JPS59226027A - プラズマ処理方法 - Google Patents

プラズマ処理方法

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JPS59226027A
JPS59226027A JP10027783A JP10027783A JPS59226027A JP S59226027 A JPS59226027 A JP S59226027A JP 10027783 A JP10027783 A JP 10027783A JP 10027783 A JP10027783 A JP 10027783A JP S59226027 A JPS59226027 A JP S59226027A
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JP
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plasma
microwave
gas
discharge
treating
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JP10027783A
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Takaoki Kaneko
金子 隆興
Kenji Fukuda
賢治 福田
Yoshinobu Takahashi
芳信 高橋
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Toshiba Corp
Toyota Motor Corp
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Toshiba Corp
Toyota Motor Corp
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/14Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、プラズマ処理技術に関し、さらに詳しく述べ
ると、例えばポリプロビレ/、ポリエチレン等の合成樹
脂材料からなる製品の表面を改質するためにその表面を
マイクロ波放電プラズマでプラズマ処理する方法に関す
る。
従来技術 近年、自動車部品の材料が軽量でかつ意匠性に優れた合
成樹脂材料に移行しつつあることは周知の通シである。
ところで、比較的安価で容易に入手可能なポリプロピレ
ン、ポリエチレン等の合成樹脂相別は、それらを例えば
車両外板に使用した場合、材料表面とその上に施される
塗膜との密着性が悪いので、この技術分野において不所
望な層間剥離を発生することが屡々である。かかる問題
を解消す゛る1手段として、樹脂材料の表面を改質して
塗膜の密着性を良好ならしめる技術、例えば、塗装前に
樹脂材料の表面をグロー放電、コロナ放電、ラジオ波放
電、マイクロ波放電1等に曝してその材料の表面を酸化
(極性基の導入)するかもしくはエツチング(いわゆる
アンカー効果の向上)する技術が知られている。このよ
うな技術はプラズマ処理技術と呼ばれている。
ところで、上記したようなプラズマ処理を行なう場合、
その処理効果を向上させるために反応室を減圧して真些
状態にすることが必要であシ、この状態を維持するため
に、現在バッチ処理が主流になっている。−1一方、と
の処匪技術を大物でかつ複雑形状の樹脂相打部品な同詩
に多数個表面処理しなければならない、例えば自動車部
品の製造という量産工程に導入する場合、短時間で真空
状態にしかつ1回の処理でより多数個の被処理物をプラ
ズマ処理することが必要である。この必要性を考慮して
、最近、プラズマ発生部分と反応室(すなわち、処理容
器)とを分離したマイクロ波放電によるプラズマ処理が
多く用いられている。このようなマイクロ波放電方式に
よるプラズマ処理では、処理容器外のプラズマ発生部分
(プラズマ発生炉と、それに直交するプラズマ発生管の
組み合わせ)においてプラズマを発生させ、このプラズ
マを処理容器内へ輸送し、そして容器内に装備したシャ
ワー管でプラズマを照射拡散する。
真空下でのプラズマ発生はなだれ現象的に行なわれると
いうものの(最も質勺゛の低い電子がマイクロ波による
強い電界内で加速されるから)、襄空下では大気中にお
けるように浮遊電子が豊富に存在しないことから安定な
放電が得られない、すなわち、プラズマ発生管を通って
プラズマ発生炉に供給された処理ガスがプラズマ化され
ないという現象がみられる。このため、マイクロ波放電
では、一般に、処理ガスをそれをプラズマ発生炉内へ供
給する前に予めテスラーコイル等による数百KVでの大
気中放電によシミ離し、この電離、電子生成した処理ガ
スをトリガとしてプラズマ発生炉内へ供給してマイクロ
波放電を容易にさせている。しかしながら、現在一般的
に用いられている、前記テスラーコイル放電による処理
ガスの事前電離化は、例えば約1〜5mのように発生炉
から遠く離れた処理ガスチェーブ(通常、ナイロン製チ
ューブ)上で行なわれているため、電離し、励起された
処理ガスが失活してその効力が低下するために放電不良
、すなわち、プラズマの不発生が発生炉内で頻発する。
さらに、電離し、励起された処理ガスの放電エネルギー
によってナイロン製の処理ガスチューブが溶融し、これ
に穴があき、この穴から大気が流入するために所定の真
空圧が411もれず、まだ、処理ガス以外の不純なガス
が流入するために処理効果が著しく低下する。
発明の「1的 本発明は、マイクロ波数rp((プラズマによるプラズ
マ処理方法を実施する場合に、処理ガス導入系を損傷す
ることなく安定してマイクロ波放電を行々い君)るよう
な技術を提供することを目的とする。
発明の17に成 上記[7た目的は、本発明によれば、マイクロ波によシ
強い霜;Tが形成されているプラズマ発生炉とプラズマ
発生管の直交部分(以下、強%昇領域と記す)に例えを
よ酸素のようなプラズマ用処理ガスを供給する直前にそ
の処理ガスを予備的に励起することによって達成するこ
とができる。
処理ガスの予価励起は、本発明によれば、プラズマ発生
%・上での高電圧放電によシ有利に実施することかでき
る。すなわち、マイクロ波とプラズマ発生管が直交する
発生管中心軸上で処理ガス上流側に位置する発生管上で
の補助放電1、例えばテスラーコイル等による約200
〜800KV、好ましくは約400〜500KVの高電
圧による放電によ多処理ガスを予め電離して励起するこ
とができる。
テスラーコイル等によシ高電圧放電、を行なう場合には
、マイクロ波とプラズマ発生管の直交中心よシ約260
〜400++mはど処理ガス上流側に位置する発生管上
でそれを行なうのが有利である1、発生管上でのテスラ
ーコイル等による放M1.は、マイクロ波発振と同期さ
せてもよく、さもなければマイクロ波の発振後に実施し
てもよい1、いずれにしても、この放電の時間を約3秒
間以内におさえるのが有利である。
実施例 次に、添付の図面を参照しながら本発明の好ましい実施
例を示す。
本発明方法を実施するための装置の好ましい一例が第1
図に示されている。円筒形の処理容器lはステンレス!
Ii (SUS 304 )で製作されておシ、その開
閉部分には真空シールが施されている。処理容器l内の
手段16はシャワー管であシ、容器内、すなわち、処理
室内に載置された被処理物にこの管からプラズマを噴射
する。処理室は、プラズマ処理中でも真空に保つため、
処理室排気用真空ポンプ(図示せず)に接続した排気口
17から矢印方向に連続的に排気されるようにできてい
る。
処理容器lへのプラズマの導入は、し1示される通如、
次のようにして行なう:先ず、マイクロ波発振機2で2
450■hのマイクロ波を発生させ、このマイクロ波を
マイクロ波反射を波を系外へ分離するだめのアイソレー
タ3に送シ、さらに、入反射電力を測定するためのパワ
ーモニター検出部4、反射電力を最小にするためのスリ
ースタプテエーナ−5を経て、導波管6によってマイク
ロ波発生炉7に伝送する8プラズマ発生炉7内では、プ
ランジャー23の位置を予め調整することによりマイク
ロ波の電界強度が最も強くなるようにコントロールする
ことができる。
一方、プラズマ用処理ガス(ここでは酸累ガスンを圧縮
封入したガスボンベ9を用意し、そのパルプlOの開閉
によって流量・計11の指示にもとづく適切量の酸素ガ
スをナイロン製ガスチューブ12によってマイクロ波発
生管8に供給する。マイクロ波発生管8は、図示される
通り、発生炉7と直交し、そして・発生炉内を貫通する
部分(外径30閾)と発生炉外に露出せる部分(処理ガ
ス上流側のガスチューブ12と接続する部分は外径]O
m、、そして処理ガスがプラズマ化した下流側の部分は
外径60w)とからなる。処理ガスが内部を通過するこ
の発生管は石英管である。ここでは、ガスチューブ】2
とプラズマ発生管8を接続するため、テフロン(フルオ
ロカーボン樹脂の商品名)製のコネクタ、フロロコネク
タ13を使用した。
プラズマ発生管8でプラズマを発生させ、このプラズマ
を70ロコネクタ14及び7ランジ15を経てシャワー
管16に送り、ここか、ら被処理物(図示せず)上に噴
射する。
本例の場合、テスラーコイル18をプラズマ発生管8上
に配置してその高電圧放fa、によ多処理ガスを予備励
起する。テスラーコイル18は、数百KVの高ib;圧
を発することが可能であシかつその制御機格は別置きの
制御C(図示せず]に内蔵されている。
テスラーコイル18の配置を第2図で説明する。
図示される通シ、コイル18の先端の放電を行なう高圧
ケーブル19をテフロン製チューブ20を介して発生管
8の処理ガス上流側部分、すなわち、発生炉7よシ露出
している部位(マイクロ波と発生管が直交し、プラズマ
が発生する中心位置からラーコイル18の本体を固定バ
ンド22によシ発生炉へ取り伺ける。参考のため、従来
方法によるテスラーコイル18の配置を第3図に示す(
参照番号は第2図に共通である)。従来方法では、プラ
ズマ発生中心位置から約l〜5m離れたガスチューブ1
2上にテスラーコイル18の高圧ケーブル19を取シ付
ける。
次に、第1図に示した装置を用いての本発明方法の好ま
しいl実施を説明する:処理容器l内へ彼処1!!、%
(図示せず)を載1酷し、容器内を真空ポンプ(図示せ
ず)で減圧して約OJI ]〜0−05 T o r 
rの真空度となすつ上記真空度に到達後、ガスバルブ】
0を開けてボンベ9内の酸素ガスを容器1に導入する。
この酸素ガスの導入に当って、流量計11によシ所定流
量となるように酸素ガスの流出をコントロールし、コン
トロールされたガスをガスチー−プJ2、発生管8を介
して容器1内に流し込む1つ所定のプラズマ処理圧に系
内を設定後、マイクロ波発振機2にょシマイクロ波を発
振させ、このマイクロ波をアイソレータ3、パワーモニ
ター検出部4、スリースタブチューナー5、導波管6を
介して発生炉7内へ伝送する。なお、発生炉7内では、
プランジャー23の位餡調整によって、マイクロ波の電
界強度が最も強くなるように予め調整しておく1、マイ
クロ波発振と同時にテスラーコイル18も、タイマー制
御によって約1秒間にわたって作動させ、高圧ケーブル
先端から約400〜500KV の高電圧で放電、させ
る。この放電にょシ、プラズマ発生管8内を流れる酸素
ガスが、その稈用こそマイクロ波放電による電離(プラ
ズマ状態)よシはA1段劣るというものの ilj、離
され、そして電子を生成する。、この電離された酸素ガ
スは、輸送距離が短かいだめに、その電離状態を失活す
ることなしにマイクロ波による強電界領域、へ供給され
、生成された電子がトリガと寿って瞬時のうちに高エネ
ルギーを有するプラズマ化状態となる。換言すると、i
l¥囲(された除滓、ガスU′マイクロ波数Mt状態と
なシ、マイクロ波反射知:力は最小になる。プラズマ化
された酸素ガスは、次いで、7ooコ、iフタ14を介
して処理容器j内のシャワー管16に送られ、ことがら
被処理物へシャワー拡散される。
上記の工程を、マイクロ波出力及び供給酸素遣゛をそわ
ぞれ400〜1200wX j〜7−07分の鋤、囲で
変動させて実施したところ、マイクロ被放ル:確率はい
ずれも100%で一定であることが確認された。このこ
とは、本発明方法ではいずれの条件においても100%
放驚し、安定してプラズマ化ガスを供給しイするという
ことを意味する。
比較のだめ、第3図に示し、/ト装置を使用する点を除
いて上記と同一の手法に従い実験を繰!ll返した3、
この曜1合には、だかたか50〜80%のマイクロ波放
電確率しか得られず、それもマイクロ波出力や酸素量の
変化につれて変動した。
得られだ結末を第4図及び第5図に示す。図中、■のデ
ータは本発明方法を、■のテークは従来方法を表わす。
なお、上記の実験で通用し/ζ主/とる処理条件は次の
通シでおる: マイクロ波出力VS、放矩1作バ・′(第4図〕真空圧
−Q、5Torr 酸素量”=41/分 測定同格−40回 (測定間N:120分間) 酸素量vs、放矩、確率(第5図1) 真空圧=0.5Torr マイクロ汲出カニ800W 測定回計=40回 (測定間隔20分間〕 なお、本発明方法を実施し/こ揚台、テスラーコイルに
よる放t、が石英製のプラズマ発生管上であるために、
放電熱による管の損(15はなく、シたがって、穴あき
による大気リーク、処理効果の低下といっだ問題は皆郁
であった。
発明の効果 本発す」によれば、処理ガス尋人系を損傷することなく
、安定してプラズマ化ガスを処理容器に導入することが
できる。実隙、本発明によれは、プラズマ発生炉内にお
いて放電不良が発生することは皆無である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明方法を実施するだめの装置の好ましい
一例を示した概略図1、 第2図は、第1図に示した装動−の特にテスラーコイル
の部分の詳細を示しだ説明図、 第3図は、従来方法を実施するための装置の一例を示し
た概略図、 第4図は、マイクロ波出力とマイクロ波放電確率との関
係を示[またグラフ、そして 第5図は、酸素量−とマイクロ被放Tb、確率との関係
を示したグラフである。 図中、1は処理容器、2はマイクロ波発振機、7はマイ
クロ波発生炉、8はマイクロ波光IA、+管、9は処理
ガスボンベ、そして18はテスラーコイルである。 特許出願人 トヨタ自動車株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木   朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 1)幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第1図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 マイクロ波放電プラズマによるプラズマ処理方法
    であって、マイクロ波による強電、光領域にプラズマ用
    処理ガスを供給する直前にその処理ガスを予備的に励起
    する工程を含んでなるプラズマ処理方法。 2 前記した処理ガスの予備励起をプラズマ発生管上で
    の高電圧放電によシ実施する、特許請求の範囲第1項に
    記載のプラズマ処理方法。 3、前記高電圧放電をマイクロ波発振と同期させるかも
    しくはマイクロ波の発振後に実施しかつその放電時間を
    3秒間以内とする、特許請求の範囲第2項に記載のプラ
    ズマ処理方法1.
JP10027783A 1983-06-07 1983-06-07 プラズマ処理方法 Granted JPS59226027A (ja)

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JPH02151021A (ja) * 1988-12-02 1990-06-11 Agency Of Ind Science & Technol プラズマ加工堆積装置

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