JPS5981633A - 電子閃光装置 - Google Patents
電子閃光装置Info
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- JPS5981633A JPS5981633A JP57192215A JP19221582A JPS5981633A JP S5981633 A JPS5981633 A JP S5981633A JP 57192215 A JP57192215 A JP 57192215A JP 19221582 A JP19221582 A JP 19221582A JP S5981633 A JPS5981633 A JP S5981633A
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- Japan
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- light emission
- main
- flash
- light
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B15/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
- G03B15/02—Illuminating scene
- G03B15/03—Combinations of cameras with lighting apparatus; Flash units
- G03B15/05—Combinations of cameras with electronic flash apparatus; Electronic flash units
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B2215/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
- G03B2215/05—Combinations of cameras with electronic flash units
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B2215/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
- G03B2215/05—Combinations of cameras with electronic flash units
- G03B2215/0564—Combinations of cameras with electronic flash units characterised by the type of light source
- G03B2215/0571—With second light source
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
- Stroboscope Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、カメラ撮影用の電子閃光装置で、特にプリ発
光によシ絞シ値を決定し、該絞シ値に対応して主発光の
調光レベルを設定する電子閃光装置の改良に関するもの
である。なお、ここで調光レベルとは、主発光を停止さ
せる受光量の所定値を言う。
光によシ絞シ値を決定し、該絞シ値に対応して主発光の
調光レベルを設定する電子閃光装置の改良に関するもの
である。なお、ここで調光レベルとは、主発光を停止さ
せる受光量の所定値を言う。
プリ発光による反射光の受光量に対応して、撮影レンズ
の絞シを決定し、その絞り値に対応した調光レベルで主
発光制御を行う電子閃光装置は既に提案されている。
の絞シを決定し、その絞り値に対応した調光レベルで主
発光制御を行う電子閃光装置は既に提案されている。
ところで該従来装置においては、プリ発光用キャパシタ
と主発光用キャパシタは別々の充電路によって充電され
、また主発光用キャノ（シタの放電時にプリ発光用キャ
パシタは充電され続ける為に主発光完了後の両キャパシ
タの充電過程においてはプリ発光用キャパシタの充電電
圧が主発光用のそれよりもかなり高い電圧となる。
と主発光用キャパシタは別々の充電路によって充電され
、また主発光用キャノ（シタの放電時にプリ発光用キャ
パシタは充電され続ける為に主発光完了後の両キャパシ
タの充電過程においてはプリ発光用キャパシタの充電電
圧が主発光用のそれよりもかなり高い電圧となる。
この様な状況下で次回のフラツシネ撮影が行われると、
プリ発光によって得られる絞シ信号は、主キャパシタの
充電電圧に対応した総発光光量に相応、しない、適正露
光量が得られる絞シ値よりも大きな絞シ値（小絞シ）と
なる為被写体が前記総発光量に対応した限界距離近傍に
位置している場合には不適正露光となる恐れがあった。
プリ発光によって得られる絞シ信号は、主キャパシタの
充電電圧に対応した総発光光量に相応、しない、適正露
光量が得られる絞シ値よりも大きな絞シ値（小絞シ）と
なる為被写体が前記総発光量に対応した限界距離近傍に
位置している場合には不適正露光となる恐れがあった。
本発明の目的は上記従来装置の欠点を解決した、上述の
様な状況においても適正露光を得ることのできる電子閃
光装置を提供せんとするものである。
様な状況においても適正露光を得ることのできる電子閃
光装置を提供せんとするものである。
以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例である電子閃光装置の電気
回路図で、８は電池、９は電源スィッチ、１０は直流電
圧を昇圧するＤＣ−ＤＣコンバータ、１１は主発光用キ
ャパシタ４１のための充電路を形成する整流用ダイオー
ド、１２はプリ発光用キャパシタ１３のための充電路を
形成する整流用ダイオード、１３はプリ発光用閃光放電
管１４に光エネルギーを供給するためのプリ発光用キャ
パシタ、１６は抵抗１７とトリガトランス１８とトリガ
キャパシタ１９とトリガサイリスタ２０と抵抗２１で形
成された公知のトリガ回路、２２は主発光用閃光放電管
２３をトリガさせるだめの抵抗２４とトリガキャパシタ
２５とトリガトランス２６とトリガサイリスタ２７と抵
抗２８とから形成された公知のトリガ回路、２９は主発
光用閃光放電管２３に逆方向に直列接続され、且つイン
ダクタ３０に並列接続されたダイオード、３１．５２は
転流キャパシタ３３の充電抵抗、３４は抵抗２５を介し
て主サイリスタ３６のゲートに接続されたキャパシタ、
３７は副サイリスク、３８．３９は抵抗、４０は光量制
御回路、４１は撮影用の主発光用閃光放電管２３を発光
させるための主キャパシタ、４２は不図示のシャッター
レリーズボタンの第１段押圧によりオンするスイッチ、
４３はシャッターレリーズに同期してオンするシンクロ
接点、Ｔ１はプリ発光用タイマ回路、Ｔ２は主発光用タ
イマ回路、Ｇ１はタイマ回路Ｔ１又はＴ２よシハイレベ
ルの信号が入力することによりトランジスタ４４をオフ
とするゲート回路、４５は被写体からの反射光を受光す
る受光素子、４６は受光素子４５からの光電流によシ充
電される積分キャパシタ、４７〜５１は分圧抵抗、５２
〜５４はコンパレータ、Ｍは記憶回路、５５〜５７はト
ランジスタ、５８〜６０は積分キャパシタ、Ｇ２はゲー
ト回路、６１はゲート回路Ｇ２の出力によシ開閉するト
ランジスタ、６２．６５は分圧抵抗、６４は副サイリス
タ３７をオンにするコンパレータ、ＯＰは公知の絞シ制
御信号発生回路、６４は絞シ制御信号をカメラ側に出力
する端子、１００はキャパシタ１３の一端にアノードが
接続され、主キャパシタ４１の一端にカソードが接続さ
れた一方向導通素子としてのダイオードである。
回路図で、８は電池、９は電源スィッチ、１０は直流電
圧を昇圧するＤＣ−ＤＣコンバータ、１１は主発光用キ
ャパシタ４１のための充電路を形成する整流用ダイオー
ド、１２はプリ発光用キャパシタ１３のための充電路を
形成する整流用ダイオード、１３はプリ発光用閃光放電
管１４に光エネルギーを供給するためのプリ発光用キャ
パシタ、１６は抵抗１７とトリガトランス１８とトリガ
キャパシタ１９とトリガサイリスタ２０と抵抗２１で形
成された公知のトリガ回路、２２は主発光用閃光放電管
２３をトリガさせるだめの抵抗２４とトリガキャパシタ
２５とトリガトランス２６とトリガサイリスタ２７と抵
抗２８とから形成された公知のトリガ回路、２９は主発
光用閃光放電管２３に逆方向に直列接続され、且つイン
ダクタ３０に並列接続されたダイオード、３１．５２は
転流キャパシタ３３の充電抵抗、３４は抵抗２５を介し
て主サイリスタ３６のゲートに接続されたキャパシタ、
３７は副サイリスク、３８．３９は抵抗、４０は光量制
御回路、４１は撮影用の主発光用閃光放電管２３を発光
させるための主キャパシタ、４２は不図示のシャッター
レリーズボタンの第１段押圧によりオンするスイッチ、
４３はシャッターレリーズに同期してオンするシンクロ
接点、Ｔ１はプリ発光用タイマ回路、Ｔ２は主発光用タ
イマ回路、Ｇ１はタイマ回路Ｔ１又はＴ２よシハイレベ
ルの信号が入力することによりトランジスタ４４をオフ
とするゲート回路、４５は被写体からの反射光を受光す
る受光素子、４６は受光素子４５からの光電流によシ充
電される積分キャパシタ、４７〜５１は分圧抵抗、５２
〜５４はコンパレータ、Ｍは記憶回路、５５〜５７はト
ランジスタ、５８〜６０は積分キャパシタ、Ｇ２はゲー
ト回路、６１はゲート回路Ｇ２の出力によシ開閉するト
ランジスタ、６２．６５は分圧抵抗、６４は副サイリス
タ３７をオンにするコンパレータ、ＯＰは公知の絞シ制
御信号発生回路、６４は絞シ制御信号をカメラ側に出力
する端子、１００はキャパシタ１３の一端にアノードが
接続され、主キャパシタ４１の一端にカソードが接続さ
れた一方向導通素子としてのダイオードである。
次に動作について説明する。まず、主発光の間隔が充分
にとられている通常のフラッシュ撮影の場合を説明する
。電源スィッチ９をオンすると、ＤＣ−ＤＣコンバータ
１ｏによ９１９発光用キャパシタ１３にはプリ発光用閃
光放電Ｗ１４が発光するに充分な電圧が充電される。次
にスイッチ４２をオンすると、タイマ回路Ｔ１の各端子
ｔ２．ｔ５が一定時間ハイレベルとなる。端子ｔ３がハ
イレベルとなると、公知のトリガ回路１６が動作し、プ
リ発光用閃光放電管１４は発光を開始する。一方、端子
ｔ２からハイレベルの信号がゲート回路Ｇ１の端子ｔ１
へ入力すると、端子ｔ３がローレベルとなシ、トランジ
スタ４４はオフとなって、積分キャパシタ４６の充電を
可能にする。受光素子４５は被写体からの反射光を電流
に変換して、積分キャパシタ４６を充電させる。
にとられている通常のフラッシュ撮影の場合を説明する
。電源スィッチ９をオンすると、ＤＣ−ＤＣコンバータ
１ｏによ９１９発光用キャパシタ１３にはプリ発光用閃
光放電Ｗ１４が発光するに充分な電圧が充電される。次
にスイッチ４２をオンすると、タイマ回路Ｔ１の各端子
ｔ２．ｔ５が一定時間ハイレベルとなる。端子ｔ３がハ
イレベルとなると、公知のトリガ回路１６が動作し、プ
リ発光用閃光放電管１４は発光を開始する。一方、端子
ｔ２からハイレベルの信号がゲート回路Ｇ１の端子ｔ１
へ入力すると、端子ｔ３がローレベルとなシ、トランジ
スタ４４はオフとなって、積分キャパシタ４６の充電を
可能にする。受光素子４５は被写体からの反射光を電流
に変換して、積分キャパシタ４６を充電させる。
積分キャパシタ４６の充電電圧は被写体からの反射光を
積算した値に比例したものとなる。分圧抵抗４７〜５１
の分圧点ａ −、−ｃの電位は、被写体距離の近距離、
中距離、遠距離に対応してそれぞれ定められている。例
えば、遠距離であれば、積分キャパシタ４６の充電電圧
はプリ発光が終った時点で、分圧点Ｃの電位よシ高く、
分圧点すの電位よシ低い値となる。したがって、コンパ
レータ５４のみがハイレベルの信号を出力する。まだ中
距離であれば、コンパレータ５３゜５４がハイレベルの
信号を出力し、近距離であれば、コンパレータ５２〜５
４のすべてがハイレベルの信号を出力する。一定時間の
後、プリ発光用タイマ回路Ｔ１の端子ｔ２から記憶回路
Ｍのｆ４Ａ子ｔ７への入力カハイレベルカラローレベル
に反転すると、記憶回路Ｍはその時の端子ｔ１〜ｔ３の
入力レベルを記憶し、その入力レベルに基づいてトラン
ジスタ５５〜５７の一つをオンさせる。例えば、コンパ
レータ５２〜５４の出力力すべてハイレベルであれば、
トランジスタ５５をオンさせ、近距離用の積分キャパシ
タ５８を選択する。同時に、トランジスタ５５〜５７の
いずれか一つのオンに応じて、絞シ制御信号発生回路Ｏ
Ｐは絞シ制御信号を発生し、端子６５からカメラ側に送
υ、レンズの絞シを被写体距離に応じて変えさせる。
積算した値に比例したものとなる。分圧抵抗４７〜５１
の分圧点ａ −、−ｃの電位は、被写体距離の近距離、
中距離、遠距離に対応してそれぞれ定められている。例
えば、遠距離であれば、積分キャパシタ４６の充電電圧
はプリ発光が終った時点で、分圧点Ｃの電位よシ高く、
分圧点すの電位よシ低い値となる。したがって、コンパ
レータ５４のみがハイレベルの信号を出力する。まだ中
距離であれば、コンパレータ５３゜５４がハイレベルの
信号を出力し、近距離であれば、コンパレータ５２〜５
４のすべてがハイレベルの信号を出力する。一定時間の
後、プリ発光用タイマ回路Ｔ１の端子ｔ２から記憶回路
Ｍのｆ４Ａ子ｔ７への入力カハイレベルカラローレベル
に反転すると、記憶回路Ｍはその時の端子ｔ１〜ｔ３の
入力レベルを記憶し、その入力レベルに基づいてトラン
ジスタ５５〜５７の一つをオンさせる。例えば、コンパ
レータ５２〜５４の出力力すべてハイレベルであれば、
トランジスタ５５をオンさせ、近距離用の積分キャパシ
タ５８を選択する。同時に、トランジスタ５５〜５７の
いずれか一つのオンに応じて、絞シ制御信号発生回路Ｏ
Ｐは絞シ制御信号を発生し、端子６５からカメラ側に送
υ、レンズの絞シを被写体距離に応じて変えさせる。
次にシンクロ接点４３がオンになると、主発光用タイマ
回路Ｔ２の端子１２．１３が一定時間ハイレベルとなる
。端子ｔ５がハイレベルになると、公知のトリガ回路２
２が動作し、主発光用閃光放電管２３は発光を開始する
。一方端子ｔ２からハイレベルの信号がゲート回路Ｇ２
の端子ｔ１へ入力すると、端子ｔ３はローレベルとなシ
、トランジスタ６１をオフとする。これによって、記憶
回路Ｍによって選択された積分キャパシタ５８〜６０の
一つの充電が可能となる。主発光用閃光放電管２３の閃
光が被写体に反射して、受光素子４５に受光されると、
電流に変換され、記憶回路Ｍによって選択された積分キ
ャパシタ５８〜６０の一つに充電される。積分キャパシ
タ５８〜６０の一つの充電電圧が分圧抵抗６２．６５の
分圧点電圧（基準電圧）よシ高くなると、コンパレータ
６４がハイレベルの信号を副サイリスタ６７へ出力する
ため、副サイリスタ６７がオンし、転流キャパシタ３３
の充電電荷により、主サイリスタ３６を逆バイヤスして
、主サイリスタ５６をオフにし、主発光用閃光放電管２
３の発光を停止させる。
回路Ｔ２の端子１２．１３が一定時間ハイレベルとなる
。端子ｔ５がハイレベルになると、公知のトリガ回路２
２が動作し、主発光用閃光放電管２３は発光を開始する
。一方端子ｔ２からハイレベルの信号がゲート回路Ｇ２
の端子ｔ１へ入力すると、端子ｔ３はローレベルとなシ
、トランジスタ６１をオフとする。これによって、記憶
回路Ｍによって選択された積分キャパシタ５８〜６０の
一つの充電が可能となる。主発光用閃光放電管２３の閃
光が被写体に反射して、受光素子４５に受光されると、
電流に変換され、記憶回路Ｍによって選択された積分キ
ャパシタ５８〜６０の一つに充電される。積分キャパシ
タ５８〜６０の一つの充電電圧が分圧抵抗６２．６５の
分圧点電圧（基準電圧）よシ高くなると、コンパレータ
６４がハイレベルの信号を副サイリスタ６７へ出力する
ため、副サイリスタ６７がオンし、転流キャパシタ３３
の充電電荷により、主サイリスタ３６を逆バイヤスして
、主サイリスタ５６をオフにし、主発光用閃光放電管２
３の発光を停止させる。
なお、主発光用タイマ回路Ｔ２の端子ｔ２からのハイレ
ベルの信号がゲート回路Ｇ１に入力することによシ、ト
ランジスタ４４がオフし、積分キャパシタ４６が受光素
子４５を流れる電流によシ充電されるが、積分キャパシ
タ４６の容量ハ積分キャパシタ５８〜６０の容量に比べ
て相当率さいので、積分キャパシタ４６の充電によるロ
スを無視することができる。
ベルの信号がゲート回路Ｇ１に入力することによシ、ト
ランジスタ４４がオフし、積分キャパシタ４６が受光素
子４５を流れる電流によシ充電されるが、積分キャパシ
タ４６の容量ハ積分キャパシタ５８〜６０の容量に比べ
て相当率さいので、積分キャパシタ４６の充電によるロ
スを無視することができる。
次にフラッシュ撮影の完了後に直ちに次のフラッシュ撮
影が行われる場合処ついて説明する。
影が行われる場合処ついて説明する。
スイッチ４３が閉成されて、主発光のためのトリガーが
行われると主キャパシタ４１の電荷は前述の様にインダ
クタ３０、放電管２３、サイリスタ３６を介して急速に
放電し、まだ主キャパシタ４１の端子間電圧もこの放電
に伴って會、速に降下する。この時、プリ発光用キャパ
シタ１３に蓄積された電荷は放電管２６の発光開始と同
時にダイオード１００、インダクタ３０、放電管２３、
サイリスタ３６を介して放電するので、プリ発光用キャ
パシタ１３の端子電圧も主キャパシタ４１の充電電圧の
低下に伴って急速に低下する。
行われると主キャパシタ４１の電荷は前述の様にインダ
クタ３０、放電管２３、サイリスタ３６を介して急速に
放電し、まだ主キャパシタ４１の端子間電圧もこの放電
に伴って會、速に降下する。この時、プリ発光用キャパ
シタ１３に蓄積された電荷は放電管２６の発光開始と同
時にダイオード１００、インダクタ３０、放電管２３、
サイリスタ３６を介して放電するので、プリ発光用キャ
パシタ１３の端子電圧も主キャパシタ４１の充電電圧の
低下に伴って急速に低下する。
主発光開始後に、プリ発光によって選択されたキャパシ
タ５８〜６０のいずれか１つのキャパシタの充Ｎ 電圧
がコンパレータ６４の基準電圧より高くなると、前述し
た様に主サイリスタ３６がオフとなって主発光用閃光放
電管２３の発光が停止する。また該発光の停止と同時に
主キャパシタ４１の放電が停止すると、プリ発光用キャ
パシタ１６の放電も停止し、キャパシタ１３の光重電圧
は主キャパシタ４１の充電電圧とほぼ同じ電圧となる。
タ５８〜６０のいずれか１つのキャパシタの充Ｎ 電圧
がコンパレータ６４の基準電圧より高くなると、前述し
た様に主サイリスタ３６がオフとなって主発光用閃光放
電管２３の発光が停止する。また該発光の停止と同時に
主キャパシタ４１の放電が停止すると、プリ発光用キャ
パシタ１６の放電も停止し、キャパシタ１３の光重電圧
は主キャパシタ４１の充電電圧とほぼ同じ電圧となる。
その後側キャパシタ１３．４１の充電は再開されるが、
キャパシタ１３の充電電圧はキャパシタ１３から１原方
向に主キャパシタ４１に接続されたダイオード１００の
ためにキャパシタ４１□の充電電圧の上昇に随伴して上
昇する。
キャパシタ１３の充電電圧はキャパシタ１３から１原方
向に主キャパシタ４１に接続されたダイオード１００の
ためにキャパシタ４１□の充電電圧の上昇に随伴して上
昇する。
この上昇の過程において次のフラッシュ撮影の為にスイ
ッチ４２が閉成されると、プリ発光用キャパシタ１３の
電荷は前述と同様に放電管１４を介して放電し、プリ発
光が行われる。該放電管１４から発生した閃光は被写体
で反射して前述の様に受光素子４５に入射し、積分キャ
パシタ４６の充電電圧は入射光量に応じて上昇する。
ッチ４２が閉成されると、プリ発光用キャパシタ１３の
電荷は前述と同様に放電管１４を介して放電し、プリ発
光が行われる。該放電管１４から発生した閃光は被写体
で反射して前述の様に受光素子４５に入射し、積分キャ
パシタ４６の充電電圧は入射光量に応じて上昇する。
かかるプリ発光によってキャパシタ５８〜６０のいずれ
かが前述の様にして選択されるが、この時プリ発光用キ
ャパシタ１３の充電電圧はダイオード１００の影響によ
シ主キャパシタ４１の充ぼ電圧にほぼ等しいので、前述
の過程で選択されるキャパシタは主キャパシタ４１に蓄
積された電荷、即ち総発光量に相応した適正露光量を与
えるものとなる。
かが前述の様にして選択されるが、この時プリ発光用キ
ャパシタ１３の充電電圧はダイオード１００の影響によ
シ主キャパシタ４１の充ぼ電圧にほぼ等しいので、前述
の過程で選択されるキャパシタは主キャパシタ４１に蓄
積された電荷、即ち総発光量に相応した適正露光量を与
えるものとなる。
また前述のプリ発光に応答して、絞υ制御信号発生回路
ＯＦは前記総発光量に相応した絞υ制御信号を前述の様
にして発生し、端子６５からカメラ側に送シ、撮影レン
ズ（不図示）の絞シを被写体距離に応じて変えさせる。
ＯＦは前記総発光量に相応した絞υ制御信号を前述の様
にして発生し、端子６５からカメラ側に送シ、撮影レン
ズ（不図示）の絞シを被写体距離に応じて変えさせる。
かかる動作後にシンクロ接点４３がオンとなると、主キ
ャパシタ４１に蓄積された電荷が前述の様にして放電し
て主発光が行われる。そしてこの場合、プリ発光によっ
て選択されたレンズの絞シロ径並びに閃光装置の調光レ
ベルは、前述した様に主発光時の総発光量にほぼ相応し
たものであるから、被写体が前記総発光量（ＧＮ）。
ャパシタ４１に蓄積された電荷が前述の様にして放電し
て主発光が行われる。そしてこの場合、プリ発光によっ
て選択されたレンズの絞シロ径並びに閃光装置の調光レ
ベルは、前述した様に主発光時の総発光量にほぼ相応し
たものであるから、被写体が前記総発光量（ＧＮ）。
調光レベル並びに前記絞シロ径（Ｆ）から決まる限界距
離（Ｄ）、即ちＤ＝ＧＮ／Ｆに位置していたとしても該
被写体は適正露光となるものである。
離（Ｄ）、即ちＤ＝ＧＮ／Ｆに位置していたとしても該
被写体は適正露光となるものである。
尚上述の実施例ではプリ発光用キャパシタ１３と主キャ
パシタ４１の充電電圧に比例関係を持たせる素子として
ダイオードを用いたが、ダイオードに限らず、一方向の
みに電流を流す素子、例えばトランジスタ等を用いるこ
ともできる。
パシタ４１の充電電圧に比例関係を持たせる素子として
ダイオードを用いたが、ダイオードに限らず、一方向の
みに電流を流す素子、例えばトランジスタ等を用いるこ
ともできる。
以上の様に主発光直後の主キャノくシタ充電過程（勿論
主キャノくシタの充電完了後）においてフラッシュ撮影
が実行された際には、調光レベル並びに絞シ制御信号は
総発光量に相応した適当な値となるので、本発明によれ
ば総発光量に対応した限界位置近傍の被写体をも適正露
光となし得るものである。
主キャノくシタの充電完了後）においてフラッシュ撮影
が実行された際には、調光レベル並びに絞シ制御信号は
総発光量に相応した適当な値となるので、本発明によれ
ば総発光量に対応した限界位置近傍の被写体をも適正露
光となし得るものである。
第１図は本発明の一実施例の電気回路図である。
１３・・・プリ発光用キャノ（シタ
４１・・・主キャパシタ
１００・・・ダイオード
特許出願人 キャノン株式会社
・“・−′、９
代理人丸島儀づ二、２１．ｉ
Claims (1)
- プリ発光による被写体からの反射光を測光し、調光レベ
ルを設定するとともにカメラ側に絞シ情報を伝達する手
段を有する電子閃光装置において、プリ発光用キャパシ
タから順方向に主発光用キャパシタに一方向導通手段を
接続した事を特徴とする電子閃光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192215A JPS5981633A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 電子閃光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192215A JPS5981633A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 電子閃光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5981633A true JPS5981633A (ja) | 1984-05-11 |
Family
ID=16287571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57192215A Pending JPS5981633A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 電子閃光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5981633A (ja) |
-
1982
- 1982-11-01 JP JP57192215A patent/JPS5981633A/ja active Pending
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