JPS603062B2 - ８−ヒドロキシカルボスチリル誘導体の製造法 - Google Patents
８−ヒドロキシカルボスチリル誘導体の製造法Info
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- JPS603062B2 JPS603062B2 JP7217375A JP7217375A JPS603062B2 JP S603062 B2 JPS603062 B2 JP S603062B2 JP 7217375 A JP7217375 A JP 7217375A JP 7217375 A JP7217375 A JP 7217375A JP S603062 B2 JPS603062 B2 JP S603062B2
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Landscapes
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- Quinoline Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なる８−ヒドロキシカルボスチリル誘導体
の製造法に関する。
の製造法に関する。
本発明で縛られる８ーヒドロキシカルポスチリル謎導体
は一般式〔式中Ｒ，及びＲ３は水素原子又は炭素数１〜
２個の低級アルキル基を示し、Ｒ４は水素原子、炭素数
１〜４個の低級ァルキル基一般式（式中ｎは１〜４の整
数 を示す）で表わされるアラルキル基又は 基を示す。
は一般式〔式中Ｒ，及びＲ３は水素原子又は炭素数１〜
２個の低級アルキル基を示し、Ｒ４は水素原子、炭素数
１〜４個の低級ァルキル基一般式（式中ｎは１〜４の整
数 を示す）で表わされるアラルキル基又は 基を示す。
但し、Ｒ，が炭素数１〜２個の低級アルキル基を示し、
且つＲ３が水素原子を示す場合には、Ｒ４は炭素数１〜
４個の低級アルキル基であってはならない。
且つＲ３が水素原子を示す場合には、Ｒ４は炭素数１〜
４個の低級アルキル基であってはならない。
〕で表わされる化合物である。本発明においては更に上
記化合物の酸付加塩を包含する。本発明の上記化合物及
びその酸付加塩は新規化合物であって、脱コレステロー
ル剤、抗アレルギー剤として、又Ｂ−アドレナリン作動
薬等の医薬品合成の原料として有用なものである。本発
明に係る８−ヒドロキシルポスチリル議導体は一般式〔
式中Ｒ２は炭素数１〜２個の低級アルキル基又は一般式
（式中ｎは上 記に同じ）で表わされるアラルキル基を示す。
記化合物の酸付加塩を包含する。本発明の上記化合物及
びその酸付加塩は新規化合物であって、脱コレステロー
ル剤、抗アレルギー剤として、又Ｂ−アドレナリン作動
薬等の医薬品合成の原料として有用なものである。本発
明に係る８−ヒドロキシルポスチリル議導体は一般式〔
式中Ｒ２は炭素数１〜２個の低級アルキル基又は一般式
（式中ｎは上 記に同じ）で表わされるアラルキル基を示す。
またＲ，，Ｒ２及びＲ４は上記に同じである。〕・で表
わされるカルボスチリル譲導体の８位を脱アルキル化（
又は脱アラルキル化することによって製造される。上記
一般式（１）で表わされる化合物に於てＩＺ，，Ｒ２及
びＲ３で表わされる低級アルキル基としてはメチル及び
エチル基が挙げられ、Ｒ４で表わｉされる低級アルキル
基としては例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル、ｓｅｃーブチル及びｔｅｒｔ−ブチル基
等が挙げられる、また−般式−くＣＨ２）ｎ→≧》（式
中ｎは上記に同じ）で表わされるアラルキル基としては
例えばペンジル及びフェネチル基等が挙げられる。
わされるカルボスチリル譲導体の８位を脱アルキル化（
又は脱アラルキル化することによって製造される。上記
一般式（１）で表わされる化合物に於てＩＺ，，Ｒ２及
びＲ３で表わされる低級アルキル基としてはメチル及び
エチル基が挙げられ、Ｒ４で表わｉされる低級アルキル
基としては例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル、ｓｅｃーブチル及びｔｅｒｔ−ブチル基
等が挙げられる、また−般式−くＣＨ２）ｎ→≧》（式
中ｎは上記に同じ）で表わされるアラルキル基としては
例えばペンジル及びフェネチル基等が挙げられる。
本発明の出発原料として用いられる一般式（１）で表わ
される化合物は新規化合物である。
される化合物は新規化合物である。
該化合物は例えば次の様な反応を得ることができる。即
ち一般式〔式中Ｒ，及びＲ２は上記に同じ。
ち一般式〔式中Ｒ，及びＲ２は上記に同じ。
〕で表わされる化合物と一般式
〔式中Ｒ３は上記に同じであり、×及びＸ′は同‐−又
は相異なってハロゲン原子を示す。
は相異なってハロゲン原子を示す。
〕で表わされるａーハロアルカン酸ハラィドとを反応さ
せることにより一般式〔式中Ｒ，，Ｒ２，Ｒ３及び×は
上記に同じ。
せることにより一般式〔式中Ｒ，，Ｒ２，Ｒ３及び×は
上記に同じ。
〕で表わされる化合物を得る。この反応は一般にフリー
デルクラフッ反応と呼ばれるものであり、ルイス酸の存
在下行なわれる。ここに使用されるルイス酸としては無
水塩化アルミニウム、塩化チタン等が挙げられる。之等
ルイス酸の使用量は適宜選択すれば良いが、通常一般式
（０）で表わされるカルポスチリル誘導体に対し１〜５
倍モル（好ましいは２〜４倍モル）用いられる。また一
般式（ロ）で表わされるカルボスチリル誘導体と一般式
（ｍ）で表わされるａーハロアルカン酸ハライドとの使
用割合も適当選択すればよいが、遠常節者に対し、後者
を等倍モル〜大過剰（好ましくは１．５〜５倍モル）を
用いればよい。この反応は磯溶媒又は溶媒中のいずれで
も行なうことができる。溶媒としては通常例えばニトロ
ベンゼン、メチレンクロラィド、エチレンクロラィド等
が使用される。この反応に於ける反応温度は特に限定さ
れないが一般に室温〜１２０℃（好ましくは５０〜８０
℃）で反応は有利に進行する。次いで上記化合物（Ｗ）
を一般式 Ｒ４Ｎ比（Ｖ） 〔式中Ｒ４は上記に同じ。
デルクラフッ反応と呼ばれるものであり、ルイス酸の存
在下行なわれる。ここに使用されるルイス酸としては無
水塩化アルミニウム、塩化チタン等が挙げられる。之等
ルイス酸の使用量は適宜選択すれば良いが、通常一般式
（０）で表わされるカルポスチリル誘導体に対し１〜５
倍モル（好ましいは２〜４倍モル）用いられる。また一
般式（ロ）で表わされるカルボスチリル誘導体と一般式
（ｍ）で表わされるａーハロアルカン酸ハライドとの使
用割合も適当選択すればよいが、遠常節者に対し、後者
を等倍モル〜大過剰（好ましくは１．５〜５倍モル）を
用いればよい。この反応は磯溶媒又は溶媒中のいずれで
も行なうことができる。溶媒としては通常例えばニトロ
ベンゼン、メチレンクロラィド、エチレンクロラィド等
が使用される。この反応に於ける反応温度は特に限定さ
れないが一般に室温〜１２０℃（好ましくは５０〜８０
℃）で反応は有利に進行する。次いで上記化合物（Ｗ）
を一般式 Ｒ４Ｎ比（Ｖ） 〔式中Ｒ４は上記に同じ。
〕で表わされるアミンと反応させることにより本発明に
使用される一般式（１）で表わされる化合物を得ること
ができる。
使用される一般式（１）で表わされる化合物を得ること
ができる。
この反応は上記アミン自体溶媒として作用するため無溶
媒で行なってもよく、又適当な溶媒中で行なってもよい
。この際使用される溶媒としては、反応に関与しないも
のであれば特に限定されないが、通常例えばメタノール
、エタノール、ィソプロパノール等の低級アルコール額
、水等が好適に使用される。一般式（Ｎ）で表わされる
化合物と一般式（Ｖ）で表わされるアミンとの使用割合
は適宜選択すれば良いが、通常無溶媒で反応を行なう場
合には前者に対し後者を大過剰用い、又溶媒中で行なう
場合には前者に対し後者を等モル〜３倍モル穣度用いる
のが好ましい。本反応に於ける反応温度は特に限定され
ないが、一般に室温乃至還流温度附近（好ましくは４０
〜６０００）で有利に進行し、原料の種類、使用量等に
より適宜選択される。本発明に於て一般式（１）で表わ
される化合物の８位を脱アルキル化（又は脱アラルキル
化）する反応は広く脱アルキル化（又脱アラルキル化）
反応条件下に行なうことができるが、通常はハロゲン化
水素の存在下に行なわれる。
媒で行なってもよく、又適当な溶媒中で行なってもよい
。この際使用される溶媒としては、反応に関与しないも
のであれば特に限定されないが、通常例えばメタノール
、エタノール、ィソプロパノール等の低級アルコール額
、水等が好適に使用される。一般式（Ｎ）で表わされる
化合物と一般式（Ｖ）で表わされるアミンとの使用割合
は適宜選択すれば良いが、通常無溶媒で反応を行なう場
合には前者に対し後者を大過剰用い、又溶媒中で行なう
場合には前者に対し後者を等モル〜３倍モル穣度用いる
のが好ましい。本反応に於ける反応温度は特に限定され
ないが、一般に室温乃至還流温度附近（好ましくは４０
〜６０００）で有利に進行し、原料の種類、使用量等に
より適宜選択される。本発明に於て一般式（１）で表わ
される化合物の８位を脱アルキル化（又は脱アラルキル
化）する反応は広く脱アルキル化（又脱アラルキル化）
反応条件下に行なうことができるが、通常はハロゲン化
水素の存在下に行なわれる。
この際使用されるハロゲン化水素としては例えば臭化水
素、塩化水素、沃化水素等が挙げられる。これらのハロ
ゲン化水素は一般に適当な溶媒との組み合わせ、なかで
も水を溶媒として用いてハロゲン化水素酸の形で使用さ
れる。好ましいハロゲン化水素としては臭化水素を例示
でき、之は通常１０〜５０％（好ましくは４７％）水溶
液に調整して用いられる。また一般式（１）で表わされ
る化合物とハロゲン化水素との使用量は特に限定されな
いが、一般に前者に対し後者を当モル〜大過剰用いれば
よい。反応温度も特に限定されないが、反応は一般に加
熱下（好ましくは還流温度附近）、で有利に進行する。
また本反応は接触還元法によっても行なうことができ、
特に８位がアラルコキシ基を有する一般式（１）で表わ
される化合物を原料とする場合に有用である。
素、塩化水素、沃化水素等が挙げられる。これらのハロ
ゲン化水素は一般に適当な溶媒との組み合わせ、なかで
も水を溶媒として用いてハロゲン化水素酸の形で使用さ
れる。好ましいハロゲン化水素としては臭化水素を例示
でき、之は通常１０〜５０％（好ましくは４７％）水溶
液に調整して用いられる。また一般式（１）で表わされ
る化合物とハロゲン化水素との使用量は特に限定されな
いが、一般に前者に対し後者を当モル〜大過剰用いれば
よい。反応温度も特に限定されないが、反応は一般に加
熱下（好ましくは還流温度附近）、で有利に進行する。
また本反応は接触還元法によっても行なうことができ、
特に８位がアラルコキシ基を有する一般式（１）で表わ
される化合物を原料とする場合に有用である。
この場合通常の接触還元触媒の存在下に反応は行なわれ
、該触媒としては例えばラネーニッケル、パラジウム炭
素等が一般に有利に使用される。またこの反応は溶媒中
で進行し、使用される溶媒としては例えばメタノール、
エタノール、イソプロパノール等の低級アルコール類、
酢酸、水等が挙げられる。反応条件は特に限定されない
が、通常水素圧常圧下に室温で有利に進行する。本反応
により一般式（１）で表わされる化合物の８位が脱アル
キル化（又は脱アラルキル化）した本発明の８ーヒドロ
キシカルボスチリル誘導体が得られる。
、該触媒としては例えばラネーニッケル、パラジウム炭
素等が一般に有利に使用される。またこの反応は溶媒中
で進行し、使用される溶媒としては例えばメタノール、
エタノール、イソプロパノール等の低級アルコール類、
酢酸、水等が挙げられる。反応条件は特に限定されない
が、通常水素圧常圧下に室温で有利に進行する。本反応
により一般式（１）で表わされる化合物の８位が脱アル
キル化（又は脱アラルキル化）した本発明の８ーヒドロ
キシカルボスチリル誘導体が得られる。
本発明に使用される一般式（１）で表わされるカルボス
チリル謎導体を得るための適当な方法を下記参考例に示
し、引き続き実施例を示す。
チリル謎導体を得るための適当な方法を下記参考例に示
し、引き続き実施例を示す。
参考例 １８−〆トキシカルボスチリル４０夕にニトロ
ベンゼン３０のＺ、クロロアセチルクロライド７０羽を
加えて全液を氷水で冷却しながらこれに塩化アルミニウ
ム２３０夕を徐々に加えて、６０℃で４時間縄梓反応さ
せる。
ベンゼン３０のＺ、クロロアセチルクロライド７０羽を
加えて全液を氷水で冷却しながらこれに塩化アルミニウ
ム２３０夕を徐々に加えて、６０℃で４時間縄梓反応さ
せる。
反応後全反応液を１その氷水中に注加して得られる析出
物を炉取し、エーテルで洗浄し、メタノールから再結晶
して５−クロロアセチルー８−〆トキシカルポスチリル
３１夕を得る。次いで得られた化合物２．７夕をィソプ
ロパノール４０の‘に加え、５５〜６０℃に加熱燈梓下
イソプロピルアミン９夕を１．虫時間要して滴下する。
滴下後さらに１時間同温度で蝿梓を続ける。溶媒を減圧
蒸留して濃縮してのち、ィソプロパノール４０叫を加え
て不溶物を炉別し、炉液に濃塩酸を加え餌を２〜３に調
整する。冷却後析出物を炉取し、メタノールージェチル
ェーテルから再結晶して、ｍ．ｐ．２３０〜２３ｒｏ（
分解）の５ーィソプロピルアミノアセチル−８−〆トキ
シカルボスチリル１塩酸塩１水和物０．３２を得る。参
考例 ２ 参考例１と同様にして下記の化合物を得る。
物を炉取し、エーテルで洗浄し、メタノールから再結晶
して５−クロロアセチルー８−〆トキシカルポスチリル
３１夕を得る。次いで得られた化合物２．７夕をィソプ
ロパノール４０の‘に加え、５５〜６０℃に加熱燈梓下
イソプロピルアミン９夕を１．虫時間要して滴下する。
滴下後さらに１時間同温度で蝿梓を続ける。溶媒を減圧
蒸留して濃縮してのち、ィソプロパノール４０叫を加え
て不溶物を炉別し、炉液に濃塩酸を加え餌を２〜３に調
整する。冷却後析出物を炉取し、メタノールージェチル
ェーテルから再結晶して、ｍ．ｐ．２３０〜２３ｒｏ（
分解）の５ーィソプロピルアミノアセチル−８−〆トキ
シカルボスチリル１塩酸塩１水和物０．３２を得る。参
考例 ２ 参考例１と同様にして下記の化合物を得る。
５−（ａ一にｒｔ一ブチルアミノブチリル）一８ーメト
キシカルボスチリル、ｍ．ｐ．１９０〜１鱗℃（分解）
。
キシカルボスチリル、ｍ．ｐ．１９０〜１鱗℃（分解）
。
実施例 １
５一イソプロピルアミノアセチル−８ーメトキシカルボ
スチリル１塩酸塩１水和物２のこ４７％臭酸３０の‘を
加え８時間加熱還流する。
スチリル１塩酸塩１水和物２のこ４７％臭酸３０の‘を
加え８時間加熱還流する。
水を加えながら３回濃縮乾固する。残笹を水６０泌に溶
解し、次いで炭酸ソーダ水溶液を加えてｐＨ７とする。
析出結晶を炉取し、得られた結晶に濃塩酸を加え溶解後
、濃縮乾固し、エタノールより再結晶して、・ｍ．ｐ．
２熱鷲０（分解）の５−イソプロピルアミノアセチルー
８ーヒドロキシカルボスチリル１塩酸塩１水和物０．９
夕を得る。実施例 ２ ８ーベンジルオキシ−５ーイソプロピルアミノアセチル
カルポスチリル塩酸塩１のこラネーニツケル０．０５夕
及び水２０泌を加え、常温常圧下に接触櫨元する。
解し、次いで炭酸ソーダ水溶液を加えてｐＨ７とする。
析出結晶を炉取し、得られた結晶に濃塩酸を加え溶解後
、濃縮乾固し、エタノールより再結晶して、・ｍ．ｐ．
２熱鷲０（分解）の５−イソプロピルアミノアセチルー
８ーヒドロキシカルボスチリル１塩酸塩１水和物０．９
夕を得る。実施例 ２ ８ーベンジルオキシ−５ーイソプロピルアミノアセチル
カルポスチリル塩酸塩１のこラネーニツケル０．０５夕
及び水２０泌を加え、常温常圧下に接触櫨元する。
触媒を炉８Ｕし、水層を濃縮乾間する。銭漣をエタノー
ルより再結晶して融点２斑℃（分解点）の８ーヒドロキ
シ−５ーィソプロピルアミノアセチルカルボスチリル塩
酸塩１水和物０．６夕を得る。実施例 ３〜７ 適当な出発物質を用い上記実施例と同様に反応させて得
られる代表的な本発明の目的化合物を下記第１表に示す
。
ルより再結晶して融点２斑℃（分解点）の８ーヒドロキ
シ−５ーィソプロピルアミノアセチルカルボスチリル塩
酸塩１水和物０．６夕を得る。実施例 ３〜７ 適当な出発物質を用い上記実施例と同様に反応させて得
られる代表的な本発明の目的化合物を下記第１表に示す
。
第１表
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１及びＲ＿３は水素原子又は炭素数１〜２
個の低級アルキル基を示し、Ｒ＿２は炭素数１〜２個の
低級アルキル基又は一般式▲数式、化学式、表等があり
ます▼ （式中ｎは１〜４の整数 を示す）で表わされるアラルキル基を示す。 またＲ＿４は水素原子、炭素数１〜４個の低級アルキル
基、一般式▲数式、化学式、表等があります▼（式中ｎ
は上 記に同じ）で表わされるアラルキル基又は▲数式、化学
式、表等があります▼ 基を示す。 但し、Ｒ＿１が炭素数１〜２個の低級アルキル基を示し
、且つＲ＿３が水素原子を示す場合には、Ｒ＿４は炭素
数１〜４個の低級アルキル基であってはならない。 〕で表わされるカルボスチリル誘導体の８位を脱アルキ
ル化又は脱アラルキル化することを特徴とする一般式▲
数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１，Ｒ＿３及びＲ＿４は上記に同じ。 〕で表わされる８−ヒドロキシカルボスチリル誘導体の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7217375A JPS603062B2 (ja) | 1975-06-13 | 1975-06-13 | ８−ヒドロキシカルボスチリル誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7217375A JPS603062B2 (ja) | 1975-06-13 | 1975-06-13 | ８−ヒドロキシカルボスチリル誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51149284A JPS51149284A (en) | 1976-12-22 |
| JPS603062B2 true JPS603062B2 (ja) | 1985-01-25 |
Family
ID=13481559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7217375A Expired JPS603062B2 (ja) | 1975-06-13 | 1975-06-13 | ８−ヒドロキシカルボスチリル誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603062B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61175446U (ja) * | 1985-04-22 | 1986-11-01 |
-
1975
- 1975-06-13 JP JP7217375A patent/JPS603062B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61175446U (ja) * | 1985-04-22 | 1986-11-01 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51149284A (en) | 1976-12-22 |
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