JPS59688A - 敏感な物理的構造体をほぼ気密に相互作用するように被覆する方法 - Google Patents
敏感な物理的構造体をほぼ気密に相互作用するように被覆する方法Info
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- JPS59688A JPS59688A JP58059377A JP5937783A JPS59688A JP S59688 A JPS59688 A JP S59688A JP 58059377 A JP58059377 A JP 58059377A JP 5937783 A JP5937783 A JP 5937783A JP S59688 A JPS59688 A JP S59688A
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- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、敏感な物理的構造体を構造担体表面を汚染物
、化学的攻撃及び／又は物理的損傷の影響から保護する
ためにほぼ気密に相互作用するように被覆する方法に関
する。
、化学的攻撃及び／又は物理的損傷の影響から保護する
ためにほぼ気密に相互作用するように被覆する方法に関
する。
多数の精密工学的、ミクロ電子工学的、物理学的、医学
的、化学的構成部材及び構造要素の場合には、実際に表
面で塗布される官能構造体を環境の腐蝕性成分、攻撃性
成分及び構造を変化せしめる化学的成分の攻撃から特に
有効に保護するか又はガス状又は蒸気状大気成分ならび
に液状大気成分の侵入又は交換に対して遮蔽するという
問題が起こる。
的、化学的構成部材及び構造要素の場合には、実際に表
面で塗布される官能構造体を環境の腐蝕性成分、攻撃性
成分及び構造を変化せしめる化学的成分の攻撃から特に
有効に保護するか又はガス状又は蒸気状大気成分ならび
に液状大気成分の侵入又は交換に対して遮蔽するという
問題が起こる。
今日の科学技術において数多くのこの種の問題提起の際
にほぼ“′気密の″シールを得るという多数の方法が認
識されている。この場合、多数の別の代替物としては次
のものが挙げられる：ａ）金属構造担体と金属で溶接又
はロウ接され、特殊な場合には有機結合剤又はより良好
になお無機結合剤を用いて接着された金属被覆、ｂ）構
造担体と溶融又は接着されたガラス被覆及びセラミック
被覆、 Ｃ）電気メツキ被膜、 ｄ）酸化物被膜、 ｅ）真空中で例えばスパッター法又は蒸着法によって堆
積された金属酸化物被膜又はセラミック被膜、 ｆ）エピタキシ一層。
にほぼ“′気密の″シールを得るという多数の方法が認
識されている。この場合、多数の別の代替物としては次
のものが挙げられる：ａ）金属構造担体と金属で溶接又
はロウ接され、特殊な場合には有機結合剤又はより良好
になお無機結合剤を用いて接着された金属被覆、ｂ）構
造担体と溶融又は接着されたガラス被覆及びセラミック
被覆、 Ｃ）電気メツキ被膜、 ｄ）酸化物被膜、 ｅ）真空中で例えばスパッター法又は蒸着法によって堆
積された金属酸化物被膜又はセラミック被膜、 ｆ）エピタキシ一層。
更に、シール性に関して著しく限定することにより、な
お有機ラッカー、シート、塗料又は成形部材からなる被
覆を使用することができる。
お有機ラッカー、シート、塗料又は成形部材からなる被
覆を使用することができる。
しかし、この被覆は、高い化学的抵抗性及び優れた流動
性ならびに殊に撥水性を有する場合であっても構造体を
長時間にわたって低分子量を有するガス及び蒸気に対し
て不完全に密封することができるにすぎない。それとい
うのも、これらの有機被覆物質は、一般に前記のガスに
対して分子フィルターを表わす架橋された高分子構造を
有するからである。
性ならびに殊に撥水性を有する場合であっても構造体を
長時間にわたって低分子量を有するガス及び蒸気に対し
て不完全に密封することができるにすぎない。それとい
うのも、これらの有機被覆物質は、一般に前記のガスに
対して分子フィルターを表わす架橋された高分子構造を
有するからである。
この場合、典型的な例は、集積半導体接続回路及び構成
素子のためのケーシングを提供する：広幅のベース上に
使用されｆｃ７°ラスチックケーシングは、比較的に厚
肉の被覆を使用するにも拘らず水蒸気及び別の構造を損
ねるガスに対して制限された保護を提供するにすぎず；
長時間の安定性（ミル−実施例）は、金属ケーシング及
びセラミック材料からなるケーシングを保証するにすぎ
ない（Ａｔ２０３等）。
素子のためのケーシングを提供する：広幅のベース上に
使用されｆｃ７°ラスチックケーシングは、比較的に厚
肉の被覆を使用するにも拘らず水蒸気及び別の構造を損
ねるガスに対して制限された保護を提供するにすぎず；
長時間の安定性（ミル−実施例）は、金属ケーシング及
びセラミック材料からなるケーシングを保証するにすぎ
ない（Ａｔ２０３等）。
工業的に適当な解決を選択することは、できるだけ気密
に封印することの要件になお被覆によって構造担体及び
／又は構造体それ自体の機能性に少なくとも影響を及ぼ
すという必要性をさらに加える場合に特に著しく制限さ
れる。
に封印することの要件になお被覆によって構造担体及び
／又は構造体それ自体の機能性に少なくとも影響を及ぼ
すという必要性をさらに加える場合に特に著しく制限さ
れる。
従って、構造担体及び／又は構造体それ自体の熱容量、
熱伝達係数、質量又は幾何学的寸法を被覆を設けること
に。よってできるだけ無視してもよい程度に変えること
が必要であるか又は放射線、電磁ａ（光線）又は音波を
できるだけ支障なしに構造体に対して導入しなければな
らないことが要求される。
熱伝達係数、質量又は幾何学的寸法を被覆を設けること
に。よってできるだけ無視してもよい程度に変えること
が必要であるか又は放射線、電磁ａ（光線）又は音波を
できるだけ支障なしに構造体に対して導入しなければな
らないことが要求される。
この場合、゛構造体”としては、長時間安定性及び再現
可能性について高い要件を課されなければならない、特
（金属又は半導体材料からなるセンサー素子及び電気的
回路網、例えば光ダイオード、サーミスタ（Ｈｅｉβ−
ｕｎｄ Ｋａｌｔｌｅｉｔｅｒ ）、ガウス素子、コイ
ル、コンデンサー被覆、箔抵抗回路網、線材抵抗回路網
及び薄膜抵抗回路網ならびにその他多数がこれに該当す
る。
可能性について高い要件を課されなければならない、特
（金属又は半導体材料からなるセンサー素子及び電気的
回路網、例えば光ダイオード、サーミスタ（Ｈｅｉβ−
ｕｎｄ Ｋａｌｔｌｅｉｔｅｒ ）、ガウス素子、コイ
ル、コンデンサー被覆、箔抵抗回路網、線材抵抗回路網
及び薄膜抵抗回路網ならびにその他多数がこれに該当す
る。
この場合、１つの重要な使用例は、力、圧力、捩シモー
メント等の精密検出器であり、それは、伸びに敏感なセ
ンサー、例えば歪デージ（ＤＭＳ ）、５ＡＷ−ジェネ
レーター、容量検出器によシ、測定ばねが測定すべき、
前記の機械的性質の作用下で受ける、構造担体としての
測定ばね体の表面領域が示す表面の伸びを電気的に使用
可能な信号に変換する。
メント等の精密検出器であり、それは、伸びに敏感なセ
ンサー、例えば歪デージ（ＤＭＳ ）、５ＡＷ−ジェネ
レーター、容量検出器によシ、測定ばねが測定すべき、
前記の機械的性質の作用下で受ける、構造担体としての
測定ばね体の表面領域が示す表面の伸びを電気的に使用
可能な信号に変換する。
本発明の課題は、この種の歪ゲージ及び全部の他の同様
の、表面に塗布される機能性構造体を特に有効に機能の
影響なしに被覆する方法を記載することである。
の、表面に塗布される機能性構造体を特に有効に機能の
影響なしに被覆する方法を記載することである。
この課題は、被覆材料として真空気密の無機材料からな
る極薄シートを使用し、この極薄シートを保護すべき構
造体と緊密に結合しならびに構造体の直接の環境中で大
面積の表面領域で担体と緊密に結合することを特徴とす
る。敏感な物理的構造体をほぼ気密に相互作用するよう
に被覆する方法によって解決される。
る極薄シートを使用し、この極薄シートを保護すべき構
造体と緊密に結合しならびに構造体の直接の環境中で大
面積の表面領域で担体と緊密に結合することを特徴とす
る。敏感な物理的構造体をほぼ気密に相互作用するよう
に被覆する方法によって解決される。
次に、本発明を歪デージの実施例につき図面で詳説する
。
。
第１図は、平面図で底辺の幅Ｂ及び高さＬの大体におい
て二等辺三角形の形状を有する、一定の材料の厚さＨの
測定用片持ばね１を有する精密−力検出器を示す。この
力検出器は、その底辺で強固に支持され、その荷重攻撃
点５で底辺からの距離りで測定すべき力Ｆによって反応
作用を受ける。
て二等辺三角形の形状を有する、一定の材料の厚さＨの
測定用片持ばね１を有する精密−力検出器を示す。この
力検出器は、その底辺で強固に支持され、その荷重攻撃
点５で底辺からの距離りで測定すべき力Ｆによって反応
作用を受ける。
この片持ばねが弾性率Ｅを有する等方性で高弾性の著し
く摩擦力が低いばね材料から製造されている場合には、
強度の思想の理論にょシ三角形のビーム範囲内で力Ｆに
よって上側の表面で引張伸びε２が生じ、かつ下側の表
面で同じ値の圧縮歪ε。が生じ、これは、式（■）＝１
６１−」ヨー２・Ｆ （Ｉ） ＺｔＤ Ｅ−Ｂ−）Ｔ によシ計算することができる。
く摩擦力が低いばね材料から製造されている場合には、
強度の思想の理論にょシ三角形のビーム範囲内で力Ｆに
よって上側の表面で引張伸びε２が生じ、かつ下側の表
面で同じ値の圧縮歪ε。が生じ、これは、式（■）＝１
６１−」ヨー２・Ｆ （Ｉ） ＺｔＤ Ｅ−Ｂ−）Ｔ によシ計算することができる。
ところで、この伸び及び歪は、公知方法で歪デージ（Ｄ
ＭＳ） ２によってそれらの元の値Ｒの相ΔＲ 対変化−に変化することができ、 ΔＲ π＝ｋ・εｚ、 Ｄ（ＩＩ ） この場合、比例係数には、金属抵抗区間を有するＤＭＳ
において約２ないし６の値を有し、これに対して半導体
抵抗区間の場合には、１５０〜強度の理由から材料の伸
び及び歪εｍａｘは、最大荷重の場合にＦｍａ’ｘによ
って 程度に著しく高い値を有することができないので、殊に
卓越せる直線性の性質を示した、金属抵抗回路網（箔、
線材、薄膜層）を有するＤＭＳの場合に最大に使用可能
な抵抗変化は、式（ＩＩ）及び（ｆｌＩ）によシ ２・１０罰≦ｌ−司≦６・１Ｏ−３（ＩＶ）であるにす
ぎない。この種の小さい抵抗変化を外部の妨害の影響の
作用下で（１ｖ）により確実によりも小さく保持するこ
とができなくてはならない。しかし、他面で通常ホイー
トストンプリ初期測定電圧孜ｒｐ−小さい供給電圧能率
の点で典型的に６００ないし１０００Ωを有する高いＤ
ＭＳ−基本抵抗Ｒが使用さ・れるので、ＤＭＳ抵抗区間
（ｄ、式（Ｖ）により抵抗区間を所謂分路として平行に
存在せしめる。
ＭＳ） ２によってそれらの元の値Ｒの相ΔＲ 対変化−に変化することができ、 ΔＲ π＝ｋ・εｚ、 Ｄ（ＩＩ ） この場合、比例係数には、金属抵抗区間を有するＤＭＳ
において約２ないし６の値を有し、これに対して半導体
抵抗区間の場合には、１５０〜強度の理由から材料の伸
び及び歪εｍａｘは、最大荷重の場合にＦｍａ’ｘによ
って 程度に著しく高い値を有することができないので、殊に
卓越せる直線性の性質を示した、金属抵抗回路網（箔、
線材、薄膜層）を有するＤＭＳの場合に最大に使用可能
な抵抗変化は、式（ＩＩ）及び（ｆｌＩ）によシ ２・１０罰≦ｌ−司≦６・１Ｏ−３（ＩＶ）であるにす
ぎない。この種の小さい抵抗変化を外部の妨害の影響の
作用下で（１ｖ）により確実によりも小さく保持するこ
とができなくてはならない。しかし、他面で通常ホイー
トストンプリ初期測定電圧孜ｒｐ−小さい供給電圧能率
の点で典型的に６００ないし１０００Ωを有する高いＤ
ＭＳ−基本抵抗Ｒが使用さ・れるので、ＤＭＳ抵抗区間
（ｄ、式（Ｖ）により抵抗区間を所謂分路として平行に
存在せしめる。
Ｒｉｓ。≦（１，５ないし６０）・１０９Ω （Ｖ
ｌ）よりも多い絶縁抵抗Ｒ１５ｏＯ値を有しなければな
らない程度に良好に絶縁さ−Ｉ″Ｌなければならない。
ｌ）よりも多い絶縁抵抗Ｒ１５ｏＯ値を有しなければな
らない程度に良好に絶縁さ−Ｉ″Ｌなければならない。
これは、第１図のＤＭＳの抵抗区間３の絶縁担体４中及
び該抵抗路間の絶縁面内に、多種多様な方法で電解質絶
縁欠損及び部分的に電気的障害応力をまねく湿分が全く
浸入しえないことを配慮することができるノ易合にのみ
長時ｌ″ｉ５にわたジ可能であるにすぎない。
び該抵抗路間の絶縁面内に、多種多様な方法で電解質絶
縁欠損及び部分的に電気的障害応力をまねく湿分が全く
浸入しえないことを配慮することができるノ易合にのみ
長時ｌ″ｉ５にわたジ可能であるにすぎない。
この効果を特に回避するためには、当該工業界でＤＭＳ
−；構造体を湿分の浸入に対して遮蔽する多数の方法が
公知である： １、 第２図による真空気密の、特に金属性のケーシン
グ６での完全な測定ばねの包被。この場合には、測定力
Ｆが可撓性ではあるが、同様に真空気密の結合部材７，
８により外から測定、ばねに作用しなければならないと
いう問題を常に解決することができる。
−；構造体を湿分の浸入に対して遮蔽する多数の方法が
公知である： １、 第２図による真空気密の、特に金属性のケーシン
グ６での完全な測定ばねの包被。この場合には、測定力
Ｆが可撓性ではあるが、同様に真空気密の結合部材７，
８により外から測定、ばねに作用しなければならないと
いう問題を常に解決することができる。
この種の結合部材としては、多くの場合に金属ベロー又
は蛇腹が使用され、著しく大きい測定力の場合にｊｒ、
、０−リング−シールも使用された。
は蛇腹が使用され、著しく大きい測定力の場合にｊｒ、
、０−リング−シールも使用された。
この方法は、高い費用とともに、結合部材が、摩擦力を
有しかつその有効表面積によりケーシング内圧と環境大
気との圧力差（温度変化及び空気圧変化）で誤差のある
付加的な力を発生させる、測定力のための力分路である
という欠点を有する。
有しかつその有効表面積によりケーシング内圧と環境大
気との圧力差（温度変化及び空気圧変化）で誤差のある
付加的な力を発生させる、測定力のための力分路である
という欠点を有する。
この誤差の影響は、最大の力Ｆ が小さけａＸ
れば小さいほど、ますます相対的に不利にな９、そのた
めに力検出器を寸法決定することができる。この誤差の
影響は、今日まで例えば鏝犬の力Ｆｍａｘ≦１ＯＮで誤
差限界ｆｒｅｌ≦２−１０−４の範囲内でなお克服する
ことができない。
めに力検出器を寸法決定することができる。この誤差の
影響は、今日まで例えば鏝犬の力Ｆｍａｘ≦１ＯＮで誤
差限界ｆｒｅｌ≦２−１０−４の範囲内でなお克服する
ことができない。
冬例えばロウ、ビチューメン、’：３” ム、７ ＩＪ
コーンゴム等からなる撥水性被膜でのＤＭＳ及びそ八
に隣接せる測定ばねの表面・領域の被覆。この場合には
、箔該ＤＭＳ−工業界によって有機被覆剤Ｏ広幅のスペ
クトルが提供される。
コーンゴム等からなる撥水性被膜でのＤＭＳ及びそ八
に隣接せる測定ばねの表面・領域の被覆。この場合には
、箔該ＤＭＳ−工業界によって有機被覆剤Ｏ広幅のスペ
クトルが提供される。
この被膜は、実際に湿り気、ダスト、機械的損傷及び多
数の化学的攻撃性大気成分からのＤＭＳの保護を提供し
、著しく小さい弾性率のために無視してよいカ分路とし
て測定ばねの測定の性質に重要でない程度にのみ影響を
及ぼすにすぎない。
数の化学的攻撃性大気成分からのＤＭＳの保護を提供し
、著しく小さい弾性率のために無視してよいカ分路とし
て測定ばねの測定の性質に重要でない程度にのみ影響を
及ぼすにすぎない。
しかし、この被膜は、高分子有機化合物として水蒸気透
過性分子フィルターに適当であるので、そｉ″Ｌは水分
の長時間の浸入に対して全く有効な保護を提供しない。
過性分子フィルターに適当であるので、そｉ″Ｌは水分
の長時間の浸入に対して全く有効な保護を提供しない。
長期にわ、する著しく強力で拡張された研究等がｄｉｅ
ｐｈｙｓｉｋａｌｉｓｃｌｌｔｅｃｈｎｉｓｃｈｅｎ
Ｂｕｎｄｅｓａｎｓｔａｌｔ 、 Ｂｒａｕｎｓｃ
ｈｗｅｉｇ在、（ＰＴＢ）、で証明されたように、今日
まで前記被覆剤の何れをとっても長時間ドリフトは、４
Ｘ １０−４の値よシも低く減少することはない。
ｐｈｙｓｉｋａｌｉｓｃｌｌｔｅｃｈｎｉｓｃｈｅｎ
Ｂｕｎｄｅｓａｎｓｔａｌｔ 、 Ｂｒａｕｎｓｃ
ｈｗｅｉｇ在、（ＰＴＢ）、で証明されたように、今日
まで前記被覆剤の何れをとっても長時間ドリフトは、４
Ｘ １０−４の値よシも低く減少することはない。
６、薄い金属箔での被覆。前記方法２によるよりも良好
な密封の結果は、第６図に相当するＤＭＳ′５ｒ：その
抵抗区間の付加的な被覆後に絶縁層９及び金属箔１０に
よって極めて小さい厚さに被覆し、この箔をできるだけ
広＜ ＤＭＳ ’ｌの担体シート４にわたって接着剤を
用いてできるだけ薄い層で測定ばね表面と接着する場合
に達成することができることは明らかである。
な密封の結果は、第６図に相当するＤＭＳ′５ｒ：その
抵抗区間の付加的な被覆後に絶縁層９及び金属箔１０に
よって極めて小さい厚さに被覆し、この箔をできるだけ
広＜ ＤＭＳ ’ｌの担体シート４にわたって接着剤を
用いてできるだけ薄い層で測定ばね表面と接着する場合
に達成することができることは明らかである。
この方法は、金属箔と測定はね表面との間の接着間隙１
５が有効に極めて薄く長く延びている限り、著しく有効
な水分からの保護を提供し、この保護は、ＰＴＢでの研
究によれば前記２．に記載の方法とは異なυ長時間安定
性の点で明白な改善を示す。
５が有効に極めて薄く長く延びている限り、著しく有効
な水分からの保護を提供し、この保護は、ＰＴＢでの研
究によれば前記２．に記載の方法とは異なυ長時間安定
性の点で明白な改善を示す。
殊に、小さい最大の力Ｆ□＆えに対する測定ばねにおい
て、金属被覆は、注意すべき力分路を表わす、そルとい
うのも圧延技術の今日の公知水準の場合、良好なばねの
性質を有する金属は、金属箔が、細孔を有さすかつ真空
気密であることがそのまま保証されなければならない場
合に約６μの最小の厚さに下側に圧延することができる
にすぎないからである。
て、金属被覆は、注意すべき力分路を表わす、そルとい
うのも圧延技術の今日の公知水準の場合、良好なばねの
性質を有する金属は、金属箔が、細孔を有さすかつ真空
気密であることがそのまま保証されなければならない場
合に約６μの最小の厚さに下側に圧延することができる
にすぎないからである。
しかし、同時に測定表面と被覆シートとの距離は、付加
的な絶縁層９によって拡大され、したがってその弾性結
合は、同時に悪化する。そ力、というのも、この弾性結
合は、劣悪な機械的弾性挙動を有する種々の絶縁材料の
多数の層を介して行なわれるからである。
的な絶縁層９によって拡大され、したがってその弾性結
合は、同時に悪化する。そ力、というのも、この弾性結
合は、劣悪な機械的弾性挙動を有する種々の絶縁材料の
多数の層を介して行なわれるからである。
従って、この種の被覆された測定ばねは、実際に概して
力検出器の測定精度を多少とも著しく制限する相対的に
大きいクリープ誤差及びとステリシス誤差を示す。
力検出器の測定精度を多少とも著しく制限する相対的に
大きいクリープ誤差及びとステリシス誤差を示す。
４、薄膜ＤＭＳの場合の無機被膜６．プラスチック担体
４上に箔又は線材の形の抵抗区間を有する普通のＤＭＳ
の代りに、真空中で種々の方法（スパッター、蒸着等）
により数ナノメートルないし約１μの層厚で同様に真空
中で設けられた無機絶縁層４上で測定ばね表面と極めて
狭隘に接触される所謂薄膜−抵抗区間３を使用する場合
には、今日の公知技術水準において、この種のＤＭＳ−
構造体を最終的になお真空中で極薄の無機（酸化物、セ
ラミック）被覆層で覆うことができ、該被覆層は、完全
な気密保護を提供する。
４上に箔又は線材の形の抵抗区間を有する普通のＤＭＳ
の代りに、真空中で種々の方法（スパッター、蒸着等）
により数ナノメートルないし約１μの層厚で同様に真空
中で設けられた無機絶縁層４上で測定ばね表面と極めて
狭隘に接触される所謂薄膜−抵抗区間３を使用する場合
には、今日の公知技術水準において、この種のＤＭＳ−
構造体を最終的になお真空中で極薄の無機（酸化物、セ
ラミック）被覆層で覆うことができ、該被覆層は、完全
な気密保護を提供する。
（Ｋ、Ｂｅｔｈｅ及びり、Ｓｃｈ’ｏｎ著：″Ｍｅβａ
ｕｆｎｅｈｍｅｒｒｎｉｔ ＤＵｎｎｆｉｌｍ−ＤＭＳ
”、 Ｐｈ１ｌｉｐｓ ｔｅｃｈｎ、 Ｒｄｓｃｈ。
ｕｆｎｅｈｍｅｒｒｎｉｔ ＤＵｎｎｆｉｌｍ−ＤＭＳ
”、 Ｐｈ１ｌｉｐｓ ｔｅｃｈｎ、 Ｒｄｓｃｈ。
社刊、第３９巻、１９８０／８１年、Ｎα４、第１１７
頁〜第１２５頁、参照）。
頁〜第１２５頁、参照）。
この種の方法は、実際に、殊に小さい最大の力に対して
既に著しく長時間安定の力検出器を有するが、圧力検出
器、捩９モーメント検出器及び加速度検出器も可能なら
しめる。しかし、しかし、高価のばね材料を使用するに
も拘らず、これらの検出器の場合多少とも強い材料クリ
ープ効果は、達成可能な精度の１つの限界を表わす。
既に著しく長時間安定の力検出器を有するが、圧力検出
器、捩９モーメント検出器及び加速度検出器も可能なら
しめる。しかし、しかし、高価のばね材料を使用するに
も拘らず、これらの検出器の場合多少とも強い材料クリ
ープ効果は、達成可能な精度の１つの限界を表わす。
この方法のもう１つの重大な欠点は、相対的に小さい幾
同学的寸法を有する測定ばねに対する使用限界の点に認
められ、この測定ばねは、真空炉中で経済的に許容しう
る費用で完成されなければならない。同じ理由から、形
状の自由も測定ばねの構造的形状の点で極めて著しく制
限されている。
同学的寸法を有する測定ばねに対する使用限界の点に認
められ、この測定ばねは、真空炉中で経済的に許容しう
る費用で完成されなければならない。同じ理由から、形
状の自由も測定ばねの構造的形状の点で極めて著しく制
限されている。
本発明によれば、先にＤＭＳを有する力検出器の実施例
で記載した、はぼ気密の被覆を；寿る公知方法の欠点は
、保護すべき構造体及びその周囲を、相対的に厚い金属
箔で被覆するか又は全く分子フィルターとして作用する
塗布可能な有機被覆剤で被覆する代りに、できるだけ良
好な電気絶縁性を有する極薄の、できるだけ単結晶の無
機シートで被覆することによって回避することかでさる
。
で記載した、はぼ気密の被覆を；寿る公知方法の欠点は
、保護すべき構造体及びその周囲を、相対的に厚い金属
箔で被覆するか又は全く分子フィルターとして作用する
塗布可能な有機被覆剤で被覆する代りに、できるだけ良
好な電気絶縁性を有する極薄の、できるだけ単結晶の無
機シートで被覆することによって回避することかでさる
。
この場合には、成果の見込みをもって極薄：ｌｃ延伸さ
れたガラスからなる薄層を使用することができた。それ
というのも、この材料は、被覆すべき構造体、非平坦性
又は曲率に敏感に適合させるために、さらになお約１μ
の程度の肉厚で気密に密封する能力を有し、この寸法で
既に十分な機械的可撓院を示すからである。しかし、こ
のような小さい肉厚の製造は費用がかかる。
れたガラスからなる薄層を使用することができた。それ
というのも、この材料は、被覆すべき構造体、非平坦性
又は曲率に敏感に適合させるために、さらになお約１μ
の程度の肉厚で気密に密封する能力を有し、この寸法で
既に十分な機械的可撓院を示すからである。しかし、こ
のような小さい肉厚の製造は費用がかかる。
しかし、本発明によれば、単結晶雲母は、新しい種類の
被覆法を実現する遥かに最高の前提条件を提供する。
被覆法を実現する遥かに最高の前提条件を提供する。
雲母は、公知方法でその結晶平面に沿って比較的容易に
ｉ ｌｔよりも小さい層厚に骨間することができ、それ
は透明であシ、光透過性であり、極めて良好な電気絶縁
性を有し、多くの場合に大気中て存在する化学的攻撃性
媒体に対して安定である。雲母それ自体は、その結晶構
造のために数ナノメートルの程度の層厚で絶対真空気密
であり、その限りにおいて気密の被覆に課すべき全部の
前提条件を充足する。この材料のもう１つの利点は、極
めて小さい曲率半径、ひいては構造非平坦性の適合能力
を可能にする、層方向への弾性及びばね性の性質に認め
ることができる。
ｉ ｌｔよりも小さい層厚に骨間することができ、それ
は透明であシ、光透過性であり、極めて良好な電気絶縁
性を有し、多くの場合に大気中て存在する化学的攻撃性
媒体に対して安定である。雲母それ自体は、その結晶構
造のために数ナノメートルの程度の層厚で絶対真空気密
であり、その限りにおいて気密の被覆に課すべき全部の
前提条件を充足する。この材料のもう１つの利点は、極
めて小さい曲率半径、ひいては構造非平坦性の適合能力
を可能にする、層方向への弾性及びばね性の性質に認め
ることができる。
第４図１は、片持ばね一力、検出器の実施例につき新し
い種類の被覆法の利点を示す。
い種類の被覆法の利点を示す。
普１虫の構造様式（線材、箔、半導体）のＤＭＳ２は、
保護すべき構造体として公知方法により検出測定ばねの
表面上に設けられる。
保護すべき構造体として公知方法により検出測定ばねの
表面上に設けられる。
このＤＭＳは、本発明のもう１つの提案によれば、全部
の他の普通の電気絶縁性で機械的に保護する被覆９（第
３図）なしに有利に上側で完成することができ、もう１
つの本発明の思想によれば、絶縁担体材料４として必要
な場合に同様に薄い雲母箔を有することができる。
の他の普通の電気絶縁性で機械的に保護する被覆９（第
３図）なしに有利に上側で完成することができ、もう１
つの本発明の思想によれば、絶縁担体材料４として必要
な場合に同様に薄い雲母箔を有することができる。
この薄い雲母箔は、第１に！−厚が１μよりも小さい値
で使用可能であるのでＤＭＳ−クリープの減少に関連し
て有利（Ｃ作用し、第２に絶縁抵抗の著しい増大及びな
かんずく電気的破壊強さの著しい増大に有利に作用し、
このことは、殊に固有安全性の検出器及び／又は爆発か
ら保護される検出器の完成に対して大いに重要視するこ
とができる。
で使用可能であるのでＤＭＳ−クリープの減少に関連し
て有利（Ｃ作用し、第２に絶縁抵抗の著しい増大及びな
かんずく電気的破壊強さの著しい増大に有利に作用し、
このことは、殊に固有安全性の検出器及び／又は爆発か
ら保護される検出器の完成に対して大いに重要視するこ
とができる。
しかし、全ての場合に雲母からなる電極供給担体シート
１２を使用することは有利であり、この電極供給担体シ
ートは、もう１つの本発明思想によればＤＭＳを使用す
る際にもプラスチッ久担体４と一緒に使用することがで
きる。
１２を使用することは有利であり、この電極供給担体シ
ートは、もう１つの本発明思想によればＤＭＳを使用す
る際にもプラスチッ久担体４と一緒に使用することがで
きる。
このようにして測定ばね表面（構造担体表面）と結合し
たＤＭＳ４抗区間装置（構造体）は、次に全体としてで
きるだけ十分にＤＭＳ （構造体）の限界を越え、直接
に隣接した測定ばね表面を覆って極薄の雲母箔−被覆１
３で被覆される。
たＤＭＳ４抗区間装置（構造体）は、次に全体としてで
きるだけ十分にＤＭＳ （構造体）の限界を越え、直接
に隣接した測定ばね表面を覆って極薄の雲母箔−被覆１
３で被覆される。
この目的のために、構造体及び隣接した表面領域は、適
当な稀薄液状の結合剤が設けられ、次に被覆シートは、
弾性中間層を介して押付ラムで高い比押付力で被覆すべ
き表面上に置かれる。
当な稀薄液状の結合剤が設けられ、次に被覆シートは、
弾性中間層を介して押付ラムで高い比押付力で被覆すべ
き表面上に置かれる。
それによって、被覆シートは、その高い可撓性のために
極めて狭隘に全部の非平坦部、構造体の段部及び移行部
ならびに測定はね表面に接着し、こうして測定ばね表面
と、卓越せる密封性を有する被覆シートとの間に著しく
狭隘ではあるが長い区間にわたる密封間隙１５を可能に
する。
極めて狭隘に全部の非平坦部、構造体の段部及び移行部
ならびに測定はね表面に接着し、こうして測定ばね表面
と、卓越せる密封性を有する被覆シートとの間に著しく
狭隘ではあるが長い区間にわたる密封間隙１５を可能に
する。
雲母被覆が光透過性であるために、結合剤は気泡なしに
構造体と被覆シートとの間の全部の残留中間室１１を充
填するにも拘らず、目で見て簡単に制御することができ
、したがってこのことは、気泡が不在の際に検出器を真
空中又は高められた環境圧力下（空気運搬等）で薄い被
覆に対する損傷の危険なしに取扱うことができることが
保証されるので有利である。
構造体と被覆シートとの間の全部の残留中間室１１を充
填するにも拘らず、目で見て簡単に制御することができ
、したがってこのことは、気泡が不在の際に検出器を真
空中又は高められた環境圧力下（空気運搬等）で薄い被
覆に対する損傷の危険なしに取扱うことができることが
保証されるので有利である。
被覆を固定するには、極めて薄い長い区間にわたる密封
間隙１５のために一般に損害なしに有機結合剤（例えば
、自己硬化性多成分系接着剤）を使用することができる
。
間隙１５のために一般に損害なしに有機結合剤（例えば
、自己硬化性多成分系接着剤）を使用することができる
。
しかし、本発明によれば、密封に対する増大された要件
の際に、例えば真空技術から公知であるように真空気密
の無機結合剤を使用しなければならなかった。そのため
に、必要な場合には、測定はね表面を被覆領域の範囲内
で適当な方法で不動態化（例えば、酸化等）することが
できる。
の際に、例えば真空技術から公知であるように真空気密
の無機結合剤を使用しなければならなかった。そのため
に、必要な場合には、測定はね表面を被覆領域の範囲内
で適当な方法で不動態化（例えば、酸化等）することが
できる。
もう１つの本発明のｔｎ徴によれば、適当な方法により
前記の方法で固定した被覆は、他の結晶層を剥離するこ
とによってなおさらに減少させることができ、したがっ
て最終的状態で被覆のノー厚は、なお数ナノメートルの
みである。
前記の方法で固定した被覆は、他の結晶層を剥離するこ
とによってなおさらに減少させることができ、したがっ
て最終的状態で被覆のノー厚は、なお数ナノメートルの
みである。
それによって、被覆の前記した構造的制限及び複雑かつ
費用のかかる完成法を認容することなしに前記４．に記
載の方法の利点及び被覆されてない装置の元来の物理的
性質に対する被覆の極めて僅かな反作用の利点は、十分
に達成される。
費用のかかる完成法を認容することなしに前記４．に記
載の方法の利点及び被覆されてない装置の元来の物理的
性質に対する被覆の極めて僅かな反作用の利点は、十分
に達成される。
本発明方法は、なかんずく材料クリープのみを認めるに
すぎない前記４．に記載の方法に対して測定技術的に決
定的な利点を提供し、その際測定検出器を、ＤＭＳ及び
測定ばね材料の予め異なるクリープが十分に補償され、
それによって測定精度の著しい増大を達成することがで
きる程度に寸法決定することができる。
すぎない前記４．に記載の方法に対して測定技術的に決
定的な利点を提供し、その際測定検出器を、ＤＭＳ及び
測定ばね材料の予め異なるクリープが十分に補償され、
それによって測定精度の著しい増大を達成することがで
きる程度に寸法決定することができる。
添付図面は、本発明による方法の実施例を説明するもの
で、第１ａ図は、片持ばねを被覆してない歪ピーシを示
す略示縦！祈面図、第１ｂ図は、第１ａ図のばねを示す
平面図、第２図は、被覆ケーシング内の第１図による歪
デージを示す略図、第６図は、絶縁層の中間配置下に金
属箔°で被覆された歪ケゞ−ジを示す略示縦断面図、第
４図は、本発明方法によシ被覆された歪・ヒージを示す
略示縦断面図、かつ第５図は、第４図の歪デージを示す
平面図である。 ３・・・抵抗区間、４・・・担体シート、９・・・中間
シート、１２・・・雲母箔担体素子、１３・・・被覆シ
ート、１４・・・電極リード線
で、第１ａ図は、片持ばねを被覆してない歪ピーシを示
す略示縦！祈面図、第１ｂ図は、第１ａ図のばねを示す
平面図、第２図は、被覆ケーシング内の第１図による歪
デージを示す略図、第６図は、絶縁層の中間配置下に金
属箔°で被覆された歪ケゞ−ジを示す略示縦断面図、第
４図は、本発明方法によシ被覆された歪・ヒージを示す
略示縦断面図、かつ第５図は、第４図の歪デージを示す
平面図である。 ３・・・抵抗区間、４・・・担体シート、９・・・中間
シート、１２・・・雲母箔担体素子、１３・・・被覆シ
ート、１４・・・電極リード線
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 敏感な物理的構造体を、構造担体表面を汚染物、
化学的攻撃及び／又は物理的損傷の影響から保護するた
め、殊に湿分及び構造を変化せしめるガスの作用から保
護するためにほぼ気密に相互作用するように被覆する方
法において、被覆材料として真空気密の無機材料からな
る極薄シートを使用し、この極薄シートを保護すべき構
造体と緊密に結合しならびに構造体の直接の環境中で大
面積の表面領域で担体と緊密に結合することを特徴とす
る、敏感な物理的構造体をほぼ気密に相互作用するよう
に被覆する方法。 ２、 シートは単結晶構造を有する、特許請求の範囲第
１項記載の方法。 ６、 極薄の骨間した単結晶雲母箔を被覆シートとして
使用する、特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の方
法。 ４、極薄の延伸したガラスフィルムを被覆シートとして
使用する、特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の方
法。 ５、 ガラスフィルムを腐蝕法によってその厚さの点で
なおさらに薄くする、特許請求の範囲第４項記載の方法
。 ６、 シートと、構造体ないしは担体材料との間に真空
気密の無機材料を結合剤として使用する、特許請求の範
囲第１項〜第５項のいずれか１項に記載の方法。 Ｚ シートと、構造体ないしは担体材料との間に高い電
気絶縁性の自己硬化接着材料を結合剤として使用する、
特許請求の範囲第１項〜第５項のいずれか１項に記載の
方法。 ８、 多成分系接着剤を接着材料として使用する、特許
請求の範囲第７項記載の方法。 ９ 構造体を歪ゲージの形で線材、金属箔又は半導体材
料からなる抵抗区間で被覆するために、雲母箔を担体シ
ート（４）として使用する、特許請求の範囲第１項〜第
７項のいずれか１項に記載の方法。 １０、被覆シート（１３）を有機又は無機中間シー）（
９）を使用することなしに直接に抵抗区間（３）上に設
ける、特許請求の範囲第９項記載の方法。 １１、被覆シートを高い比押付圧力によって設ける際に
構造体及び構造担体の粗面形状に対して被覆シートの特
に密接で緊密な接着を生じる、特許請求の範囲第１項〜
第１Ｄ項のいずれか１項に記載の方法。 １２、長い密封区間を達成するために電極リード線（１
４）ｌｄ別個の雲母箔担体素子（１２）によって構造担
体材料（４）から絶縁されている、特許請求の範囲第１
項〜第１１項のいずれか１項に記載の方法。 １６、被覆シートを保護すべき構造体上に固定した後に
このシートの一部を適当な方法によってなおさらに剥離
する、特許請求の範囲第１項〜第１２項のいずれか１項
に記載の方法。 １４、雲母を被覆シートとして使用する際に剥離は他の
結晶層の骨間によって行なわれ、したがって数ナノメー
トルの被覆シートの残りの厚さは有効な被覆と！−で残
る、特許請求の範囲第１６項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE32127383 | 1982-04-06 | ||
| DE3212738A DE3212738A1 (de) | 1982-04-06 | 1982-04-06 | Verfahren zur quasihermetischen, rueckwirkungsarmen abdeckung empfindlicher physikalischer strukturen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59688A true JPS59688A (ja) | 1984-01-05 |
Family
ID=6160334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58059377A Pending JPS59688A (ja) | 1982-04-06 | 1983-04-06 | 敏感な物理的構造体をほぼ気密に相互作用するように被覆する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4464419A (ja) |
| EP (1) | EP0096156B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59688A (ja) |
| DE (1) | DE3212738A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160552A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-04 | Toshiharu Kobayashi | 梅肉又は梅肉エキス入りチヨコレ−ト菓子類 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8405209D0 (en) * | 1984-02-29 | 1984-04-04 | Dellareed Ltd | Bite indicators |
| US4543867A (en) * | 1984-03-22 | 1985-10-01 | Meisan Ltd., Co. | Slitter knife holder |
| US4967485A (en) * | 1989-06-29 | 1990-11-06 | The Babcock & Wilcox Company | Electronic feeler gauge |
| DE4332843C2 (de) * | 1993-09-27 | 1997-04-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Vorrichtung und mikromechanische Vorrichtung |
| DE4404716A1 (de) * | 1994-02-15 | 1995-08-17 | Hottinger Messtechnik Baldwin | Dehnungsmeßstreifen und Verfahren zur Herstellung eines Dehnungsmeßstreifens sowie Meßgrößenaufnehmer |
| US6127629A (en) * | 1994-10-03 | 2000-10-03 | Ford Global Technologies, Inc. | Hermetically sealed microelectronic device and method of forming same |
| JP2940643B2 (ja) * | 1995-09-01 | 1999-08-25 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 振れセンサを組み込んだカンチレバー |
| US5961443A (en) * | 1996-07-31 | 1999-10-05 | East Carolina University | Therapeutic device to ameliorate stuttering |
| US7004622B2 (en) * | 2002-11-22 | 2006-02-28 | General Electric Company | Systems and methods for determining conditions of articles and methods of making such systems |
| DE10324838A1 (de) * | 2003-06-02 | 2004-12-23 | Cooper Cameron Corp., Houston | Messverfahren und Vorrichtung zur Messung eines zurückgelegten Weges |
| TWI598567B (zh) * | 2016-05-06 | 2017-09-11 | 財團法人國家實驗研究院 | 感測系統及使用其之感測方法 |
| CN109870100B (zh) * | 2018-12-28 | 2020-12-01 | 西北工业大学 | 一种测量发射筒内减震块变形量的装置及其方法 |
| DE102019122623A1 (de) * | 2019-08-22 | 2021-02-25 | Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover | Sensorbauteil, Halbzeug, Verfahren zur Anbringung und zur Herstellung eines Sensorbauteils |
| CN111473895B (zh) * | 2020-03-16 | 2021-06-29 | 吉林大学 | 一种触觉传感器 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3060395A (en) * | 1960-12-08 | 1962-10-23 | Ilikon Corp | Strain gage |
| US3300339A (en) * | 1962-12-31 | 1967-01-24 | Ibm | Method of covering the surfaces of objects with protective glass jackets and the objects produced thereby |
| FR1369116A (fr) * | 1963-09-06 | 1964-08-07 | Schenck Gmbh Carl | Extensomètre à semi-conducteurs et son procédé de fabrication |
| US3411122A (en) * | 1966-01-13 | 1968-11-12 | Ibm | Electrical resistance element and method of fabricating |
| US4010440A (en) * | 1975-02-10 | 1977-03-01 | American Components Inc. | Electrical resistor component assembly which is hermetically sealed |
| US4104605A (en) * | 1976-09-15 | 1978-08-01 | General Electric Company | Thin film strain gauge and method of fabrication |
| DE2728916A1 (de) * | 1977-06-27 | 1979-01-18 | Hottinger Messtechnik Baldwin | Verfahren und vorrichtung zum abdecken eines dehnungsmesstreifens |
| US4185496A (en) * | 1978-08-28 | 1980-01-29 | Gould Inc. | Thin film strain gage and process therefor |
| US4399190A (en) * | 1981-03-11 | 1983-08-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin insulating mica sheet and insulated coil |
-
1982
- 1982-04-06 DE DE3212738A patent/DE3212738A1/de not_active Ceased
- 1982-09-14 US US06/418,245 patent/US4464419A/en not_active Expired - Fee Related
-
1983
- 1983-02-25 EP EP83101859A patent/EP0096156B1/de not_active Expired
- 1983-04-06 JP JP58059377A patent/JPS59688A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160552A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-04 | Toshiharu Kobayashi | 梅肉又は梅肉エキス入りチヨコレ−ト菓子類 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0096156A2 (de) | 1983-12-21 |
| EP0096156B1 (de) | 1988-01-07 |
| EP0096156A3 (en) | 1984-11-14 |
| US4464419A (en) | 1984-08-07 |
| DE3212738A1 (de) | 1983-10-06 |
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