JPS63219278A - 焦点検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は焦点検出装置、さらに詳しくは、電荷蓄積型イ
メージセンサを構成するフォトダイオードアレイ上の光
強度分布に基づいて焦点状態を検出する焦点検出装置に
関する。

［従来の技術］ 周知のように、カメラの焦点検出装置では、被写体の輝
度レベルが広範囲に変化するため、被写体の輝度レベル
に基づいてイメージセンサの電荷蓄積時間を制御するこ
とによりイメージセンサに広いダイナミックレンジを持
たせるようにしている。例えば、特開昭６１−１４７２
１０号公報に開示されている焦点検出装置においては、
焦点検出精度と比較的相関の高い被写体の情報量を検出
する被写体情報検知手段の出力により被写体輝度分布に
適合するように光電変換素子の電荷蓄積時間を制御して
いる。そして、従来は、コントラストの低い被写体に対
しても電荷蓄積時間を延長することにより若干量コント
ラストを高くするようにしていた。

また、特開昭５１−１４０４０９号公報に開示されてい
る焦点検出装置では、受光部の受光面照度が低すぎて電
荷蓄積時間が基準時間を越えたときは基準時間時の電荷
蓄積量に基づいて焦点検出し、さらにそのときの電荷蓄
積量が所定値以下の時は１を越える増幅率で増幅した電
荷蓄積量に基づいて焦点検出するようにしている。これ
は特にコントラストの低い被写体に対する対策を目的と
するものではないが、信号電荷が低いとき増幅するとい
う点で、コントラストの低い被写体に対する焦点検出精
度の向上と共通の解決手段を含んでいるものと考えられ
る。

［発明が解決しようとする問題点コ このように従来の焦点検出装置では、コントラストの低
い被写体に対しては電荷蓄積時間を延ばしたり、出力を
増幅するなとの方法が採られていた。

しかしながら、上記特開昭６１−１４７２１０号公報の
焦点検出装置では、コントラストを高めることかできて
も高々２倍弱にしかならず、しかもコントラストのない
バイアス電圧も一緒に蓄積するため、その効果は充分な
ものとは言いがたい。

また、上記特開昭５９−１４０４０９号公報の焦点検出
装置では、Ａ／Ｄ変換器とのスイッチングはとれても信
号と同時にノイズ成分も増幅するので完全なものではな
かった。

本発明は、このような問題点に鑑み、信号電荷のコント
ラストのある部分のみを蓄積し、コントラストが高く、
Ｓ／Ｈの良好な信号を得ることのできる焦点検出装置を
提供することを目的とする。

ｃ問題点を解決するための手段］ 本発明の焦点検出装置は、イメージセンサを構成するフ
ォトダイオードアレイ上の光強度分布に基づいて焦点状
態を検出する焦点検出装置において、上記フォトダイオ
ードアレイを構成する各画素の受ける光強度に比例した
電荷を蓄積する第１の蓄積手段と、この第１の蓄積手段
の電荷を転送して蓄積する第２の蓄積手段と、上記第１
の蓄積手段と上記第２の蓄積手段との間に設けられた転
送ゲートと、焦点検出状態に応じて上記転送ゲートの転
送ゲート電圧を制御する転送ゲートパルス電圧制御手段
と、上記第１の蓄積手段の電荷を上記第２の蓄積手段以
外に転送するための転送手段とを具備したものである。

［作　用］ 被写体のコントラストが悪いとき、まず、所定時間筒１
の蓄積手段に信号電荷を蓄積する。次に上記転送ゲート
パルス電圧制御手段のパルス電圧を制御し、バイアス電
圧を除いたコントラストのある領域の信号のみを第２の
蓄積手段に転送する。

次に、転送手段にパルスを印加し、第１の蓄積手段の残
りの電荷を第２の蓄積手段以外のオーバーフロードレイ
ンに排出する。このような動作を繰返し行なうことによ
り第２の蓄積手段にコントラストの高い信号電荷が蓄積
される。第２の蓄積手段の電荷はＣＯＤシフトレジスタ
により順次出力され、Ａ／Ｄ変換された後ＣＰＵのＲＡ
Ｍ　（ランダムアクセスメモリ）にストアされる。

［実　施　例］ 第１図はＣＣＤリニアイメージセンサの構成を示したも
のである。第１図において、モニタフォトダイオード２
はフォトダイオードアレイ３で発生する信号電荷の蓄積
時間を制御するためのフォトダイオードで、モニタバリ
アゲート１に与えられるポテンシャルを越えた電荷は電
界効果トランジスタ（以下、ＰＥＴと略記する）Ｑｌの
ゲートの拡散層に蓄積される。ＦＥＴＱ１〜Ｑ４はソー
スフォロアの２段増幅回路を構成し、ＦＥＴＱ３のソー
ス出力がモニタ出力信号ＭＯ８となる。なお、ＦＥＴＱ
１〜Ｑ１ｏはすべてｎチャンネル型のＭＯＳ）ランジス
タである。ＦＥＴＱ５はモニタフォトダイオード２の蓄
積電荷を蓄積開始に先立ってＦＥＴＱ５のドレイン電圧
ＶＤＤにリセットするもので、ＦＥＴＱ５のモニタリセ
ット信号ＭφＲは後述するオーバーフローゲート信号Ｏ
ＦＧと同じ＜ＣＰＵ（中央演算処理装置）により制御さ
れる。フォトダイオードアレイ３は直線状に並べられた
、例えば、１２８個よりなる光電変摸索子アレイである
。各々の光電変換素子よりなる画素上の光強度に比例し
て発生し、パリアゲ−１−４に与えられるポテンシャル
を越えた電荷は蓄積ゲート５に蓄積される。」−記モニ
タフォトダイオード２で発生する電荷量が所定レベルに
達すると、トランスファーゲート６を開いて信号電荷を
ＣＣＤシフトレジスタ７に転送する。ＣＣＤシフトレジ
スタ７の転送出力端に接続されたダイオードＤＩはフロ
ーティングディフュージョンの出力用のダイオード、Ｆ
ＥＴＱｌｏはフローティングディフュージョンを周期的
にリセットするためのもので、ＣＣＤドライバからの出
力信号φＲにより制御される。ＦＥＴＱ６〜Ｑ９はノー
スフォロアの２段増幅回路で、ＦＥＴＱ８のソースから
各画素の信号電荷Ｏ８を取出す。

第１図中、ＭＢＡはモニタバリアゲート１を制御する信
号、ＢＡはバリアゲートを制御する信号、ＯＦＤは蓄積
ゲート５の下のオーバーフロードレインを制御する信号
、ＯＦＧはオーバーフローゲート信号、ＳＴは蓄積ゲー
ト５を制御する信号、ＴＲはトランスファゲート６を制
御する転送ゲートパルス、φｌ、φ２はＣＣＤシフトレ
ジスタ７に与えられる転送りロックパルスである。

第２図（Ａ）はＣＣＤリニアイメージセンサ１９の電極
の配置図であり、第２図（Ｂ）および第２図（Ｃ）はこ
のリニアイメージセンサ１９の断面図である。第１図と
同一部分については同一符号をつけである。第２図（Ａ
）におけるオーバーフローゲート８．オーバーフロード
レイン９は、各フォトダイオードで発生した電荷を蓄積
する蓄積ゲート５直下の蓄積部の信号電荷を、蓄積開始
に先立ってオーバーフロードレイン９にすべて排出する
ためのもので、オーバーフロードレイン９は高い電位に
設定されている。オーバーフローゲート８はその制御用
ゲートである。第２図（Ｂ）　、　（Ｃ）の断面図にお
いて、ｎ型基板１４上にはフォトダイオードのアノード
の働きをするＰ型ウェル１２が形成される。ｎ　層１１
および１３はイオン注入法またはエピタキシャル法によ
りＰ型ウェル１２の表面」二に選択的に形成される。ｎ
＋層１３は埋込型ＣＣＤのチャンネル領域である。また
多結晶シリコンからなる上記バリアゲート４．蓄積ゲー
ト５、トランスファゲート６およびＣＣＤシフトレジス
タ７の各ゲート電極がゲート分離用の熱酸化のＳｉＯ２
中に形成される。このＣＣＤリニアイメージセンサ−９
の表面はフォトダイオード部を除きアルミニウム膜１０
により遮光される。

第３図は、上記ＣＣＤリニアイメージセンサ−９を構成
する半導体基板の主要領域のポテンシャルを示す図で、
横方向は半導体基板の領域を、縦方向はポテンシャルの
高さを示す。

第３図（Ａ）は信号電荷を蓄積部に蓄積している定常状
態のポテンシャル状態を示し、第３図（Ｂ）はトランス
ファゲート６に電圧Ｖ　を印加しＣＣＤシフトレジスタ
７に信号電荷の一部を転送している状態である。この時
、オーバーフローゲート８のポテンシャルは第３図（Ａ
）の状態をそのまま維持している。第３図（Ｃ）はオー
バーフローゲート８に高い電圧を印加し、第３図（Ｂ）
で残留した蓄積部の信号電荷をすべてオーバーフロード
レイン９に排出している状態を示す。

第４図は、本発明の適用されている焦点検出装置の全体
のブロック図である。第４図において、焦点検出に必要
な一対のレンズＬ１．Ｌ２を透過した光束は、ＣＣＤリ
ニアイメージセンサ１９に人力される。一方、ＣＰＵ１
８はスタートスイッチ２７が閉成されると作動を開始し
、共通信号であるモニタリセットＭφＲとオーバーフロ
ーゲート信号ＯＦＧ、ＣＣＤシフトレジスタ７の転送り
ロックパルスφ１．φ２を制御する信号ＴＲＣおよびト
ランスファーゲート６の電位を制御する信号Ｓ１〜Ｓ４
がＣＰＵ１ｇからＣＣＤリニアイメージセンサ１９また
はＣＣＤドライバ１６に供給される。ＣＣＤドライバ１
６から、転送りロックパルスφ１．φ２．転送ゲートパ
ルスＴＲおよびＣＣＤシフトレジスタ７の出力段のフロ
ーティングディフュージョンを周期的にリセットするパ
ルスφＲが人力される。ＣＣＤリニアイメージセンサ１
９よりモニタ出力ＭＯ３がＣＣＤドライバ１６に、信号
出力Ｏ８がＡ／Ｄコンバータ１７にそれぞれ供給される
。Ａ／Ｄコンバータ１７ではＣＣＤドライバ１６からの
タイミング信号に応動して信号出力Ｏ８をＡ／Ｄ変換す
る。Ａ／Ｄ変換の結果はＡ／Ｄ変換終了信号ＲＤＹがＣ
ＰＵ４で検知された後、ＡＤＯＵＴ信号としてＣＰＵ１
８に取り込まれる。またＣＰＵＩＩＩＩからは、上記信
号φ１゜φ　　ＴＲ，φ２等を形成する基準となる基準
り２′ ロックパルスφ０がＣＣＤドライバ１６に供給され、Ｃ
ＣＤドライバ１６からＣＰＵ１８に電荷蓄積時間に比例
したパルスを発生する信号出力ＩＴが供給される。レン
ズ駆動回路２０は、ＣＰＵ１ｇで演算された被写体距離
情報に応じてモータ２６を回転させ撮影レンズを駆動す
るための回路である。レンズＲＯＭ２１は、レンズ鏡筒
に内蔵されたリードオンリーメモリで、レンズのＦナン
バーや像のずれ量からデフォーカス量を求めるための変
換係数など、焦点検出に必要なデータが記憶されている
。表示装置２２は合焦か非合焦かを表示する装置である
。通常、被写体までの距離を検出し、それに基づいて撮
影レンズを駆動するに当り、レンズの移動量をＣＰＵＬ
８にフィードバックする必要があるが、レンズの移動量
として、レンズ駆動用モータ２６の回転数で代用するの
が一般的で発光ダイオード２４とフォトトランジスタ２
５はこのためのものである。つまり、レンズ駆動回路２
０が作動しモータ２６が回転すると、レンズ鏡筒の回転
部材に等間隔に設けられたスリット２３が回転し、同ス
リットの通路を挟んで回転検出用の発光ダイオード２４
とフォトトランジスタ２５を対向配置してなるフォトイ
ンクラブタがスリットをカウントする。ＣＰＵ１８は、
スリット２３のカウント数をメモリにストアし、所定量
に達したとき、モータ２６の回転をストップする。

第５図はＣＣＤドライバ１６の回路図である。

Ｄ型フリップフロップ回路（以下、Ｆ／Ｆ回路と略記す
る）３１〜３５はＣＰＵ１８からの基準クロックパルス
φ０を順次分周し、オアゲート３９およびインバータ４
０を介して、第１図に示す前記ＣＯＤシフトレジスタ７
の転送りロックパルスφ　およびφ２を出力する。アン
ドゲート４１は■ 上記転送りロックパルスφ１とＦ／Ｆ回路３６の出力端
子回から出力される信号Ｓ。とのアンドをとって、前記
フローティングディフュージョンを周期的にリセットす
るパルスφＲを出力し、前記ＣＯＤリニアイメージセン
サ−９に供給する一方、このＣＯＤリニアイメージセン
サ−９よりのモニタ出力ＭＯ８はコンパレータ４２にて
、電源電圧■　を抵抗Ｒ１とＲ２で分圧して得られる判
定型Ｄ 圧Ｖ　と比較され、この判定電圧ｖ１ｈを超えていｈ る間“Ｒ２になる信号ＩＴを」二記ＣＰＵ１８に供給す
る。この信号ＩＴはＦ／Ｆ回路３３の出力端子Ｑ、Ｆ／
Ｆ回路３４の出力端子回、Ｆ／Ｆ回路３５の出力端子Ｑ
の各出力信号ととも（こ、４人カアンドゲート４９に入
力され、同アンドゲート４９から信号Ｓ１としてアンド
ゲート４７を通じてＦ／Ｆ回路３７のＤ入力端子に入力
される。Ｆ／Ｆ回路３７の出力端子回の出力信号は、ナ
ンドケート４５と４６で構成するＲ／Ｓフリップフロッ
プ回路に入力され、その出力がアンドゲート４７を介し
、上記Ｆ／Ｆ回路３７のＤ入力端子に入力され、フィー
ドバックループを形成するので上記Ｆ／Ｆ回路３７は、
一度作動するとオーバーフローゲート信号ＯＦＧがイン
バータ４８を通じてナントゲート４５に印加されるまで
再度作動しない。

従って転送ゲートパルスＴＲが重複して出力されるよう
なことはない。信号ＴＲＣは、ＣＣＤシフトレジスタ７
の１個の転送部に蓄積部の信号電荷を数回に分けて転送
する場合に、転送りロックパルスφ１．φ２を一時的に
所定レベルに保持するためにＣＰＵ１８から供給される
信号である。信号ＴＲＣはＦ／Ｆ回路３８のＤ入力端子
に入力される。Ｆ／Ｆ回路３８のＣＫ入力端子は、転送
ゲートパルスＴＲと同期をとるため、Ｆ／Ｆ回路３７の
出力端子Ｑに接続される。転送ゲートパルスＴＲと同期
した信号に変換された信号を発生するＦ／Ｆ回路３８出
力端子Ｑはオアゲート３９の一方の入力端子に接続され
る。オアゲート３９の他方の入力端子はＦ／Ｆ回路３５
の出力端子Ｑに接続される。オアゲート３９の出力は前
記した転送クロックパルスφ１となる。この転送りロッ
クパルスφ１をインバータ４０を介して反転した信号が
転送りロックパルスφ２である。ＣＰＵ１ｇから供給さ
れるオーバーフローゲート信号ＯＦＧは常時“Ｌ”で、
リセット時＃　ＨＩＩとなってＦ／Ｆ回路３１〜３８お
よびナントゲート４５と４６からなるＲ／Ｓフリップフ
ロップ回路を初期状態に設定する。ＦＥＴＱ１□〜Ｑ１
．およびおよび抵抗Ｒ３〜Ｒ８で構成される回路５０は
、前記第１図のＣＣＤシフトレジスタ７への転送ゲート
パルスＴＲのレベルを変える転送ゲートパルス電圧制御
回路で、同制御回路５０によりＣＰＵ１８からの出力信
号Ｓ１〜Ｓ４により転送ゲートパルスＴＲのレベルが変
えられる。ＣＰＵ１８からの出力信号８１〜Ｓ４のうち
の１つの信号だけが“Ｈ”となり、これによって選択さ
れたＦＥＴのドレインが接続される抵抗の接続点の抵抗
によって分圧された電圧が転送ゲートパルスＴＲのレベ
ルとなる。

第９図は、本発明の焦点検出装置が適用される一眼レフ
レックスカメラにおける焦点検出用光学系の一例の構成
図である。撮影レンズ６１を透過した入射光は、クイッ
クリターンミラー６２で反射され、スクリーン６３とペ
ンタプリズム６４からなるファインダ光学系に導かれる
。一方、クイックリターンミラー６２の中央部に設けら
れたハーフミラ−６５を透過した一部の光は、補助ミラ
ー６６で反射され、測距光学系６７に導かれてＣＣＤリ
ニアイメージセンサ１９に投光される。なお符号６８は
フィルム面である。

次に、このように構成された本実施例の動作を、第６図
（Ａ）、（Ｂ）　、第７図に示す各信号のタイミングチ
ャート、第８図（Ａ）　、　（Ｂ）に示す画素出力信号
の波形図および前記第３図（Ａ）〜（Ｃ）に示したＣＣ
Ｄリニアイメージセンサにおける図によって説明する。

まずオートフォーカス動作が開始されると、ＣＰＵ１８
からＣＣＤドライバ１６にオーバーフローゲート信号Ｏ
ＦＧ、ＣＣＤリニアイメージセンサ１９にモニタリセッ
ト信号ＭφＲが出力される。

すると、第６図（Ａ）に示すように、オーバーフローゲ
ート信号ＯＦＧ　（又はモニタリセット信号ＭφＲ）が
“Ｈ”から“Ｌ”に変化した時点からモニタ出力信号Ｍ
Ｏ８はＣＣＤリニアイメージセンサ１９の受光光量に比
例した傾きで電位が低下していく。モニタ信号ＭＯ３が
判定電圧Ｖｔｈに達すると、転送りロックパルスφ１の
“Ｈ“に同期して転送ゲートパルスＴＲを出力する。な
お、この時、転送ゲートパルスＴＲのレベルを制御する
ＣＰＵ１８からの制御信号８１〜Ｓ４は制御信号Ｓ　だ
けが“Ｈ”となり他は“Ｌ”である。した■ がってこの場合、転送ゲートパルスＴＲは最も高い電位
Ｖ。になり蓄積部の電荷はすべてＣＣＤシフトレジスタ
７に転送される。ＣＣＤシフトレジスタ７に転送された
信号電荷は転送りロックパルスφ１．φ２により順次出
力されＡＤ変換された後、ＣＰＵ１８のＲＡＭにストア
され、焦点検出演算が実行される。この演算方法につい
ては例えば本出願人が出願した特願昭６１−１５６８９
８号に詳細に述べである。被写体のコントラストが十分
あり、精度良く検出が行なわれる場合は、所　１７一 定量のレンズを駆動し、焦点検出動作は終了する。

これに反し、第８図（Ａ）に示すように被写体のコント
ラストがなく画素出力に変化が見られないようなときは
焦点検出演算の結果は精度が悪く信頼性に乏しい。そこ
で演算の結果、コントラストが不足し、精度が悪いと判
断したとき、６図（Ａ）と同様にして再び電荷蓄積を繰
り返す。この動作を第６図（Ｂ）のタイミングチャート
を用いて説明する。上記第６図（Ａ）で説明したのと同
様に、モニタ出力ＭＯ８が判定電圧ｖｔｈに達すると、
電荷蓄積時間に比例する信号ＩＴはＨ″になりＣＰＵ１
８はこれを検出することにより信号ＴＲＣを“Ｈ″にす
る。すると、転送りロックパルスφ■は“Ｈ”に保持さ
れ、転送りロックパルスφ２は“Ｌ“に保持される。転
送ゲートパルスＴＲは転送りロックパルスφ１の”Ｈ”
に同期して“Ｈ”になり各画素の蓄積電荷はＣＣＤシフ
トレジスタ７に転送される。このときの転送ゲートパル
スＴＲの電圧はＶ　に選択され、第８図（Ａ）の斜線部
に相当する電荷のみがＣＣＤシフトレジスタ７に転送さ
れる。第３図（Ｂ）はこの時のポテンシャルを示す図で
ある。

転送ゲートパルスＴＲの電圧Ｖ　は次のようにして求め
られる。第６図（Ａ）のタイミングチャートで示す方法
で得られた信号電荷の出力のうち最も出力の小さい出力
をＶＭＩＮとする（第８図（Ａ）参照）。そして、信号
電荷の飽和出力をＶ　　とａｔ すると、ＶＭＩＮ　／Ｖｓａｔが１に近づく程、転送ゲ
ートパルスＴＲの電位を高くし、■ＭＩＮ／ｖ８ａ□が
０に近づく程、転送ゲートパルスＴＲの電位を低くする
。次に、再びオーバーフローゲート信号ＯＦＧを“Ｈ”
にし、同様の動作を繰り返す。これを複数回繰り返すこ
とにより転送レジスタの信号電荷は最終的に第８図（Ｂ
）に示すようになり、コントラストの高い信号電荷をＣ
ＣＤシフトレジスタ７に蓄積することができる。次に信
号ＴＲＣを“Ｌ″にすることにり転送りロックパルスφ
１゜φ２は通常のパルス間隔で作動し信号電荷が順次出
力される。なお、第６図（Ｂ）において蓄積部の信号電
荷をＣＣＤシフトレジスタ７に転送する回数は次のよう
にして決める。第１図で説明したモニタフォトダイオー
ド２はフォトダイオードアレイ３に入射する平均的な明
るさを測光するもので、モニタ出力ＭＯ８の判定電圧”
ｔｈは通常フォトダイオードアレイ３の各画素の出力の
平均値が各画素の飽和出力Ｖ　　のおよそ１／２になる
よａｔ うに設定されている。従って、転送ゲートパルスＴＲの
電位Ｖ　を第８図（Ａ）に示す斜線部の電荷のみがＣＣ
Ｄシフトレジスタ７に転送されるように設定したとする
と、１回の転送でＣＣＤシフトレジスタ７に転送される
電荷は通常時（第６図（Ａ）に相当）のおよそ（””Ｖ
ｓａｔ　　”ＭＩＮ　）１０．５ｖ　　になる。したが
って、転送を、およそａｔ ｏ、５ｖ　　　／＜　０．５Ｖ６，１ｖＭＩＮ　＞　回
ｈす返セａｔ ば通常時と同等の出力が得られる。もちろん蓄積時間に
応じて転送回数を減らすことも可能である。

なお、第７図のタイミングチャートにおいて、φ４〜φ
、はＦ／Ｆ回路３１〜３４の出力端子Ｑの信号、ＴＩは
Ｆ／Ｆ回路３７の出力端子Ｑの信号を示している。

第１０図は本発明の他の実施例を示す焦点検出装置にお
けるＣＯＤリニアイメージセンサである。

前記第１図に示したＣＣＤリニアイメージセンサ１９に
おいては、蓄積ゲート５の下の蓄積部に蓄えられた電荷
の一部を、ＣＣＤシフトレジスタ７の転送りロックパル
スφ■、φ２を一定レベルに保持することによりＣＣＤ
シフトレジスタ７に複数個蓄積し、コントラストの高い
信号を得るようにしていた。この方法では、構成が簡単
になる利点があるが、転送りロックパルスφ１．φ２を
余り長い時間保持すると、ＣＣＤシフトレジスタ７の各
転送段で暗電流成分の不均一な出力が発生する欠点があ
る。第１０図に示したＣＣＤリニアイメージセンサ７０
では、これを改善するため蓄積部を２つ設けている。第
１の蓄積ゲート７１は前記第１図のＣＣＤリニアイメー
ジセンサ１９の蓄積ゲート５に相当し、第１のトランス
ファーゲート７２は前記トランスファーゲート６に相当
する。

第１の蓄積ゲート７１の下の蓄積部に蓄えられた一部の
電荷は、第１１図に示すように、モニタ出力ＭＯ８が判
定電圧Ｖｔｈに達したとき第１のトランスファーゲート
７２に転送ゲートパルスＴＲ１が印加されることにより
、一旦、第２の蓄積ゲート７３の下の蓄積部に蓄えられ
る。これを数回繰返し、第２の蓄積ゲート７３の下の蓄
積部の電荷が所定量に達すると、第２のトランスファー
ゲート７４に転送ゲートパルスＴＲ２を印加し、ＣＣＤ
シフトレジスタ７に電荷を転送する。この場合、転送り
ロックパルスφ１．φ２の周期は常に一定であるので上
記不都合は発生しない。このＣＣＤリニアイメージセン
サ７０はモニタバリアゲート１からバッファアンプ７５
を介してモニタ出力ＭＯ８が取出され、ＣＣＤシフトレ
ジスタ７７からバッファアンプ７６を介して信号出力Ｏ
８が取出される。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、コントラストの低い
被写体に対してもＳ／Ｈの良好なコントラストの高い信
号を得ることができ、高精度の焦点検出を行なうことが
できる。

【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の一実施例を示す焦点検出装置におけ
るＣＣＤリニアイメージセンサの構成を示した電気回路
図、 第２図（Ａ）　、（Ｂ）および（Ｃ）は、上記第１図に
示したＣＣＤリニアイメージセンサの電極の配置図と、
そのｂ−ｂ線およびＣ−Ｃ線に沿った断面図、 第３図（Ａ）　、（Ｂ）および（Ｃ）は、上記第１図に
示したＣＣＤリニアイメージセンサを構成する半導体甚
板の主要領域における定常時のポテンシャル状態、ＣＣ
Ｄシフトレジスタに信号電荷の一部を転送している状態
および残留した蓄積部の信号電荷をすべてオーバーフロ
ードレインに排出している状態の各説明図、 第４図は、本発明が適用されている焦点検出装置の全体
のブロック図、 第５図は、上記第４図中のＣＣＤドライバの電気回路図
、 第６図（Ａ）　、　（Ｂ）は、上記第４図に示した無点
検出装置の動作を説明する各部信号のタイミングチャー
ト、 第７図は、上記第５図に示したＣＣＤドライバの動作を
説明する各部信号のタイミングチャート、第８図（Ａ）
、（Ｂ）は、画素出力信号パターンの各側を示した出力
線図、 第９図は、本発明装置が適用される一眼レフレックスカ
メラにおける焦点検出用光学系の構成図、第１０図は、
本発明の他の実施例を示す焦点検出装置におけるＣＣＤ
リニアイメージセンサの構成を示した図、 第１１図は、上記第１０図に示したＣＣＤリニアイメー
ジセンサにおける各部信号のタイミングチャートである
。 ３・・・・・・・・・フォトダイオードアレイ５・・・
・・・・・・蓄積ゲート（第１の蓄積手段）６・・・・
・・・・・トランスファゲート（転送ゲート）７・・・
・・・・・・ＣＣＤシフトレジスタ（第２の蓄積手段） ８・・・・・・・・・オーバーフローゲート（転送手段
）１９、７０・・・・・・ＣＣＤリニアイメージセンサ
（電荷蓄積型イメージセンサ） ５０・・・・・・転送ゲートパルス電圧制御回路（転送
ゲートパルス電圧制御手段） ７１・・・・・・第１の蓄積ゲート（第１の蓄積手段）
７２・・・・・・第１のトランスファーゲート（転送ゲ
ート）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 電荷蓄積型イメージセンサを構成するフォトダイオード
   アレイ上の光強度分布に基づいて焦点状態を検出する焦
   点検出装置において、 上記フォトダイオードアレイを構成する各画素の受ける
   光強度に比例した電荷を蓄積する第１の蓄積手段と、 この第１の蓄積手段の電荷を転送して蓄積する第２の蓄
   積手段と、 上記第１の蓄積手段と上記第２の蓄積手段との間に設け
   られた転送ゲートと、 焦点検出状態に応じて上記転送ゲートの転送ゲート電圧
   を制御する転送ゲートパルス電圧制御手段と、 上記第１の蓄積手段の電荷を上記第２の蓄積手段以外に
   転送するための転送手段と、 を具備したことを特徴とする焦点検出装置。