JPS59189130A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
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- JPS59189130A JPS59189130A JP6373483A JP6373483A JPS59189130A JP S59189130 A JPS59189130 A JP S59189130A JP 6373483 A JP6373483 A JP 6373483A JP 6373483 A JP6373483 A JP 6373483A JP S59189130 A JPS59189130 A JP S59189130A
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- JP
- Japan
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- plasma
- vessel
- processing
- generating
- treatment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0894—Processes carried out in the presence of a plasma
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/19—Details relating to the geometry of the reactor
- B01J2219/194—Details relating to the geometry of the reactor round
- B01J2219/1941—Details relating to the geometry of the reactor round circular or disk-shaped
- B01J2219/1942—Details relating to the geometry of the reactor round circular or disk-shaped spherical
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2023/00—Use of polyalkenes or derivatives thereof as moulding material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/18—Vacuum control means
- H01J2237/182—Obtaining or maintaining desired pressure
- H01J2237/1825—Evacuating means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/336—Changing physical properties of treated surfaces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は樹脂、例えば、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ
エチレン（ＰＥ）等の表面を改質するために、これらの
樹脂の表面にプラズマ処理を施すプラズマ分岐処理方法
に関する。
エチレン（ＰＥ）等の表面を改質するために、これらの
樹脂の表面にプラズマ処理を施すプラズマ分岐処理方法
に関する。
技術の背景
近年、例えば、自動車の部品等は、軽量でかつ意匠性に
優れ不樹脂に移行する傾向にあるが、比較的安価なＰＰ
、ＰＥ等を、例えば車両外板として使用する場合、樹脂
表面と塗膜との密着性が悪く、層間離剥という不具合が
発生することが知られている。この不具合を解消する手
段の一つとして、ＰＰ、ＰＥ等の被塗装物表面をグロー
、コロナ放電あるいは高周波放電に曝し、表面を酸化（
極性基の導入）あるいはエツチング（アンカ効果向上）
するプラズマ処理技術が知られている。
優れ不樹脂に移行する傾向にあるが、比較的安価なＰＰ
、ＰＥ等を、例えば車両外板として使用する場合、樹脂
表面と塗膜との密着性が悪く、層間離剥という不具合が
発生することが知られている。この不具合を解消する手
段の一つとして、ＰＰ、ＰＥ等の被塗装物表面をグロー
、コロナ放電あるいは高周波放電に曝し、表面を酸化（
極性基の導入）あるいはエツチング（アンカ効果向上）
するプラズマ処理技術が知られている。
ところで、自動車に使用するバンバ等の樹脂部品をプラ
ズマ処理する場合には、以下の理由により、大型の処理
容器が必要となる。
ズマ処理する場合には、以下の理由により、大型の処理
容器が必要となる。
１）バンバ等の樹脂部品は大物で複雑形状のため、
２）処理容器内を真空に維持する必要ケため、バッチ処
理生産方式が採用されることから、多数本を同時に処理
する必要がある。
理生産方式が採用されることから、多数本を同時に処理
する必要がある。
父、一方、処理容器が大型化するに従い各器内の各部位
のプラズマ濃度を均一にするのが困難となり、その結果
処理容器内に設置する被処理物の処理性は不均一化する
という問題点が発生した。
のプラズマ濃度を均一にするのが困難となり、その結果
処理容器内に設置する被処理物の処理性は不均一化する
という問題点が発生した。
このような問題が発生する従来のプラズマ処理装置の一
例を第３図（ａ）、（ｂ）に示す。これらの図で、Ａ部
に設置しｆＣ被処理物（図示せず）とＢ部に設置した被
処理物（図示せず）との間で、処理後の被処理物表面の
接触角測定による評価を行なったところ、Ａ部に設置し
たものはＢ部に設置したものよジ処騨性が劣９、甘た同
−被処理物内でも処理性に不均一がみられた。これは、
Ｂ部に設置した被処理物によってプラズマ照射が遮蔽さ
れ、Ａ部のプラズマの寿命が損なわれるためであると考
えられる。
例を第３図（ａ）、（ｂ）に示す。これらの図で、Ａ部
に設置しｆＣ被処理物（図示せず）とＢ部に設置した被
処理物（図示せず）との間で、処理後の被処理物表面の
接触角測定による評価を行なったところ、Ａ部に設置し
たものはＢ部に設置したものよジ処騨性が劣９、甘た同
−被処理物内でも処理性に不均一がみられた。これは、
Ｂ部に設置した被処理物によってプラズマ照射が遮蔽さ
れ、Ａ部のプラズマの寿命が損なわれるためであると考
えられる。
これらの問題点を解消するため、第４図（ａ）。
（ｂ）に示すように、処理容器にプラズマ導入口を複数
設置したところ、処理容器内における被処理物の処理を
均一に施すことができた。以上のことにより、大型スク
ールの処理容器内における各部位のプラズマ濃度を均一
化するには、処理容器に複数個のプラズマ導入口を設置
するのが好丑し２い方法である。しかし、導入口１個に
つきそれぞれ一組のプラズマ発生系装置を設置すること
員１、設備投資あるいは省電力面で問題がある。なお、
第３図および第４図における各符号は、後述する第１図
および第２図の各同一符号と同一の部品を示している。
設置したところ、処理容器内における被処理物の処理を
均一に施すことができた。以上のことにより、大型スク
ールの処理容器内における各部位のプラズマ濃度を均一
化するには、処理容器に複数個のプラズマ導入口を設置
するのが好丑し２い方法である。しかし、導入口１個に
つきそれぞれ一組のプラズマ発生系装置を設置すること
員１、設備投資あるいは省電力面で問題がある。なお、
第３図および第４図における各符号は、後述する第１図
および第２図の各同一符号と同一の部品を示している。
発明の目的
本発明は、これらの点に鑑み、大物で複雑形状の樹脂部
品を複数個同時に処理するに当り、処理容器外でプラズ
マを発生させる前に、マグオ・トロンでマイクロ波を発
生させ、このマイクロ波を傾数に分配してそれぞれの径
路でプラズマを発生ぐせ、該プラズマを処理容器内に導
入することによって処理の均一化と、設備投資の低減及
び省電力を図るプラズマ処理方法全提供するものである
。
品を複数個同時に処理するに当り、処理容器外でプラズ
マを発生させる前に、マグオ・トロンでマイクロ波を発
生させ、このマイクロ波を傾数に分配してそれぞれの径
路でプラズマを発生ぐせ、該プラズマを処理容器内に導
入することによって処理の均一化と、設備投資の低減及
び省電力を図るプラズマ処理方法全提供するものである
。
発明の構成
処理容器外部でマイクロ波放電プラズマを発生させた後
、容器内にプラズマを導入し、該容器内に設置した被処
理物表面にプラズマを照射して処理する方法において、
マグネトロンにょジ発振されたマイクロ波を分配器によ
り複数に分配し、該分配されたマイクロ波を、該分配数
に対応して設けたプラズマ発生炉とプラズマ発生管から
成るプラズマ発生機構にそれぞれ導き、これらの各プラ
ズマ発生機構にて発生したプラズマを処理容器に設けた
複数のプラズマ導入口を介してそれぞれ処理容器内に導
入するようにした。
、容器内にプラズマを導入し、該容器内に設置した被処
理物表面にプラズマを照射して処理する方法において、
マグネトロンにょジ発振されたマイクロ波を分配器によ
り複数に分配し、該分配されたマイクロ波を、該分配数
に対応して設けたプラズマ発生炉とプラズマ発生管から
成るプラズマ発生機構にそれぞれ導き、これらの各プラ
ズマ発生機構にて発生したプラズマを処理容器に設けた
複数のプラズマ導入口を介してそれぞれ処理容器内に導
入するようにした。
実施例
第１図および第２図は本発明の方法を実施するマイクロ
波放電プラズマ処理装置の実施例を示すものである。第
１図および第２図において、１は例えば８０８３０４で
構成された円筒状胴部と鏡蓋からなる処理容器、２は例
えば２４５０ＭＨｚのマイクロ波を発するマグネトロン
Ｃ発振管）を内蔵したマイクロ波発振器、３はアルミニ
ウムで構成されマイクロ波を１＝１に分配する分配器、
４ａ。
波放電プラズマ処理装置の実施例を示すものである。第
１図および第２図において、１は例えば８０８３０４で
構成された円筒状胴部と鏡蓋からなる処理容器、２は例
えば２４５０ＭＨｚのマイクロ波を発するマグネトロン
Ｃ発振管）を内蔵したマイクロ波発振器、３はアルミニ
ウムで構成されマイクロ波を１＝１に分配する分配器、
４ａ。
ｂは反射電波を発振管へ戻さないためのアイノレーター
、５ａ、ｂは人、反射電力を監視するパワーモニターの
検出部、６ａ、ｂは反射電力を最小にするための整合器
、７ａ、ｂはマイクロ波をプラズマ発生炉８ａ、ｂへ伝
送する４波管、９ａ。
、５ａ、ｂは人、反射電力を監視するパワーモニターの
検出部、６ａ、ｂは反射電力を最小にするための整合器
、７ａ、ｂはマイクロ波をプラズマ発生炉８ａ、ｂへ伝
送する４波管、９ａ。
ｂは発生炉８内に装着されその一部をマイクロ波に曝さ
れ内部を処理ガスが通過する石英ガラスで構成されたプ
ラズマ発生管、ｌＯａ、ｂはプラズマ発生管９ａ、ｂと
パイレックスガラス製の輸送管１１ａ、ｂを気密に接合
するテフロン製のフロロコネクター、１２ａ、ｂは輸送
管１１ａ、ｂとシャワー管１．４ ａ 、 ｂを気密に
接合するテフロン製のフロロコネクター、１３ａ、ｂは
処理容器１へのプラズマ導入口である。１５ａ 、ｂ、
１６ａ。
れ内部を処理ガスが通過する石英ガラスで構成されたプ
ラズマ発生管、ｌＯａ、ｂはプラズマ発生管９ａ、ｂと
パイレックスガラス製の輸送管１１ａ、ｂを気密に接合
するテフロン製のフロロコネクター、１２ａ、ｂは輸送
管１１ａ、ｂとシャワー管１．４ ａ 、 ｂを気密に
接合するテフロン製のフロロコネクター、１３ａ、ｂは
処理容器１へのプラズマ導入口である。１５ａ 、ｂ、
１６ａ。
ｂはシャワー管１４ａ 、ｂと同様のシャワー管であり
、それぞれ発生炉１７ａ、ｂ、１８ａ、ｂにシャワー’
ｆｆ １４ ａ 、 １４ ｂの場合と同様にプラズマ
導入口２２ａ 、ｂ、２３ ａ ＋ ｂを介して接続し
ている６ １９ ａ 、 ｂ ％ ２０ ａ ＋ ｂ
％ ２１ ａ 、 ｂは排気ボートで・配管（図示な
し）を介して真空ポンプ（図示なし）に接続されており
、それぞれプラズマ導入口２３ａ、ｂ、２３ａ、ｂ、２
２ａ、ｂに対向する位置に配されている。
、それぞれ発生炉１７ａ、ｂ、１８ａ、ｂにシャワー’
ｆｆ １４ ａ 、 １４ ｂの場合と同様にプラズマ
導入口２２ａ 、ｂ、２３ ａ ＋ ｂを介して接続し
ている６ １９ ａ 、 ｂ ％ ２０ ａ ＋ ｂ
％ ２１ ａ 、 ｂは排気ボートで・配管（図示な
し）を介して真空ポンプ（図示なし）に接続されており
、それぞれプラズマ導入口２３ａ、ｂ、２３ａ、ｂ、２
２ａ、ｂに対向する位置に配されている。
発生管９ａ、ｂはチー−−ブ（図示なし）を介シ、７て
ガスボンベ（図示なし）へ接続されている。アイソレー
タ４ａ、ｂ、パワーモニタ５ａ、ｂ、整合器６ ａ 、
ｂ、導波管７ａ、ｂ、プラズマ発生炉８ａ、ｂＩｉ主
とし２てアルミニウムで構成されている。なお、各シャ
ワー管１４ ａ 、 ｂｓ １５ ａ ＋ ｂｓ１６
ａ、ｂは処理容器１内で軸方向に配置され、かつそれぞ
れ約６０′隔てて配置されている。これらのシャワー管
は多数のプラズマ噴射口（図示なし）を有し、処理容器
１内に均一にプラズマを噴射するようになっている、 被処理物（図示なし）を処理容器１内へ投入後、真空ポ
ンプ（図示なし）にて容器１内を所定の真空圧に減圧し
、ボンベ（図示なし）内の処理ガスをチューブ、発生管
９ａ、ｂ等を介して容器１内に供給して所定の真空圧に
設定する。マイクロ波発振器２内のマグネトロンによ、
！７２４５０ＭＨｚのマイクロ波を発振させる。発生し
たマイクロ波は分配器３により２分割されそれぞれアイ
ソレータ−４ａ、ｂ、パワーモニタ検出 ６ ａ ＊ ｂ、導波管７ａ，ｂを介して発生炉Ｆｉａ
。
ガスボンベ（図示なし）へ接続されている。アイソレー
タ４ａ、ｂ、パワーモニタ５ａ、ｂ、整合器６ ａ 、
ｂ、導波管７ａ、ｂ、プラズマ発生炉８ａ、ｂＩｉ主
とし２てアルミニウムで構成されている。なお、各シャ
ワー管１４ ａ 、 ｂｓ １５ ａ ＋ ｂｓ１６
ａ、ｂは処理容器１内で軸方向に配置され、かつそれぞ
れ約６０′隔てて配置されている。これらのシャワー管
は多数のプラズマ噴射口（図示なし）を有し、処理容器
１内に均一にプラズマを噴射するようになっている、 被処理物（図示なし）を処理容器１内へ投入後、真空ポ
ンプ（図示なし）にて容器１内を所定の真空圧に減圧し
、ボンベ（図示なし）内の処理ガスをチューブ、発生管
９ａ、ｂ等を介して容器１内に供給して所定の真空圧に
設定する。マイクロ波発振器２内のマグネトロンによ、
！７２４５０ＭＨｚのマイクロ波を発振させる。発生し
たマイクロ波は分配器３により２分割されそれぞれアイ
ソレータ−４ａ、ｂ、パワーモニタ検出 ６ ａ ＊ ｂ、導波管７ａ，ｂを介して発生炉Ｆｉａ
。
ｂへ伝送される。反射翰；力を最小ＶＣするためあらか
じめ整合器６ａ，ｂを各々調整しておく３、この詩人、
反射電力はパワーモニター検出部５ａ，ｂで各々計測さ
れ、反射電力はアイソレーター４ａ。
じめ整合器６ａ，ｂを各々調整しておく３、この詩人、
反射電力はパワーモニター検出部５ａ，ｂで各々計測さ
れ、反射電力はアイソレーター４ａ。
ｂで系外へ分＃（消費）される。発生炉８ａ，ｂへ伝送
されたマイクロ波はその強い磁界ｒ（より発生管９ａ，
ｂ中を流れている処理ガスをプラズマ化する。プラズマ
化された処理ガスはプラズマ導入口１３ａ，ｂから処理
容器１内に導入されシャワー管１４ａ，ｂによりシャワ
ー拡散される。プラズマ導入口２２ａ 、ｂｓ ２３ａ
、ｂからも同様にして分配されたマイクロ波にて発生
したプラズマが処理容器１内へ導入されかつシャワー拡
散される。シャワー拡散されたプラズマは被処理物（図
示なし）に接触（処理）後、排気ポート１９ａ，ｂ，２
０ａ．ｂ，２１ｇ，ｂを介して系外へ排気される。
されたマイクロ波はその強い磁界ｒ（より発生管９ａ，
ｂ中を流れている処理ガスをプラズマ化する。プラズマ
化された処理ガスはプラズマ導入口１３ａ，ｂから処理
容器１内に導入されシャワー管１４ａ，ｂによりシャワ
ー拡散される。プラズマ導入口２２ａ 、ｂｓ ２３ａ
、ｂからも同様にして分配されたマイクロ波にて発生
したプラズマが処理容器１内へ導入されかつシャワー拡
散される。シャワー拡散されたプラズマは被処理物（図
示なし）に接触（処理）後、排気ポート１９ａ，ｂ，２
０ａ．ｂ，２１ｇ，ｂを介して系外へ排気される。
発明の効果
マイクロ波を分配し複数の箇所からプラズマを導入照射
することにより、処理容器内のプラズマ濃度を均一にで
きるため大型複雑形状をした複数の被処理物を均一処理
でき、また発振器の数を減少できるため設備投資額、電
力費を半減できる。
することにより、処理容器内のプラズマ濃度を均一にで
きるため大型複雑形状をした複数の被処理物を均一処理
でき、また発振器の数を減少できるため設備投資額、電
力費を半減できる。
第１図および第２図は本発明のプラズマ分岐処理方法を
実施するための装置の実施例を示すもので、第１図は断
面図、第２図は側面図、第３図（ａ）（断面図）および
第３図（ｂ）（＠！１面図）は従来のプラズマ処理装置
の一例を示す図、第４図（ａ）（断面図）および第４図
（ｂ）（側面図）は従来のプラズマ処理装置の他の例を
示す図である。 １・・・処理容器、２・・・マイクロ波発振器、３・・
・分配器；４ａ，ｂ・・・アイソレータ、５ａ，ｂ・・
・パワーモニタ検出部、６ａ，ｂ・・・整合器、７ａ。 ｂ・・・導波管、８ａ，ｂ・・・プラズマ発生炉、９ａ
。 ｂ−・・プラズマ発生管、１０ａ，ｂ．１２ａ．ｂ・・
・フロロコネクタ、ｌ ３ａ ＋ ｂ， ２２ａ ＋
ｂ−。 ２３ａ，ｂ−プラズマ導入口、１４ａ．ｂ、１５ａ 、
ｂ，１６ａ 、ｂ−シャワー＠，１９ａ。 ｂ，２０ａ，ｂ，２１ａ，ｂ”’排気口。 特許出願人 トヨタ自動車株式会社 特許出願代理人 弁理士 肯 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 樋 口 外 ｒ台 ４９−埋土山口附之 第１図 ／ｕａ、。 （ｂ） ２０ｂ ２０ａ （Ｇ）
実施するための装置の実施例を示すもので、第１図は断
面図、第２図は側面図、第３図（ａ）（断面図）および
第３図（ｂ）（＠！１面図）は従来のプラズマ処理装置
の一例を示す図、第４図（ａ）（断面図）および第４図
（ｂ）（側面図）は従来のプラズマ処理装置の他の例を
示す図である。 １・・・処理容器、２・・・マイクロ波発振器、３・・
・分配器；４ａ，ｂ・・・アイソレータ、５ａ，ｂ・・
・パワーモニタ検出部、６ａ，ｂ・・・整合器、７ａ。 ｂ・・・導波管、８ａ，ｂ・・・プラズマ発生炉、９ａ
。 ｂ−・・プラズマ発生管、１０ａ，ｂ．１２ａ．ｂ・・
・フロロコネクタ、ｌ ３ａ ＋ ｂ， ２２ａ ＋
ｂ−。 ２３ａ，ｂ−プラズマ導入口、１４ａ．ｂ、１５ａ 、
ｂ，１６ａ 、ｂ−シャワー＠，１９ａ。 ｂ，２０ａ，ｂ，２１ａ，ｂ”’排気口。 特許出願人 トヨタ自動車株式会社 特許出願代理人 弁理士 肯 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 樋 口 外 ｒ台 ４９−埋土山口附之 第１図 ／ｕａ、。 （ｂ） ２０ｂ ２０ａ （Ｇ）
Claims (1)
- １、処理容器外部でマイクロ波放電プラズマを発生させ
た後、容器内にプラズマを導入し、該容器内に設置した
被処理物表面にプラズマを照射して処理する方法におい
て、マグネトロンにより発振されたマイクロ波を分配器
によ！ｌｌ複数に分配し、該分配されたマイクロ波を、
該分配数に対応して設けたプラズマ発生炉とプラズマ発
生管から成るプラズマ発生機構にそれぞれ導き、これら
の各プラズマ発生機構にて発生したプラズマを処理容器
に設けた複数のプラズマ導入口を介してそれぞれ処理容
器内に導入するようにしたプラズマ処理方法。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6373483A JPS59189130A (ja) | 1983-04-13 | 1983-04-13 | プラズマ処理方法 |
| AU24671/84A AU549376B2 (en) | 1983-02-25 | 1984-02-16 | Plasma treatment |
| EP91115536A EP0461683B1 (en) | 1983-02-25 | 1984-02-23 | Method for plasma treatment of resin material |
| EP84101926A EP0120307B1 (en) | 1983-02-25 | 1984-02-23 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| DE3486470T DE3486470T2 (de) | 1983-02-25 | 1984-02-23 | Verfahren zum Plasmabehandeln von Kunststoffharz |
| DE3486317T DE3486317T2 (de) | 1983-02-25 | 1984-02-23 | Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von Kunstharz. |
| US06/825,941 US4678644A (en) | 1983-02-25 | 1986-01-30 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| AU82240/87A AU603397B2 (en) | 1983-02-25 | 1987-12-08 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| AU82237/87A AU8223787A (en) | 1983-02-25 | 1987-12-08 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| AU82239/87A AU8223987A (en) | 1983-02-25 | 1987-12-08 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| AU82238/87A AU8223887A (en) | 1983-02-25 | 1987-12-08 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6373483A JPS59189130A (ja) | 1983-04-13 | 1983-04-13 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59189130A true JPS59189130A (ja) | 1984-10-26 |
| JPH0496B2 JPH0496B2 (ja) | 1992-01-06 |
Family
ID=13237925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6373483A Granted JPS59189130A (ja) | 1983-02-25 | 1983-04-13 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59189130A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289737A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-04-24 | Nippon Medical Supply Corp | プラスチツクチユ−ブの製造方法 |
| JPH01132236U (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-07 | ||
| EP0739155A1 (fr) * | 1995-04-21 | 1996-10-23 | Ustl - Universite Des Sciences Et Techniques De Lille | Dispositif pour créer deux ou plusieurs décharges plasma dans un même tube guide d'onde |
| US7770519B2 (en) * | 2003-01-15 | 2010-08-10 | Schmitt Stephen E | Method for printing a high durability and/or resolution item |
-
1983
- 1983-04-13 JP JP6373483A patent/JPS59189130A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289737A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-04-24 | Nippon Medical Supply Corp | プラスチツクチユ−ブの製造方法 |
| JPH055251B2 (ja) * | 1985-06-27 | 1993-01-21 | Nippon Medeikaru Sapurai Kk | |
| JPH01132236U (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-07 | ||
| JPH0623569Y2 (ja) * | 1988-03-02 | 1994-06-22 | 新日本無線株式会社 | プラズマ発生反応装置 |
| EP0739155A1 (fr) * | 1995-04-21 | 1996-10-23 | Ustl - Universite Des Sciences Et Techniques De Lille | Dispositif pour créer deux ou plusieurs décharges plasma dans un même tube guide d'onde |
| FR2733384A1 (fr) * | 1995-04-21 | 1996-10-25 | Univ Lille Sciences Tech | Dispositif pour creer deux ou plusieurs decharges plasma dans un meme tube guide d'onde |
| US7770519B2 (en) * | 2003-01-15 | 2010-08-10 | Schmitt Stephen E | Method for printing a high durability and/or resolution item |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0496B2 (ja) | 1992-01-06 |
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