JPS5986630A - プラズマ処理を施す方法および装置 - Google Patents
プラズマ処理を施す方法および装置Info
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- JPS5986630A JPS5986630A JP19608882A JP19608882A JPS5986630A JP S5986630 A JPS5986630 A JP S5986630A JP 19608882 A JP19608882 A JP 19608882A JP 19608882 A JP19608882 A JP 19608882A JP S5986630 A JPS5986630 A JP S5986630A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は王として樹脂、例えば、ポリプロピレン（ＰＰ
）、ポリエチレン（ＰＥ）等の表面を改質するために、
これらの樹脂の表面にプラズマ処理を施す方法および装
置に関する。本発明は特に、比較的大物でかつ複雑な形
状の樹脂部品を塗装する場合において、その塗装の前処
理として有効に用いることができる、 近年１例えば、自動車の部品尋は、転１でかつ意匠性に
優れる樹脂に移行する傾向にあるが、比較的安価なＰＰ
、ＰＥ等を、例えば車両外板として使用する場合、樹脂
表面と塗膜との密着性が悪く、層間剥離という不具合が
発生することが知られている。この不具合を解消する手
段の一つとして、塗装前に、ＰＰ、ＰＥ等の被塗装物表
面をグロー、コロナあるいはラジオ波又はマイクロ波数
（３） 電に曝し、表面を酸化（極性基の導入）あるいはエツチ
ング（アンカ効果向上）するプラズマ処理技術が知られ
ている。
）、ポリエチレン（ＰＥ）等の表面を改質するために、
これらの樹脂の表面にプラズマ処理を施す方法および装
置に関する。本発明は特に、比較的大物でかつ複雑な形
状の樹脂部品を塗装する場合において、その塗装の前処
理として有効に用いることができる、 近年１例えば、自動車の部品尋は、転１でかつ意匠性に
優れる樹脂に移行する傾向にあるが、比較的安価なＰＰ
、ＰＥ等を、例えば車両外板として使用する場合、樹脂
表面と塗膜との密着性が悪く、層間剥離という不具合が
発生することが知られている。この不具合を解消する手
段の一つとして、塗装前に、ＰＰ、ＰＥ等の被塗装物表
面をグロー、コロナあるいはラジオ波又はマイクロ波数
（３） 電に曝し、表面を酸化（極性基の導入）あるいはエツチ
ング（アンカ効果向上）するプラズマ処理技術が知られ
ている。
ところで、プラズマ処理を行う場合、処理効果を向上（
プラズマの寿命を長くする）させるため、反応室ｔ−減
圧、もしくは真空状態にすることが必要である。この状
態を維持するために、現在バッチ処理が主流になってい
る。
プラズマの寿命を長くする）させるため、反応室ｔ−減
圧、もしくは真空状態にすることが必要である。この状
態を維持するために、現在バッチ処理が主流になってい
る。
一方、この処理方法全自動車部品の與造という量産工程
に導入するには、短時間で真空状態に到達し、かつ１回
でよＱ多数の被処理物をプラズマ処理する必要がある。
に導入するには、短時間で真空状態に到達し、かつ１回
でよＱ多数の被処理物をプラズマ処理する必要がある。
この点を考慮して、従来のプラズマ処理装置（マイクロ
波放電プラズマ装置。
波放電プラズマ装置。
第９図）で処理したところ、自動車に使用する樹脂部品
は大物でかつ複雑な形状であるため１反応室内の被処理
物配着位置により被処理物間で処理性が異なりかつ同一
被処理物の部位においても処理性が異なった。
は大物でかつ複雑な形状であるため１反応室内の被処理
物配着位置により被処理物間で処理性が異なりかつ同一
被処理物の部位においても処理性が異なった。
なお、第９図において、ｌは反応室、２はマイクロ波発
振器、３はアイソレータ（東芝株式会社（４） 製）、４はパワーモニタ（同上社製）、５はスリースタ
ブチー−す（同上社！り、６はプラズマ発生炉、７はプ
ラズマ発生管、８は石英管、９はプラズマ導入口、１２
はガラス管、１５は反応室内を減圧する。ための排気口
、１６はガス供給管、１７Ｕ流量計、］８はガスボンベ
、１９は導波管。
振器、３はアイソレータ（東芝株式会社（４） 製）、４はパワーモニタ（同上社製）、５はスリースタ
ブチー−す（同上社！り、６はプラズマ発生炉、７はプ
ラズマ発生管、８は石英管、９はプラズマ導入口、１２
はガラス管、１５は反応室内を減圧する。ための排気口
、１６はガス供給管、１７Ｕ流量計、］８はガスボンベ
、１９は導波管。
ｓ−ｉ〜６は被処理物である。
第９図に示したような従来のマイクロ波放電プラズマ装
置における上述のような問題点を解消するために、次の
ような予備実験を行なった。
置における上述のような問題点を解消するために、次の
ような予備実験を行なった。
※ 予備実験の方法（被処理物ＰＰにて計測）〔反応処
理室〕 ２０００寵径Ｘ２０００閣長 〔処理条件〕 マイクロ波周波数： ２４５０ＭＨｚ 出 力 ：５００Ｗ 真空圧 ：０．５ Ｔｏｒｙ 処理ガス＠′）：酸素（５０００ｃｃ／分）処理時間
二３０秒間 （５） 〔ガラス管〕 ガラス管１２のプラズマ噴射角αＮ＋１０１ｙ＋）ｅ［
１１図に示すようニα＝＝ｏ０、α＝３０’−α＝６０
０ に選定して実験を行なった。
理室〕 ２０００寵径Ｘ２０００閣長 〔処理条件〕 マイクロ波周波数： ２４５０ＭＨｚ 出 力 ：５００Ｗ 真空圧 ：０．５ Ｔｏｒｙ 処理ガス＠′）：酸素（５０００ｃｃ／分）処理時間
二３０秒間 （５） 〔ガラス管〕 ガラス管１２のプラズマ噴射角αＮ＋１０１ｙ＋）ｅ［
１１図に示すようニα＝＝ｏ０、α＝３０’−α＝６０
０ に選定して実験を行なった。
被処理物（ＰＰ）の配置を、ガラス管１２のプラズマ噴
射口から噴射角αの中心線に沿った被処理物表面までの
距離Ｈが、第１１図に示すようにＨ＝ ５００１１１１
ｂ Ｈ＝ １００ （Ｌｗｍとなるようにし７′Ｃ。
射口から噴射角αの中心線に沿った被処理物表面までの
距離Ｈが、第１１図に示すようにＨ＝ ５００１１１１
ｂ Ｈ＝ １００ （Ｌｗｍとなるようにし７′Ｃ。
また、噴射角αの中心線に沿ってＨの距離にある位置か
らその中心線に対して直角に左右Ｗ（Ｗ＝０〜Ｉ Ｏ０
０ｍ ）の距離だけ移動した位置にある被処理物の表面
プラズマ処理後の接触角を測定し、その結果を第１１図
に示す。
らその中心線に対して直角に左右Ｗ（Ｗ＝０〜Ｉ Ｏ０
０ｍ ）の距離だけ移動した位置にある被処理物の表面
プラズマ処理後の接触角を測定し、その結果を第１１図
に示す。
脱イオン水を、プラズマ処理後のＰＰ表面に、５μを滴
下し、接触角測定器（ＣＡ−Ａ型、協和科学製）で測定
した（２０℃、５０〜６０係雰囲気）。
下し、接触角測定器（ＣＡ−Ａ型、協和科学製）で測定
した（２０℃、５０〜６０係雰囲気）。
以上のような予備実験の結果、ｉｌ１図に示さＣ６）
れるように、下記の点が明らかになった。
１）、反応室Ｊに導入されたプラズマの処分は、ガラス
管Ｊ２に設けた噴射口と被処理物との間の距離で決定さ
れる。
管Ｊ２に設けた噴射口と被処理物との間の距離で決定さ
れる。
２）。反応室ｌに導入され穴プラズマの拡散性は。
プラズマ濃度分布するガラス管１２に設けた噴射口の位
＠（角度α）で決定さする。
＠（角度α）で決定さする。
また、第１１図には示していないが、上記】）。
２）、の項目以外に、被処理物の遮蔽効果により、プラ
ズマ処刑性が影響さ扛ることも明らかになった。こ扛ら
は、いずれも反応室内のプラズマ＃度が不均一なために
生ずるものと考えられる。
ズマ処刑性が影響さ扛ることも明らかになった。こ扛ら
は、いずれも反応室内のプラズマ＃度が不均一なために
生ずるものと考えられる。
本発明は、上記問題点を解消し、比較的大物でかつ複雑
な形状の被処理物を同時に多数処理しても処理の均一性
を提供するプラズマ処理を施す方法および装置を提供す
ることにある。
な形状の被処理物を同時に多数処理しても処理の均一性
を提供するプラズマ処理を施す方法および装置を提供す
ることにある。
即ち、本発明の目的は、反応室内のプラズマ濃度分布を
均一化することに工り、反応室内の複数の被処理物の位
置による処理の差を解消し、かつ同一の被処理物の形状
による処理の不均一を解消（７） するプラズマ処理を施す方法および装置を提供すること
にある。
均一化することに工り、反応室内の複数の被処理物の位
置による処理の差を解消し、かつ同一の被処理物の形状
による処理の不均一を解消（７） するプラズマ処理を施す方法および装置を提供すること
にある。
このような目的を実現する本発明のプラズマ処理を施す
方法は、プラズマ反応室内で被処理物の表面にマイクロ
波放電プラズマを照射して処理する方法において、反応
室内壁部に隣接する複数の個所から該反応室内にプラズ
マを噴射すると共に、各プラズマ噴射個所において噴射
方向に一定の角度をもって噴射するようにしたことを特
徴とする。
方法は、プラズマ反応室内で被処理物の表面にマイクロ
波放電プラズマを照射して処理する方法において、反応
室内壁部に隣接する複数の個所から該反応室内にプラズ
マを噴射すると共に、各プラズマ噴射個所において噴射
方向に一定の角度をもって噴射するようにしたことを特
徴とする。
また、本発明の装置は、直径が１０００ｍ以上の円筒あ
るいは一辺が１０００＋ｕ＋以上の四角柱、もしくはこ
れらと類似する形状の真空反応室内で被処理物の表面に
マイクロ波放電プラズマを照射して処理する装置におい
て、反応室壁部の任意の複数の位置にプラズマ導入口を
設け、各プラズマ導入口には、噴射方向に一定の角度で
プラズマを反応室内に噴射するガラス管を接続したこと
を特徴とする。
るいは一辺が１０００＋ｕ＋以上の四角柱、もしくはこ
れらと類似する形状の真空反応室内で被処理物の表面に
マイクロ波放電プラズマを照射して処理する装置におい
て、反応室壁部の任意の複数の位置にプラズマ導入口を
設け、各プラズマ導入口には、噴射方向に一定の角度で
プラズマを反応室内に噴射するガラス管を接続したこと
を特徴とする。
印下、第１図〜第８図１を１照し本発明の実施例につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
（８）
第１図および第２図は本発明の装置の第一実施例、即ち
反応室ｌが円筒形である実施例を示している。これらの
図において、１は直径がｉ ｏｏ。
反応室ｌが円筒形である実施例を示している。これらの
図において、１は直径がｉ ｏｏ。
−以上の円筒形反応室、２はマイクロ波発振器、３はア
イソレータ（東芝株式会社製）、４はパワモニタ（同上
社＃）、５はスリータブチューナ（同上社製）、６はプ
ラズマ発生炉、７はプラズマ発生管、８は石英管、９（
９−Ａ、Ｂ）、１０゜１１はプラズマ導入口、１２（１
２−Ａ、Ｂ）％３３（１３−Ａ、Ｂ）、１４はガラス管
、１５（１５−Ａ、Ｂ）は反応室１内を減圧するための
排気口、】６はガス供給管、１９は導波管である。発振
器２で発生したマイクロ波は、アイソレータ３．パワモ
ニタ４、スリースタブチューナ５を経てプラズマ発生炉
６に導波管１９で導かれる。一方、プラズマ用ガスは、
配ｔ＃１６でプラズマ発生炉６に供給される。プラズマ
発生炉６とプラズマ発生管７で発生したプラズマは、石
英管８を経て反応管ｌのプラズマ導入口９〜１１−Ａ、
Ｂ導入されるが、第一実施例では、導入口を（９） ３方向（６０°づつ回転位動し１ζ方向）に、各々２ケ
所１１−Ａ、Ｂ（図示せず）、１２−、Ａ、Ｂ、１３−
Ａ、Ｂ設置した。又、導入口９〜１１−Ａ。
イソレータ（東芝株式会社製）、４はパワモニタ（同上
社＃）、５はスリータブチューナ（同上社製）、６はプ
ラズマ発生炉、７はプラズマ発生管、８は石英管、９（
９−Ａ、Ｂ）、１０゜１１はプラズマ導入口、１２（１
２−Ａ、Ｂ）％３３（１３−Ａ、Ｂ）、１４はガラス管
、１５（１５−Ａ、Ｂ）は反応室１内を減圧するための
排気口、】６はガス供給管、１９は導波管である。発振
器２で発生したマイクロ波は、アイソレータ３．パワモ
ニタ４、スリースタブチューナ５を経てプラズマ発生炉
６に導波管１９で導かれる。一方、プラズマ用ガスは、
配ｔ＃１６でプラズマ発生炉６に供給される。プラズマ
発生炉６とプラズマ発生管７で発生したプラズマは、石
英管８を経て反応管ｌのプラズマ導入口９〜１１−Ａ、
Ｂ導入されるが、第一実施例では、導入口を（９） ３方向（６０°づつ回転位動し１ζ方向）に、各々２ケ
所１１−Ａ、Ｂ（図示せず）、１２−、Ａ、Ｂ、１３−
Ａ、Ｂ設置した。又、導入口９〜１１−Ａ。
Ｂに導入されたプラズマは、それに接続するガラス管１
２〜１４−Ａ、Ｂで反応室１内に噴射されるが、その時
のガラス管に設置するプラズマ噴射口の詳細？第５図１
〜第７図に示す、一方、プラズマ処理するためには、処
理容器ｌ内を真空（１，（１〜０．０５ Ｔｏｒｒ程度
）に維持することが必要のため、排気口１５を配管（図
示せず）で真空ポンプ（図示せず）に接続し連続排気を
行う。
２〜１４−Ａ、Ｂで反応室１内に噴射されるが、その時
のガラス管に設置するプラズマ噴射口の詳細？第５図１
〜第７図に示す、一方、プラズマ処理するためには、処
理容器ｌ内を真空（１，（１〜０．０５ Ｔｏｒｒ程度
）に維持することが必要のため、排気口１５を配管（図
示せず）で真空ポンプ（図示せず）に接続し連続排気を
行う。
第３図および第４図は本発明の装置の第二実施例、即ち
反応室１が、−辺が１０００ｗｍ以上の四角柱形である
実施例を示している。第−実施例と対応する部分は同一
の番号で示している。四角柱形の反応室ｌは、例えばプ
ラズマ導入口９−１゜９−２を有する辺Ｘ（第４図）が
２５００−であり、プラズマ導入口１０．１１を有する
辺Ｙ（ｍ４図）が１８００ｍである。辺Ｘの壁には、第
４図に示すように、１０００ｍ以下（例えば９００沖）
（ｌＯ） の間隔で複数のプラズマ導入口９−１．９−２が設けら
れている。他の溝数および作用は第一実施例の場合と同
様である。
反応室１が、−辺が１０００ｗｍ以上の四角柱形である
実施例を示している。第−実施例と対応する部分は同一
の番号で示している。四角柱形の反応室ｌは、例えばプ
ラズマ導入口９−１゜９−２を有する辺Ｘ（第４図）が
２５００−であり、プラズマ導入口１０．１１を有する
辺Ｙ（ｍ４図）が１８００ｍである。辺Ｘの壁には、第
４図に示すように、１０００ｍ以下（例えば９００沖）
（ｌＯ） の間隔で複数のプラズマ導入口９−１．９−２が設けら
れている。他の溝数および作用は第一実施例の場合と同
様である。
第５図〜第７図に、プラズマ導入口９．１０゜１１−Ａ
、Ｂ（第一実施例）又Ｈ９−１，２−Ａ。
、Ｂ（第一実施例）又Ｈ９−１，２−Ａ。
Ｂ、１０．１１−Ａ、Ｂ、ＣＭ２実施例）に接続される
ガラス管１２．・１３．１４−Ａ、Ｂ（第一実施例］又
は１２−１．２−Ａ、Ｂ、１３．１４−Ａ、Ｂ（第二実
施例）の実施例を示す。ガラス管２０はガラスもしくは
石英で溝数するのが望ましく、ガラス管２０の根本部分
２１ｍプラズマ導入口（９，１０，１１）に接続される
。根本部分２１からマニホルド部２２へのび、更に円筒
形の噴霧頭部分２３にのびている。この噴霧頭部分２３
はプラズマ導入口の中心軸Ｘ１に対して直角に左右等距
離だけのびており、その両端は閉鎖されている。噴霧頭
部分２３の下側には長手方向に等間隔に、例えば直径が
６ ＋ｎｍの複数のプラズマ照射口２４が設けである。
ガラス管１２．・１３．１４−Ａ、Ｂ（第一実施例］又
は１２−１．２−Ａ、Ｂ、１３．１４−Ａ、Ｂ（第二実
施例）の実施例を示す。ガラス管２０はガラスもしくは
石英で溝数するのが望ましく、ガラス管２０の根本部分
２１ｍプラズマ導入口（９，１０，１１）に接続される
。根本部分２１からマニホルド部２２へのび、更に円筒
形の噴霧頭部分２３にのびている。この噴霧頭部分２３
はプラズマ導入口の中心軸Ｘ１に対して直角に左右等距
離だけのびており、その両端は閉鎖されている。噴霧頭
部分２３の下側には長手方向に等間隔に、例えば直径が
６ ＋ｎｍの複数のプラズマ照射口２４が設けである。
これらのプラズマ照射口２４ｔ／ｉ互いに隣接するもの
どおしが、第７図に示（１１） すように、ガラス管中心線Ｘ２ に関してα＝６ｏＯの
角度（Ｘｔ に対しては３０°づつ回転した角度）に
設けられ、千鳥状に配列されている。
どおしが、第７図に示（１１） すように、ガラス管中心線Ｘ２ に関してα＝６ｏＯの
角度（Ｘｔ に対しては３０°づつ回転した角度）に
設けられ、千鳥状に配列されている。
第８図は本発明の装置を用いて被処理物（ｐｐ）を処理
した場合の測定結果を示したものである。
した場合の測定結果を示したものである。
即ち、第一実施例の装置（第１図及び第２図）に、＠５
図〜第７図のガラス管を組み込んで実験を行なった。こ
の場合において、第１図に示すように。
図〜第７図のガラス管を組み込んで実験を行なった。こ
の場合において、第１図に示すように。
ガラス管の長手方向が円筒形反応室ｌの軸方向になるよ
うにガラス管が組み込まれている。〔反応処理室〕の大
きさ、〔処理条件〕および〔接触角の測定法〕について
は前記予備実験の場合と同様である。〔被処理物の乱戦
〕については、プラズマ噴射口から被処理物表面までの
距離はＨ＝５００−の場合と、Ｈ＝１０００簡の場合に
ついて測定しくｔだし、この場合のＨはガラス管１２（
第２図）から被処理物までの距離である）、Ｗ＝ｏ〜１
０００ ｍａｒ （Ｗの定義については予備実験の場合
と同じ）の範囲の被処理物について測定した。他
′の条件は前記予備実験の場合と同様である。
うにガラス管が組み込まれている。〔反応処理室〕の大
きさ、〔処理条件〕および〔接触角の測定法〕について
は前記予備実験の場合と同様である。〔被処理物の乱戦
〕については、プラズマ噴射口から被処理物表面までの
距離はＨ＝５００−の場合と、Ｈ＝１０００簡の場合に
ついて測定しくｔだし、この場合のＨはガラス管１２（
第２図）から被処理物までの距離である）、Ｗ＝ｏ〜１
０００ ｍａｒ （Ｗの定義については予備実験の場合
と同じ）の範囲の被処理物について測定した。他
′の条件は前記予備実験の場合と同様である。
（１２）
第８図の実験結果からも明らかなよう虻１本発明によれ
ば１反応室内のプラズマ濃度が均一化され、比較的大物
でかつ複雑な形状の被処理物を同時に多数処理しても、
各被処理物の位置による処理の差が解消され、かつ同一
の被処理物についても形状による処理の不均一を解消す
ることができる。
ば１反応室内のプラズマ濃度が均一化され、比較的大物
でかつ複雑な形状の被処理物を同時に多数処理しても、
各被処理物の位置による処理の差が解消され、かつ同一
の被処理物についても形状による処理の不均一を解消す
ることができる。
尚、円筒形以外の処理容器、例えば角柱形状の場合は、
１０００ｗＬｉ下の間隔でプラズマ導入口を設電すると
いう思想は、最も望ましくかつ有効なものであるが、本
発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて当業者の地織に基
づいて想到されるその他の方法も適宜に採用されるもの
である。
１０００ｗＬｉ下の間隔でプラズマ導入口を設電すると
いう思想は、最も望ましくかつ有効なものであるが、本
発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて当業者の地織に基
づいて想到されるその他の方法も適宜に採用されるもの
である。
第１図は本発明のプラズマ処理を施す装置の第−実施例
の側面図、第２図はその概略断面図、第３図は本発明の
装置の第二実施例の側面図、第４図はその概略断面図、
第５図は本発明の装置に用いるガラス管の正面図、第６
図は第５図の矢印■から見九図、第７図は第５図の矢印
■から見た図。 （１３） 第８図は本発明によるプラズマ処理の実験結果を示す図
、第９図は従来のプラズマ処理の装置の概略断面図・第
１θ図は予備実験のために第９図の装置のガラス管を改
良した状態を示す図、第１１図は予備実験の結果を示す
図である。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・マイクロ波発振
器、３・・・・・・アイソレータ、４・・・・・・パワ
モニタ、５・・・・・・スリースタプテ瓢−す、６・・
・・・・プラズマ発生管、７・・・・・・プラズマ発生
管、８・・・・・・石英管、９〜１１・・・・・・プラ
ズマ導入口、１２〜１４ （２０）・・・・・・（ガラ
ス管）１５・・・・・・排気０．１６・・・・・・ガス
供給管、１９・・・・・導波管、２４・・・・・・プラ
ズマ照射口。 特許出願人 トヨタ自動車株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 機 口 外 治 弁理士 山 口 昭 之 １４１ 第１図 第２図 第３図 接触角 ７λ＼Ｑ Ｈ＝５００ｍｍ
の側面図、第２図はその概略断面図、第３図は本発明の
装置の第二実施例の側面図、第４図はその概略断面図、
第５図は本発明の装置に用いるガラス管の正面図、第６
図は第５図の矢印■から見九図、第７図は第５図の矢印
■から見た図。 （１３） 第８図は本発明によるプラズマ処理の実験結果を示す図
、第９図は従来のプラズマ処理の装置の概略断面図・第
１θ図は予備実験のために第９図の装置のガラス管を改
良した状態を示す図、第１１図は予備実験の結果を示す
図である。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・マイクロ波発振
器、３・・・・・・アイソレータ、４・・・・・・パワ
モニタ、５・・・・・・スリースタプテ瓢−す、６・・
・・・・プラズマ発生管、７・・・・・・プラズマ発生
管、８・・・・・・石英管、９〜１１・・・・・・プラ
ズマ導入口、１２〜１４ （２０）・・・・・・（ガラ
ス管）１５・・・・・・排気０．１６・・・・・・ガス
供給管、１９・・・・・導波管、２４・・・・・・プラ
ズマ照射口。 特許出願人 トヨタ自動車株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 機 口 外 治 弁理士 山 口 昭 之 １４１ 第１図 第２図 第３図 接触角 ７λ＼Ｑ Ｈ＝５００ｍｍ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 プラズマ反応室内で被処理物の表面にマイクロ波
放電プラズマを照射して処理する方法において、反応室
内壁部に隣接する複数の個所から該反応室内圧プラズマ
を噴射すると共に、各プラズマ噴射個所において噴射方
向に一定の角度をもって噴射するようにしたプラズマ処
理を施す方法。 ２、直径が１０００−以上の円筒あるいは一辺が１００
１００Ｏ上の四角柱、もしくはこれらと類似する形状の
真空反応室内で被処理物の表面にマイクロ波放電プラズ
マを照射して処理する装置において、反応室壁部の任意
の複数の位置にプラズマ導入口を設け、各プラズマ導入
口には、噴射方向に一定の角度でプラズマを反応室内に
噴射するガラス管を接続したことを特徴とするプラズマ
処理を施す装置。 ３、反応室は直径が１０００ｍ以上の円筒形で（１）
−−−あって、該反応室壁部の
任意の位置にプラズマ導入口（９）を設けると共に、そ
の位置から少なくとも一方の円周方向に４５〜１２０°
回転し九位譬に少なくとも１つのプラズマ導入口（１
０，１１）を設けた特許請求の範囲＠２項記載の装着。 ４．１０００ｍ以上の辺８を有する四角柱形状の反応室
において任意に設置したプラズマ導入口から少なくとも
１０００■未満の間隔でプラズマ導入口（９−１，９−
２）ｔ−設置する特許請求の範囲第２項記載の装置。 ５、石英又はガラス等で円筒状に形既されたーガラス管
はプラズマ導入口の中心線を直交する、反応室の長手方
向にのびており、該円筒状ガラス管には複数個のプラズ
マ照射口が設けられ、これらのプラズマ照射口は円周方
向に１５〜９０°、好ましくは３０〜６０°間隔をへだ
てている特許請求の範囲第２項、＠３項又は第４項記載
の′ＪＩｉ２ｒｉｔ。 ６、複数のプラズマ照射口は円筒状ガラス管の軸方向に
等間隔に設けられ、千鳥状に配列されている特許請求の
範囲第５項記載の装置。 イ２） ７、複数のプラズマ照射口が配置されているガラス管円
周方向の角度はプラズマ導入口の中心線に関し２等分さ
れている特許請求の範囲第５項又は第６項記載の装＠。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19608882A JPS5986630A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | プラズマ処理を施す方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19608882A JPS5986630A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | プラズマ処理を施す方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986630A true JPS5986630A (ja) | 1984-05-18 |
| JPH0153897B2 JPH0153897B2 (ja) | 1989-11-16 |
Family
ID=16352004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19608882A Granted JPS5986630A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | プラズマ処理を施す方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5986630A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61120835A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-07 | Ulvac Corp | マイクロ波プラズマ処理装置 |
-
1982
- 1982-11-10 JP JP19608882A patent/JPS5986630A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61120835A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-07 | Ulvac Corp | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0153897B2 (ja) | 1989-11-16 |
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