JPS59765Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS59765Y2 JPS59765Y2 JP13112277U JP13112277U JPS59765Y2 JP S59765 Y2 JPS59765 Y2 JP S59765Y2 JP 13112277 U JP13112277 U JP 13112277U JP 13112277 U JP13112277 U JP 13112277U JP S59765 Y2 JPS59765 Y2 JP S59765Y2
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- JP
- Japan
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- semiconductor element
- plating layer
- metal plating
- heat sink
- lead
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本案は半導体装置の改良に関するものである。
一般に半導体装置において、半導体素子は熱伝導性良好
なる金属部材にて構成された放熱板に例えば鉛を主成分
とする半田部材にて固定されている。
なる金属部材にて構成された放熱板に例えば鉛を主成分
とする半田部材にて固定されている。
そして、半導体素子と放熱板との間に介在される半田部
材の厚みは半導体素子が放熱板に対して一定の強度を以
って固定され、かつ半導体素子に対し一定の緩衝効果が
得られるように例えば２０〜５０μに設定されている。
材の厚みは半導体素子が放熱板に対して一定の強度を以
って固定され、かつ半導体素子に対し一定の緩衝効果が
得られるように例えば２０〜５０μに設定されている。
ところで、放熱板の全表面には半田部材とのなじみ性良
好なる金属メッキ層例えば錫メッキ層が形成されている
関係で、この放熱板に半田部材を載置して加熱溶融させ
た場合、半田部材が錫メッキ層になじんで必要以上に広
い範囲にまで広がる傾向にある。
好なる金属メッキ層例えば錫メッキ層が形成されている
関係で、この放熱板に半田部材を載置して加熱溶融させ
た場合、半田部材が錫メッキ層になじんで必要以上に広
い範囲にまで広がる傾向にある。
そして、特に半導体素子の放熱板への固定に際し、半導
体素子を放熱板に押し付けるようにして左右に摺動した
り或いは軸中心に回転したりするなどのスクラブ操作を
付与すると、かなりの半田部材は半導体素子によって外
方に押し出されて一層広い範囲に広がってしまう。
体素子を放熱板に押し付けるようにして左右に摺動した
り或いは軸中心に回転したりするなどのスクラブ操作を
付与すると、かなりの半田部材は半導体素子によって外
方に押し出されて一層広い範囲に広がってしまう。
しかし乍ら、一旦広がった半田部材は錫メッキ層になじ
んでしまうために、スクラブ操作の停止後において毛細
管現象が作用するように配慮しても、半導体素子と放熱
板との間には戻ることがない。
んでしまうために、スクラブ操作の停止後において毛細
管現象が作用するように配慮しても、半導体素子と放熱
板との間には戻ることがない。
それ故に、半導体素子と放熱板との間に残存する半田部
材の量は著しく減少し、半導体素子の放熱板に対する固
着強度が低下するのみならず、熱ショックなどによって
半導体素子にクラックが発生し易くなり、半導体装置と
しての特性、信頼性が著しく損なわれることになる。
材の量は著しく減少し、半導体素子の放熱板に対する固
着強度が低下するのみならず、熱ショックなどによって
半導体素子にクラックが発生し易くなり、半導体装置と
しての特性、信頼性が著しく損なわれることになる。
本案はこのような点に鑑み、半導体素子を放熱板に鉛系
の半田部材を用いて固定するに際し、仮にスクラブ操作
を付与しても半導体素子と放熱板との間に介在される半
田部材の厚みを一定以上に確保しつる半導体装置を提供
するもので、以下実施例について説明する。
の半田部材を用いて固定するに際し、仮にスクラブ操作
を付与しても半導体素子と放熱板との間に介在される半
田部材の厚みを一定以上に確保しつる半導体装置を提供
するもので、以下実施例について説明する。
第１図において、１は例えば銅などのように熱伝導性良
好なる金属部材にて構成された放熱板である。
好なる金属部材にて構成された放熱板である。
２は放熱板１の全表面に、後述する半田部材に対してな
じみ性の低い金属部材を用いて形成された第１の金属メ
ッキ層で、図示例はニッケルが用いられている。
じみ性の低い金属部材を用いて形成された第１の金属メ
ッキ層で、図示例はニッケルが用いられている。
３は放熱板１の上面１ａにおける後述する半導体素子の
固定部分に相当する部分に、半田部材に対してなじみ性
良好なる金属部材を用いて形成された第２の金属メッキ
層で、図示例は錫が用いられている。
固定部分に相当する部分に、半田部材に対してなじみ性
良好なる金属部材を用いて形成された第２の金属メッキ
層で、図示例は錫が用いられている。
４は第２の金属メッキ層３上に位置する鉛系の半田部材
で、例えば鉛錫、鉛−銀一錫が用いられる。
で、例えば鉛錫、鉛−銀一錫が用いられる。
５は半導体素子で、第２の金属メッキ層３に半田部材４
を用いて固定されている。
を用いて固定されている。
６は半導体素子５に近接する部分に配設されたリードで
あって、その内端と半導体素子の電極とは金属細線７に
て接続されている。
あって、その内端と半導体素子の電極とは金属細線７に
て接続されている。
８は半導体素子５などの主要部分にモールド被覆された
樹脂材である。
樹脂材である。
このように放熱板１の上面１ａには鉛系の半田部材４に
対してなじみ性の低い第１の金属メッキ層２が形成され
ていると共に、それの半導体素子５の固定予定部に半田
部材４に対してなじみ性の良好な第２の金属メッキ層３
が重合して形成されているので、放熱板１に半導体素子
５を固定するに先立って、放熱板１における第２の金属
メッキ層３に半田部材４を載置し加熱溶融させると、半
田部材４は第２の金属メッキ層３となじんでそれの形成
部分全体に広がろうとするものの、第２の金属メッキ層
３を越えて第１の金属メッキ層２にまで広がることはな
い。
対してなじみ性の低い第１の金属メッキ層２が形成され
ていると共に、それの半導体素子５の固定予定部に半田
部材４に対してなじみ性の良好な第２の金属メッキ層３
が重合して形成されているので、放熱板１に半導体素子
５を固定するに先立って、放熱板１における第２の金属
メッキ層３に半田部材４を載置し加熱溶融させると、半
田部材４は第２の金属メッキ層３となじんでそれの形成
部分全体に広がろうとするものの、第２の金属メッキ層
３を越えて第１の金属メッキ層２にまで広がることはな
い。
その上、特に半導体素子５を放熱板１に押し付けるよう
にして左右に摺動したり或いは軸中心に回転したりする
などのスクラブ操作を付与しても、半田部材４は一時的
に第２の金属メッキ層３から第１の金属メッキ層２に広
がるものの、第１の金属メッキ層２にはなじまないため
に、スクラブ操作の停止後に第２の金属メッキ層３に戻
る。
にして左右に摺動したり或いは軸中心に回転したりする
などのスクラブ操作を付与しても、半田部材４は一時的
に第２の金属メッキ層３から第１の金属メッキ層２に広
がるものの、第１の金属メッキ層２にはなじまないため
に、スクラブ操作の停止後に第２の金属メッキ層３に戻
る。
この際、半導体素子５を若干上方に持上げて放熱板１と
の間に空隙を形成すれ（ｆ′：毛細管現象によって広が
った半田部材４を速やかに第２の金属メッキ層３に戻す
ことができる。
の間に空隙を形成すれ（ｆ′：毛細管現象によって広が
った半田部材４を速やかに第２の金属メッキ層３に戻す
ことができる。
従って、第２の金属メッキ層３には所定量の半田部材４
が存在し、半導体素子５と放熱板１との間に一定量の半
田部材４が介在され、両者間の固着性を高めることがで
きると共に、熱ショックなどに対する半導体素子５への
衝撃を緩和できクラックの発生を軽減できる。
が存在し、半導体素子５と放熱板１との間に一定量の半
田部材４が介在され、両者間の固着性を高めることがで
きると共に、熱ショックなどに対する半導体素子５への
衝撃を緩和できクラックの発生を軽減できる。
尚、本案は何ら上記実施例にのみ制約されることなく、
例えば放熱板は半導体素子の固定部とそれ以外の部分と
を同一の金属部材にて構成する他、鉄（合金を含む）と
銅などのように異なった金属部材にて構成することがで
きる。
例えば放熱板は半導体素子の固定部とそれ以外の部分と
を同一の金属部材にて構成する他、鉄（合金を含む）と
銅などのように異なった金属部材にて構成することがで
きる。
この場合、半導体素子の固定部を構成する金属部材は放
熱板の上面に重合して溶接したり、放熱板に形成した孔
に嵌合させたりして固定される。
熱板の上面に重合して溶接したり、放熱板に形成した孔
に嵌合させたりして固定される。
又、カンケース型の半導体装置にも適用できるし、さら
には第２の金属メッキ層は錫の他、銀、金などにて構成
することもできる。
には第２の金属メッキ層は錫の他、銀、金などにて構成
することもできる。
以上のように本案によれば、半導体素子を放熱板に鉛系
の半田部材を用いて固定するに際し、仮にスクラブ操作
を付与しても半導体素子と放熱板との間に介在される半
田部材の厚みを一定以上に確保できるために、半導体素
子の放熱板への固着強度を改善できる上に、熱ショック
などに対する緩衝効果を向上できて半導体素子のクラッ
クを減少できるし、これにより半導体装置としての特性
。
の半田部材を用いて固定するに際し、仮にスクラブ操作
を付与しても半導体素子と放熱板との間に介在される半
田部材の厚みを一定以上に確保できるために、半導体素
子の放熱板への固着強度を改善できる上に、熱ショック
などに対する緩衝効果を向上できて半導体素子のクラッ
クを減少できるし、これにより半導体装置としての特性
。
信頼性を改善できる。
第１図は本案の一実施例を示す側断面図である。
図中、１は放熱板、２は第１の金属メッキ層、３は第２
の金属メッキ層、４は鉛系の半田部材、５は半導体素子
である。
の金属メッキ層、４は鉛系の半田部材、５は半導体素子
である。
Claims (1)
- 放熱板の表面に鉛系の半田部材に対してなじみ性の低い
第１の金属メッキ層を形成すると共に、半導体素子の固
定予定部分に相当する第１の金属メッキ層上に半田部材
に対してなじみ性の良好な第２の金属メッキ層を重合し
て形成し、この第２の金属メッキ層上に半導体素子を鉛
系の半田部材を用いて固定したことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13112277U JPS59765Y2 (ja) | 1977-09-28 | 1977-09-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13112277U JPS59765Y2 (ja) | 1977-09-28 | 1977-09-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5456568U JPS5456568U (ja) | 1979-04-19 |
| JPS59765Y2 true JPS59765Y2 (ja) | 1984-01-10 |
Family
ID=29097400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13112277U Expired JPS59765Y2 (ja) | 1977-09-28 | 1977-09-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59765Y2 (ja) |
-
1977
- 1977-09-28 JP JP13112277U patent/JPS59765Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5456568U (ja) | 1979-04-19 |
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