JPS5978534A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS5978534A JPS5978534A JP18743682A JP18743682A JPS5978534A JP S5978534 A JPS5978534 A JP S5978534A JP 18743682 A JP18743682 A JP 18743682A JP 18743682 A JP18743682 A JP 18743682A JP S5978534 A JPS5978534 A JP S5978534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- materials
- etched
- chamber
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ドライエツチング装置にかがシ、特にエツチ
ング特性を適宜変化し最適なエツチング特性を得るのに
好適なドライエツチング装置に関する。
ング特性を適宜変化し最適なエツチング特性を得るのに
好適なドライエツチング装置に関する。
ＣＦ４ ガスに代表されるガスを用いたドライエツチン
グでは、そのエツチング特性が、微量の不純物ガスや、
エツチングガスにさらされている装置を構成している材
料に大きく依存することが従来から知られていた。これ
は、エツチングに寄与するラジカルやイオンが、反応性
にｇ＋、これらの材料と反応し、ラジカルやイオンが増
減したυ、新たなガスを発生するためである。従って従
来はガスをと、！ｌｌｌまくエツチングの環境に大きく
エツチング特性が左右され、一度固定した構造材料の下
では最適なエツチング特性が得がたい欠点があった。
グでは、そのエツチング特性が、微量の不純物ガスや、
エツチングガスにさらされている装置を構成している材
料に大きく依存することが従来から知られていた。これ
は、エツチングに寄与するラジカルやイオンが、反応性
にｇ＋、これらの材料と反応し、ラジカルやイオンが増
減したυ、新たなガスを発生するためである。従って従
来はガスをと、！ｌｌｌまくエツチングの環境に大きく
エツチング特性が左右され、一度固定した構造材料の下
では最適なエツチング特性が得がたい欠点があった。
本発明の目的は、同一ドライエツチング装置において、
広い範囲の被エツチング材料に対し最適なエツチング特
性を得るドライエツチング装置？提供することにある。
広い範囲の被エツチング材料に対し最適なエツチング特
性を得るドライエツチング装置？提供することにある。
本発明はエツチングガスにさらされる構造材料によって
大幅にエツチング脣性が変化すること全逆手に利用し、
設定した被エツチング材料に最適な構造材料を同一装置
内で選んで用いることに基づいている。
大幅にエツチング脣性が変化すること全逆手に利用し、
設定した被エツチング材料に最適な構造材料を同一装置
内で選んで用いることに基づいている。
以下、実施例に基づいて、本発明を具体的に説明する。
第１図に平行平板型ドライエツチング装置の模式図を示
す。この装置は石英やＡｔに代表されるチャンバー１内
に陽極２、陰極３、高周仮電源４、Ｓｉウェハ等に代表
される被エツチング材料５で構成し、エツチングガス６
を導入して、被エツチング材料５をエツチングする。こ
のとき、陰極３の材ｆ−）ｅｓＵｓ（ステンレススチー
ル）かテフロンしたときの、被エツチング材料５（Ｓｉ
か５ｉＱ２）のエッチ速度を第２図に示す。ガス６はＣ
Ｆ４＋０２ とする。
す。この装置は石英やＡｔに代表されるチャンバー１内
に陽極２、陰極３、高周仮電源４、Ｓｉウェハ等に代表
される被エツチング材料５で構成し、エツチングガス６
を導入して、被エツチング材料５をエツチングする。こ
のとき、陰極３の材ｆ−）ｅｓＵｓ（ステンレススチー
ル）かテフロンしたときの、被エツチング材料５（Ｓｉ
か５ｉＱ２）のエッチ速度を第２図に示す。ガス６はＣ
Ｆ４＋０２ とする。
顕著に見られる特徴はＳＵＳとテフロンでは、Ｓ＋基板
のエッチ速度が大きく変化し、Ｓｉと８４０ｚのエッチ
速度が逆転することである。本例は一般的な傾向の極く
一部の例を示したものであシ、通常ＳｉのＬＳＩｄ作で
よく用いられるホトレジスト、 ５ｉａＮ４． リン
ガラス、Ａｔ、Ｗ、ＭＯｌまたこれ以外を含め多くの材
料についても同等かこれに近い傾向が見られた。
のエッチ速度が大きく変化し、Ｓｉと８４０ｚのエッチ
速度が逆転することである。本例は一般的な傾向の極く
一部の例を示したものであシ、通常ＳｉのＬＳＩｄ作で
よく用いられるホトレジスト、 ５ｉａＮ４． リン
ガラス、Ａｔ、Ｗ、ＭＯｌまたこれ以外を含め多くの材
料についても同等かこれに近い傾向が見られた。
また、エツチングガス６にさらされるのは陰極３だけで
なく、チャンバー１、陽極２やそれらをとシまくあらゆ
る材料であるが、比較的面積の大きいチャンバー１、陽
極２がエツチング特性に大きな影響をもつ。
なく、チャンバー１、陽極２やそれらをとシまくあらゆ
る材料であるが、比較的面積の大きいチャンバー１、陽
極２がエツチング特性に大きな影響をもつ。
たとえば薄いＳ ｉＱｚをマスク材としてＳｉをエツチ
ングする場合には５Ｉ０２をなるべく残存させるべきな
ので、第２図に示す特性では、陰極３の材料とし−ＵＳ
ＵＳを用いるべきである。また、５ｉ０２とＳＩの二
層膜を一括してエツチングする場合には、膜の拐料によ
るエッチ速度が大幅に異なると、全体のエツチング時間
にムラができて制御性が低下するのでむしろ５Ｉ０２と
Ｓｉのエッチ速度差は小さい方がよい。このときＰｉ第
２図に示すごとく陰極３にテフロンを用いかつ、ガス圧
力を２０Ｐａとするエッチ速度をほとんど同一とするこ
とができる。
ングする場合には５Ｉ０２をなるべく残存させるべきな
ので、第２図に示す特性では、陰極３の材料とし−ＵＳ
ＵＳを用いるべきである。また、５ｉ０２とＳＩの二
層膜を一括してエツチングする場合には、膜の拐料によ
るエッチ速度が大幅に異なると、全体のエツチング時間
にムラができて制御性が低下するのでむしろ５Ｉ０２と
Ｓｉのエッチ速度差は小さい方がよい。このときＰｉ第
２図に示すごとく陰極３にテフロンを用いかつ、ガス圧
力を２０Ｐａとするエッチ速度をほとんど同一とするこ
とができる。
すなわち異種の利料金エツチングするのに本例のように
陰極３を交換して最適なエッチ特性を得ることができる
。また本例は陰極３を交換した例を示すが、陽極２、チ
ャンバー１を交換しても同様の効果を得ることができる
。
陰極３を交換して最適なエッチ特性を得ることができる
。また本例は陰極３を交換した例を示すが、陽極２、チ
ャンバー１を交換しても同様の効果を得ることができる
。
第３図、第４図に本発明の実施例の一部を示す、第３図
はｎヶ設けられた陰極３を適宜最適なものを用いる例で
あシ、第４図は、ｎヶ設けられたチャンバー１を選択す
るものである。同様に陽極を変えることもできるし、か
つこれらの三者を同時に交換することもできる。
はｎヶ設けられた陰極３を適宜最適なものを用いる例で
あシ、第４図は、ｎヶ設けられたチャンバー１を選択す
るものである。同様に陽極を変えることもできるし、か
つこれらの三者を同時に交換することもできる。
本発明を用いれば、種々な被エツチング材料に最適なエ
ツチング環境を与えることができ、エツチング装置の適
用性が飛躍的に増大するだけでなく、エツチングするに
従って被エツチング材が変化する場合にもそれに対応し
て本発明を適用し、最適なエツチング特性を得ることが
できる。これによってＬＳＩを高精度で制御性高く製造
することができる。
ツチング環境を与えることができ、エツチング装置の適
用性が飛躍的に増大するだけでなく、エツチングするに
従って被エツチング材が変化する場合にもそれに対応し
て本発明を適用し、最適なエツチング特性を得ることが
できる。これによってＬＳＩを高精度で制御性高く製造
することができる。
１・・・チャンバー、２・・・陽極、３・・・陰極、４
・・・高周波電源、５・・・被エツチング材料、６・・
・エツチングガス。 罰 １ 図 箔 ２ 図 〃°“ス圧１ （Ｐ久） Ｔ ３ 図 第 ４ 図
・・・高周波電源、５・・・被エツチング材料、６・・
・エツチングガス。 罰 １ 図 箔 ２ 図 〃°“ス圧１ （Ｐ久） Ｔ ３ 図 第 ４ 図
Claims (1)
- ■、大気圧以下の圧力で高周波電界を印加したガス中で
エツチングを行うドライエツチング装置において、少な
くともチャンバー、陽極、陰極のうち１つ以上が少なく
とも二種類以上の材質により構成されたことを特徴とす
るドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18743682A JPS5978534A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18743682A JPS5978534A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5978534A true JPS5978534A (ja) | 1984-05-07 |
Family
ID=16206022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18743682A Pending JPS5978534A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5978534A (ja) |
-
1982
- 1982-10-27 JP JP18743682A patent/JPS5978534A/ja active Pending
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