JPS5975550A - 荷電粒子線の集束方法 - Google Patents
荷電粒子線の集束方法Info
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- JPS5975550A JPS5975550A JP57186919A JP18691982A JPS5975550A JP S5975550 A JPS5975550 A JP S5975550A JP 57186919 A JP57186919 A JP 57186919A JP 18691982 A JP18691982 A JP 18691982A JP S5975550 A JPS5975550 A JP S5975550A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- filter
- charged particle
- virtual image
- wien
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明＆３１ウィーン型ノイルターどレンズを用いて荷
電粒子線を出来るだ番ノ微小に集束するためのｙノ法に
関りる。１ イΔンンイク１．１アナライザー等のように電子以外の
荷電粒子線を用いる装置に使用される荷電粒Ｊ′線源か
らは、［］的とり−る一１ネルギーと質量を右りる荷電
粒子線だ（Ｊではイｆく、ぞれらとは箕なった一１ネル
１゛−り迷電）・０買量をイｊりるイ苛電粒子線も同１
１．ｌ＋に光・ｌし、この小すシイｌ １ｌｉｌ電νｆ
了線の吊ツノ′Ｘ［］的どりるイ゛Ｉ；１″Ｊ賃おＩ子
線の亭に比較しく照ン只Ｃ′きない程麻（あることが多
い１．ぞのた？））、前記イＡンンイク［ｊアプノイリ
“−においＣ＋ＪイＡン源からのイノ１ンを試Ｊ’ｌ
ＬＣ集集束るためにレンズ系内にフィルターを設（〕、
不要な荷電粒子線を取り除くＪ、うにしくいる１、この
ようイ’ｃ Ｌｌ的に使用されるフィルターどし−Ｃは
静電揚ど静磁揚を両受させた構造の簡甲イｆウーｒ〜ン
ヘリノイルターｌが使用されることが多いが、集束レン
ズ系に組み込んだ場合、ウィーン型ノイルクーによる幾
何収ｚｊ−，’Ｉ’ ［？、ルーＶ−分散が集束レンズ
の９、東作用に少イ３−からぬ影Ｉ７２？を１）えるこ
とにイトろ、。
電粒子線を出来るだ番ノ微小に集束するためのｙノ法に
関りる。１ イΔンンイク１．１アナライザー等のように電子以外の
荷電粒子線を用いる装置に使用される荷電粒Ｊ′線源か
らは、［］的とり−る一１ネルギーと質量を右りる荷電
粒子線だ（Ｊではイｆく、ぞれらとは箕なった一１ネル
１゛−り迷電）・０買量をイｊりるイ苛電粒子線も同１
１．ｌ＋に光・ｌし、この小すシイｌ １ｌｉｌ電νｆ
了線の吊ツノ′Ｘ［］的どりるイ゛Ｉ；１″Ｊ賃おＩ子
線の亭に比較しく照ン只Ｃ′きない程麻（あることが多
い１．ぞのた？））、前記イＡンンイク［ｊアプノイリ
“−においＣ＋ＪイＡン源からのイノ１ンを試Ｊ’ｌ
ＬＣ集集束るためにレンズ系内にフィルターを設（〕、
不要な荷電粒子線を取り除くＪ、うにしくいる１、この
ようイ’ｃ Ｌｌ的に使用されるフィルターどし−Ｃは
静電揚ど静磁揚を両受させた構造の簡甲イｆウーｒ〜ン
ヘリノイルターｌが使用されることが多いが、集束レン
ズ系に組み込んだ場合、ウィーン型ノイルクーによる幾
何収ｚｊ−，’Ｉ’ ［？、ルーＶ−分散が集束レンズ
の９、東作用に少イ３−からぬ影Ｉ７２？を１）えるこ
とにイトろ、。
第１ＶＡは従来のイＡンンイク１１ノ’Ｊシイリゞ−の
光学系の 例を示！１１１８図である。１図中イＡン源
１から光散りるイＡ−ンビーム２（ま光軸／に沿・ノー
（配置おれた二段の集束用静電レンズ３．／Ｉによって
順次集束され試別５の面１−に微小系を右りる渚オンビ
ーム像を形成する。又、静電レンズ３．４のＩＦｉｌに
１．！二枚の静電偏向板７ａ、７ｂ’、二枚の磁極板Ｑ
ｉｌ 、 ８ｂ’ （但し８ｂは図示Ｖず〉、及び絞り
板９からなるウィーン型フィルター６が配置され゛てＪ
３つ、フィルター内で形成される互いに直交した静電場
と静磁場によって特定のｊ−ネルギーと質量をイ」する
荷電粒子線のみを直進さけて絞り板９を通過させ、くれ
以外の荷電粒子線は静電場の方向に偏向して絞り板９に
よってカットしでいる。
光学系の 例を示！１１１８図である。１図中イＡン源
１から光散りるイＡ−ンビーム２（ま光軸／に沿・ノー
（配置おれた二段の集束用静電レンズ３．／Ｉによって
順次集束され試別５の面１−に微小系を右りる渚オンビ
ーム像を形成する。又、静電レンズ３．４のＩＦｉｌに
１．！二枚の静電偏向板７ａ、７ｂ’、二枚の磁極板Ｑ
ｉｌ 、 ８ｂ’ （但し８ｂは図示Ｖず〉、及び絞り
板９からなるウィーン型フィルター６が配置され゛てＪ
３つ、フィルター内で形成される互いに直交した静電場
と静磁場によって特定のｊ−ネルギーと質量をイ」する
荷電粒子線のみを直進さけて絞り板９を通過させ、くれ
以外の荷電粒子線は静電場の方向に偏向して絞り板９に
よってカットしでいる。
所で従来装置にお（プるウィーン型フィルターの配直方
払はいろいろで、イオン源１ど集束レンズ３の間に配置
づ−る装置もあり、又第１図のＪ、うに配置する揚台に
も集束レンズ３によるイオン源１の像Ｓをどの位置に形
成１゛るのかは所望とするイオンビーム電流値等に応じ
て適当に決定されるのが光通で、ウィーン型フィルター
の影響にＪ：って試お１面上におけるイオンビームの断
面径は必ずしも十分に集束されているとは限らなかった
。本発明は集束レンズ系にウィーン型フィルターを組み
込んだ場合にお【プる荷電粒子線に対する集束作用を最
も高めるレンズ系の調整方法を提供することを目的どす
る一ｂので、４ｎ市ｋ ′ｆ−線源から発散Ｊる荷電粒
子線を、その中間にウィーン型フィルターを有り６２段
のレンズによって集束する場合に、前記ウィーン型フィ
ルターの中央位置を該フィルターの前段のレンズの仮想
像面位置及び該フィルターの後段のレンズの仮想物面位
置と一致覆るように前記レンズの強度を調整Ｊることを
特徴とするものである。
払はいろいろで、イオン源１ど集束レンズ３の間に配置
づ−る装置もあり、又第１図のＪ、うに配置する揚台に
も集束レンズ３によるイオン源１の像Ｓをどの位置に形
成１゛るのかは所望とするイオンビーム電流値等に応じ
て適当に決定されるのが光通で、ウィーン型フィルター
の影響にＪ：って試お１面上におけるイオンビームの断
面径は必ずしも十分に集束されているとは限らなかった
。本発明は集束レンズ系にウィーン型フィルターを組み
込んだ場合にお【プる荷電粒子線に対する集束作用を最
も高めるレンズ系の調整方法を提供することを目的どす
る一ｂので、４ｎ市ｋ ′ｆ−線源から発散Ｊる荷電粒
子線を、その中間にウィーン型フィルターを有り６２段
のレンズによって集束する場合に、前記ウィーン型フィ
ルターの中央位置を該フィルターの前段のレンズの仮想
像面位置及び該フィルターの後段のレンズの仮想物面位
置と一致覆るように前記レンズの強度を調整Ｊることを
特徴とするものである。
第２図はウィーン型ノイルターにおける荷電粒子線の軌
道を説明するための略図ぐあり、直交座標系（Ｘ 、
ｖ 、 ／！ ）の原点Ｏを含むｘｙ面をノＩルターの
入射面とし−（’Ｚｌ軸側に配置された第１集束レンズ
（図示ｕｆ）を通過したイオンビームがｌ軸に沿つζ入
射しｌ軸右側に配置された第２集束レンズと試料（図示
せｆ）に向かう状態が示され−Ｃいる。フィルター内の
静電場［はＺ軸原点Ｏから１−千の範囲においＣＶ ！
Ｉｌｌ ＩＪ向に形成され、方静電場ＢはＩＤＩじ範囲
にＪ３いｉ： Ｘ １ｍ＋力向に形成される。
道を説明するための略図ぐあり、直交座標系（Ｘ 、
ｖ 、 ／！ ）の原点Ｏを含むｘｙ面をノＩルターの
入射面とし−（’Ｚｌ軸側に配置された第１集束レンズ
（図示ｕｆ）を通過したイオンビームがｌ軸に沿つζ入
射しｌ軸右側に配置された第２集束レンズと試料（図示
せｆ）に向かう状態が示され−Ｃいる。フィルター内の
静電場［はＺ軸原点Ｏから１−千の範囲においＣＶ ！
Ｉｌｌ ＩＪ向に形成され、方静電場ＢはＩＤＩじ範囲
にＪ３いｉ： Ｘ １ｍ＋力向に形成される。
初めに、ウィーン型フィルターにＪ、る色収差に−９い
てｇ寮りる３、今ノイルター内の電場［ど磁場８の？Ａ
ｍをＴネルギーＶｏのイオンビームを通過さＬるように
設定し、ｌ軸に沿って入射りるイオンビームＩ１．Ｉ２
，１３が夫々Ｖ＝Ｖｏ −△Ｖ。
てｇ寮りる３、今ノイルター内の電場［ど磁場８の？Ａ
ｍをＴネルギーＶｏのイオンビームを通過さＬるように
設定し、ｌ軸に沿って入射りるイオンビームＩ１．Ｉ２
，１３が夫々Ｖ＝Ｖｏ −△Ｖ。
Ｖ＝Ｖｏ 、Ｖ＝Ｖｏ〜１△Ｖのエネルギーを右しでい
るものとするど、ぞの軌道は図中、Ｑ２．Ｑｌ。
るものとするど、ぞの軌道は図中、Ｑ２．Ｑｌ。
Ｑ３で示４如く、Ｑｌのみが２軸に沿って准み、Ｑ２．
Ｑ３はｌ軸からｙ軸方向（電場方向）へ外れるように４
する。
Ｑ３はｌ軸からｙ軸方向（電場方向）へ外れるように４
する。
今、荷電粒子線の電荷と質量を夫々ｅ、ｍとしコーネル
ギーＶｏに対応づる速度をＶ、）とＪ−ると、ノイルタ
ー内の電場［と磁場Ｂ、は次の（１）式を満足するよう
に設定されるが、 且−ｖ。
ギーＶｏに対応づる速度をＶ、）とＪ−ると、ノイルタ
ー内の電場［と磁場Ｂ、は次の（１）式を満足するよう
に設定されるが、 且−ｖ。
８ （１）このとき■
≠Ｖ（、の荷電粒子線の軌道に関して次ｆ−６・（Ｅ”
−Ｖ’Ｂ） （３）（２）式からフ
ィルターの出射面（ｚ＝Ｌ−ｒ）でのｙ＠力方向値Ｙは
（４）式で表わされる。
≠Ｖ（、の荷電粒子線の軌道に関して次ｆ−６・（Ｅ”
−Ｖ’Ｂ） （３）（２）式からフ
ィルターの出射面（ｚ＝Ｌ−ｒ）でのｙ＠力方向値Ｙは
（４）式で表わされる。
叉、出射面にお（）る勾配は（２）式を微分して（５）
式で表わ凸れるがら出Ｑ＝１而に、Ｉ’； ＆ｊる軌道
のｊ８線（図中破線Ω、ひ示り−）は次のＪ：うに表わ
される１、 （６）式に（４）式を代入しｙ＝［ｉとすると接線之が
ｌ軸と交わる点Ｓａ′）／、斤・標は（７）式で表わさ
れ、丁麿ノイルクーの中心（Ｉ／置と一致４る。
式で表わ凸れるがら出Ｑ＝１而に、Ｉ’； ＆ｊる軌道
のｊ８線（図中破線Ω、ひ示り−）は次のＪ：うに表わ
される１、 （６）式に（４）式を代入しｙ＝［ｉとすると接線之が
ｌ軸と交わる点Ｓａ′）／、斤・標は（７）式で表わさ
れ、丁麿ノイルクーの中心（Ｉ／置と一致４る。
Ｚ（Ｓ）＝丁 （７）
次に（６）式にお【プるｙのＶにＪ、る変化はどなるが
Ｖ：ＶＱ”（”あるから次の（ε））式が成り方、図に
承り如＜Ｄｏを投影面７にａハブる（ ！１ｌ１１−）
色収差と定ｊｉσれば（８）式を用い−Ｃ次のように表
わされる。
Ｖ：ＶＱ”（”あるから次の（ε））式が成り方、図に
承り如＜Ｄｏを投影面７にａハブる（ ！１ｌ１１−）
色収差と定ｊｉσれば（８）式を用い−Ｃ次のように表
わされる。
Ｉ）Ｃ＝２（２）２・Δす
従つＵ、７−ｆ４／２とＪればＤａ ＝Ｏとなり、■の
値に拘わり＋Ｉ’ ＋、’、： Ｓにスポット状のＩＪ
ｒｔ像が形成される。
値に拘わり＋Ｉ’ ＋、’、： Ｓにスポット状のＩＪ
ｒｔ像が形成される。
この結果から、ウィーン型フィルター後段に設＆ｊられ
る第２集束レンズの仮想物点として、２−Ｌ［／２の点
を見込むようにそのレンズ強度を調整すれば、フィルタ
ーの中央位置Ｓにおいて（軸上）色収差のないイ＞ｊン
ビーム像を見ることになる。実際の装置では、ソイ４ル
ターに入射するイオンビーム【ま後）ホするようにｌ軸
に平行て゛はなくｌ軸上のある点に集束するように、成
るい（よｌ軸上のある点から発散りるような状態にある
が、この場合にも色収差に関する上記解析結果がそのま
ま適用Ｃきる。
る第２集束レンズの仮想物点として、２−Ｌ［／２の点
を見込むようにそのレンズ強度を調整すれば、フィルタ
ーの中央位置Ｓにおいて（軸上）色収差のないイ＞ｊン
ビーム像を見ることになる。実際の装置では、ソイ４ル
ターに入射するイオンビーム【ま後）ホするようにｌ軸
に平行て゛はなくｌ軸上のある点に集束するように、成
るい（よｌ軸上のある点から発散りるような状態にある
が、この場合にも色収差に関する上記解析結果がそのま
ま適用Ｃきる。
次につ、ｒ−ン型ノイルターによる幾何収差について：
に察りる。第３図は第２図と同様にフィルター近傍にお
ける？Ｉｉｉ電あ″を子線の軌道を表したもので、第４
図は第２図をｌ軸方向から眺めた略図である。
に察りる。第３図は第２図と同様にフィルター近傍にお
ける？Ｉｉｉ電あ″を子線の軌道を表したもので、第４
図は第２図をｌ軸方向から眺めた略図である。
これらの図には）１方から二１−ン状のイオンビームが
入射面から７１の点かでの頂点と４ぼるように入用づ−
る状態ノ）（示され（いる、、但し、フィルター内のイ
オンビー１１の軌ｉ＋ｆｆ ＆、Ｌ実際に＆、Ｌ二」−
ン状とはならず図には中心ビームＲ１と」−ンの母線に
沿った二′つのビームＲ２，Ｒ３が示ｄれ−（いる、１
ここＣイオンビームの入射条件とし−Ｃは第３図の如く
入射器にａ３りるイオンビー１、・−」−ンの半径、ｙ
座標位置、×座標位置、１）位置を夫々ρＱ 、 ＸＱ
。
入射面から７１の点かでの頂点と４ぼるように入用づ−
る状態ノ）（示され（いる、、但し、フィルター内のイ
オンビー１１の軌ｉ＋ｆｆ ＆、Ｌ実際に＆、Ｌ二」−
ン状とはならず図には中心ビームＲ１と」−ンの母線に
沿った二′つのビームＲ２，Ｒ３が示ｄれ−（いる、１
ここＣイオンビームの入射条件とし−Ｃは第３図の如く
入射器にａ３りるイオンビー１、・−」−ンの半径、ｙ
座標位置、×座標位置、１）位置を夫々ρＱ 、 ＸＱ
。
Ｖｏ、ψとし、−」−ンの半頂角をαとして次の境界条
件がんえられる。
件がんえられる。
力、ノイールド内に〔Ｂ ！ｌるイ１η電粒子線の各ル
標り向の運動Ｉ）杆式４．１次のようになる、。
標り向の運動Ｉ）杆式４．１次のようになる、。
フィルクー内にＪｕｌノるイオンご−ムかぞの入出射端
面のビームｌｊ面から推定して恰も図中破線で示づ如く
直進すると考えたどきに、ｆｆ意の／位置（こお（〕る
投影像Ｐの×、■方向の大きさは上記（９）、（’１０
）式から次のＪ、うに表わされる、１但し？’−＝静＝
子岸 （１１）、（１２）式におけるψがＯから２πまで回転
しＣ」−ンが形成されるので（１１）。
面のビームｌｊ面から推定して恰も図中破線で示づ如く
直進すると考えたどきに、ｆｆ意の／位置（こお（〕る
投影像Ｐの×、■方向の大きさは上記（９）、（’１０
）式から次のＪ、うに表わされる、１但し？’−＝静＝
子岸 （１１）、（１２）式におけるψがＯから２πまで回転
しＣ」−ンが形成されるので（１１）。
（１２）式は前記投彰（収差）像の助変数表現であると
いえる。例えば＜１１）、（１２）式にお＆Ｊる α２
の項／Ｉ（無視できる場合には、次式％式％） が導かれ半径 ？Ｇ、＝＝（Ｚ−Ｚｉ）・αの円形像が
形成されることになる。また、Ｚ−１＋／２．７ｉ＝１
４／２とすればｘ、■は共にα２の項まで石と（ｊす、
幾何収差を零どすることができる。
いえる。例えば＜１１）、（１２）式にお＆Ｊる α２
の項／Ｉ（無視できる場合には、次式％式％） が導かれ半径 ？Ｇ、＝＝（Ｚ−Ｚｉ）・αの円形像が
形成されることになる。また、Ｚ−１＋／２．７ｉ＝１
４／２とすればｘ、■は共にα２の項まで石と（ｊす、
幾何収差を零どすることができる。
以上の結果をまとめると、ウィーン型ノイルターから出
用されるイオンビーム、に対し゛Ｃ集束を与λ、る集束
レンズに関して４．Ｌフィルターの中心に物面が存在す
るかのＪ、うに調整りれば少くともフィルターの電磁場
にＬζ゛）′り幾何収ノ”この影響が除去され、フィル
ターの前段に置かれる集束レンズに対してはノイルクー
の中心どイＡシ源の仮想像面位置が一致するように調整
づれば、フィルターにＪ、る色収差の影響が除去される
ことが明らか（゛ある、。
用されるイオンビーム、に対し゛Ｃ集束を与λ、る集束
レンズに関して４．Ｌフィルターの中心に物面が存在す
るかのＪ、うに調整りれば少くともフィルターの電磁場
にＬζ゛）′り幾何収ノ”この影響が除去され、フィル
ターの前段に置かれる集束レンズに対してはノイルクー
の中心どイＡシ源の仮想像面位置が一致するように調整
づれば、フィルターにＪ、る色収差の影響が除去される
ことが明らか（゛ある、。
そこで第５）図に示す如く、ウィーン型フィルターを動
ｆ］さけない状態でウィーン型ノ、ｒルクーの中心部に
イＡン源の像を形成し、更にこの像を試わ１面上に結像
りるように２段口の集束レンズを調整°づれば、ウィー
ン型フィルターを動作させ−（ムぞの収り；の影響を殆
んど受けることなく試料面１−に微小１￥を右Ｊるイオ
ンビームを照射りることが可能どなる。
ｆ］さけない状態でウィーン型ノ、ｒルクーの中心部に
イＡン源の像を形成し、更にこの像を試わ１面上に結像
りるように２段口の集束レンズを調整°づれば、ウィー
ン型フィルターを動作させ−（ムぞの収り；の影響を殆
んど受けることなく試料面１−に微小１￥を右Ｊるイオ
ンビームを照射りることが可能どなる。
以上のように、本発明のｊ）払にＪ５れば動電粒子線装
置にお番プる向電粒子線の］ネルギーを」、り均−＝に
しかも微小に結像させることが容易となるので、荷電粒
子線装置の性ＯＬ向十に人ぎく寄〜（Ｊ−る。
置にお番プる向電粒子線の］ネルギーを」、り均−＝に
しかも微小に結像させることが容易となるので、荷電粒
子線装置の性ＯＬ向十に人ぎく寄〜（Ｊ−る。
第１図（まイＡンンイク［」アナライザの光学系を示Ｊ
略図、第２図乃至第４図はウィーン型フィルターにおけ
る収差を説明するための略図、第５図は本発明方法を説
明りるための略図である。 １ニー（Ａン源、２：イＡンビーム、３．４：集東レン
ズ、５：試別、６：ウイーン型フィルター。 ７ａ、７ｂ：静電］偏向４Ｆ２．８ａ：磁極板、９：絞
り板、。 特１１出願人 口木電子株式会社 代表者 伊藤 −人
略図、第２図乃至第４図はウィーン型フィルターにおけ
る収差を説明するための略図、第５図は本発明方法を説
明りるための略図である。 １ニー（Ａン源、２：イＡンビーム、３．４：集東レン
ズ、５：試別、６：ウイーン型フィルター。 ７ａ、７ｂ：静電］偏向４Ｆ２．８ａ：磁極板、９：絞
り板、。 特１１出願人 口木電子株式会社 代表者 伊藤 −人
Claims (1)
- ｌｊｌ電粒子線ｌ！；１から光散りる荷電粒子線を、そ
の中間にウィーン型フィルターを有りる２段のレンズに
、ｊつ−（集束！１ろ際に、前記ウィーン型フィルター
の中央（１／直を該フィルターの前段のレンズの仮想像
面イ装置及び該ノイルターの後段のレンズの仮想物面位
置ど 致させるように前記レンズの強疫を調整１Ｊるこ
とを特徴とり−る荷電粒子線の床束〕） ン人 、。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57186919A JPS5975550A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 荷電粒子線の集束方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57186919A JPS5975550A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 荷電粒子線の集束方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5975550A true JPS5975550A (ja) | 1984-04-28 |
| JPH0133897B2 JPH0133897B2 (ja) | 1989-07-17 |
Family
ID=16196988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57186919A Granted JPS5975550A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 荷電粒子線の集束方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5975550A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6465759A (en) * | 1987-08-10 | 1989-03-13 | Philips Nv | Charged powder apparatus with beam discriminator |
| JP2001148227A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-29 | Advantest Corp | ２つの粒子線を分離するための偏向装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5916065U (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-31 | 株式会社日立製作所 | 質量分析光学系 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5916065B2 (ja) * | 1975-09-02 | 1984-04-13 | ト−ヨ−カネツ （株） | 二重殻低温貯槽屋根エア−浮上施工方法 |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP57186919A patent/JPS5975550A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5916065U (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-31 | 株式会社日立製作所 | 質量分析光学系 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6465759A (en) * | 1987-08-10 | 1989-03-13 | Philips Nv | Charged powder apparatus with beam discriminator |
| JP2001148227A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-29 | Advantest Corp | ２つの粒子線を分離するための偏向装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0133897B2 (ja) | 1989-07-17 |
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