JPS5979528A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS5979528A JPS5979528A JP18900782A JP18900782A JPS5979528A JP S5979528 A JPS5979528 A JP S5979528A JP 18900782 A JP18900782 A JP 18900782A JP 18900782 A JP18900782 A JP 18900782A JP S5979528 A JPS5979528 A JP S5979528A
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- Japan
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- chamber
- output
- output level
- etching
- vacuum
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発光出力レベルの安定化を図ってエツチング精
度の同上全実現するドライエツチング装置に関するもの
である。
度の同上全実現するドライエツチング装置に関するもの
である。
半導体装置の製造工程の一つであるエツチング工程には
ドライエンチング装置が使用芒ｎることが多く、一般に
はプラズマエツチング装置が１史）利されている。しか
しながら、このエツチング装置では発生芒れるプラズマ
の発光スペクトルの出力本レベルが不安定でめるとエン
チング効呆も不安定になり、エツチング寸法相反が低下
さｒするという問題がある。このため、従来でｔゴエッ
チング装置におけるガス泥倉、真空度、発振出力等ケ一
定に制御保持して発光スペクトルの出力レベルの安定化
ケ図るようにしているが、この棟の装置ｆＫはチャンバ
一温度、′ｗＬ他漉度、エッチ前チャンバー亦囲気等の
元元スペクトルｉＣ影ｖヶ与える曲の装置も存在してい
るため、前述の要素の制御たけでは十分満足できる安定
度は侍らｎず、史にこｎらの猥因ｔも制御するとなると
構造が極めて俵雑なものになるという問題がある。
ドライエンチング装置が使用芒ｎることが多く、一般に
はプラズマエツチング装置が１史）利されている。しか
しながら、このエツチング装置では発生芒れるプラズマ
の発光スペクトルの出力本レベルが不安定でめるとエン
チング効呆も不安定になり、エツチング寸法相反が低下
さｒするという問題がある。このため、従来でｔゴエッ
チング装置におけるガス泥倉、真空度、発振出力等ケ一
定に制御保持して発光スペクトルの出力レベルの安定化
ケ図るようにしているが、この棟の装置ｆＫはチャンバ
一温度、′ｗＬ他漉度、エッチ前チャンバー亦囲気等の
元元スペクトルｉＣ影ｖヶ与える曲の装置も存在してい
るため、前述の要素の制御たけでは十分満足できる安定
度は侍らｎず、史にこｎらの猥因ｔも制御するとなると
構造が極めて俵雑なものになるという問題がある。
したがって本発明の目的にプラズマの発光スペクトルル
ヘルの安定化２図ジ、とｎにょシエッチング効采全安定
化してエツチング相反の同上を実現することができるド
ライエンチング装置？提供することにある。
ヘルの安定化２図ジ、とｎにょシエッチング効采全安定
化してエツチング相反の同上を実現することができるド
ライエンチング装置？提供することにある。
この目的ケ達欣するために本発明のドライエンチング装
置に発光スペクトルの出力レベルを検出する手段と、こ
の検／ｉｆ値七基準値と比較し、七の比紛結呆に基づい
て出力レベル条件要素をフィードバンク制御するコント
ロール手段と會備えるように構成して偽る。
置に発光スペクトルの出力レベルを検出する手段と、こ
の検／ｉｆ値七基準値と比較し、七の比紛結呆に基づい
て出力レベル条件要素をフィードバンク制御するコント
ロール手段と會備えるように構成して偽る。
以下、本鈍明を図示の実施列にょシ故明する。
ｖＪ１図に本発明ｔプラズマエンチング装置に通用した
実施列でめシ、エツチング装置本体１はチャンバ２内に
一対の電極３．４を侃え、こｆＬら′電輪３．４間には
高周波発振器５を接続して晶絢彼を印加することＫＬシ
チャンバ２内にプラズマ七発生させ、一方の′ｗＬ極上
にセントした午尋坏ウェー−・６ｔエンチング処理する
ようになってｈる。
実施列でめシ、エツチング装置本体１はチャンバ２内に
一対の電極３．４を侃え、こｆＬら′電輪３．４間には
高周波発振器５を接続して晶絢彼を印加することＫＬシ
チャンバ２内にプラズマ七発生させ、一方の′ｗＬ極上
にセントした午尋坏ウェー−・６ｔエンチング処理する
ようになってｈる。
フ１と、チャンバ２には反応ガス供給管７や真空吸引管
８等を接続し、夫々に介装したバルブ９．１０にエフガ
スηを址や真壁変音変化制御することができるっ 一方、前記チャンバ２の外側直近位置には受光素子から
なる発光出力検出器１１ケ設け、チャンバ２内で発生す
るプラズマの発光スペクトル出力レベル奮検出している
。他方、１２はコントロール手段であシ、前記検出器１
１の出力毬増Ｉ陥するアンプ１３と、予め設定した出力
レベルに相当するイｇ号ケ出力する基準１ｇ号発生器１
４と、こｎらアンプ１３出力および基準信号発生器１４
の出力を比較する比ａ器１５を飼えると共に、比叙器１
５の出力に基づいてｙＪ′ＩＪ記高周波元高周波発振器
５０発振出カン制御器１６と會備えている。また、前Ｂ
ｅコントロール手段１２ｉ／ｃはタイマー１７２内威し
、エンチング装置本体１の作動、侠官丁れば高周波発振
器５の作動に同期ａぜてコントロール手段１２ケ作動さ
せるようになっている。
８等を接続し、夫々に介装したバルブ９．１０にエフガ
スηを址や真壁変音変化制御することができるっ 一方、前記チャンバ２の外側直近位置には受光素子から
なる発光出力検出器１１ケ設け、チャンバ２内で発生す
るプラズマの発光スペクトル出力レベル奮検出している
。他方、１２はコントロール手段であシ、前記検出器１
１の出力毬増Ｉ陥するアンプ１３と、予め設定した出力
レベルに相当するイｇ号ケ出力する基準１ｇ号発生器１
４と、こｎらアンプ１３出力および基準信号発生器１４
の出力を比較する比ａ器１５を飼えると共に、比叙器１
５の出力に基づいてｙＪ′ＩＪ記高周波元高周波発振器
５０発振出カン制御器１６と會備えている。また、前Ｂ
ｅコントロール手段１２ｉ／ｃはタイマー１７２内威し
、エンチング装置本体１の作動、侠官丁れば高周波発振
器５の作動に同期ａぜてコントロール手段１２ケ作動さ
せるようになっている。
以上の構成にＪ：ｆｌはチャンバ２内に反応ガス供給管
７からＨｒ足所所の反応ガス勿供給する一方、真空吸引
管８ン通して図外のＸ’ｌポンプで所定のＡ待度にし、
しかる上で高周波発振器５′に作動して１４ｒ、他３．
４間に晶）ん波電カン印加丁ｎば、両電俸間にプラズマ
が発生し、牛導体つエーノ・６がエツチング処理蕩扛る
。
７からＨｒ足所所の反応ガス勿供給する一方、真空吸引
管８ン通して図外のＸ’ｌポンプで所定のＡ待度にし、
しかる上で高周波発振器５′に作動して１４ｒ、他３．
４間に晶）ん波電カン印加丁ｎば、両電俸間にプラズマ
が発生し、牛導体つエーノ・６がエツチング処理蕩扛る
。
そこで、本実流向装置でに、プラズマの発生に工９チャ
ンバ２内に住じた発光スペクトルを発光出力俣出器１１
にて検出してその出力レベルン電気付として出力する。
ンバ２内に住じた発光スペクトルを発光出力俣出器１１
にて検出してその出力レベルン電気付として出力する。
すると、コントロール手段■２でＯユアンプ１３にて増
幅し７を検出イば号（出力レベル）を比較器１５におい
て基準信号発生器１４の基準信号と比較し、検出１１号
が基準信号の最大、取小値間（ｉｆｆ谷範曲Ｓ）内に存
在しているか否かｔ検出する。坤も、第２図に示す工う
にエンチング装置が作動に開始してからの所定の時間１
．〜ｔ２間において前述の比＊に行ない、同図ＡＩ／）
工うに検出信号がｆｆ容範囲内に維持δｒして員るとき
には発光スペクトルの出力レベルは安定でめシかつエツ
チングが安冗に行なわれているので七の状態の１′！Ｆ
エンチングケ継続して進行させる。ところが、検出信号
が同図Ｂ又にＣのように許容範囲１夛も六叉に小である
ときには出力レベルが安定しておらず、したがって比較
器１５から大又は小ン意味する情゛号？制御器１６に出
力する。こ！Ｌヶ受けてｑｒ１＋御器１６は太又は小に
ｘ′−ｉ応する制仰匂号ン発生し、この４ａ ％ Ｋ基
づいて高周波発振器５ｒ制御して発ＩＫ出カケ低減又は
増加芒ぜ、発光スペクトルの出力レベルが許容範囲内Ｖ
Ｃ赫３するようにｆｆｆｌ、Ｉ轟する。Ｆ！ｕち、ＰＪ
ｒＡＨフィードバンク司り御盆行なうことになる。こｆ
′Ｌ１７２：より、づ６プ・ｔスペクトルの出力レベル
は常に安定＄：態ｌ（保た才り、エンチングの安定勿図
ってエンチング９）７度の同上が達成できる。
幅し７を検出イば号（出力レベル）を比較器１５におい
て基準信号発生器１４の基準信号と比較し、検出１１号
が基準信号の最大、取小値間（ｉｆｆ谷範曲Ｓ）内に存
在しているか否かｔ検出する。坤も、第２図に示す工う
にエンチング装置が作動に開始してからの所定の時間１
．〜ｔ２間において前述の比＊に行ない、同図ＡＩ／）
工うに検出信号がｆｆ容範囲内に維持δｒして員るとき
には発光スペクトルの出力レベルは安定でめシかつエツ
チングが安冗に行なわれているので七の状態の１′！Ｆ
エンチングケ継続して進行させる。ところが、検出信号
が同図Ｂ又にＣのように許容範囲１夛も六叉に小である
ときには出力レベルが安定しておらず、したがって比較
器１５から大又は小ン意味する情゛号？制御器１６に出
力する。こ！Ｌヶ受けてｑｒ１＋御器１６は太又は小に
ｘ′−ｉ応する制仰匂号ン発生し、この４ａ ％ Ｋ基
づいて高周波発振器５ｒ制御して発ＩＫ出カケ低減又は
増加芒ぜ、発光スペクトルの出力レベルが許容範囲内Ｖ
Ｃ赫３するようにｆｆｆｌ、Ｉ轟する。Ｆ！ｕち、ＰＪ
ｒＡＨフィードバンク司り御盆行なうことになる。こｆ
′Ｌ１７２：より、づ６プ・ｔスペクトルの出力レベル
は常に安定＄：態ｌ（保た才り、エンチングの安定勿図
ってエンチング９）７度の同上が達成できる。
なお、絹２図に示すように発光スペクトルの出力レベル
はエツチングのネ／１ル１と表くルｊで犬きぐ変動する
時性を有している７とめタイマー１７の作用にＬシエン
チングが有効に行なわれ得る時間１．〜１、の１！］の
み前述しに％ＩＪ御【行なうようにして粘る。この論合
、時間１． 〜１ｇはｌ・ずしもエツチング作用特出ｊ
の大ｉμ分にわ１ζつてＦＥＥ定する必仮にな（、時間
１．〜ｔ３の工うに出力レベルが安定状に←に入る最初
の部分であってもよい。また、前記タイマー１７に、一
般には高周彼発撮器５の廻動と共に作動する遅延回路や
設定時間の間たけ作動を継続するタイマー回路等にて構
成する。
はエツチングのネ／１ル１と表くルｊで犬きぐ変動する
時性を有している７とめタイマー１７の作用にＬシエン
チングが有効に行なわれ得る時間１．〜１、の１！］の
み前述しに％ＩＪ御【行なうようにして粘る。この論合
、時間１． 〜１ｇはｌ・ずしもエツチング作用特出ｊ
の大ｉμ分にわ１ζつてＦＥＥ定する必仮にな（、時間
１．〜ｔ３の工うに出力レベルが安定状に←に入る最初
の部分であってもよい。また、前記タイマー１７に、一
般には高周彼発撮器５の廻動と共に作動する遅延回路や
設定時間の間たけ作動を継続するタイマー回路等にて構
成する。
以上のような制鈎ケ行なうことにより、第３図に示す工
うに、エツチングｋｉ腰もし行なう隙に、その都度Ａ、
、Ａ！ 、Ａｌに示す工うに発光スペクトルの出力レ
ベルが変動しても、夫々のフィードバンク制御にニジ各
出力しベルケ同図Ｐ１ｐ、、ｐ、、に示すように制御し
、安定な出力盆得ることができるのでおる。
うに、エツチングｋｉ腰もし行なう隙に、その都度Ａ、
、Ａ！ 、Ａｌに示す工うに発光スペクトルの出力レ
ベルが変動しても、夫々のフィードバンク制御にニジ各
出力しベルケ同図Ｐ１ｐ、、ｐ、、に示すように制御し
、安定な出力盆得ることができるのでおる。
ここで、本実弛列では発光スペクトルの出力レベルに基
ついて筒周波発振器５０発振出カケ制御しているが、こ
ｎに代えて池の擬木を制（ロ）するようにしてもよい。
ついて筒周波発振器５０発振出カケ制御しているが、こ
ｎに代えて池の擬木を制（ロ）するようにしてもよい。
レリえば第１図に１点鎖線で示すように反応ガス供給管
７に設けたバルブ９の開度を制御器Ｌ６の１Ｍ号に基づ
めで制御することによりカス流ｆｆｌ ｋ 駒節して発
光スペクトルの出力レベルを制で叶しでも工い。ｌた、
２点鎖線で示すように真空吸引管８のバルブ１０の開度
？制御して真空度ケ制御するようにしてもよい。更には
、これらの方式に！亘組合わせるようにしてもよい。
７に設けたバルブ９の開度を制御器Ｌ６の１Ｍ号に基づ
めで制御することによりカス流ｆｆｌ ｋ 駒節して発
光スペクトルの出力レベルを制で叶しでも工い。ｌた、
２点鎖線で示すように真空吸引管８のバルブ１０の開度
？制御して真空度ケ制御するようにしてもよい。更には
、これらの方式に！亘組合わせるようにしてもよい。
また、前記実７１１′！ｉＩ＋ｌＩはプラズマエツチン
グ装置でしＩＪ示しているが、ドライプロセス処理装置
の全てに適用でさることは百う１でもない。
グ装置でしＩＪ示しているが、ドライプロセス処理装置
の全てに適用でさることは百う１でもない。
以上のように本発明のドライエツチング装置によれば、
発光スペクトルの出力レベル忙検出する手段と、出力レ
ベルの条件要素で前記検出レベルに基づしてフィードバ
ンク制御するコントロール手段とｔ備えているので、池
々の要因、条件の変化に拘らず発光スペクトルの出力レ
ベルを常に安定にｎｒｌ） ｆｌｕすることができ、こ
れに工りエツチングの安定忙図ってエンチング軸度に向
上することがでさるという効果を奏する。
発光スペクトルの出力レベル忙検出する手段と、出力レ
ベルの条件要素で前記検出レベルに基づしてフィードバ
ンク制御するコントロール手段とｔ備えているので、池
々の要因、条件の変化に拘らず発光スペクトルの出力レ
ベルを常に安定にｎｒｌ） ｆｌｕすることができ、こ
れに工りエツチングの安定忙図ってエンチング軸度に向
上することがでさるという効果を奏する。
第１図に本発明のドライエンチング装置の♀体檜成図、
第２図は制伍方法を説明するグラフ、
第３図は繰返しエンチングｒ説明するグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、チャンバ内を所要のＸ窒度および反応ガス健けとす
る一方チャンパ内の電極に高周波の発振用カケ供給し、
プラズマ等を発生芒せてエツチング工程なうドライエツ
チング装置であって、前日己プラズマ等の発光スペクト
ルの出力レベルを検出する＋段と、この検出しに値を予
め数示した基準値と比軟し、七の比紗結釆［基ついて削
ム己真窒度、故地１ガスＤ１目Ｐｉ’ 、発振出力等の
１ｉｉＪ記出力レベルの乗件曹送ケフィードバック制御
するコントロール予設とを倫えることｔ特徴とするドラ
イエンチング装置１ｕ０ ２、 コントロール＋段に、基準１６号発生器と、基準
悟号の値とｎ１ｊｉ己検出１匣とｔ比軟する比較器と、
この比軟１ａの出力に基づいて前記栄件璧素會制営する
制イ＋１＋１ ｉ？＋：ｉと、こｔしらの作動時間を規
制するタイマーとｔ備えてなるｑィＷｉ’６Ｎ求の範−
第１項記載のドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18900782A JPS5979528A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18900782A JPS5979528A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5979528A true JPS5979528A (ja) | 1984-05-08 |
Family
ID=16233734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18900782A Pending JPS5979528A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5979528A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59129428A (ja) * | 1983-01-13 | 1984-07-25 | Fujitsu Ltd | プラズマエッチング方法 |
| FR2586156A1 (fr) * | 1985-08-07 | 1987-02-13 | Hochvakuum Dresden Veb | Procede pour regler la densite de vapeur dans des processus de revetement utilisant un plasma avec des evaporateurs a decharge d'arc, et dispositif correspondant pour revetir des substrats a l'aide de plasma |
| JPS63222432A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造装置 |
| EP0337012A2 (de) * | 1988-04-14 | 1989-10-18 | Leybold Aktiengesellschaft | Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-Prinzip |
| JPH06216069A (ja) * | 1993-01-13 | 1994-08-05 | Hitachi Ltd | エッチング方法及び装置 |
| JP2004006742A (ja) * | 2002-03-25 | 2004-01-08 | Adaptive Plasma Technology Corp | 半導体製造用プラズマエッチング法およびその装置 |
| WO2008013256A1 (en) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd. | End point detectable plasma etching method and plasma etching apparatus |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP18900782A patent/JPS5979528A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59129428A (ja) * | 1983-01-13 | 1984-07-25 | Fujitsu Ltd | プラズマエッチング方法 |
| JPH059938B2 (ja) * | 1983-01-13 | 1993-02-08 | Fujitsu Ltd | |
| FR2586156A1 (fr) * | 1985-08-07 | 1987-02-13 | Hochvakuum Dresden Veb | Procede pour regler la densite de vapeur dans des processus de revetement utilisant un plasma avec des evaporateurs a decharge d'arc, et dispositif correspondant pour revetir des substrats a l'aide de plasma |
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| US8518283B2 (en) | 2006-07-28 | 2013-08-27 | Spp Technologies Co., Ltd. | Plasma etching method capable of detecting end point and plasma etching device therefor |
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