JPS596864B2 - 5− アルカノイルカルボスチリルユウドウタイノセイゾウホウ - Google Patents
5− アルカノイルカルボスチリルユウドウタイノセイゾウホウInfo
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Landscapes
- Quinoline Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は5−アルカノイルカルボスチリル誘導体の製造
法に関する。
法に関する。
本発明により得られる5−アルカノイルカルボスチリル
誘導体は一般式 C_−C_H2R^3 ※枠。
誘導体は一般式 C_−C_H2R^3 ※枠。
〔式中R^1は水素原子を示し、R^2は水素原子、C
_1〜C_3の低級アルキルを示し、R^3は水素原子
、C_1〜C_3の低級アルキル基を示す。
_1〜C_3の低級アルキルを示し、R^3は水素原子
、C_1〜C_3の低級アルキル基を示す。
3・4位の点線は飽和結合又は二重結合を示す。
〕で表わされる化合物である。本発明の上記化合物は新
規化合物であり気管支拡張剤、末梢血管拡張剤、脳血管
拡張剤等の医薬品の合成原料として非常に有用である。
本発明に係る5−アルカノイルカルボスチリル誘導体は
一般式〔式中R1、R2及び3・4位の点線は上記に同
じ〕で表わされるカルボスチリル誘導体と、一般式〔式
中R3は上記に同じ、Xはハロゲン原子を示す〕で表わ
される酸ハライドとを反応させることにより製造される
。
規化合物であり気管支拡張剤、末梢血管拡張剤、脳血管
拡張剤等の医薬品の合成原料として非常に有用である。
本発明に係る5−アルカノイルカルボスチリル誘導体は
一般式〔式中R1、R2及び3・4位の点線は上記に同
じ〕で表わされるカルボスチリル誘導体と、一般式〔式
中R3は上記に同じ、Xはハロゲン原子を示す〕で表わ
される酸ハライドとを反応させることにより製造される
。
本発明の出発物質である式(1)で表わされる化合物は
公知のカルボスチリル誘導体である。
公知のカルボスチリル誘導体である。
本発明の他の1方の出発物質である式()で表わされる
化合物も公知の酸ハライドであつて、具体例としては例
えばハロゲン化アセチル、ハロゲン化プロピオニル ハ
ロゲン化−n−ブチリル*ト等が挙げられ、ハロゲン原
子としては塩素、臭素等が挙げられる。式(1)で表わ
される化合物及び式()で表わされる化合物の使用割合
は、通常前者に対して後者を等モル〜5倍モル、好まし
くは等モル〜3倍モル用いるのが望ましい。本発明に用
いられるフリーデルークラフツ触媒としては公知のもの
が使用され例えば無水塩化アルミニウム、チタンクロラ
イド等が挙げられる。式(1)で表わされる化合物及び
フリーデルークラフツ触媒の使用割合は、通常前者に対
して後者を等モル〜5倍モル、好ましくは等モル〜4倍
モル用いるのが望ましい。本発明の反応はジクロロエタ
ン、ジクロロメタン等のハロゲン化アルキル、二硫化炭
素、ニトロベンゼン等の溶媒の存在下あるいは過剰の酸
ハライドを溶媒として行なわれる。
化合物も公知の酸ハライドであつて、具体例としては例
えばハロゲン化アセチル、ハロゲン化プロピオニル ハ
ロゲン化−n−ブチリル*ト等が挙げられ、ハロゲン原
子としては塩素、臭素等が挙げられる。式(1)で表わ
される化合物及び式()で表わされる化合物の使用割合
は、通常前者に対して後者を等モル〜5倍モル、好まし
くは等モル〜3倍モル用いるのが望ましい。本発明に用
いられるフリーデルークラフツ触媒としては公知のもの
が使用され例えば無水塩化アルミニウム、チタンクロラ
イド等が挙げられる。式(1)で表わされる化合物及び
フリーデルークラフツ触媒の使用割合は、通常前者に対
して後者を等モル〜5倍モル、好ましくは等モル〜4倍
モル用いるのが望ましい。本発明の反応はジクロロエタ
ン、ジクロロメタン等のハロゲン化アルキル、二硫化炭
素、ニトロベンゼン等の溶媒の存在下あるいは過剰の酸
ハライドを溶媒として行なわれる。
本発明において反応温度は通常室温〜120℃、好まし
くは50〜80℃であり、反応時間は通常1〜15時間
、好ましくは3〜10時間でよい。
くは50〜80℃であり、反応時間は通常1〜15時間
、好ましくは3〜10時間でよい。
本発明で得られる上記5−アルカノイルカルボスチリル
誘導体lζ例えば下記の反応行程式に示す方法により、
気管支拡張作用、末梢血管拡張作用、脳血管拡張作用等
の生理活性を有する一般式()の化合物に導くことが出
来る。〔反応行程式〕 〔式中、R1、R2、R3及び3・4位の点線は上記と
同じ。
誘導体lζ例えば下記の反応行程式に示す方法により、
気管支拡張作用、末梢血管拡張作用、脳血管拡張作用等
の生理活性を有する一般式()の化合物に導くことが出
来る。〔反応行程式〕 〔式中、R1、R2、R3及び3・4位の点線は上記と
同じ。
R4及びR5は同一又は異なつて水素原子、C1〜C4
の低級アルキル基を示す。〕上記式()で表わされる化
合物のハロゲン化反応はハロゲン分子又はN−ハロゲノ
コハク酸イミド等のハロゲン化剤を用いて行なうことが
できる。式()で表わされる化合物とハロゲン分子若し
くはハロゲン化剤との使用割合は、通常前者に対して後
者を等モル〜10倍モル、好ましくは等モル〜5倍モノ
レ用いるのが望ましい。ハロゲンとしては塩素、臭素等
が挙げられる。該反応に用いられる溶媒はジクロロメタ
ン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハ
ロゲン化アルキル溶媒が適当である。反応温度は通常氷
冷下〜反応溶媒の沸点、好ましくは室温〜40℃であり
、この温度で反応は容易に進む。反応時間は通常1〜1
0時間である。本反応に於て過酸化ベンゾイル、過酸化
水素等の過酸化物のようなラジカル反応開始剤を用いて
も差支えはない。式()の化合物と式(V)の化合物の
反応は無溶媒でも行なわれるが、一般には溶媒中で1〜
10気圧の下で行なわれる。
の低級アルキル基を示す。〕上記式()で表わされる化
合物のハロゲン化反応はハロゲン分子又はN−ハロゲノ
コハク酸イミド等のハロゲン化剤を用いて行なうことが
できる。式()で表わされる化合物とハロゲン分子若し
くはハロゲン化剤との使用割合は、通常前者に対して後
者を等モル〜10倍モル、好ましくは等モル〜5倍モノ
レ用いるのが望ましい。ハロゲンとしては塩素、臭素等
が挙げられる。該反応に用いられる溶媒はジクロロメタ
ン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハ
ロゲン化アルキル溶媒が適当である。反応温度は通常氷
冷下〜反応溶媒の沸点、好ましくは室温〜40℃であり
、この温度で反応は容易に進む。反応時間は通常1〜1
0時間である。本反応に於て過酸化ベンゾイル、過酸化
水素等の過酸化物のようなラジカル反応開始剤を用いて
も差支えはない。式()の化合物と式(V)の化合物の
反応は無溶媒でも行なわれるが、一般には溶媒中で1〜
10気圧の下で行なわれる。
本反応に使用される溶媒としてはメタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、ジオキサン、ジエチルエーテル
、酢酸エチノレ、アセトニトリル、ベンゼン等が挙げら
れる。本反応は、式()の化合物に対して式(V)の化
合物を等モルないし大過剰量を用いて行なつてよいが、
一般には3〜10倍モル量を用いて行なうのがよく、反
応温度は室温ないし100℃あるいは溶媒の沸点程度と
するのがよい。式()の化合物の還元反応は、リチウム
アルミニウムハイドライド、水素化ホウ素ナトリウム等
の還元剤を用いるか、パラジウム黒、パラジウム一炭素
、ラネーニツケル、白金黒、酸化白金等の触媒を用いて
接触還元することにより行なわれる。還元剤を用いて還
元する場合、還元剤の使用量は、化合物()に対して通
常2〜10倍モル、好ましくは2〜5倍モル量使用する
のがよい。
ル、イソプロパノール、ジオキサン、ジエチルエーテル
、酢酸エチノレ、アセトニトリル、ベンゼン等が挙げら
れる。本反応は、式()の化合物に対して式(V)の化
合物を等モルないし大過剰量を用いて行なつてよいが、
一般には3〜10倍モル量を用いて行なうのがよく、反
応温度は室温ないし100℃あるいは溶媒の沸点程度と
するのがよい。式()の化合物の還元反応は、リチウム
アルミニウムハイドライド、水素化ホウ素ナトリウム等
の還元剤を用いるか、パラジウム黒、パラジウム一炭素
、ラネーニツケル、白金黒、酸化白金等の触媒を用いて
接触還元することにより行なわれる。還元剤を用いて還
元する場合、還元剤の使用量は、化合物()に対して通
常2〜10倍モル、好ましくは2〜5倍モル量使用する
のがよい。
反応温度は通常0〜100℃、好ましくは20〜50℃
とするのがよい。使用される溶媒としては、還元剤とし
てンジウムボロハイドライドを使用する場合には、水、
メタノール、エタノール等の低級アルコール類を使用す
るのがよく、リチウムアルミニウムハイドライドを使用
する場合には、無水ジエチルエーテル、酢酸エチル、テ
トラヒドロフラン等の不活性溶媒を使用するのがよい。
接角蝋元を用いて還元する場合、触媒の使用量としては
、化合物()に対して通常0,05〜1倍モル量、好ま
しくは0.1〜0.5倍モル量とするのがよい。使用さ
れる溶媒としては反応に影響を与えないものであればい
ずれでもよいが、例えば水、メタノール エタノール、
イソプロパノール等の低級アルコール類を例示できる。
水素圧は、通常常圧〜100気圧、好ましくは常圧〜5
0気圧がよい。反応温度としては、通常室温〜150℃
、好ましくは室温〜120℃とするのがよい。また反応
は、攪拌することにより有利に進行し、常圧で還元する
ときは反応温度は50℃以上とするのがよく、減圧下で
は室温以上にすると反応は有利に進行する。以下に本発
明の実施例を示す。
とするのがよい。使用される溶媒としては、還元剤とし
てンジウムボロハイドライドを使用する場合には、水、
メタノール、エタノール等の低級アルコール類を使用す
るのがよく、リチウムアルミニウムハイドライドを使用
する場合には、無水ジエチルエーテル、酢酸エチル、テ
トラヒドロフラン等の不活性溶媒を使用するのがよい。
接角蝋元を用いて還元する場合、触媒の使用量としては
、化合物()に対して通常0,05〜1倍モル量、好ま
しくは0.1〜0.5倍モル量とするのがよい。使用さ
れる溶媒としては反応に影響を与えないものであればい
ずれでもよいが、例えば水、メタノール エタノール、
イソプロパノール等の低級アルコール類を例示できる。
水素圧は、通常常圧〜100気圧、好ましくは常圧〜5
0気圧がよい。反応温度としては、通常室温〜150℃
、好ましくは室温〜120℃とするのがよい。また反応
は、攪拌することにより有利に進行し、常圧で還元する
ときは反応温度は50℃以上とするのがよく、減圧下で
は室温以上にすると反応は有利に進行する。以下に本発
明の実施例を示す。
さらに式()で表わされる化合物を製造する参考例を示
す。実施例 18−ヒドロキシカルボスチリル107(
0.062モル)に二硫化炭素20m1及び塩化n−ブ
チリル187(0.17モル)を加えて氷冷攪拌下、塩
化アルミニウム25y(0.19モル)を少量ずつ加え
十分混合する。
す。実施例 18−ヒドロキシカルボスチリル107(
0.062モル)に二硫化炭素20m1及び塩化n−ブ
チリル187(0.17モル)を加えて氷冷攪拌下、塩
化アルミニウム25y(0.19モル)を少量ずつ加え
十分混合する。
次に浴温80℃で10時間加熱した後傾斜して二硫化炭
素層を除き、砕氷を加えて残留物を結晶化させる。析出
した結晶を沢取し、水洗、乾燥後メタノールより再結晶
して融点225℃(分解点)の5−n−ブチリル一8−
ヒドロキシカルボスチリル12.77を得る。実施例
28−メトキシ−3・4−ジヒドロカルボスチリル57
(0.029モル)に塩化アセチル20m1(0.28
モル)を加えて氷冷攪拌下、塩化アルミニウム157(
0.11モル)を少量ずつ加え十分混合する。
素層を除き、砕氷を加えて残留物を結晶化させる。析出
した結晶を沢取し、水洗、乾燥後メタノールより再結晶
して融点225℃(分解点)の5−n−ブチリル一8−
ヒドロキシカルボスチリル12.77を得る。実施例
28−メトキシ−3・4−ジヒドロカルボスチリル57
(0.029モル)に塩化アセチル20m1(0.28
モル)を加えて氷冷攪拌下、塩化アルミニウム157(
0.11モル)を少量ずつ加え十分混合する。
次に浴温70℃で4時間加熱後砕氷を加えて結晶化し、
結晶を沢取、水洗、乾燥後メタノールより再結晶して融
点194〜195℃の5−アセチル−8−メトキシ−3
・4−ジヒドロカルボスチリル5.27を得る。参考例
1 (a) 5−n−ブチリル一8−ヒドロキシカルボスチ
リル23.17(0.1モル)にクロロホルム500m
1を加え、室温撹拌下臭素187(0.1モル)を徐々
に滴下し、臭素の色が消えるまで攪拌を続ける。
結晶を沢取、水洗、乾燥後メタノールより再結晶して融
点194〜195℃の5−アセチル−8−メトキシ−3
・4−ジヒドロカルボスチリル5.27を得る。参考例
1 (a) 5−n−ブチリル一8−ヒドロキシカルボスチ
リル23.17(0.1モル)にクロロホルム500m
1を加え、室温撹拌下臭素187(0.1モル)を徐々
に滴下し、臭素の色が消えるまで攪拌を続ける。
濃縮凝固した後残留物をメタノールより再結晶して、融
点218〜219℃(分解点)の5−(α−ブロモ−n
−ブチリル)8−ヒドロキシカルボスチリル24.8y
を得る(b) 5yの5−(α−フロモーn−ブチリル
)8−ヒドロキシカルボスチリルに10m1のイソプロ
ピルアミンと50m1のメタノールを加え、6時間加熱
還流する。
点218〜219℃(分解点)の5−(α−ブロモ−n
−ブチリル)8−ヒドロキシカルボスチリル24.8y
を得る(b) 5yの5−(α−フロモーn−ブチリル
)8−ヒドロキシカルボスチリルに10m1のイソプロ
ピルアミンと50m1のメタノールを加え、6時間加熱
還流する。
減圧乾固後、水を加え、析出物を沢取し、水洗後、メタ
ノールより再結晶して、4.27の5−(α−イソプロ
ピルアミノブチリル)−8−ヒドロキシカルボスチリル
メタノール和物を得る。Mpl36〜137℃(分解)
(c) 2yの5−(α−イソプロピルアミノブチリル
)−8−ヒドロキシカルボスチリルに40m1のメタノ
ールを加え、ついで2.5yの水素化ホウ素ナトリウム
を氷冷撹拌下徐々に加える。
ノールより再結晶して、4.27の5−(α−イソプロ
ピルアミノブチリル)−8−ヒドロキシカルボスチリル
メタノール和物を得る。Mpl36〜137℃(分解)
(c) 2yの5−(α−イソプロピルアミノブチリル
)−8−ヒドロキシカルボスチリルに40m1のメタノ
ールを加え、ついで2.5yの水素化ホウ素ナトリウム
を氷冷撹拌下徐々に加える。
その後、室温でさらに1時間攪拌後、反応混合物に濃塩
酸を加え、PHlに調節する。濃縮乾固後、残渣をアセ
トンで洗浄し、ついで水に溶解する。水酸化ナトリウム
水溶液でPH8にし、析出する結晶を沢取、エタノール
より再結晶して、1.87の5−〔(1−ヒドロキシ−
2−イソプロピルアミノ)ブチル〕−8−ヒドロキシカ
ルボスチリル・1水和物を得る。Mpl4l〜142℃
(分解)参考例 2 (a) 5−アセチル−8−メトキシ−3・4−ジヒド
ロカルボスチリル21.97(0.11モル)に四塩化
炭素500m1.N−クロロコハク酸イミド13.4y
(0.1モル)、触媒量の過酸化ベンゾィルを加え、常
温で8時間撹拌後析出結晶を沢取しメタノールより再結
晶して、融点187〜188℃の5−クロアセチル一8
−メトキシ3・4−ジヒドロカルボスチリル22.77
を得る。
酸を加え、PHlに調節する。濃縮乾固後、残渣をアセ
トンで洗浄し、ついで水に溶解する。水酸化ナトリウム
水溶液でPH8にし、析出する結晶を沢取、エタノール
より再結晶して、1.87の5−〔(1−ヒドロキシ−
2−イソプロピルアミノ)ブチル〕−8−ヒドロキシカ
ルボスチリル・1水和物を得る。Mpl4l〜142℃
(分解)参考例 2 (a) 5−アセチル−8−メトキシ−3・4−ジヒド
ロカルボスチリル21.97(0.11モル)に四塩化
炭素500m1.N−クロロコハク酸イミド13.4y
(0.1モル)、触媒量の過酸化ベンゾィルを加え、常
温で8時間撹拌後析出結晶を沢取しメタノールより再結
晶して、融点187〜188℃の5−クロアセチル一8
−メトキシ3・4−ジヒドロカルボスチリル22.77
を得る。
)) 5−クロロアセチル−8−メトキシ−3・4ジヒ
ドロカルボスチリル47をイソプロパノール50m1に
溶解し、60℃に加熱攪拌下、イソプロピルアミン20
7を滴下して、3時間加熱撹拌し、溶媒を留去して1/
3〜1/4量に濃縮後乾燥塩酸ガスを飽和させて析出物
を沢取し、エタノールから再結晶して、Mp2O8〜2
09℃、無色針状晶の5−イソプロピルアミノアセチル
−8−メトキシ−3・4−ジヒドロカルボスチリル塩酸
塩3,5yを得る。
ドロカルボスチリル47をイソプロパノール50m1に
溶解し、60℃に加熱攪拌下、イソプロピルアミン20
7を滴下して、3時間加熱撹拌し、溶媒を留去して1/
3〜1/4量に濃縮後乾燥塩酸ガスを飽和させて析出物
を沢取し、エタノールから再結晶して、Mp2O8〜2
09℃、無色針状晶の5−イソプロピルアミノアセチル
−8−メトキシ−3・4−ジヒドロカルボスチリル塩酸
塩3,5yを得る。
2) 27の5−イソプロピルアミノアセチル−8−メ
トキシ−3・4−ジヒドロカルボスチリルをメタノール
70m1に溶解し1yの水素化ホウ素ナトリウムを氷冷
撹拌下にゆつくりと滴下する。
トキシ−3・4−ジヒドロカルボスチリルをメタノール
70m1に溶解し1yの水素化ホウ素ナトリウムを氷冷
撹拌下にゆつくりと滴下する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 フリーデル−クラフツ触媒の存在下、一般式▲数式
、化学式、表等があります▼〔式中R^1は水素原子を
示し、R^2は水素原子、C_1〜C_3の低級アルキ
ル基を示す。 3・4位の点線は飽和結合又は二重結合を示す。 〕で表わされるカルボスチリル誘導体と、一般式R^3
CH_2COX 〔R^3は水素原子又はC_1〜C_3の低級アルキル
基、Xはハロゲン原子を示す〕で表わされる酸ハライド
とを反応させることを特徴とする、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R^1、R^2、R^3及び3・4位の点線は上
記に同じ〕で表わされる5−アルカノイルカルボスチリ
ル誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6056875A JPS596864B2 (ja) | 1975-05-20 | 1975-05-20 | 5− アルカノイルカルボスチリルユウドウタイノセイゾウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6056875A JPS596864B2 (ja) | 1975-05-20 | 1975-05-20 | 5− アルカノイルカルボスチリルユウドウタイノセイゾウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51136682A JPS51136682A (en) | 1976-11-26 |
| JPS596864B2 true JPS596864B2 (ja) | 1984-02-15 |
Family
ID=13145984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6056875A Expired JPS596864B2 (ja) | 1975-05-20 | 1975-05-20 | 5− アルカノイルカルボスチリルユウドウタイノセイゾウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596864B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11557540B2 (en) | 2020-03-16 | 2023-01-17 | Kioxia Corporation | Semiconductor device |
-
1975
- 1975-05-20 JP JP6056875A patent/JPS596864B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11557540B2 (en) | 2020-03-16 | 2023-01-17 | Kioxia Corporation | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51136682A (en) | 1976-11-26 |
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