JPS598110B2 - コタイサツゾウソウチ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電荷結合素子ＣＣＤ等の固体撮像素子を使用し
た固体撮像装置に係る。

固体撮像素子としてＣＣＤを使用した撮像装置は一般に
第１図で示すように構成される。

図の例はフレームシフト方式を採る場合であつて、撮像
装置ＩＯＲは撮像部２０Ｒと、フレームシフト方式にお
いては通常蓄積部と称されている垂直レジスタ部３０Ｒ
と、そして読出しレジスタ４０Ｒとで構成され、撮像部
２０Ｒは被写体像の光学情報を二次元の電気的情報に変
換するためのものであつて、絵素となる複数の受光部２
を有する。すなわち、水平方向及び垂直方向に夫々所望
とした数の絵素１、一、、１１−２・・・・・・１ｍ−
ｎが所定のピッチτＨをもつて配列形成され、夫々は例
えば３個の受光部２で構成される。従つて、これらの受
光部２には３個の電極φを〜φ３が対応して設けられる
。すなわち、３相のＣＣＤとして構成される。垂直レジ
スタ３０Ｒは撮像部２０Ｒで得た電気的情報つまり光情
報に基づくキャリヤを水平走査線毎に順次並列転送し、
対応する水平走査線の位置に蓄積するためのものである
。このため、垂直レジスタ３０Ｒは撮像部２０Ｒとほぼ
同じ構成を採る。従つて、対応する部分には「，」を付
してその説明は省略する。なお、３はチヤンネルストツ
パを示す。

一方、蓄積された電荷は並列的に読出し用のレジスタ４
０Ｒに転送されたのち、レジスタ４０Ｒに印加される互
に１２０たの位相差を有する読出しクロツクパルスにて
直列的に読出される。

４はその出力端子を示す。

レジスタ４０Ｒは図示のように水平方向の絵素数ｎに対
応した読出領域５ａ〜５ｎのみを有し、その読出しは上
述したように互に１２００の位相差をもつ３相のクロツ
クパルスφＡ〜φｃで行なわれるから、前述したと同様
に１つの絵素に対応して３つの領域ＲＡｌ〜ＲＡ３が形
成されている。

ここで、入力光情報は絵素毎にサンプリングされた状態
で電気信号に変換されるため、周知のピジコン管などを
使用したときとは異り、絵素毎にサンプリングされた形
の出力信号（撮像信号）がこのＣＣＤから得られる。す
なわち、今サンプリング周波数をＦｃとした場合、各絵
素を水平区間毎に走査することにより、その１水平区間
で得られる出力映像信号ＳＹは第２図で示すように輝度
信号ＳＹの直流成分ＳＤＣのほかに、サンプリング周波
数Ｆｃをキヤリヤとするサンプリング周波数Ｆ。

が直流成分ＳＤＯで変調された側波帯成分ＳＭ（交流成
分）が得られることになる。但し、図示する例はそのう
ちの基本波のみ示してある。この場合、交流成分ＳＭに
はサンプリング周波数Ｆｃを中心として上下の側波帯が
生ずるので、解像度の劣化を防止すべく直流成分ＳＤＣ
の帯域を十分に採ると、第２図で示されるように直流成
分ＳＤＣの高域成分ＳＤｌＩ中にサンプリング周波数Ｆ
ｃの側波帯成分が重なり、斜線の部分が折り返し歪とな
つで生起される。

この状態のまま画像を再生すると、再生画面にちらつき
現象となつて現われる。なお、ＳＤＬは直流成分ＳＤＯ
の低域成分を示す。この現象は上述したように、折り返
し歪が生ずるためであるから、例えば、サンプリング周
波数ＦＯの１／２以下に直流成分ＳＤＣの帯域巾を制限
すれば、当然折り返し歪は起らず、画面のちらつきは防
止できる。

しかしこのように直流成分ＳＤＣの帯域巾を制限するこ
とは解像度の劣化を来すものであるからあまり得策とは
言えない。一方、解像度の劣化を来たさないように直流
成分ＳＤＣの帯域巾（この例では３．５ＭＨｚ程度）を
とり、かつ折り返し歪が生じないようにするにはサンプ
リング周波数Ｆｃを充分高く採ればよい。ところで、サ
ンプリング周波数Ｆ。

はＣＣＤにおける水平方向の絵素数Ｎと水平走査周波数
ＦＨの積Ｆ。＝Ｎ−ＦＨ（具体的には水平走査方向の有
効走査時間が考慮される）で求められるから、上述した
ように折り返し歪を除去すべくサンプリング周波数Ｆｃ
を高くするには、それに伴つて絵素数Ｎを増加しなけれ
ばならず、従つてこの方法ではＣＣＤの製造上の困難性
を惹起する。これらの問題は以下述べる構成で解決でき
る。

この具体的な解決手段は本出願人がすでに提案したもの
であつて、例えば３個のＣＣＤを用い、これらに投影さ
れる被写体像の関係にあつて、一の投影像は他の投影像
に対して夫々τＨ／３だけずれるように被写体像とＣＣ
Ｄとの相対的な位置関係が選定されるものである。例え
ば、被写体像６を基準にした場合には第３図で示すよう
にＣＣＤｌＯＲ〜１０ＢをτＨ／３だけずらして配置す
る。このように空間的にτＨ／３だけずらして投影する
と、夫々のＣＣＤｌＯＲ〜１０Ｂから得られる撮像出力
を合成することによつて、夫々のサンプリングキャリヤ
Ｗ１〜Ｗ３の位相関係は第４図のように互に１２０Ｗの
位相差を有することになる。この場合、キヤリヤ成分Ｗ
１〜Ｗ３のレベルはすべて同じになるから、合成するこ
とによつて夫々のＣＣＤｌＯＲ〜１０Ｂから得られる側
波帯成分ＳＭは相殺されることになり、極めて簡単な構
成をもつて、初期の目的を達成できるものである。なお
、実際の信号処理にあつては、空間的には勿論であるが
、時間的にも１２０、の位相を付与した状態で信号の合
成を行う必要がある。

同一のクロツクパルスφ。〜φｏで上記目的を達成する
ためには、第５図で示すようにパルスの供給位置を１個
ずつ順次ずらし、例えばパルスφぃは夫々斜線で示す異
なつた領域ＲＡｌ〜ＲＡ３に印加されるように結線する
。他のクロツクパルスφＢ，φｃについても同様である
。このようにすれば、垂直シフトレジスタ３０Ｒ〜３０
Ｂからは常に斜線で示す領域にのみ電荷が転送されるこ
とになる。

複数の領域ＲＡｌ〜ＲＡ３間は夫々について１２０複の
位相差があるから、この状態で夫々のＣＣＤｌＯＲ〜１
０Ｂから順次撮像出力を得ると、時間的にも１２０Ｂの
位相関係を満足することになる。７は信号加算器を示す
。

ところで、読出しレジスタ４０Ｒに設けられた複数の領
域ＲＡ，〜ＲＡ３にクロツクパルスφＡ〜φｃを供給す
るには第６図で示すように構成される。すなわち、領域
ＲＡｌ〜ＲＡ３に隣接する半導体基体１１の主平面１１
ａ上には読出し方向ｂに向つて延長された互に並行する
３本の導電層１２Ａ〜１２Ｃが被着形成される。そして
、各領域ＲＡｌ〜ＲＡ３と夫々対応する導電層１２Ａ〜
１２Ｃとの間の電気的な接続は、半導体基体１１中に形
成された領域１３ａ〜１３ｃによつて行なわれる。これ
ら領域１３ａ〜１３ｃは基体１１がＰ型ならこれと異な
る領域、つまりＮ型の領域として形成される。なお、図
中「ｘ」印はコンタクト部分を示す。このようにすれば
、夫々所望とする電気的な接続を行なうことができる反
面、次のような問題を惹起する。

今、結線用の領域として１３ｂ及び１３ｅの２つの領域
を考えた場合、これら一対の領域１３ｂ，１３ｃが形成
された基体１１の上面１１ａにはこれらの領域に跨つて
導電層１２Ａが延長されているため、両領域１３ｂ，１
３ｅがソース又はドレインの領域として働いてしまう場
合がある。

このような場合にはこれら一対の領域１３ｂ，１３ｃに
よつて寄生ＭＯＳが形成されてしまうので、導電層１２
Ｂ又は１２Ｃに印加されたクロツクパルスが寄生ＭＯＳ
を形造る領域１３ｂ，１３ｅ間のチヤンネル部分を通し
て導電層１２Ａ側に洩れてしまう。寄生ＭＯＳは領域１
３ｂ，１３ｃ間だけでなく、そのほかの領域間において
も形成され、同様に電流の洩れが生ずる。そのため、ク
ロツクパルスの電力損失が大きくなることに加えて、ク
ロツクパルスを印加しても正常に動作しなかつたりして
、読出し動作が不安定になる欠点がある。本発明はこの
ような欠点を一掃せんとするもので、寄生ＭＯＳの完全
除去をその主目的とするものである。以下図面を参照し
て本発明装置を説明する。第７図は本発明による固体撮
像装置における要部の一例を示す平面図である。

同図Ａは読出しレジスタ４０Ｒに設けられた導電層部分
が斜線で示され、同図Ｂは半導体領域関係のみが斜線で
示されている。垂直レジスタ部３０Ｒは従来と同様、複
数の受光部２に対応して複数のレジスタ１″１−１〜Ｖ
ｍ−。を有し、これらレジスタ１′１−１〜１′．一。
の間は垂直方向に延びるチヤンネルストツパ３にて相互
が隔絶され、又水平方向には３相からなる並行電極φ″
１〜φ″３が被着されている。本例では垂直レジスタ３
０Ｒを構成する半導体基体１１が延長され、ここに読出
しレジスタ４０Ｒの各領域が形成される。第７図Ａにお
いて２重斜線で示す領域が上述した読出し領域ＲＡｌ〜
ＲＡ３に対応するもので、第６図と同様に１個のレジス
タに対して３個の読出し領域が設けられるも、これらの
領域は周知のように半導体基体１１上に被゜着された導
電層にてその面積、形状等が定められる。領域ＲＡｌ〜
ＲＡ３は垂直レジスタ３０Ｒに設けられた電極φ′３と
近接して配置されると共に、レジスタ１′．−ｏに対応
する読出し領域５ａにあつて、中央の領域ＲＡ２はレジ
スタ１′ｎ］−。

の直下に位置するようその相対的な位置関係が選定され
る。このほかのレジスタと各読出し領域５ａ〜５ｎとの
関係も同様であるから、その説明は省略する。なお、以
後の説明は装置１０の各部の断面図を夫々参照して説明
することにしよう。但し、第８図Ａ及びＢは装置１０の
縦断面図、第９図Ａ及びＢはその横断面図を夫々示す。
領域ＲＡｌ〜ＲＡ３を構成する夫々の電極の取出しは次
のようになされる。

すなわち、本発明では３相構成の電極のうちの１つの電
極の引出し方向は、残りの電極の引出し方向とは異なる
ように選定されるものであつて、本例では中央に存する
領域ＲＡ２を形成するための電極の引出し方向が異るよ
うになされた場合である。すなわち、図で示すように領
域ＲＡ２に対応して設けられる導電層１２Ｂは垂直レジ
スタ３０Ｒに設けられた最後の電極φｔと上述した複数
の領域５ａ〜５ｎとの間に位置する如く被着形成され、
そのため中央領域ＲＡ２における電極の引出し方向は上
方になる（第８図Ａ参照）。

これに対し、左右に存する一対の領域ＲＡｌ，ＲＡ３に
おける電極の引出し方向は従来装置と同様下方である。

その構成を次に述べる。夫々の領域ＲＡｌ，ＲＡ３にお
ける導電層１２Ａ，１２Ｃはこれら領域ＲＡｌ，ＲＡ３
の下側に所定の距離を隔てて水平走査方向に対し並行状
態をもつて被着形成されるも、内側に存する導電層を１
２Ｃとしたときには、この導電層１２Ｃと領域ＲＡ３と
の間は直接導電層によつて結線される。依つてこの場合
には、領域ＲＡ３を形造る電極から導電層１２Ｃまでは
一体的に形成されるは言うまでもない。左側の領域ＲＡ
ｌと導電層１２Ａとの間は半導体基体１１中に形成され
る半導体領域によつてその相互が電気的に結線されるも
のである。すなわち、第８図Ｂで示すように基体１１の
所望とする位置に形成された半導体領域１５にて結線さ
れる。１６ａ，１６ｂは夫々窓孔を示す。

複数の半導体領域１５の間には第８図Ａ及び第９図Ｂで
夫々示すようにチヤンネルストツパ一用の領域１６が形
成される。

領域１５，１６の導電形式は、基体１１がＰ型であるの
なら、領域１５はＮ型、他の領域１６はｐ＋型である。
１７はＳｉＯ２等の絶縁層を示す。

以上のように電極の引出し方向を選定すれば、半導体領
域１５と導電層１２Ｃとによつては寄生ＭＯＳは形成さ
れなくなる。

つまり、左右に存する半導体領域１５を跨いで導電層１
２Ｃが被着されていても、これら領域１５は夫々電気的
に結線された状態にあるので、左右の領域１５は同電位
となり、従つて左右の領域間にはチャンネルが形成され
ない。すなわち、寄生ＭＯＳは発生しない。ところで、
垂直レジスタ３０Ｒに蓄えられた電荷を読出しレジスタ
４０Ｒに転送するには、以下述べるような電位関係に選
定されたクロツクパルスを使用すればよい。この転送状
態を第１０図を参照して説明するも、この図は第７図の
Ｖ−Ｖ線上における断面図を示す。従つて、垂直及び読
出しの各レジスタ３０Ｒ，４０Ｒの一部が表われている
。第１０図Ａは電極φ″３直下に電荷が蓄えられている
状態を示し、依つて基体１１がＰ型であるなら、電極φ
ｔに正の電圧（以下「１」の電圧という）を印加し、他
の電極を零電位（以下「Ｏ］とする）に保持すれば、同
図Ａで示す如く、電極φ（直下のみにポテンシヤルウエ
ル１８が形成され、図の如き電荷が蓄積される。

従つて、この電荷を読出しレジスタ４０Ｒにおける中央
の領域ＲＡ２に転送するには、領域ＲＡ２における導電
層（以下電極と呼称する）１２Ｂに［１」のクロツクパ
ルスφ８を供給する。

こうすると、そのポテンシヤルウエル１８は第１０図Ｂ
のように広がるため、電荷を読出しレジスタ４０Ｒ側（
矢印ｂ方向）に転送できる。一方、同一の内部構造を有
するＣＣＤを３個用いて、先に述べた様な構成のカメラ
を考えた場合には、電極φ″３及び領域ＲＡｌ，ＲＡ２
及び凡！に印加するクロツクは全く同一であることが望
ましいが、従来技術にて示される構造のＣＣＤを３個用
いた場合、１つのＣＣＤでは正しく転送が行なわれるが
、他の２つのＣＣＤにあつては電荷が基板自体に注入さ
れてしまつたり、望ましくない方向に拡散したりする（
第１０図Ｃ）。

この問題を解決するためには、更に垂直レジスタ部３０
Ｒと読み出しレジスタ４０Ｒで形成されるポンテンシヤ
ルウエル１８に差を与えれば良い。

即ち、読出しレ―ジスタ４０Ｒ下に形成されるポテンシ
ヤルウエルの深さを、垂直レジスタ部３０Ｒ直下に形成
されるポテンシヤルウエルよりも深くすれば第１０図Ｂ
の状態において、電極φ２３を「１」より「Ｏ」とする
ことなく電荷を読出しレジスタ４０Ｒ側に完全に転送し
得るものである。但し、この場合は領域ＲＡ２が「１］
の時であるが、領域ＲＡ２が「Ｏ」の状態にあるＣＣＤ
については、電極１２Ｂ直下のポテンシヤルは電荷に対
してバリヤーとして働き、電極１２Ｂに「１」のクロツ
クパルスが印加されるまで、電荷は電極φｔ直下に保存
されることになる。

従つて、電極φＣが「１」の状態を充分に長く（読み出
しレジスタ用クロツクの少なく共１周期以上）すれば、
３個のＣＣＤｌＯＲ〜１０Ｂに関し、１２００の位相差
を付与した読み出しが可能となる。

両レジスタ３０Ｒ，４０Ｒの各ウエル１８に差を与える
具体的な手段は以下に示す４つの手段が考えられる。１
読出しレジスタ４０Ｒ側に埋込みチヤンネルを形成する
。

こうすると、この埋込みチヤンネル直下に形成されるウ
エルが表面チヤンネル（垂直レジスタ３０Ｒ側）の場合
よりも深くなるからである。２夫々のレジスタ３０Ｒ，
４０Ｒに供給するクロツクパルスの電位に差を与える。

図の例のように基体１１がＰ型の場合には、レジスタ３
０Ｒに加えるクロツクパルスの電圧レベルよりも読出し
用のレジスタ４０Ｒに供給するクロツクパルスの電圧レ
ベルの方を大きくすれば、読出しレジスタ４０Ｒ側のウ
エルの方が一層深くなる。

３基体１１の不純物濃度をレジスタ３０Ｒと４０Ｒとで
変える。

読出し側のレジスタ４０Ｒのそれを低くすればよい。４
Ｓｉ０２層１７の厚みを変える。

すなわち、読出しレジスタ４０Ｒ側のＳｉＯ２層１７の
厚みを薄く形成する。本例では１の手段を例示する。

読出し領域５ａ〜５ｎ直下に形成したＮ＋型の領域１９
（第７図以下参照）がこの埋込みチヤンネル形成用の領
域で、この例では読出し領域５ａ〜５ｎのうちの約２／
３の領域を占めている。埋込みチヤンネルを形成した場
合の転送状態を第１１図に示す。

同図Ａは第１０図Ａに対応し、同図Ｂは第１０図Ｃに対
応あるが、電極φ′３のクロツク電位が「１」で、電極
１２Ｂが「Ｏ」のときには同図Ａのようなポテンシャル
ウエル１８が形成される。埋込みチャンネル直下のウエ
ルは電極φ５３直下のそれよりも浅い。しかし、電極１
２Ｂのクロツク電位を［０」より「１」に変えると、そ
のとき埋込みチヤンネル直下に形成されるウエル１８ｂ
の方が電極φ′３直下のそれ１８ａよりもΔＷだけ深く
なるので、ウニル１８ｂの電荷は完全に他方のウエル１
８ｂに転送されるようになる。

なお、３個の固体撮像装置１０Ｒ〜１０Ｂを使用して目
的とする撮像装置を構成する場合で、第５図で示すよう
に夫々の読出しレジスタ４０Ｒ〜４０Ｂに供給するクロ
ツクパルスの位相を１２０ずつ異ならせるようにしたと
きにおける他の２個の固体撮像装置１０Ｇ及び１０Ｂの
電位関係は第１１図Ｃ及びＤで夫々示すようになつてい
る。

そのため、クロックパノレスφ８のみに注目すれば、こ
のパルスφ８では１個の固体撮像装置１０Ｒのみ領域１
２Ｂに電荷が転送されるようになるから、上述した１２
０電の位相関係を満足する。ところで、第５図では各固
体撮像装置１０Ｒ〜ノ１０Ｂに夫々供給されるクロツク
パルスφ。

〜φｃを共用する構成が示されているが、固体撮像装置
を第７図で示すように構成した場合には次のような問題
が生ずる。つまり、電荷を領域ＲＡｌ，ＲＡ３に転送す
るには、必ず中央の領域ＲＡ２を介して行なわなければ
ならない。ところが、クロツクの共用構成を採ると、第
１２図で示す如く結線する関係上、例えば第１の固体撮
像装置１０Ｒのレジスタ４０Ｒの領域ＲＡ２にクロツク
パルスφ、が印加されている場合（第１１図Ａ）、例え
ば第２のそれ１０Ｇは隣りの領域ＲＡ３に印加され（第
１１図Ｃ）、そして最後の撮像装置１０Ｂは第１１図Ｄ
で示すように残りの領域ＲＡｌに印加されることになる
ので、第２及び第３の固体撮像装置１０Ｇ，１０Ｂにお
いては読出しレジスタに電荷を転送しえないことになる
。この問題を解決するには第１３図で示すように、垂直
レジスタの電極φに供給するクロツクパルスφ３Ｃのパ
ルス巾を読出し用のクロツクパルスφぃ〜φｃのパルス
巾Ｔの少くとも３倍以上に選定する。

こうすることによつて、３個の読出しレジスタ４０Ｒ〜
４０Ｂに夫々存する中央の領域ＲＡ，に転送用の最初の
クロツクパルスφＡ〜φｃが供給されるまでの間、少く
とも垂直レジスタ３０Ｒ〜３０Ｂを電荷転送状態に保持
するものである。従つて、まず最初に第１の読出しレジ
スタ４０Ｒを考察するに、期間Ｔａにおいて垂直レジス
タ３０Ｒから中央の領域ＲＡ２に電荷が転送され、次の
期間Ｔｂ以後はクロツクパルスφＣ，φＡにて水平方向
に転送されるため、読出し状態に至るは容易に理解でき
よう。

次に、第２の読出しレジスタ４０Ｇについて考察するが
、この場合垂直レジスタ３０Ｇからの電荷転送はクロツ
クパルスφＢで行なわれるだけであとは前述したと同様
の動作が繰り返えされる。

従つて、第３の読出しレジスタ４０Ｂにおいては最後の
クロツクパルスφ。にて転送が行なわれる。そして、こ
れらの転送領域はいずれも中央の領域ＲＡ２である。し
かし、１２０ずの位相差が賦与された状態にあるは云う
までもない。以上説明したように本発明では領域ＲＡｌ
〜ＲＡ３の各電極引出し方向を第７図のように選定した
ため、複数の半導体領域１５に跨る導電層１２Ｃがあろ
うとも、これらの領域１５によつて寄生ＭＯＳは発生し
ない。

そのため、クロツクパルスが洩れることによつて生ずる
電力損失や、クロツク動作が不安定になるようなことが
ないから、それだけ信頼性に富み、かつ経済的な斯種固
体撮像装置を具現しうる特徴を有するものである。又、
垂直レジスタにおいて形成されるポテンシヤルウエルに
対し、読出しレジスタで形成されるポテンシヤルウエル
の方が深くなるように選定してあるため、電荷の転送残
しが完全になくなる。そのため、転送効率がよく画像の
Ｓ／Ｎの向上を図りうると共に、画像を忠実に再現でき
る効果を有するものである。更に、垂直レジスタに対す
るクロツクパルスの巾を少くとも３Ｔに選定してあるた
め、クロツクパルスを共用することができる。

依つて、装置を安価に構成しうる効果に加え、３個の固
体撮像装置相互間における読出しのタイミングを考慮す
る必要がないから、正確な合成画像を得ることができる
。なお、上述した実施例において、ＣＣＤとしてはフレ
ームシフト方式のものに適用した例を述べたが、インタ
ラインシフト方式やその他のトランスフア方式のＣＣＤ
に適用しうる勿論である。

又、第７図の例では複数の導電層１２Ａ〜１２Ｃは夫々
所定の距離を隔てて被着形成したが、導電層１２Ｂ，１
２Ｃはオーバーラツプ構成でも勿論よい。

【図面の簡単な説明】

第１図は固体撮像体の一例を示す構成図、第２図は撮像
信号の周波数スペクトル図、第３図は被写体と固体撮像
体との相対的な位置関係を示す図、第４図は複数の固体
撮像装置から得られる撮像信号におけるサンプリングキ
ヤリヤの位相関係を示す線図、第５図は撮像信号の合成
方法を示す構成図、第６図は従来の固体撮像装置におけ
る要部の構成図、第７図は本発明による固体撮像装置の
一例を示す要部の構成図、第８図はその縦断面図、第９
図はその横断面図、第１０図及び第１１図は本発明装置
の説明に供する断面図、第１２図は本発明装置の信号処
理系の一例を示す図、第１３図はクロツクパルスの波形
図である。 １０Ｒ〜１０Ｂは固体撮像装置、３０Ｒ〜３０Ｂは垂直
レジスタ、４０Ｒ〜４０Ｂは読出しレジスタ、５ａ〜５
ｎは水平方向の絵素に対応した領域、ＲＡｌ〜ＲＡ３は
読出し領域、１８はポテンシヤルウエル、φ′，ａ〜φ
′３ｃ及びφＡ〜φｃはクロツクパルス、１９は埋込み
チヤンネル用の領域である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 被写体像の光学情報を二次元の電気的情報に変換す
   る絵素となる複数の受光部を有した撮像部と、この撮像
   部よりの電気的情報を各走査線毎に並列に順次転送する
   垂直レジスタ部と、この垂直レジスタ部よりの出力を並
   列に受けこれを直列に読出す３相駆動の読出しレジスタ
   とを備え、上記垂直及び読出しレジスタは夫々転送クロ
   ックパルスにて上記電気的情報の転送が行なわれると共
   に、上記読出しレジスタは、それが形成される半導体基
   体の表面に上記３相の転送クロックパルスが夫夫供給さ
   れ、水平転送方向に延在する３本の導電層と上記各絵素
   に対応して設けられた３個の読出し領域を形成する３個
   の電極とを有し、上記３本の導電層のうちの１本は上記
   垂直レジスタ部と上記３個の電極群間に配され、上記３
   個の電極のうちの第１の電極と接続され、他の２本の導
   電層は上記３個の電極群の上記垂直レジスタ部とは反対
   側に配され、そのうちの１本の導電層は上記３個の電極
   のうちの第２の電極と導電層により接続され、他の１本
   の導電層は上記半導体基体中に設けられた半導体領域に
   よつて上記３個の電極のうちの第３の電極と接続される
   ようにしたことを特徴とする固体撮像装置。 ２ 上記読出しレジスタに形成されるポテンシャルウェ
   ルは上記垂直レジスタに形成されるポテンシャルウェル
   よりも深くなるようになされたことを特徴とする上記特
   許請求の範囲の第１項に記載の固体撮像装置。 ３ 上記垂直レジスタに印加される転送クロックパルス
   の巾は上記読出しレジスタに供給される転送クロックパ
   ルスの少くとも１周期分を包含するようにパルス巾が選
   定されてなることを特徴とする上記特許請求の範囲の第
   １項に記載の固体撮像装置。