JPS5975773A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS5975773A JPS5975773A JP57187282A JP18728282A JPS5975773A JP S5975773 A JPS5975773 A JP S5975773A JP 57187282 A JP57187282 A JP 57187282A JP 18728282 A JP18728282 A JP 18728282A JP S5975773 A JPS5975773 A JP S5975773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- output
- signal
- photosensitive
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は固体撮像装置の構成に関する。
固体撮像装置においては、ビデオカメラ等のイメージセ
ンサとして用いられた場合、被写体の明るさが大きく変
化したときにも適正な出力を確保するために、電荷結合
装置（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅ−ｖｉｃｅ
ｒ以下００Ｄという）等の爬１荷転送装置における
電荷の蓄積時間である積分時間を変化させるようないわ
ゆる光学的な自動利得制御（Ａｕｔｏ−ｍａｔｉｃ Ｇ
ａ１ｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ、以下ＡＧＯという）機能が必
要となる。
ンサとして用いられた場合、被写体の明るさが大きく変
化したときにも適正な出力を確保するために、電荷結合
装置（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅ−ｖｉｃｅ
ｒ以下００Ｄという）等の爬１荷転送装置における
電荷の蓄積時間である積分時間を変化させるようないわ
ゆる光学的な自動利得制御（Ａｕｔｏ−ｍａｔｉｃ Ｇ
ａ１ｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ、以下ＡＧＯという）機能が必
要となる。
このような光学的ＡＧＣ機能を有する固体撮像装置とし
ては、第１図に示すような構造が知られている。
ては、第１図に示すような構造が知られている。
これは例えばＰ型シリコンよりなる半導体基板ｌ上に照
射光の強度に応じた信号画素を発生する感光画素コａ
、 、２ ’ｌ） 、・・、ａｍ、λｎが一列に配置さ
れており、これらと平行に片側には移送ゲート３および
ＣＯＤレジスタク、反対側には光ダイオード６が設けら
れている。この移送゛ゲート３は感光画素の電荷を上記
ＣＯＤレジスクグに移送することを制御するためのゲー
トであり、ＣＯＤレジヌクグは信号電荷を出力部Ｓの方
へ順次転送するものである。光ダイオード６は８１７１
時間を定めるための基準出力を発生するものであり、一
方の端部にはこの光ダイオード６で発生した電荷を取出
すための制御を行う出力ゲート７、この出力ゲートによ
り制御されて流入１−る信号ＷＬ イＷｉを蓄える浮遊
拡散領域ｇ、この浮遊拡散領域ｇＫ蓄えられた電荷を排
出してこれをリセットするためのリセットゲート９、こ
のリセットゲート７により力かれる重荷を抄出するため
のりセントドレインＩＯが設けられている。浮遊拡散領
域Ｋにはこの浮遊拡散領域ｇの電位を検出するためのソ
ースフォロワ回路／／が接続されている。このソースフ
ォロワ回路／／は同一基板上に構成されたＭＯ８Ｉ−ラ
ンジスタ／２と抵抗／３から成っており、ゲート電極／
、２Ｇは入力に、ソース菫、極ｔ２Ｓは適当な直流電圧
にそれぞれ接続され、ドレイン重板／、ＩＤは出力とな
るとともに抵抗１３を介して接地されている。この出力
は移送ゲート３を駆動し、リセット電極）？を作動させ
る機能を有する基板外に設けられた動作信号発生部／／
Ｉに入力されている。
射光の強度に応じた信号画素を発生する感光画素コａ
、 、２ ’ｌ） 、・・、ａｍ、λｎが一列に配置さ
れており、これらと平行に片側には移送ゲート３および
ＣＯＤレジスタク、反対側には光ダイオード６が設けら
れている。この移送゛ゲート３は感光画素の電荷を上記
ＣＯＤレジスクグに移送することを制御するためのゲー
トであり、ＣＯＤレジヌクグは信号電荷を出力部Ｓの方
へ順次転送するものである。光ダイオード６は８１７１
時間を定めるための基準出力を発生するものであり、一
方の端部にはこの光ダイオード６で発生した電荷を取出
すための制御を行う出力ゲート７、この出力ゲートによ
り制御されて流入１−る信号ＷＬ イＷｉを蓄える浮遊
拡散領域ｇ、この浮遊拡散領域ｇＫ蓄えられた電荷を排
出してこれをリセットするためのリセットゲート９、こ
のリセットゲート７により力かれる重荷を抄出するため
のりセントドレインＩＯが設けられている。浮遊拡散領
域Ｋにはこの浮遊拡散領域ｇの電位を検出するためのソ
ースフォロワ回路／／が接続されている。このソースフ
ォロワ回路／／は同一基板上に構成されたＭＯ８Ｉ−ラ
ンジスタ／２と抵抗／３から成っており、ゲート電極／
、２Ｇは入力に、ソース菫、極ｔ２Ｓは適当な直流電圧
にそれぞれ接続され、ドレイン重板／、ＩＤは出力とな
るとともに抵抗１３を介して接地されている。この出力
は移送ゲート３を駆動し、リセット電極）？を作動させ
る機能を有する基板外に設けられた動作信号発生部／／
Ｉに入力されている。
このような構成の固体撮像装置の動作は次のとおりであ
る。
る。
感光画素ｊａないしｕｎにおいて光の強度ノくターンに
応じて発生した光電流は信号電荷として蓄積される。こ
れらの感光画素、２ａ−ｚＪｎに並列に配置された移送
ゲート３は動作信号発生部から出力される同期パルスに
より開閉し、蓄積された年号重荷をＣＯＤレジヌタダに
移送する。このＣＯＤレジヌクｔを駆動することによっ
て、信号電荷は出力部Ｓの方へ転送され、出力部Ｓでは
電荷量に対応する電圧に変挨されて時系列信号として取
り出される。一方、光ダイオード６は感光画素、２ａ〜
ｕｎの近傍に並列に配置されているからそのそれぞれの
画素の近傍では画素と近似的にほぼ同じ光ｆＡルーに対
する出力を出しているから光ダイオード６全体では画素
全体に照射された光の平均値が浮遊拡散領域ｇから出力
される。この光ダイオード乙の端部に設けられた出力ゲ
ート７およびリセットドレイン１０には適当な直流電圧
Ｖａおよびｖｂか加えられており、リセットドレインｉ
ｏの下には深いポテンシャル井戸がて゛きているから、
リセット電極９にパルスを加えることにより過剰電荷の
排出を行うことができる。浮遊拡散領域ざから取り出さ
れ、ソースフォロワｌ／により検出されるのは各画素で
発生して蓄積された信号電荷の平均値であり、第一図（
１））の波形図に示すように時刻ｔ。
応じて発生した光電流は信号電荷として蓄積される。こ
れらの感光画素、２ａ−ｚＪｎに並列に配置された移送
ゲート３は動作信号発生部から出力される同期パルスに
より開閉し、蓄積された年号重荷をＣＯＤレジヌタダに
移送する。このＣＯＤレジヌクｔを駆動することによっ
て、信号電荷は出力部Ｓの方へ転送され、出力部Ｓでは
電荷量に対応する電圧に変挨されて時系列信号として取
り出される。一方、光ダイオード６は感光画素、２ａ〜
ｕｎの近傍に並列に配置されているからそのそれぞれの
画素の近傍では画素と近似的にほぼ同じ光ｆＡルーに対
する出力を出しているから光ダイオード６全体では画素
全体に照射された光の平均値が浮遊拡散領域ｇから出力
される。この光ダイオード乙の端部に設けられた出力ゲ
ート７およびリセットドレイン１０には適当な直流電圧
Ｖａおよびｖｂか加えられており、リセットドレインｉ
ｏの下には深いポテンシャル井戸がて゛きているから、
リセット電極９にパルスを加えることにより過剰電荷の
排出を行うことができる。浮遊拡散領域ざから取り出さ
れ、ソースフォロワｌ／により検出されるのは各画素で
発生して蓄積された信号電荷の平均値であり、第一図（
１））の波形図に示すように時刻ｔ。
におけるリセットから徐々に出力レベルが低下していく
。この出力が入力されている動作（ｇ号発生部／ｌにお
いてはこれと基準になっている参照−５圧Ｖ ＲＫＦと
比較し、時刻ｔ、でこれを超えたときには移送ゲート３
およびリセットゲート９を開くような第２図（ａ）に示
す同期パルスを出力する。このように、光ダイオード乙
に照射された光の強度が太きいときはソースフォロワ乙
により検出する電圧値は速く所定の参照電圧に達するた
め早く移送ゲート３を開くことになり、感光画素、！ａ
−２Ｈにおける積分時間は短かくなるため、ＣＯＤレジ
ヌタ４１Ｃより転送され出力部Ｓから出力される電圧値
は増加せず、逆に照射光強既か小さいときは移送ゲート
３を開くのが遅くなるから出力部Ｓからの出力電圧値は
減少せず、結果としてＡＧＣ＆能を達成していることに
なる。
。この出力が入力されている動作（ｇ号発生部／ｌにお
いてはこれと基準になっている参照−５圧Ｖ ＲＫＦと
比較し、時刻ｔ、でこれを超えたときには移送ゲート３
およびリセットゲート９を開くような第２図（ａ）に示
す同期パルスを出力する。このように、光ダイオード乙
に照射された光の強度が太きいときはソースフォロワ乙
により検出する電圧値は速く所定の参照電圧に達するた
め早く移送ゲート３を開くことになり、感光画素、！ａ
−２Ｈにおける積分時間は短かくなるため、ＣＯＤレジ
ヌタ４１Ｃより転送され出力部Ｓから出力される電圧値
は増加せず、逆に照射光強既か小さいときは移送ゲート
３を開くのが遅くなるから出力部Ｓからの出力電圧値は
減少せず、結果としてＡＧＣ＆能を達成していることに
なる。
ところが、このような＋ｊｑ成の固体撮像装置において
は、ＡＧＣ機能を行う動作信号発生部ｎ＠の周辺回路は
、ソースフォロワ／／からのアナログ出力電圧で動作し
寿けれはならないため複雑化することはさけられず、ま
た誤動作も多いという問題がある。
は、ＡＧＣ機能を行う動作信号発生部ｎ＠の周辺回路は
、ソースフォロワ／／からのアナログ出力電圧で動作し
寿けれはならないため複雑化することはさけられず、ま
た誤動作も多いという問題がある。
上記問題点を別法するため、本発明は周辺回路が簡単と
なるような固体撮像装置を提供することを目的とする。
なるような固体撮像装置を提供することを目的とする。
本発明にかかる固体撮像装置は同一基板上に参照電圧と
ソースフォロワ回路の出力を比較し所定レベルに達した
ときに外部の周辺回路に対してディジタルの反転ｍ号を
出力する＞ａ ｏ ｓ ｔＵ’Ｑの積分値検出回路を内
蔵したものであって、周辺回路の簡素化を図ることがで
きるものである。
ソースフォロワ回路の出力を比較し所定レベルに達した
ときに外部の周辺回路に対してディジタルの反転ｍ号を
出力する＞ａ ｏ ｓ ｔＵ’Ｑの積分値検出回路を内
蔵したものであって、周辺回路の簡素化を図ることがで
きるものである。
以下、本発明の一実施例を第３図および第弘図を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第３図は本発明の一実施例の構造と接続を示す接続図で
あって、第／Ｉ２Ｉの場合と同様に基板／上には感光画
素、２ ａ −，２ｎ 、移送ゲート３、ＣＣＴｌ：レ
ジスタフ、出力部Ｓ、光ダイオード６、出力ゲート７、
浮遊拡散領域ｇ、リセノトゲートデ、リセットドレイン
１０、ソースフォロワ回路／／が設けられている。ソー
スフォロワ回路／ｌの出力は、ＭＯＳトランジスタ／Ｓ
のソース電極／ｓｓに接続されており、そのドレイン電
極’３Ｄはもう一つのＭＯＳ）ランジスタｌ乙のソース
電極ｉｂＢに接続され、この接続点からはインパーク／
７を介して外部の動作信号発生部／ｑ′に対する出力が
発生するようになっている。Ｍ ＯＳ ）ランジヌク１
５のシート電極１５Ｇには参照電圧ＶＲＥＦが、Ｍ Ｏ
Ｓ トランジスタｌｂのドレイン電極ｉＡＤには適自な
直流−圧ＶＤＤが印加されており、またグー１−’Ｌ極
１１）Ｇには動作信号発生部／り′からの出力が入力さ
れている。なお動作信号発生部／ｑ′から移送ゲート３
およびリセノトゲー）？に対する出力が発生している点
は従来例と同様である。
あって、第／Ｉ２Ｉの場合と同様に基板／上には感光画
素、２ ａ −，２ｎ 、移送ゲート３、ＣＣＴｌ：レ
ジスタフ、出力部Ｓ、光ダイオード６、出力ゲート７、
浮遊拡散領域ｇ、リセノトゲートデ、リセットドレイン
１０、ソースフォロワ回路／／が設けられている。ソー
スフォロワ回路／ｌの出力は、ＭＯＳトランジスタ／Ｓ
のソース電極／ｓｓに接続されており、そのドレイン電
極’３Ｄはもう一つのＭＯＳ）ランジスタｌ乙のソース
電極ｉｂＢに接続され、この接続点からはインパーク／
７を介して外部の動作信号発生部／ｑ′に対する出力が
発生するようになっている。Ｍ ＯＳ ）ランジヌク１
５のシート電極１５Ｇには参照電圧ＶＲＥＦが、Ｍ Ｏ
Ｓ トランジスタｌｂのドレイン電極ｉＡＤには適自な
直流−圧ＶＤＤが印加されており、またグー１−’Ｌ極
１１）Ｇには動作信号発生部／り′からの出力が入力さ
れている。なお動作信号発生部／ｑ′から移送ゲート３
およびリセノトゲー）？に対する出力が発生している点
は従来例と同様である。
以上のような構成の固体撮像装置における動作を第グ図
を参照しながら説明すると、第１図の場合と同様に光ダ
イオード６で発生した１比荷は浮遊拡散領域ｇからソー
スフォロワ回路／／Ｋｍ 入Ｌ、電圧１１（ＪとしてＸ
、ｌ ＯＳ ）シンジスクなのソース電極１３Ｆ３に入
力される。ところで、Ｍ ＯＳ トランジスタｌｂのグ
ー） １ｔｆ極１ｂＯＫ動作信号発生部／グ′から紀り
図（ａ）に示す同期パルスが加わるとそのソース両極ｉ
１ｙ Ｓはハイ（Ｈ）レベルとなった後、汁遊（フロー
ティング）状態となるので、インバータ／りの出力はロ
ウ（Ｌ）レベルとなる。この状態で光ダイオード６から
発生される重荷が時間経過とともに増加していくと、ソ
ースフォロワ回路／／の出力電圧ばＭ”ｙ ’Ｉ図（ｂ
）に示すように徐々に低下していく。
を参照しながら説明すると、第１図の場合と同様に光ダ
イオード６で発生した１比荷は浮遊拡散領域ｇからソー
スフォロワ回路／／Ｋｍ 入Ｌ、電圧１１（ＪとしてＸ
、ｌ ＯＳ ）シンジスクなのソース電極１３Ｆ３に入
力される。ところで、Ｍ ＯＳ トランジスタｌｂのグ
ー） １ｔｆ極１ｂＯＫ動作信号発生部／グ′から紀り
図（ａ）に示す同期パルスが加わるとそのソース両極ｉ
１ｙ Ｓはハイ（Ｈ）レベルとなった後、汁遊（フロー
ティング）状態となるので、インバータ／りの出力はロ
ウ（Ｌ）レベルとなる。この状態で光ダイオード６から
発生される重荷が時間経過とともに増加していくと、ソ
ースフォロワ回路／／の出力電圧ばＭ”ｙ ’Ｉ図（ｂ
）に示すように徐々に低下していく。
λ１０Ｓトランジスタ／Ｓのゲート電極／３Ｇに印加さ
れている粘照ｙＨ圧Ｖ ｌ［’により、この電極７５Ｇ
の下Ｋ ハ、ｊ？テンシャル障壁ができており、ソース
電極／ｊ８に加わった電圧がこのポテンシャル障壁を納
えると、ル１荷はドレイン電極／ｊＤＯ方へ流入するか
ら浮遊状態となっているＭＯＳ）ランジスタ１６のソー
ス電極／１ｒＦ３はＬレベルになり、インバータ／７の
出力は第９図（ｃ）に示すように反転してＨレベルとな
る。この反転により、車υ作イ１号発生部／ｌ／′から
は同期信号が第グ図（ａ）のように出力されるので、移
送ゲート３、リセットゲートデ、およびＭＯＳ）ランジ
スタｉＡのグー） ｉＡ Ｇはそれぞれ開かれ、初期状
態に戻る。以上の動作から明らか々ようにＭＯＳ トラ
ンジスタｉ３のゲート電極ｉ３ａに加えられた参照電圧
ＶＲＥＦによって、移送ゲート３等を開くタイミングを
調節できること力・ら任意の明度パターンに対してＡＧ
Ｃ機能を発揮させることかできる。
れている粘照ｙＨ圧Ｖ ｌ［’により、この電極７５Ｇ
の下Ｋ ハ、ｊ？テンシャル障壁ができており、ソース
電極／ｊ８に加わった電圧がこのポテンシャル障壁を納
えると、ル１荷はドレイン電極／ｊＤＯ方へ流入するか
ら浮遊状態となっているＭＯＳ）ランジスタ１６のソー
ス電極／１ｒＦ３はＬレベルになり、インバータ／７の
出力は第９図（ｃ）に示すように反転してＨレベルとな
る。この反転により、車υ作イ１号発生部／ｌ／′から
は同期信号が第グ図（ａ）のように出力されるので、移
送ゲート３、リセットゲートデ、およびＭＯＳ）ランジ
スタｉＡのグー） ｉＡ Ｇはそれぞれ開かれ、初期状
態に戻る。以上の動作から明らか々ようにＭＯＳ トラ
ンジスタｉ３のゲート電極ｉ３ａに加えられた参照電圧
ＶＲＥＦによって、移送ゲート３等を開くタイミングを
調節できること力・ら任意の明度パターンに対してＡＧ
Ｃ機能を発揮させることかできる。
以上の実施例において、ソースフォロワ回路／／の出力
と参照電圧ＶＲＥＦとの比較は、Ｍｏｓトランジスタを
使用したＭＯＳスイッチ／３ 、 ｌｂによって行い、
出力変化をインバータによって検出したが、これに限る
ものではなく、感光画素における重荷の蓄積が完了した
ことを検出してディジタル信号として出力できるもので
あれば何でもよく、通常のコンパレークを使用したり、
出力変化の検出にソースフォロワ回路を使用することが
可能である。
と参照電圧ＶＲＥＦとの比較は、Ｍｏｓトランジスタを
使用したＭＯＳスイッチ／３ 、 ｌｂによって行い、
出力変化をインバータによって検出したが、これに限る
ものではなく、感光画素における重荷の蓄積が完了した
ことを検出してディジタル信号として出力できるもので
あれば何でもよく、通常のコンパレークを使用したり、
出力変化の検出にソースフォロワ回路を使用することが
可能である。
以上のような本発明にかかる固体撮像装置によれば、感
光画素における電荷の蓄積を検出したディジクル信号が
出力されるため、この信号の入力により移送ゲート等を
開く同期信号を出力するための動作信号発生部を始めと
する周辺回路を簡素化することができ、コストパーフォ
ーマンスが向上する他、安定な動作を得ることが可能と
なる。
光画素における電荷の蓄積を検出したディジクル信号が
出力されるため、この信号の入力により移送ゲート等を
開く同期信号を出力するための動作信号発生部を始めと
する周辺回路を簡素化することができ、コストパーフォ
ーマンスが向上する他、安定な動作を得ることが可能と
なる。
第１図は従来の固体撮像装置の構成を示す接続図、第一
図はその動作を示すタイムチャート、第３図は本発明に
かかる固体撮像装置の構成を示す接続図、第弘図はその
動作を示すタイムチャートである。 ／・・・基板、２ａ、・・・１．２ｎ・・・感光画素、
３・・・移送電極、弘・・・ＣＯＤレジスタ、６・・・
光ダイオード、ｇ・・・浮遊拡散領域、／／・・・ソー
スフォロワ回路、／４’・／り′・・・動作信号発生部
、／３，１１）・・Ｍ ＯＳ ）ランジスク、／７・・
・インバータ。 出願人代理人 猪 股 情第１図 第２図 第３図 第４図 （Ｃ）咀−一−−−−二化
図はその動作を示すタイムチャート、第３図は本発明に
かかる固体撮像装置の構成を示す接続図、第弘図はその
動作を示すタイムチャートである。 ／・・・基板、２ａ、・・・１．２ｎ・・・感光画素、
３・・・移送電極、弘・・・ＣＯＤレジスタ、６・・・
光ダイオード、ｇ・・・浮遊拡散領域、／／・・・ソー
スフォロワ回路、／４’・／り′・・・動作信号発生部
、／３，１１）・・Ｍ ＯＳ ）ランジスク、／７・・
・インバータ。 出願人代理人 猪 股 情第１図 第２図 第３図 第４図 （Ｃ）咀−一−−−−二化
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／、照射光の強度に応じた信号電荷を発生する複数の感
光画素からなる感光画素列と、これに平行に配置、され
て信号電荷を移送する電荷転送装置と、この電荷転送装
置および前記感光画素列の間にあって、前記各感光画素
において発生した信号電荷が前記電荷転送装置の方向へ
移動することを制御する移送電極と、前記感光画素列の
近傍に平行に配置された感光部と、この感光部で発生し
た電荷量から前記感光画素における信号電荷の相分状況
を検出して外部の動作信号発生部に前記移送電極を制御
する信号を出力させるための検出部を基板上に有する固
体撮像装置において、 前記感光画素における信号−，荷の相分か所定の値にま
で達したときにディジタル信号を発生させる稙分筐検出
回路を前記基板と同一基板上に設けたことを特許とする
固体撮像装置。 コ、積分１直検出回路が、２つのＭＯＳ トランジスタ
が直列接続され、一方のＭＯＳ）ランジスタのソース電
極は入力に、ゲート電極は外部参照−１圧に、もう一方
のＭＯＳトランジスタのドレインｍ＆は適肖碌直流軍源
に、ゲート車検は外部からのリセット入力にそれぞれ接
続されており、この接続中点から引き出されたインパー
クにより秤Ｓ成されているものである特許請求の範囲第
１項記戦の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187282A JPS5975773A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187282A JPS5975773A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5975773A true JPS5975773A (ja) | 1984-04-28 |
Family
ID=16203264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57187282A Pending JPS5975773A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5975773A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51103752A (ja) * | 1975-02-05 | 1976-09-13 | Rca Corp | |
| JPS56154880A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-30 | Toshiba Corp | Solid-state image sensor |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP57187282A patent/JPS5975773A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51103752A (ja) * | 1975-02-05 | 1976-09-13 | Rca Corp | |
| JPS56154880A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-30 | Toshiba Corp | Solid-state image sensor |
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