JPS598316B2 - ガスノセイセイホウホウ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、加圧下で固体燃料又は液体燃料を水蒸気と酸
素とで処理してガス化することによって得られるガスを
精製して、モノ又はポリ不飽和炭化水素類、メルカプタ
ン類、ＨＣＮ，ＨＣＡ，Ｈ２Ｓ ，ＣＳ２，ＣＯＳ及び
ＮＨ３といった触媒に有害な物質を除去し、前記ガスを
脱硫することによりＨ２Ｓに富む廃ガスを得るようにし
たガスの精製方法であって、 （ａ）１５０〜１７０℃で生成された原料ガスを間接的
に周囲温度に冷却し、この際凝縮する炭化水素類を分離
除去すること。

（ｂ） 次いで前記原料ガスを第１洗滌段階に導いて
水でスクラツピング処理して前記原料ガスからアンモニ
アを除去し、この際前記水の使用量を前記アンモニアの
除去に十分な量とすること。

を工程として夫々具備するガスの精製方法に開するもの
である。

アンモニアの合成又は接触水素添加に用いられる水素、
並びに炭化水素類の接触合成（メタン合成、フィッシャ
ー・トロプシュ合成、メタノール合成またはオキソ合成
）用の水素一一酸化炭素混合物を製造するのに、酸素又
は空気での部分燃焼による直接加熱下或いは外部からの
間接加熱下で水蒸気によって種々の化石質燃料をガス化
することは周知である。

このようにして製造された原料ガスは、触媒に有害な成
分、特に硫黄化合物を常に除去されなければならないの
で、精製される必要がある。

このために大ていはガススクラツピング法（洗滌法）が
用いられているが、この方法によれば、加圧下で通常得
られかつ保持されるガスを水性又は有機のスクラツピン
グ剤で洗滌して不純物を除去するようにしている。

天然ガス或いは石油やこれらの分留物から製造されたガ
スの場合、触媒に有害でありかつ除去されるべき不純物
はＨ２Ｓ、或る比率のＣＯＳ及び少量のＨＣＮから主と
してなっている。

これらガスの精製は石炭ガスの場合より簡単である。

何故なら、石炭ガスは、不純物として上述の諸成分以外
に、例えばＮＨ３，ＣＳ２、メルカブタン類、モノ不飽
和炭化水素類、炭素原子数が２から８ないし１０のポリ
不飽和炭化水素類（即ちアセチレン、オレフイン及びジ
オレフイン）等を含有し、これら成分は熱又は触媒によ
り重合して樹脂化し、種々の箇所に付着したり閉塞を起
こしたりするからである。

上述の理由から、石炭ガスの精製は常に非常に厄介であ
った。

このことは燃料ガスとしてのみ使用されるコークス炉ガ
スの場合に当てはまる。

このガスの精製は常に多段階からなり、各段階ではヂフ
タリン類、ベンゼン炭化水素類、硫化水素、 ゛アンモ
ニア及び窒素酸化物類が別々に除去されていた。

石炭ガス、例えば石炭を加圧下でガス化して得られるガ
スを接触合成に用いる場合、上述の諸段階にさらに幾つ
かの精製段階が加えられた。

このガスからは高濃度のＣＯ２を除去しなければならな
いが、このため加圧下での水によるスクラツピング処理
が行なわれ、さらにまた有機硫黄化合物のすべてを除去
する精製法が採用されている。

この有機硫黄化合物の除去には、約１８０〜２４０℃で
活性であるアルカリ性酸化鉄組成物が用いられた。

物理的な吸収に基づく新しいスクラツピング法が導入さ
れた（ドイツ連邦共和国特許第８４３，５４５号、第９
３ ５．１ ４．４号及び第９３６，７１４号明細書
）。

この方法によれば、スクラツピング剤としてメタノール
のみを用いて−１０℃〜−７０℃の温度でスクラツピン
グ処理し、これによってすべての不純物を石炭ガスから
除去して接触合成に十分な精製ガスを得るようにしてい
る。

この方法は特に石炭ガスの精製に大きな技術的進歩をも
こらした。

またこの方法ではスクラツピング剤として用いられるメ
タノールは化学的にいかなる変化も起こさずに熱処理に
より容易に再生できるので、常に繰返し用い得るが、し
かしながら、蒸気圧が比較的高いことが欠点である。

この欠点を緩和し、かつこれと同時にスクラツピングさ
れるべきガスの溶解度を高めるため、低温で操作してい
る。

このためには、もちろん冷却設備が必要であるので、こ
れに対応したエネルギーを費やす必要がある。

この方法においては、上述したエネルギー消費にも拘ら
ず、触媒に有害なすべての成分と酸性ガスであるＨ２Ｓ
及びＣＯ２との十分な除去や選択的脱硫が可能である。

しかし、この脱硫においては、スクラツピングされたガ
ス中には硫化水素が幾らか富化された程度でしか含まれ
ておらず、従って、Ｈ２Ｓ濃度を高めない限りこのガス
を元素硫黄の製造のためのクラウス法に利用することは
多くの場合不適当である。

唯一のスクラツピング剤により、石炭の乾留ガスから触
媒に有害な物質を除去すると同時に選択脱硫を行なうこ
とは現在なお成功していない。

本発明の目的は、従来技術についての上述及びその他の
諸欠点を除去し、精製されるべき原料ガス（例えば固体
燃料及び／又は液体燃料を水蒸気と酸素とによって加圧
下でガス化して得られるガス）を例えば触媒に有害な不
純物の除去により精製するとともに、従来公知の方法に
おけるような費用のかさむ冷却工程を必要とせずに脱硫
を行ない得る方法を提供することである。

この方法により得られる精製ガスは種々の化学合成、例
えばアンモニア、メタン、メタノールの製造やフィッシ
ャー・トロプシュ合成に直接用いる合成用ガスとして適
している。

本発明はこの目的は次のようにして達成される。

即ち、上述したガスの精製方法において、（ｃ） 次
いで、前記原料ガスを第２洗滌段階に導き、ここで、標
準状態（ １．０ １ ３バール）で１００℃より高い
沸点を有しかつ水と混和し得る高沸点有機溶媒を含有し
，かつ第１スクラツピング剤１ｌ当り少なくとも０．１
ｇの量の元素硫黄が添加された第１スクラツピング剤に
よって前記原料ガスを洗滌し、この際第２洗滌段階にお
いてメチルメルカブタンが完全に除去されるように前記
第１スクラツピング剤の量を調節すること。

（ｄ） 次いで前記原料ガスを第３洗滌段階に導き、
標準状態（１．０１３バール）で１００℃より高い沸点
を有しかつ水と混和し得る高沸点有機溶媒を含有する第
２スクラツピング剤によって前記原料ガスを洗滌してこ
の原料ガスから残留Ｈ２Ｓ及びＣＯＳを選択的に完全に
除去し、この際第２スクラツピング剤の含水量を５〜３
０モル係に保持すること、 （ｅ） 前記第２及び第３の各洗滌段階で使用した前
記スクラツピング剤を夫々再生して再利用のために前記
第２及び第３の各洗滌段階に夫々還流させること。

を工程として夫々具備せしめるようにすることにより達
成される。

精製されるべき原料ガスを例えば周囲温度に冷？すると
、凝縮してくる炭化水素類とともに水蒸気も飽和圧にな
るまで分離される。

これらは混合物として分離されるが、必要ならば別々に
分離し得る。

この分離後のガスを次いで第１洗滌段階に導ひき、ここ
でガスに含有されているアンモニア分を十分に除去し得
るに必要な量の水で洗滌若しくはスクラツピング処理す
る。

この場合の水の使用量は僅かである。

伺故ならば、ガス中に大量に含まれているＣＯ２とすべ
てのＮＨ３とが結合して（ ＮＨ４）２ Ｃ ０３又は
（ＮＨ４）ＨＣＯ３が生成され、従ってＮＨ３の水に対
する溶解度が高くなっているからである。

第１洗滌段階に続く第２洗滌段階においてはガスを高沸
点の有機溶媒で処理するが、この場合、溶媒に溶解し得
るガス成分、例えばＨＣＮ，Ｈ２Ｓ及びＣＯはもはや塩
を形成することはないので単に物理的に溶媒に溶解する
。

それ故、これらガス成分のスクラツピング剤からの分離
を、加熱、ストリツピング又は真空吸引（フラツシング
）といった純粋な物理的手段によって行なうことが可能
である。

なお、前記（ｃ）工程の第２洗滌段階及び前記ｆｄ）工
程の第３洗滌段階において必要なスクラツピング剤の量
は平衡状態においては次式によって計算することができ
る。

（式中、Ｌ−スクラツピング剤の量 Ｇ＝ガスの量 ｐ−ガスの圧力 α一除去されるべき成分の溶解度係数） 前記式において、Ｇ，ｐ及びαは既知であるので、容易
にＬを計算することができる。

ＮＨ３が洗滌除去されたガスを高沸点の有機溶媒で洗滌
するに際しては、互いに分離された２つの段階において
、ガス化時の操作圧下でガスをスクラツピング剤に対し
て向流に導ひき、またこのスクラツピング剤を吸収（洗
滌）及び再生工程を通じて循環させるのがよい。

この第２洗滌段階におけるスクラツピング剤の循環量は
、ガス中に存在し得る有機硫黄化合物のうち最も低沸点
のメチルメルカブタンが除去されるように選ばれる。

第２洗滌段階の第１スクラツピング剤は必要に応じてあ
る量の水を含有してもよいが、第３洗滌段階の第２スク
ラツピング剤中には最低量の水は必ず必要である。

この場合、その水分の量を５〜３０モル係に保持するこ
とが望ましい。

即ち、第２洗滌段階後においてＨ２Ｓのほかになおガス
中に存在しているＣＯＳをＣ０２とＨ２Ｓとに加水分解
し、かつまたこの際に生じる硫化水素を既に存在してい
た主要量の上記硫化水素とともに十分に洗滌除去せんが
ためである。

本発明による好ましい構成においてはさらに、第２洗滌
段階の第１スクラツピング剤に対して元素硫黄をスクラ
ツピング剤１ｌ当リｏ．ｉ〜１０ｇ、好ましくは３〜８
ｇ添加する。

第２洗滌段階において使用される硫黄を次のようにして
得ることが出来る。

即ち、第１洗滌段階を出るガスに含有されている硫化水
素とこのガスに含有されている酸素とを周知の方法（ク
ラウス法）により反応式２Ｈ２Ｓ＋０２→２Ｓ＋２Ｈ２
０に従って反応させる。

これによって酸素も同時にガスから除去されるという利
点がもたらされる。

第２洗滌段階の有機溶媒への硫黄の添加はメチルメルカ
プタンの除去に役立つ。

何故なら、このメルカプタンが反応式４ＣＨ３ＳＨ十Ｓ
２−２ＣＨ３ＳＳＣＨ３十２Ｈ２Ｓによって二硫化ジメ
チルに転化されるからである。

本発明による構成においてはさらにまた、第３洗滌段階
の第２スクラツピング剤に対して可溶性の活性剤を添加
してよいが、この活性剤としては上述の高沸点有機溶媒
とほゾ同じ沸点又はこれより高い沸点を有する化合物が
好ましい。

このような化合物は例えばイミダゾール及びこの誘導体
の如く窒素を含有する有機化合物であってよい。

本発明においては活性剤として１，２−ジメチルイミダ
ゾールが好ましい。

溶媒中の上記活性剤の含有量は１〜２ｏｗｔ％であって
よく、５〜１５ｗｔ％であるのが好ましい。

第２洗滌段階において、飽和及び不飽和の炭化水素類、
メルカブタン類及び青酸（ＨＣＮ）を吸収したスクラツ
ピング剤を再生及び再利用のために再生装置に導ひき、
ここでスクラツピング処理で吸収された物質を放出した
後にスクラツピング剤を再び洗滌（吸収）装置に還流さ
せるのがよい。

この再生はそれ自体公知の方法で行う。

即ちスクラツピング剤を大気圧ヘフラツシングし、吸収
されている物質を水蒸気又は不活性ガスによりストリツ
ピングするか或いは間接的に加熱する。

第３洗滌段階にてＨ２Ｓ及びＣＯＳを吸収したスクラツ
ピング剤を再生して再利用するため溶媒を大気圧へ分別
フラツシングし、再生装置において不活性ガス及び／又
は真空吸引或いは加熱によるストリツピングによって再
生する。

そしてこの溶媒を冷却した後に再び洗滌（吸収）装置の
頂部へ還流させ、かくして洗滌装置及び再生装置を通じ
て循環させるのがよい。

上述の高沸点有機溶媒は１００℃より高い沸点を有する
ため、不純物を吸収したスクラツピング剤を蒸留する際
、水は水蒸気となって蒸留塔の頂剤から排出され、一方
、高沸点有機溶媒は液溜に残る。

本発明においては、上述の高沸点有機溶媒としてピロリ
ドン又はこの誘導体、特にＮ−メチルピロリドンが好ま
しい。

なお、ポリグリコールエーテルを溶媒として使用しても
良い結果が得られる。

有機溶媒としてさらにスルホラン、プチロラクトン、モ
ルホリン及び／又はポリグリコールエーテルが適してい
ることが実証された。

これらの高沸点溶媒は触媒に有害な原料ガス中の不純物
を物理的に溶解し、前記不純物と化合物を生成する化学
反応を起こさない。

本発明の一般的な方法により得られる利点は特に、石炭
のような固体の化石質燃料を水蒸気及び酸素によって加
圧下でガス化して得られるガスを簡単かつ経済的に精製
できる点にある。

この精製法によれば、触媒に特に有害な化合物の除去と
ともに選択脱流が行なわれる。

また不純物の除去は３段階で行なわれ、第１段階では水
を、第２及び第３段階では夫々水溶性の高沸点有機溶媒
を用いて夫々゛洗滌処理し、これによって不純物を各段
階により３つの部分に分離除去する。

本発明の一般的な方法によれば、ガスをまず水で洗滌す
ることによってガスから主としてアンモニアを除去する
。

次いで、有機溶媒による第２洗滌段階ではＨ２ＳとＣＯ
Ｓとを除外した他の触媒毒を除去する。

また主としてこれら両成分の後続の第３洗滌段階により
最後に除去する。

この第３洗滌段階に用いられる有機溶媒は水を含有して
おり、これによりＣＯＳが加水分解される。

Ｈ２Ｓの除去と同時にＣＯＳの加水分解を行なうことに
より、スクラツピング剤の使用量はＣＯＳを完全に物理
的に除去しようとする場合よりも僅かですむ。

何故なら、ここで問題にしている溶媒、特にＮ−メチル
ピロリドン及びポリグ′リコールエーテル、さらにはス
ルホラン等に対するＣＯＳの溶解度が小さいからである
。

上述の如くにして得られた精製ガスは種々の化学合成に
直接用いることが出来る。

即ち、この精製ガスを例えばアンモニア、メタン及びメ
タノールの製造や、オキソ合成或いはフイシャー・トロ
プシュ合成に用い得る。

また第３洗滌段階での溶剤の所要量が減ることにより、
不純物を吸収したスクラツビング剤の再生で硫化水素含
有量の高い廃ガスが得られる。

従ってこの廃ガスはクラウス法により硫化水素から元素
硫黄を得るのに適している。

次に、本発明を一実施例に付き添付図面を参照して更に
説明する。

実施例 加圧下で水蒸気および酸素によって石炭をガス化して得
られたガスをまず水の注流によって１７０℃に直接冷却
し、次いで周囲温度まで間接的に冷却し、この際生じる
凝縮物を分離した。

この分離後におけるガスの組成は次の通りであった。

Ｃ ０２ ２ ８．２ ｖｏ １％ＣｎＨ
ｍ ０．６５ ｖｏ１％０２ ０．
１ ｖｏｌ％ ＣＯ ２０．８ ｖｏｌ％ Ｈ２ ３９．２ ｖｏｌ％ ＣＨ４ ９．７ ｖｏｌ％Ｎ２
１．Ｏ ｖｏｌ％Ｈ２Ｓ Ｏ．３
５ ｖｏｌ％２ ５６ ｍｔ；ｖＮｍ ＨＣＮ １０ Ｔｎ？／Ｎｍ３ＮＨ３
１７ １ｎ９／Ｎｍ”この表に示された不
飽和炭化水素類ＣｎＨｍの含有量が０．６５ｖｏｌ係の
場合、沸点範囲が４０〜１２５℃の炭化水素類が８．’
ｌ／Ｎｍ’含まれていた。

？のガスを２５気圧に保持し、１０ ０，０ ０ ０
Ｎｍ／ｈの流量で導管０を経て洗滌塔１に導入した。

この洗滌塔では、ボンプ２により導管３を経て５ｍ：／
ｈの流量で送られてくる水と向流的にガス流を導ひいて
スクラツピングし、これによってガス中のアンモニアを
除去した。

引続いてガスの精製を行なうには、さらに両洗滌段階４
，６においてＮ−メチルピロリドンをスクラツピング剤
として用いた。

洗滌段階４に循環供給されるスクラツピング剤（ 循項
量３ ４ ｍ” ／ ｈ ）は６ｇ／１１の割合で元素
硫黄を含有していた。

この洗滌段階に出たガスは、ＨＣＮ，すべての有機硫黄
化合物（特にメルカブタン類）ＣＳ２、さらにメチルメ
ルカブタンより沸点の高いモノおよびポリ不飽和炭化水
素類が全く含有されていなかった。

しかし、そのガスにはすべての触媒毒のうちＨ２Ｓと残
りのＣＯＳのみが含まれていた。

ガス中におけるこれら触媒毒成分の含有量は、原料ガス
中に含まれていた全有機硫黄化合物の量２ ５ ６ ｍ
９／Ｎｒｒｔに対して、僅か４８■／Ｎ ｍ’であった
。

沸点が最も低いメチルメルカブタンを含めたメルカブタ
ン類の大部分はそのままスクラツピングにより除去され
るが、その一部分は沸点がより高い二硫化物に転化され
た後にスクラツピング処理で除去された。

ガス中に残存する有機硫黄化合物はＣＯＳのみであった
。

このように予備精製されたガスを導管５を経て洗滌段階
６に導入した。

ここでは、Ｎ−メチルピロリドンを２７０ｍ’／ｈの流
量でガスと向流的に導ひいてスクラツピング処理した。

このメチルピロリドンは１０モル係のＨ２０と、活性剤
としての８ｗｔ％の１，２−ジメチルイミダゾールとを
夫々含有していた。

この場合、水と活性剤との共同作用により、ＣＯＳとＨ
２ＳとＣＯとに加水分解された。

この洗滌段階から導管７を通じて排出された精製ガスは
０．２ｐｐｍ以下のＳを含有し、これ以外のいかなる触
媒等も含有していなかった。

洗滌段階４において不純物を吸収したスクラツピング剤
を減圧弁８及び導管９を経てフラッシュ塔１０へ送り、
ここでフラツシング処理を行ない、次いで導管１１を経
て再生塔１２へ送った。

フラッシュ塔１０において発生したガスを導管１３を経
てコンプレツサ１４によって吸引し、ここで再び操作圧
にまで加圧した後に導管１５を経て再び原料ガスに添加
した。

不純物として炭化水素類及びメルカプタン類等を吸収し
たスクラツピング剤を再生塔１２においてそれら不純物
の沸点まで減圧下で加熱し、これによってそれら不純物
を放出した。

こうして再生されたスクラツピング剤を再使用のために
循環ポンプ１８によって導管１６及び冷却器１７を夫々
経て再び洗滌塔４の頂部へ送った。

上述の放出された不純物及び水分を導管３１を経て凝縮
器３０に導入した。

こ５での凝縮物の一部分は導管３２を経て再生塔１２へ
還流させたが、他方原料ガスにおいて供給される凝縮物
に対応した量で導管３３を経て凝縮物を分離系に送った
。

洗滌段階６から出るスクラツピング剤を減圧弁１９及び
導管２０を経てフラッシュ塔２１に導入し、ここでフラ
ッシュ処理した。

そしてこのフラッシュ塔にてガスを放出したスクラツピ
ング剤を導管２２を経て再生塔２３に送った。

この再生塔においては、真空吸引によって、或いはまた
導管２５を通じて供給されるストリツピングガ，スによ
って、加熱手段２４での加熱下でスクラツピング剤の脱
ガスを行なった。

これによって放出されたＨ２Ｓに富むガスを導管２６を
経てクラウズ法プラントへ送ったが。

このプラントへ送るに先立って予め水で再スクラツピン
グし、これによって溶媒の蒸気成分を回収することが出
来た。

なお上述の放出されたガスの組成は次の通りであった。

Ｈ２ Ｓ １ ２．Ｏ ｖｏ １％ＣＯ２
８７．４ ｖｏｌ％ Ｈ２ ０．２ ＶＯｌ％ ＣＯ Ｏ．２ ｖｏｌ％ ＣＨ， ０．２ ｖｏｌ％ また脱ガスされたスクラツピング剤を循環ポンプ２８に
より導管−２９及び後冷却器２７を経て洗滌塔６の頂部
へ還流して再使用した。

なおフラッシュ塔２１で遊離したガス導管３５を経てコ
ンプレツサ３４によって吸引し、ここで操作圧を圧縮し
て導管５のガス流に混和した。

第３洗滌段階６から出る精製ガスは次の組成を有してい
た。

Ｈ２Ｓ ＜０．２ ｐｐｍ Ｃ ０２ ２ ７． ４ ｖ ｏ ｌ ％Ｈ２
４ ０． ３ ｖ ｏ ｌ ％ＣＯ
２１−３ ｖｏｌ％ ＣＨ４ １０−Ｏ ｖｏｌ％ Ｎ２１．Ｏ ｖｏｌ％ この精製ガスは、そのままの組成で直接に、或いはさら
に転化を行なってＣＯとＨ２との比を調節した後に、ア
ンモニアやメタンの合成等の種々の接触合成に用いられ
得る。

次に述べるものは本発明の実施の態様に属するものであ
る。

（１）加圧下で固体燃料又は液体燃料を水蒸気と酸素と
で処理してガス化することによって得られるガスを精製
して、モノ又はポリ不飽和炭化水素類、メルカブタン類
、ＨＣＮ，Ｈ（１．Ｈ２Ｓ，ＣＳ２，ＣＯＳ及びＮＨ３
といった触媒に有害な物質を除去し、前記ガスを脱硫す
ることによりＨ２Ｓに富む廃ガスを得るようにしたガス
の精製方法であって、 （ａ）１５０〜１７０℃で生成された原料ガスを間接的
に周囲温度に冷却し、この際凝縮する炭化水素類を分離
除去すること。

（ｂ） 次いで前記原料ガスを第１洗滌段階に導いて
水でスクラツピング処理して前記原料ガスからアンモニ
アを除去し、この際前記水の使用量を前記アンモニアの
除去に十分な量とすること。

を工程として夫々具備するガスの精製方法において （ｃｌ 次いで、前記原料ガスを第２洗滌段階に導き
、ここで、標準状態（ ｉ．ｏ ｉ ３バール）で１０
０℃より高い沸点を有しかつ水と混和し得る高沸点有機
溶媒を含有しかつ第１スクラツピング剤１ｌ当り少なく
とも０．ＩＩＯ量の元素硫黄が添加された第１スクラツ
ピング剤によって前記原料ガスを洗滌し、この際第２洗
滌段階においてメチルメルカブタンが完全に除去される
ように前記第１スクラツピング剤の量を調節すること。

（ｄ） 次いで前記原料ガスを第３洗滌段階に導き、
標準状態（ １．０ １ ３バール）で１００℃より高
い沸点を有しかく水と混和し得る高沸点有機溶媒を含有
する第２スクラツピング剤によって前記原料ガスを洗滌
してこの原料ガスから残留Ｈ２Ｓ及びＣＯＳを選択的に
完全に除去し、この際第２スクラツビング剤の含水量を
５〜３０モル係に保持すること。

（ｅ） 前記第２及び第３の各洗滌段階で使用した前
記スクラツピング剤を夫々再生して再利用のために前記
第２及び第３の各洗滌段階に夫夫還流させること。

を工程として夫々具備することを特徴とするガスの精製
方法。

（２）前記第２洗滌段階における前記スクラツピング剤
に、スクラツピング液１ｌ当り０．１〜１０ｇ、好まし
くは３〜８ｇの硫黄を添加することを特徴とする、前記
第１項に述べた方法。

（３）前記第２洗滌段階において添加する前記硫黄を得
るのに、前記第１洗滌段階を出たガスに含有される硫化
水素をこれと共存する酸素と反応させて硫黄を生成させ
、これと同時に同ガスから酸素を除去することを特徴と
する、前記第１項及び第２項に述べた方法。

（４）前記第３洗滌段階の前記スクラツピング剤に対し
、これに可溶性の活性剤、特に前記高沸点有機溶媒と等
しいか或いはより高い沸点を有する化合物を添加するこ
とを特徴とする、前記第１項〜第３項の１項又は数項に
述べた方法。

（５）活性剤として、窒素を含有する塩基性有機化合物
を用いることを特徴とする、前記第１項〜第４項の１項
又は数項に述べた方法。

（６）活性剤として、イミダゾール誘導体を用いること
を特徴とする、前記第１項〜第５項の１項または数項に
述べた方法。

（７）活性剤として、１，２−ジメチルイミダゾールを
用いることを特徴とする、前記第１項〜第６項の１項又
は数項に述べた方法。

（８）溶媒中の前記活性剤の含有量を１〜２０ｗｔ％好
ましくは５〜ｉ５ｗｔ％に調節することを特徴とする、
前記第１項〜第７項の１項又は数項に述べた方法。

（９）前記第２洗滌段階において不純物を吸収した前記
スクラツピング剤を加熱下でフラツシング処理し、次い
で水蒸気又は不活性ガスでス｝ ＩＪツピング処理して
前記の吸収された不純物を放出することにより前記スク
ラツピング剤を再生することを特徴とする、前記第１項
〜第８項の１項又は数項に述べた方法。

（１０） 前記第３洗滌段階において不純物を吸収し
た前記スクラツピング剤をフラツシング処理し、次いで
不活性ガス及び／又は真空吸引によりストリツピング処
理して前記スクラツピング剤を再生することを特徴とす
る、前記第１項〜第９項の１項又は数項に述べた方法。

（ＩＩ）前記高沸点有機溶媒としてピロリドン又はこの
誘導体、好ましくはＮ−メチルピロリドンを用いること
を特徴とする、前記第１項〜第１０項の１項又は数項に
述べた方法。

α２）前記高沸点有機溶媒としてポリグリコール工−テ
ルを用いることを特徴とする、前記第１項〜第１１項の
１項又は数項に述べた方法。

０３）前記高沸点有機溶媒としてスルホラン、プチロラ
クトン、モルホリン及び／又はＮ−メチルーε一カプ口
ラクタムを用いることを特徴とする、前記第１項〜第１
２項の１項又は数項に述べた方法。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の一実施例を示すものであって、ガスの精
製法の工程系統図である。 なお図面に用いられている符号において、１は洗滌塔、
４，６は洗滌段階、１０はフラッシュ塔、１２は再生塔
、２１はフラッシュ塔、２３は再生塔である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 加圧下で固体燃料又は液体燃料を水蒸気と酸素とで
   処理してガス化することによって得られるガスを精製し
   て、モノ又はポリ不飽和炭化水素類、メルカプタン類、
   ＨＣＮ，ＨＣｌ ，Ｈ２Ｓ ，ＣＳ２，ＣＯＳ及びＮＨ
   ３といった触媒に有害な物質を除去し、前記ガスを脱硫
   することによりＨ２Ｓに富む廃ガスを得るようにしたガ
   スの精製方法であって、 （ａ）１５０〜１７０℃で生成された原料ガスを間接的
   に周囲温度に冷却し、この際凝縮する炭化水素類を分離
   除去すること。 （ｂ） 次いで前記原料ガスを第１洗滌段階に導いて
   水でスクラツピング処理して前記原料ガスからアンモニ
   アを除去し、この際前記水の使用量を前記アンモニアの
   除去に十分な量とすること。 を工程として夫々具備するガスの精製方法において、 （ｃ） 次いで、前記原料ガスを第２洗滌段階に導き
   、ここで、標準状態（１．０１３パニル）で１００℃よ
   り高い沸点を有しかつ水と混和し得る高沸点有機溶媒を
   含有しかつ第１スクラッピング剤１ｌ当り少なくとも０
   ．１ｇの量の元素硫黄が添加された第１スクラツピング
   剤によって前記原料ガスを洗滌し、この際第２洗滌段階
   においてメチルメルカブタンが完全に除去されるように
   前記第１スクラツピング剤の量を調節すること。 （ｄ） 次いで前記原料ガスを第３洗滌段階に導き、
   標準状態（１．０１３パール）で１００℃より高い沸点
   を有しかつ水と混和し得る高沸点有機溶媒を含有する第
   ２スクラツピング剤によって前記原料ガスを洗滌してこ
   の原料ガスから残留Ｈ２Ｓ及びＣＯＳを選択的に完全に
   除去し、この際第２スクラツピング剤の含水量を５〜３
   ０モル係に保持すること。 （ｅ） 前記第２及び第３の各洗滌段階で使用した前
   記スクラツピング剤を夫々再生して再利用のために前記
   第２及び第３の各洗滌段階に夫々還流させること。 を工程として夫々具備することを特徴とするガスの精製
   方法。