ１源Ｅ′と発振ト
ランジスタＱ′とインバータトランスＴ′とによ多構成
され、負荷Ｌ′としてチャージャーが接続されるもので
ある。そして、インバータトランスＴの二次巻線Ｎ’ｓ
のアース電位値にダイオードＤ（、ＤＧと抵抗Ｒ’ｌ
ｒ Ｒ’＊とを逆接続しつつ抵抗Ｂ／、 、 Ｒ４の値
に差を持たせることにより電圧降下値を変えて、交流出
力電圧波形に直流バイアスを印加するようにしているも
のである。
タ等の高圧電源装置にて供給゛されるもので、その−例
の概略は第３図に示すように直流ｉｉ１源Ｅ′と発振ト
ランジスタＱ′とインバータトランスＴ′とによ多構成
され、負荷Ｌ′としてチャージャーが接続されるもので
ある。そして、インバータトランスＴの二次巻線Ｎ’ｓ
のアース電位値にダイオードＤ（、ＤＧと抵抗Ｒ’ｌ
ｒ Ｒ’＊とを逆接続しつつ抵抗Ｂ／、 、 Ｒ４の値
に差を持たせることにより電圧降下値を変えて、交流出
力電圧波形に直流バイアスを印加するようにしているも
のである。
ところが、このよう外従来方式の場合、次のような欠点
がある。すなわち、直流バイアスは通常数百Ｖであるが
、これは抵抗Ｒ１、Ｒ４の電圧降下値の差であり、第２
図の点線で示すような直流バイアスを得るためには（Ｉ
’ｏｐ■ｘＲ４）−（Ｉ’ｏｐｅｘＲへ）＝（正極値）
にならなければならず、各々の電圧降下値は１０００
Ｖ ｔ−越える値となる。よって、ダイオードＤ／、
ｌ ＤＳ、抵抗Ｒ’ｔ 、 Ｒ−もこの値に耐え得るも
のを使用しなければならず、これらが高ＵＳ；圧用部品
となって高価となる。同時に、形状も大型化しセットス
ペース上も体積が大となって不利である。
がある。すなわち、直流バイアスは通常数百Ｖであるが
、これは抵抗Ｒ１、Ｒ４の電圧降下値の差であり、第２
図の点線で示すような直流バイアスを得るためには（Ｉ
’ｏｐ■ｘＲ４）−（Ｉ’ｏｐｅｘＲへ）＝（正極値）
にならなければならず、各々の電圧降下値は１０００
Ｖ ｔ−越える値となる。よって、ダイオードＤ／、
ｌ ＤＳ、抵抗Ｒ’ｔ 、 Ｒ−もこの値に耐え得るも
のを使用しなければならず、これらが高ＵＳ；圧用部品
となって高価となる。同時に、形状も大型化しセットス
ペース上も体積が大となって不利である。
また、コピープロセス上、この直流バイアス値を可変す
る場合、抵抗Ｒ（またはＲ−を可変抵抗にしなければな
らないが、従来方式では必然的に高電圧用ボリウムを使
用しなければならず、この面からも大型・コストアップ
化し、トランス装置の構造設計裕度がなくなるものであ
る。
る場合、抵抗Ｒ（またはＲ−を可変抵抗にしなければな
らないが、従来方式では必然的に高電圧用ボリウムを使
用しなければならず、この面からも大型・コストアップ
化し、トランス装置の構造設計裕度がなくなるものであ
る。
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、交流出
力電圧に対する直流バイアスの印加を簡単かつ確実に行
なうことができる高圧電源装置を得ることを目的とする
。
力電圧に対する直流バイアスの印加を簡単かつ確実に行
なうことができる高圧電源装置を得ることを目的とする
。
本発明は、発振トランジスタのベース側にそのベース電
流を変化させるインピーダンス可変回路を設けることに
より、小型・安価で簡単にして低圧の下確実に交流出力
電圧に直流バイアスを印加することができるように構成
したものである。
流を変化させるインピーダンス可変回路を設けることに
より、小型・安価で簡単にして低圧の下確実に交流出力
電圧に直流バイアスを印加することができるように構成
したものである。
本発明の第一の実施例を第４図および第５図に基づいて
説明する。まず、基本的には直流電源Ｅと発振トランジ
スタＱとインバータトランスＴとにより構成されている
。インバータトランスＴは一次巻線Ｎ１、ベース巻線Ｎ
ｎ ｓ二次巻線Ｎ１を有し、二次巻線Ｎ鵞には負荷りが
接続されている。また、発振トランジスタＱのベースに
は固定バイアスベース電流を流す抵抗Ｒｔ 、 Ｒｉ
、 Ｒａ 、コンデンサＣ１とともにＯＮ・ＯＦＦタイ
ミング用のタイミングベース電流を流すベース巻線ＮＢ
が接続され、ベース巻線ＮＢにはコンデンサＣｍを介し
てインピーダンス可変回路（４）を構成する可変抵抗Ｖ
Ｒが接続されている。また、発振トランジスタＱのエミ
ッタにはこの発振トランジスタＱの温度変化によるＶａ
ｎ変化でバイアス電流値が変化するのを防止する保護抵
抗ＲＥが接続されている。
説明する。まず、基本的には直流電源Ｅと発振トランジ
スタＱとインバータトランスＴとにより構成されている
。インバータトランスＴは一次巻線Ｎ１、ベース巻線Ｎ
ｎ ｓ二次巻線Ｎ１を有し、二次巻線Ｎ鵞には負荷りが
接続されている。また、発振トランジスタＱのベースに
は固定バイアスベース電流を流す抵抗Ｒｔ 、 Ｒｉ
、 Ｒａ 、コンデンサＣ１とともにＯＮ・ＯＦＦタイ
ミング用のタイミングベース電流を流すベース巻線ＮＢ
が接続され、ベース巻線ＮＢにはコンデンサＣｍを介し
てインピーダンス可変回路（４）を構成する可変抵抗Ｖ
Ｒが接続されている。また、発振トランジスタＱのエミ
ッタにはこの発振トランジスタＱの温度変化によるＶａ
ｎ変化でバイアス電流値が変化するのを防止する保護抵
抗ＲＥが接続されている。
このような構成において、発振トランジスタＱのベース
には直流電源Ｅによυ抵抗Ｒ１，Ｒ２、Ｒａを介して固
定バイアスベース電流が供給される。このベース電流値
は負荷容量、変動特性等を考慮して決められるがインバ
ータ発振動作時のインバータトランスＴの一次巻線Ｎ１
における一次電圧ＶＮＩが第５図（ｃＬ）に示すように
、振幅の中心値が直流電源Ｅと同じ電位を持つ値となる
ように設定される。
には直流電源Ｅによυ抵抗Ｒ１，Ｒ２、Ｒａを介して固
定バイアスベース電流が供給される。このベース電流値
は負荷容量、変動特性等を考慮して決められるがインバ
ータ発振動作時のインバータトランスＴの一次巻線Ｎ１
における一次電圧ＶＮＩが第５図（ｃＬ）に示すように
、振幅の中心値が直流電源Ｅと同じ電位を持つ値となる
ように設定される。
また、発振トランジスタＱのＯＮ・ＯＦＦタイミングエ
ネルギーはベース巻線Ｎｏによυ与えられ、これが固定
バイアスベース電流に重畳されて発振トランジスタＱの
ベースに供給される。したがって、発振トランジスタＱ
のバイアス点はベース電流に対応して変化し、結果的に
第５図（α）に示すような波形となる。この第５図（旬
はベース電流Ｉｎに対応した発振トランジスタＱのコレ
クタ電流ＩＯの波形図である。第５図＋Ａ）に示すよう
に、発振トランジスタＱＯＯＮＵＡ間ＴＯＮにはベース
回路よυ供給されるコレクタ電流ＩＯによって一次電圧
ＶＮＩの波形およびその高さが決まる。そして、このＯ
Ｎ区間ＴＯＮに一次巻線Ｎ１に供給された磁気エネルギ
ーはＯＦＦ区間ＴＯＦＦにはインバータトランスＴの分
布容量と一次巻ｉＮ、のインダクタンスおよび回路の抵
抗成分によって振動する波形となり、ＯＦＦ時の一次電
圧ＶＮＩの波形およびその高さが決まる。そして、直流
電源Ｅレベルを中心として■側、ｅ側の波形が形成され
る。インバータトランスＴの二次電圧ＶＮ＄１は一次電
圧ＶＮＩの誘起電圧として一次電圧ＶＮＩとは極性が反
転した第５図（Ｇ）のような波形となる。
ネルギーはベース巻線Ｎｏによυ与えられ、これが固定
バイアスベース電流に重畳されて発振トランジスタＱの
ベースに供給される。したがって、発振トランジスタＱ
のバイアス点はベース電流に対応して変化し、結果的に
第５図（α）に示すような波形となる。この第５図（旬
はベース電流Ｉｎに対応した発振トランジスタＱのコレ
クタ電流ＩＯの波形図である。第５図＋Ａ）に示すよう
に、発振トランジスタＱＯＯＮＵＡ間ＴＯＮにはベース
回路よυ供給されるコレクタ電流ＩＯによって一次電圧
ＶＮＩの波形およびその高さが決まる。そして、このＯ
Ｎ区間ＴＯＮに一次巻線Ｎ１に供給された磁気エネルギ
ーはＯＦＦ区間ＴＯＦＦにはインバータトランスＴの分
布容量と一次巻ｉＮ、のインダクタンスおよび回路の抵
抗成分によって振動する波形となり、ＯＦＦ時の一次電
圧ＶＮＩの波形およびその高さが決まる。そして、直流
電源Ｅレベルを中心として■側、ｅ側の波形が形成され
る。インバータトランスＴの二次電圧ＶＮ＄１は一次電
圧ＶＮＩの誘起電圧として一次電圧ＶＮＩとは極性が反
転した第５図（Ｇ）のような波形となる。
しかして、ベース巻線ＮＢに発生する電圧は一次電圧Ｖ
ＮＩよシ誘起され発振トランジスタＱに印加されるが、
抵抗Ｒ２、Ｒ３、可変抵抗ＶＲの抵抗値およびベースコ
ンデンサＣＩ、Ｃ２の合成インピーダンス。
ＮＩよシ誘起され発振トランジスタＱに印加されるが、
抵抗Ｒ２、Ｒ３、可変抵抗ＶＲの抵抗値およびベースコ
ンデンサＣＩ、Ｃ２の合成インピーダンス。
発振トランジスタＱのベース−エミッタ間電圧ＶＢＩに
よって決まる値の波形となる。このベース電流は結果的
に第５図（ｋ）に示すような波形となって発振トランジ
スタＱに印加される。したがって、発振トランジスタＱ
のコレクタ・エミッタ間電圧Ｖｏｐはこのベース電流バ
イアスに応じた変化をすることがわかるものであり、こ
の結果、この実施例ではベースバイアス回路のインピー
ダンスを変えることにより、バイアス電流値および特に
その波形を変えて発振トランジスタＱのコレクタ・エミ
ッタ間電圧Ｖａｎすなわち一次電圧ＶＮＩの波形を変え
ようとするものである。今、第５図（旬において実線で
示す波形が通常時におけるベース電流ＩＢの波形であり
、第５図（Ｃ）の二次電圧ＮＮｓ波形に直流バイアスを
与え■側に直流バイアスを印加する場合は、第５図（４
）の−次電圧ＶＮＩ波形において点線で示すようにＥｏ
ｐｘとすればよいが、この波形は一前述したようにベー
ス電流バイアス値を深く（多く）すればよいことがわか
る。また、逆に二次電圧ＶＮＩＩにｅ側のバイアスを加
えるには、第５図（Ｇ）の波形で一点鎖線で示すような
波形にすれば■。
よって決まる値の波形となる。このベース電流は結果的
に第５図（ｋ）に示すような波形となって発振トランジ
スタＱに印加される。したがって、発振トランジスタＱ
のコレクタ・エミッタ間電圧Ｖｏｐはこのベース電流バ
イアスに応じた変化をすることがわかるものであり、こ
の結果、この実施例ではベースバイアス回路のインピー
ダンスを変えることにより、バイアス電流値および特に
その波形を変えて発振トランジスタＱのコレクタ・エミ
ッタ間電圧Ｖａｎすなわち一次電圧ＶＮＩの波形を変え
ようとするものである。今、第５図（旬において実線で
示す波形が通常時におけるベース電流ＩＢの波形であり
、第５図（Ｃ）の二次電圧ＮＮｓ波形に直流バイアスを
与え■側に直流バイアスを印加する場合は、第５図（４
）の−次電圧ＶＮＩ波形において点線で示すようにＥｏ
ｐｘとすればよいが、この波形は一前述したようにベー
ス電流バイアス値を深く（多く）すればよいことがわか
る。また、逆に二次電圧ＶＮＩＩにｅ側のバイアスを加
えるには、第５図（Ｇ）の波形で一点鎖線で示すような
波形にすれば■。
ｅ細極性はＶＯＰ■（Ｖｏｗθとなり、ｅ側に相対的に
直流バイアスが印加されることになる。この場合には第
５図（町のベース電流ＩＢ波形を一点鎖線で示すように
バイアス電流値を少なくすればよい。これにより、−次
電圧ＶＮＩは一点鎖線で示すＦＡｖｚの波形となる。こ
のようにベース電流値およびその波形を変えることによ
り、二次電圧ｖＮ２、すなわち交流出力電圧に直流バイ
アスを簡単に印加することができる。
直流バイアスが印加されることになる。この場合には第
５図（町のベース電流ＩＢ波形を一点鎖線で示すように
バイアス電流値を少なくすればよい。これにより、−次
電圧ＶＮＩは一点鎖線で示すＦＡｖｚの波形となる。こ
のようにベース電流値およびその波形を変えることによ
り、二次電圧ｖＮ２、すなわち交流出力電圧に直流バイ
アスを簡単に印加することができる。
ここで、実用的には抵抗Ｒ２１Ｒａ ｓ保護抵抗Ｒｉｉ
、可変抵抗ＶＲの抵抗値を変えることにより可能である
が、可変抵抗ＶＲの抵抗値を変えるのが最も実用的であ
ることが確かめられたものである。すなわち、抵抗Ｒ２
，Ｒ８を変えることは抵抗Ｒ１を通して供給する固定バ
イアスベース電流の値を変えて発振トランジスタＱのバ
イアス動作点、第５図（−１における電圧Ｅおよび一次
電圧Ｖ’Ｎ ｌ全体の振幅をも変えることとなり、入力
電圧変動特性を悪化させる要因ともなり得るからである
。このように、この実施例によれば、可変抵抗Ｖｌ’Ｌ
という１／４ Ｗ程度の汎用小型ポリウム１個で極めて
簡単に高圧の交流出力電圧に数百ｖもの直流バイアスを
印加することができるものである。そして、バイアス可
変の小型の可変抵抗Ｖａは低圧制御回路用のＰＣ板に同
時に取付けることができ、従来のように実装構造設計に
悩むこともない。また、従来の高圧用ダイオード、抵抗
方式に比べて大幅にコストダウンできることも明らかで
ある。
、可変抵抗ＶＲの抵抗値を変えることにより可能である
が、可変抵抗ＶＲの抵抗値を変えるのが最も実用的であ
ることが確かめられたものである。すなわち、抵抗Ｒ２
，Ｒ８を変えることは抵抗Ｒ１を通して供給する固定バ
イアスベース電流の値を変えて発振トランジスタＱのバ
イアス動作点、第５図（−１における電圧Ｅおよび一次
電圧Ｖ’Ｎ ｌ全体の振幅をも変えることとなり、入力
電圧変動特性を悪化させる要因ともなり得るからである
。このように、この実施例によれば、可変抵抗Ｖｌ’Ｌ
という１／４ Ｗ程度の汎用小型ポリウム１個で極めて
簡単に高圧の交流出力電圧に数百ｖもの直流バイアスを
印加することができるものである。そして、バイアス可
変の小型の可変抵抗Ｖａは低圧制御回路用のＰＣ板に同
時に取付けることができ、従来のように実装構造設計に
悩むこともない。また、従来の高圧用ダイオード、抵抗
方式に比べて大幅にコストダウンできることも明らかで
ある。
つづいて、本発明の第二の実施例を第６図に基づいて説
明する。前記実施例で示した部分と同一部分は同一符号
を用い説明も省略する。本実施例は、インバータトラン
スＴの低圧帰還巻線Ｎｒに接続されたダイオードＤＩ、
Ｄ２．コンデンサＣｓ ｌｃ４ 、差動増幅器Ａ、）ラ
ンジスタＱｌ、全波整流回路ＲＥＣを主体とするインピ
ーダンス可変回路（５）をペース巻線ＮＢに接続したも
のでおる。
明する。前記実施例で示した部分と同一部分は同一符号
を用い説明も省略する。本実施例は、インバータトラン
スＴの低圧帰還巻線Ｎｒに接続されたダイオードＤＩ、
Ｄ２．コンデンサＣｓ ｌｃ４ 、差動増幅器Ａ、）ラ
ンジスタＱｌ、全波整流回路ＲＥＣを主体とするインピ
ーダンス可変回路（５）をペース巻線ＮＢに接続したも
のでおる。
これにより、交流出力電圧を低圧帰還巻線ＮＦによりそ
の■側、■側を検出し、負荷変動、周囲温匪、湿度、気
圧等により規定のバイアス電圧値を逸脱した場合にこの
変動値を検出し、差動増幅器Ａで増幅し、この変化値を
トランジスタＱｌのノ（イアスに加え、ベース巻線ＮＢ
を介して発振トランジスタＱのベース電流を補正し、常
に一定の直流）（イアスを印加できるようにしたもので
ある。
の■側、■側を検出し、負荷変動、周囲温匪、湿度、気
圧等により規定のバイアス電圧値を逸脱した場合にこの
変動値を検出し、差動増幅器Ａで増幅し、この変化値を
トランジスタＱｌのノ（イアスに加え、ベース巻線ＮＢ
を介して発振トランジスタＱのベース電流を補正し、常
に一定の直流）（イアスを印加できるようにしたもので
ある。
また、本発明の第三の実施例を第７図により説明する。
本実施例は、二次巻線Ｎｍのアース側に接続されたダイ
オードＤａ ＪＤ４ 、抵抗Ｒｔｏ 、Ｒ１１による低
圧部品、差動増幅器Ａ、）ランジスタ岨、全波整流回路
ＲＥＣ’を主体とするインピーダンス可変回路（６）を
ペース巻線Ｎｏに接続して設けたものである。
オードＤａ ＪＤ４ 、抵抗Ｒｔｏ 、Ｒ１１による低
圧部品、差動増幅器Ａ、）ランジスタ岨、全波整流回路
ＲＥＣ’を主体とするインピーダンス可変回路（６）を
ペース巻線Ｎｏに接続して設けたものである。
これにより、交流出力ｉ比圧の直流ノくイアスミ圧をダ
イオードＤｓ 、Ｄ４、抵抗ＲＩＯ，Ｒ１１の低圧部品
によυ検出し、規定値に対するその変化成分を差動増幅
器Ａで増幅帰還し、第二の実施例と同様に常に一定の直
流バイアスを印加するよ５にしたものである。ここに、
ダイオードＤａ 、Ｄ４ ｓ抵抗ＲＩＯ，Ｒ１１は差動
増幅器Ａの入力信号検出用であるので、数Ｖ程度であり
、第３図のようなバイアス印加回路の高圧部品でないこ
とは明らかである。
イオードＤｓ 、Ｄ４、抵抗ＲＩＯ，Ｒ１１の低圧部品
によυ検出し、規定値に対するその変化成分を差動増幅
器Ａで増幅帰還し、第二の実施例と同様に常に一定の直
流バイアスを印加するよ５にしたものである。ここに、
ダイオードＤａ 、Ｄ４ ｓ抵抗ＲＩＯ，Ｒ１１は差動
増幅器Ａの入力信号検出用であるので、数Ｖ程度であり
、第３図のようなバイアス印加回路の高圧部品でないこ
とは明らかである。
本発明は、上述したように発振トランジスタのベース側
にそのベース電流を変化させるインピーダンス可変回路
を設けたので、小型・安価で簡単にして低圧の下確実に
交流出力重圧に直流バイアスを印加することができるも
のである。
にそのベース電流を変化させるインピーダンス可変回路
を設けたので、小型・安価で簡単にして低圧の下確実に
交流出力重圧に直流バイアスを印加することができるも
のである。
第１図は複写機の概略側面図、第２図は従来例を示す波
形図、第３図はその回路図、第４図は本発明の第一の実
施例を示す回路図、第５図（α）〜（Ｏ）はその波形図
、第６図は本発明の第二の実施例を示す回路図、第７図
は本発明の第三の実施例を示す回路図である。 ４〜６・・・インピーダンス可変回路、Ｅ・・・直流電
源、Ｑ・・・発振トランジスタ、Ｔ・・・インバータト
ランス、Ｎｏ・・・ペース巻線、ＮＦ・・・低圧帰還巻
線、■几・・・可変抵抗 出 願 人 東京電気株式会社 あ（３国 丁 にへｌ−図 ］５昆
形図、第３図はその回路図、第４図は本発明の第一の実
施例を示す回路図、第５図（α）〜（Ｏ）はその波形図
、第６図は本発明の第二の実施例を示す回路図、第７図
は本発明の第三の実施例を示す回路図である。 ４〜６・・・インピーダンス可変回路、Ｅ・・・直流電
源、Ｑ・・・発振トランジスタ、Ｔ・・・インバータト
ランス、Ｎｏ・・・ペース巻線、ＮＦ・・・低圧帰還巻
線、■几・・・可変抵抗 出 願 人 東京電気株式会社 あ（３国 丁 にへｌ−図 ］５昆
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 直流電源と発振トランジスタとベース巻線を含むイ
ンバータトランスとを備え、発振トランジスタのベース
に直流電源によシ供給される固定バイアスベース電流と
ベース巻線によシ供給されるＯＮ・ＯＦＦタイミング用
のタイミングベース電流とを流す高圧電源装置において
１１発振トランジスタのベース側にそのベース電流を変
化させるインピーダンス可変回路を設け、このベース’
！、流の変化により交流出力電圧に直流バイアスを印加
したことを特徴とする高圧電源装置。 ２ インピーダンス可変回路がベース巻線に接続された
可変抵抗によシ構成され、その可変により交流出力電圧
の直流バイアスを可変させたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の高圧電源装置。 ３ インピーダンス可変回路が交流出力電圧の直流バイ
アス電圧を低圧帰還巻線によシ検出してその変化成分を
増幅帰還し直流バイアス電圧の変動に応じてベース巻線
のインピーダンスを負帰還動作するよう構成され、一定
出力の直流バイアスを印加させたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の高圧電源装置。 ４ インピーダンス可変回路が交流出力電圧の直流バイ
アス電圧を低圧部品によシ検出してその変化成分を増幅
帰還し直流バイアス電圧の変動に応じてベース巻線のイ
ンピーダンスを負帰還動作するよう構成され、一定出力
の直流バイアスを印加させたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の高圧電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19370882A JPS5983575A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 高圧電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19370882A JPS5983575A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 高圧電源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983575A true JPS5983575A (ja) | 1984-05-15 |
| JPH0526432B2 JPH0526432B2 (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=16312461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19370882A Granted JPS5983575A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 高圧電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5983575A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120686A (ja) * | 1974-08-14 | 1976-02-19 | Tokyo Shibaura Electric Co | Hyomenhasochi |
| JPS5622464U (ja) * | 1979-07-27 | 1981-02-27 |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP19370882A patent/JPS5983575A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120686A (ja) * | 1974-08-14 | 1976-02-19 | Tokyo Shibaura Electric Co | Hyomenhasochi |
| JPS5622464U (ja) * | 1979-07-27 | 1981-02-27 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0526432B2 (ja) | 1993-04-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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