JPS5966018A - キイボ−ド装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明（゛１キイボードに関するものであり、より詳細
には個々のキイの駆動を、そのキイの駆動を表わす１１
１．気（Ｎ号へ変換するためのキイボードに関すイ）も
のである。本発明は％にそのような電気信号の発生のた
めに圧電結晶を用いたキイボードに関するものである。

背景技術 近年、キイボードは広範囲にわたる多様な目的に使用さ
れている。例えば、キイボードは幾数十年以−ヒの間、
タイプされた情報の文■記録夕作成するためにタイプラ
イタに用いられてきており、現在でもそのような目的に
用いられている。キイボードはまた過去数十年にわたり
データ処理の目的でメツセージ欠与えるブこめに用いら
れてきている。例えば、キイボード−にでタイプ０され
たメソーヒージは、データ処鯉装置によって処理され、
新しく更新されたデータを発生ずるためのデータを表わ
す。

現在用℃・もれているキイボードは一般的に成る制限を
有している。それらは一般的に可動部を有するキイを含
んでいる。キイが駆動されると、その部分が動いて、そ
のキイで表わされる１１１」号が駆動されたことが表わ
される。それらの部分は長期間使用することによって摩
耗する。それら部分がすっかり摩耗すると、誤動作をＬ
　ｌこり、あろいばす（なくとも不完全７．Ｃ情報火発
生すイ）ことに７．ｆｆる。

現在用いられているタイプ０ライクのキイボードに係る
他の１つの問題点は、イ幾械的な力乞市、気イパ号へ変
換するために、電力供給を必、波すると℃・うことであ
る。それらの電力供給は、タイプライタキイボードの大
きさ、価格、車量と共に」１θ太する。

それらの因子は心理学的観８点及び競合的観点から重要
であるため、電力供給の必要なしに電気的偏量を発生ず
ることのできるキイボードを得ることは競合的、精神的
観点からみて、重要な進歩を与えろことに１．ｃるであ
ろう。

キイボードを用いた装ｒａは広く用いられているので、
機械的部分フ、’ｃ　ｌ〜で、電力供給の必要なしで動
作するようなキイボードを開発するために、多大の努力
及び投資がなされてきた。更に、小型で感度のよい信頼
できるキイボードを得るためにも多くの努力と資金が投
資されてきた。そのような努力にもかかわらず、」二に
述べた問題は未だキイボー　ドに残っている。

発明の要約 本発明＆Ｊ、上述の欠点をな（Ｉ−だキイボードを与え
ろものである。本発明のキイボードはｒｉ工動部をもた
ず、また電力供給を必要としない。それにもかかわらず
、本発明のキイボードは太きい、そし′Ｃ信頼性が高−
・債）、気化量ケ発生−す°ることができる。

更に、本発明のキイボードは、大きな、そして信頼性が
高（・電気信号を発するためには、キイ上へ−Ｉ４える
月、力は通常の大きさのものでよいように）Ｉつている
。

本発明の一実施例においては、数字やアルファベット文
字のような個々の識別印を見きわめる押し下げのための
個々の領域を規定１゛るようにハウジングが構成されて
いる。このハウジング（容器）に電気的に絶縁性の硬い
物質かとりつけられており、容器上の個々の領域を押す
ことによって右：器中に発生する応カケ伝えろようにな
って（・ろ。電気的に絶縁性物質の薄いシートが複数個
用℃・もれており、その各々は容器中の個々の領域に対
応する位置にある絶縁性物質へとりつけられて℃・ろ。

導電性物質の薄いシートが複数個用いられており、各々
が絶縁性シートの各々へとりつけられている。

更にセラミック結晶が複数個用いられており、それらの
各々が導電性シートの各々へとりつけられている。

導電性シートは容器へとりつけられており、容器は望ま
しくは導電性拐料でつくられている。これによって各セ
ラミック結晶の１面か隣接する領域と共通になる。キイ
ボード」二の、１隣接する領域中のキイポ−ドが押され
ろと各結晶はひずみを受けろ。結晶がひずむと、それに
よって結晶のアースさ第１ていな（・表面に電気信号か
発生ずる。

本発明はまた、米国１時Ｗ「出願第４１７，５２４号に
１１１１′πＦ請求されたキイポ−ドによって得られる
利点に加えてイ（１シの利点を有するキイボードを得る
ことができる。本発明のシステムにおいて、結晶をおお
う絶縁層が設けら才１ており、この層はプリント回路１
７分と結晶な容器へ接着している絶縁性層のデュロメー
タ（硬度）よりも小さ℃・デュロメータを有し“Ｃいる
。この被粉層の小さ〜・デュロメータは高インピダンス
欠もつ結晶によつ′Ｃ発生される信号中の任意の雑音を
最小化することをｒ、＋Ｊ能と〜３−る。

本発明のシステムはまた、結晶からの信号を、ｌｉ、子
装置においての操作に最適な低インピダンスを冶する信
号へ変換するプこめの半導体等の装僧“を含んでいる。

この半導体は電Ｆ’ｌ−効果型トランジスタ乞含んでお
り、各トランジスタは６つの電極を有し、各々が導通と
非導通の動作状態を有している。６つの電極の１つが、
トランジスタを非導〕１マＳ状態へ保持１−るようにバ
イアスされイ）。第２の電極には、導通状態におけろト
ランジスタへ、エネルギーを供給するための市、川か印
加される。第６の電極は伺随のトランジスク、ヒの信け
に応じ゛（、トランジスタ中の導通状態を力えろ。

実施例 本発明の１つの実施例においてに４“１、一般的に然照
番号１０で示したキイボードが設けられ“（いろ。

このキイボードは望ましくは、ステンレス鋼あるいは陽
極酸化されたアルミニウノ・のような導１ｂ；性材料で
できたハウジング１２ケつんでいる。このハウジング１
２は厚みが約Ｌ１．５πｍ（［Ｊ、０２０インチ）の板
で作られているのが望ましいが、このノリみは０．２５
Ｍ＜　０．０１０インチ）／工いし１．５闘（０，０６
０インチ）の師、囲にある適当な値でさしつかえない。

ハウジング（箸器）１２には、イ固々の賞１１号を４旨
定するように押されるようになったいくつかの領域１４
が設けられて（・る。例えば、それらの領域は各数字あ
るいけ英字を表わしている。それら異なる領域１４が押
されると、それらの領域中に力が発生して、それらの力
が電気信号を発生ずるために用いられろ。右器上の個々
の領域１４はキイボード１０のキイであると考えてよ℃
・。

エポキシ１６のよう７よ適当な材料か容器に接着さ才じ
Ｃ１個々の領域１４が押されたときに、それらのキイボ
ード領域１４にに与えられた力あるいは応力を伝達する
特性を持たせらｉｒでいる。この工１ｅ−ｖシ１６は９
６程度の比較的高（・ヂュロメークを有１．ているか、
７０かも９８の範囲の適当なヂュロメータで′あ；＄１
．　＆’ｌｌ’、さしつかえない。このエポキシは、速
乾性の点でエマーソンアンドカミングｔｉ：　（Ｆ：ｍ
０ｒｅｏｎ　＆　Ｃｈｒｍｍｉｎｇ）　製の第２８５　
［１番エポキシと／ｌ６１１の触婢であるのが望まｌ、
　ｕ・。

望ましくけ、このエポキシ１６には酸化アルミニウノ・
のよう１．ｃ適尚プエ利料からできたセラミック粉末を
かなりのｈｉ’　７Ｊ（＋合させたものである。セラミ
ックを光ｊｊｆＱ　ｔ、たエボ′Ｗシは、それを容器に
接着した場合空隙（ボイド）を作らないと℃・う特長な
有する。空隙は、−ハウジング１２−１−の異フぶるキ
イボード領域１４へ力えもれた力の導通をさまたげると
いう望ましくブＩい骨質χ有する。このセラミックを充
填したエポキシ１６はハウジング１２に対して０．２５
　ｍｍ、　（０，０１インデ）の数倍のｊすさでとりつ
けるのが望ましい。

７アイパグラスのような電気的絶縁イ・１．の適当フ、
仁材料でできた裏板１８がキイボー　ド領域１４に隣接
した位置でエポキシ１６へ接着される。この絶縁性板１
８は０．７６ｍｍ、　（［Ｊ、０３　［］　イ７チ）　
１．Ａｍｉ’）適当な厚さケもたせるのか望まし７い。

しかし、この板１８の厚さは［Ｊ、３８　ｍｍ　（０，
（）　１５インチ）ないし１．５２ｍｍ（０，０６０イ
ンチ）の範囲の適当な厚さであってさしつかえない、。

絶縁性板１８の各々に対して従来の方法によって、導電
性材料の薄い板２ｏが接着される。例えばこの板２０は
銅のような適当な材料でできている。この板２０は、０
．１６闘（（１，００５インチ）あるいはそれ以下の適
当１よ厚さであることが望ましいが、１．５２朋（０，
０６０インチ）のような厚（・ものでもさしりかえ／Ｉ
い。絶縁性根１８と導電性板２０とで声７．ｃ・プリン
ト回路板σ叫〆分を構成してい２）と考え−Ｃも、Ｉい
。板２０む］、板２０及びハウジンクへ目人だづけ％に
よってとりつけられた糺（２２によって、力に及て〕ハ
ウジングへアー　スされていることか望庄（７い。

セラミック等σ）　；ｌ：ｆｉ当７．ｃ旧刺でできた結
晶２４が含！ｒわてオ・マリ、それら各々は導電＋１４
１Ｖ２０の各々−＼七りつけ「ンわている。この結晶２
４はＪｆ−柘５性のべ）ので分極ｔ７て℃・るものであ
ることが望−１′１．い。

この結晶２４はジルコ：／酸鉛とチクン酸鉛の混合物で
′Ｃ″きていイ）のが望ましく、その混合化（」５．７
ｊｊ１１：比で、約５２パーセントのジルコン酸鉛と約
４８パー＋ントθ）ヂタン酸鉛のようなｌＦ＆定比であ
る１、この混合物の中にはη１招比で約（Ｊ、８パ一セ
ント程度の比較的少’Ｍσ）酸化ニオブ（ある（・は酸
化コｒＪンビウｚ、　）等の適当な物質苓・含めるのが
望ま［７（・。Ｎ７．化ニオブは結晶２４の誘Ｔｂ？、
率と圧電率を増大させて）効果火」へ５つ。この混合物
の中へ酸化ランタンもわずか含めることができる。この
結晶は、いわゆるＰＺＴ　５と吋−＆ヂれるものと同等
であり、１くな（とも１７００の誘電率と約６ろＯｏＣ
のキューリ点を有する。

この結晶２４は約Ｕ、２５　ｒｎｍ、　（０，０１０イ
ンチ）程度の適当な厚さのものである。しかし、この結
晶２４は約０．１８關（０，００フインチ）ないし約０
．５１　ｍｍ　（０，０２０インチ）の範囲の適当なＰ
？さのものであってもさしつかえない。電気的リード線
２６がまた含まれており、各々が結晶２４０個個のアー
スされていない表面へつながれて℃・る。

このリード２６は結晶２４から細隙の装置（図示されて
いない）へ電気的信号を導ひく。

結晶２４ば、望ましくは電気的導電性を有する適当な月
別２８によって導電性板２０へ接着される。例エバ、米
国マザチュセツツ州エマーソンアンドカミングオプカン
トン社（Ｅｍｅｒｓｏｎ　＆　Ｏｕｍｍｉｎｇｏｆ　Ｃ
ａｎｔｏｎ　）によって、１ＳＯＬと名づけもれたもの
のような適当なエポキシにグラファイト粉末を混入し、
導電性をもたせたものを、各結晶２４の中央部分にすこ
し塗布する。そして各結晶２４乞導市、外板２０の付随
する１つへ接着する。次に、エボ′ギン１６と同じエボ
ギン臀少月、３０だけ各結晶２４の周辺へ司′布する。

結晶２４と導電性板２０とエポキシ１６の−１−へ適当
なカバー３２をとりつける。このカバー３２は約９０の
ヂュロメータを有するエポキシのような適尚フエ物質の
ものでよい。このエポキシ中には酸化クロムような適当
な月別の比較的少州の粒子が混合されて、エポキシのデ
ュロメークを増大させ、緑等の明白な色装つけるために
用いられる。

例えば、エボ゛キシ４５０．！？（１ポンド）に対して
約２５ｙな（・し５０Ｓの酸化クロノ・が混合される。

キイボー　ド領域１４の各々が押されろと、その結果の
力はエポキシ１６火通して結晶２４へ伝達される。その
ため結晶はひずみな受け、結晶のアースされて（・なり
・端子へ信号火発生１イ）。それらの信号は比較的大き
い振幅を有している。例えば、それらのイハ号は約４な
いし５ボルトσ）振幅ケ有し−Ｃｕ・る。次にこれらの
信号は細隙の装ｆｙｔ　（図示さ才じＣＡ、・な（・）
’％：ｉｌｌυ作させるために用いられる。

上述のキイボードは特定σ１１な利点欠イｊ’　Ｌ　−
ｒいる。それは、キイボード領域１４火押す操作乞、ど
んな部分も動かずことな［〜に、また’［′［４’、池
等のどんなエネルギー源をも用いることなしに、結晶２
４によって電気信号の発生へ変換することを行う。更に
、それはキイボード１０からエポキシ被覆１６とエポキ
シカバー３２を通しＣ１力を効率よく伝達することによ
って結晶から太きンＩ据幅の信号を発生ずる。従ってこ
のキイボードｔ、ｔ−１１１８度がよく、（Ｍ頼性高く
、小型で長；辱命である。

絶縁性物質３２はまた約６０以下のヂコーロメータを有
するエポキシを含んでい゛（もよい。そのよ　　・うな
エポキシは比較的柔軟性にすくれていることが望ましい
。そのような性質をもつエポ″キン（」１、結晶２４に
よって発生ずる４１号中の雑゛１１の発生を最小化する
点で望ましい。例えば、丈−モセット社（Ｔｈｅｒｍｏ
ｅｅｔ　Ｉｎｃ、　）製のＤＯ２ろと１１甲は寸するエ
ポキシはこの目的に適合する。

層３２のためにはエボ・Ｖ−ン以外の材料でもさしつか
えない。例えば、約５０な℃・し９５のｎ１ｉＪ、囲の
ヂュｒ１メータ少−自−３４）ポリウレタンもまた用い
ることかできろ。′例えば、フ０ロダクッリザーチｒ１
（、Ｐｒｏｃｌ、ｕｃｔＢ　Ｒθｎｎｓ、ｒｃ）１　Ｃ
ｏｒｐｏｒａ、ｔｉｏｎ　　、）　　律！４の　１５４
７掛のホリウレタンは十分適する。

キイボード領域１４σ）各々が押されると、その結４４
４”θ〕カを、ヤ、工ｙｌ？　＝Ｊン１６火通して結晶
２４へ伝達さＡ１ろ。そわに」二って結晶はひずみ乞受
け、結晶σ）アー゛スさね（い／「い端子へ信号が発生
する。それらの個けは比較的大きい振幅火有し−（いる
。例えば、そわら化弓（Ｊ約４７Ｊ：　１．・１−５ポ
ルトの振幅欠イー１１．ている。それらσ）信号は次に
第５１ツｊ及び第６１シ１に示された細隙の装部、をｌ
ｆｈ作さぜるσ）に用いられろ。

ｚノーモセット利のＤＣ−２３のようなイＪ料でできた
絶縁層３２ケ用いた場合にに＋１、比１１１を的高℃・
インピ−ダンスとＡ　ｌｘいし５ボルト程度の電圧火有
する・１６けか、ひずみ欠受けた結晶２４０名々から発
せられろ。各結晶２４からのこの市、川は、結晶にイ；
１随した、一般に参照番号４４で示された半導体σ）よ
うな制御′１１１１部分の市、極４２（第５図）へ導び
かれる。この半導体４４は電界効果トランジスタである
ことか望ましく、その’ｊｌｉ、極４２は極力２ランジ
スタのゲート電極であればよ（・。そのりＳ−１−ｉ！
。

極４２とブース等の基準電位との間にツェナーダイオー
ド４６が接続される。

電界効果トランジスタのソース等の第２の電極４８はア
ース等の基準電位との共通接続を有している。電界効果
トランジスタのドレイン等の第６の電極５２は電源５４
からの電圧を受けろ。半導体４４を流れる電流を制限す
るために電源５４と電極５２との間に抵抗５６が接続さ
れろ。４１４．１Ｋｐ４２と５０どの間には、ダイオー
ドか、アノードを電極４２とつないで、カソードケミ極
５０とつなぐ形で挿入される。

結晶２４がひずむと、それは電界効果トランジスタ４４
のデート電極４２へ信号火発生ずる。電界効果トランジ
スタは信号のない時は非等し１〔になるようにバイアス
されている。第５図に示したように、このトランジスタ
がＰＮＩ）　）ランジスクである場合には、この信号に
よってこのトランジスクはノη辿ずイ）。・−の結り（
、Ｔ１１；バー調Ｉ５４、抵抗５６．１−ランジスクイ
２ケ含む回路−・流れろｉｆ＋’、　＋ｉｌｉ：ば１、
トランジスタのトレイン電圧をアース電位方向へ減少さ
・）、Ｌろ。この結果ドレイン５　［］　＋、　Ｋざ１
）生じた負の信号は、テ゛ジタル処胛装置等の出力装置
ｉ１′（図示されて℃・プエ℃・）の動作を制御するた
めげ用いられる。Ｉ・シンジスクイ４等のトランジスタ
で発生する（ｉ”ｊ　’；”ｊ″□は大きい振幅なイ１
しており、比較的低いインピーダンスを有して（・るた
め、それらはデータ処理込ｆｉ’ｉ’へ１７の出力装ｆ
ｉ’ｉハ、面接−１うえることができる。

例えば、こσ）トランジスク４４ばそれが導通し、た時
に１オーｌ−程度σ）　（Ｉ！：　ｔ・インピーダンス
を有している。

恥、６１ツ目１、キイボードの操作に従って′Ｈ］、気
個号ケ信号゛発生ための別の電気シスチン・を万ミして
いる。

第６図に示した電気ンスデムの実施例において、結晶σ
）−アースされていなし・端子の措列は共）ｌ［ライン
でつながれて（・る。例えば結晶のＴ１６列がう・イン
８０で−）ながねてオ（、す、次のイ、ム）列がライン
８２でりながねて一゛る。ライン８０は、一般的に参照
番号８４で示されたＮＰＮ　Ｔｔｆ、界効果トランジス
タへ、第５図に示したのと同様にして接続される。ライ
ン８２は、一般的に＃照番号８６で示されたＮＰＮ霜、
界効果トランジスタへ、同様につなが才１ている。

結晶の各縦列は第６図におし・て結晶のアースされてい
な℃・端子」二に共通ラインケ有している。２例。

えば結晶の第１の縦列は共通ライン８８欠有しており、
結晶の第２の縦列は共通ライン９０をキイしている。ラ
イン８８と９０は結晶へ、結晶子のライン８０と８２が
つながった基１所と異なる場ｎｒへつながれており、こ
れによってライン８０と８２とからは電気的に絶縁さ牙
１ている。

ライン８８とかライン９０等の各ラインは個りのＰＮＰ
　）ランジスタのケゞ〜ト’ｉｔｓ、極へりなが」１て
いる。例えば、ライン８８−一般的に参照番号９２で示
すれたＮＰＮ　）ランジスタのゲートへつながれており
、ライン９０は一般的に参照蚤吟９４で示されたＰＮＰ
　）ランジスタのｒ−トφ（１，（命へつ１．Ｃがれて
いる。トランジスタ９２．９４等の各トランジスタのド
レインはアース等の基準電位へつながれており、電ｄ９
電位はソース電極へつながれて℃・る。

トランジスタ８４のドレイン及びトランジスタ９０のソ
ースにのイ旨号は［アンド−１ゲート１０００入力端子
へ送られろ。従って、キ・イボードの最−に２行、第１
列の結晶がひずみを受けた時は、［アンド−１ケゝ−＋
′ｉ　ｏ　ｏの出力端子に信−号か出力される。同様に
、［アンド」回路１０４はｌ・ランジスタ８４゛のドレ
インとトランジスタ９２のソースへつプｆがれた入力端
子を有する。この結果、キイボー　ドの第２行、汗、１
列に共通の結晶１０６がひずみケ受けた時に、［アンド
」回路１０４によって出力（＞４　弓が発生１ろ。同様
に他の１アンド」回路か、’ｌ’！ｊ　’ｉ′？の行と
列の結晶に対ル１１、し７た個〕ｔのトランジスタｌ＼
つプ「が」１て、キイボー　ド中の４−イの個々の押Ｆ
に祈″−）で出力（Ｐｉ号不・発生ずる。

−１−述のキイボー　ドは特定の重徽な利点を有してい
る。それはキイｚｌ？　−ド領域１４を押す操作乞どん
ｉ（、ｌｌ＋　＜部分なしｆｌまた電池等のどんｌ、ｃ
エネルギー供給源もなしに、結晶２４を使った電気信号
の発生へ変換−Ｊ−ることを行う１、更に、それはキイ
ボード１０からエボギシ被核１６及びエポギノカバー４
０を通って力の効率的な伝達を行い、結晶２４による大
きな振幅のｑ号発生を−Ｉジえる。そねら（Ｓ号は、結
晶からのイ８−シづ甲Ｖこ５ｉ１．生ずる外晋ト１４の
いかんにかかわらず最小量θ）　ｉｂ　ｔ＜をイ１なっ
て発生する。従ってこのキイ体−ドは感度が、しく、信
頼１（１゛高く、小型で長寿命である。

本ざ〔５明は更にキイボード７備えた′電気シスデｊ・
ケ含んでいる。それら電気システム目１、結晶−＼加え
られたひずみに従って、高インビ′−タ゛ンスと低イン
ピーダンスを有する電気係号を供給するように動作する
。従ってキイボードの操イ′［に応答する出力装置〆イ
、（図示されていない）は、出力装置の入力インピーダ
ンスに効率よく整合したインピ−ダンスと比較的大きい
振幅、低雑音を有するイパ号の導入によって、効率よく
動作することができイ）。

本出願は特定の実施例につし・て説明してぎたが、本出
願の本質的な特長（１、尚莱者には明らかｌ、Ｃ数多く
の他の応用にも適用できるものである。従って、本発明
は特ｂ′「請求の範囲のみによって制限７受けるもので
ある。

４図面σ）Ｔハｉ　ｌｉｔ　７．仁勝、明２１５１図を
、１一本発明σ）ター施例な構成１′ろキイボードの夕
１観１図、第２図は、第１図に示さねたキイボードσ）
裏面のハ面１則からツノた外観図、第ろ図は拡大さＪ＋
た図であり、卯、１図、卯２２図に示されたキイボード
の分解部分の断面拡大図、第４図は、これまでの図面に
示されたキイボードに含まれろ部品の夕）観、図でル）
って、拡大された展開部分図、汀１．５図は第１図から
第４図に示されたキイボードに用℃・らねろ７ｂ、気シ
ステノ、の回路図、および第６図は、第１図から第４図
に示したタイプライタキイポードに用いられろ別の電気
システノ・の回路図である。

符号の説、明 １０・・・キイボード、１２・・・ハウジング、１４・
・・個別領域、１６・・・エボ゛Ｗシ、１８・・・絶縁
性板、２０・・・導箱、性湖板、２２・・・線、２４・
・結晶、２６・・・リード線、３０・・・カバー、３２
・・・カバー、４］）・・・カバー、４２・・・ケゞ−
ト市、極、４４・・・半唐体、４６・・・ツ工す一ダイ
オード、４８・・・第２電極、５０・・・電極、５２・
・・電極、５４・・・電源、５６・・・抵抗、８０・・
・ライン、８２・・・ライン、８４・・・電界効果トラ
ンジスタ、８６・・・電界効果トランジスタ、８８・・
・ライン、９０・・・ライン、９２・・・トランジスタ
、９４・・・トランジスタ、１００・・・アンド回路、
１０２・・・結晶、１０４・・・アンド回路、１０６・
・・結晶。

代理人　　浅　利　　　皓

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　キイボー　ド装置にお〜・て：個々の記号を
   指定１−る特定の領域を有するハウジングと；前記ハウ
   ジング−にの前記特定の領域に隣接し、かつ空隙をお℃
   ・てとつつけられたセラミック結晶２；および前記ハウ
   ジングに隣接し、がつ空隙を：ｔｃ；　ｔ、・てとりつ
   けられた前記結晶を保持し、また前記結晶を前記ハウジ
   ングから絶縁し、史に前記ハウジング中の前記特定の領
   域を押すことによって前記ハウジングへ加えられたひず
   みを前記結晶へ伝達するための手段とを含むキイボード
   装置１°ｑ。 （２１’Ｉ’＋’　ｒｉ’ｌ請求の範囲第１項のキイボ
   ード装置におち・て、前記結晶は高インピーダンスの圧
   電結晶であることを、特徴とするキイボード装置ｉ。 （３）％訂晶求の範囲第１項あるいは第２項のキイボー
   ド装置において、前記保持手段が前記ハウジングと前記
   結晶との間にとりつけられて、前記結晶を前記ハウジン
   グへ接着させる役割を果たすような電気的絶縁性層を含
   むことを特徴とするキイボルド装置。 （４）特許請求の範囲第ろ頌のキイボード装置において
   、前記層は高いデュロメータと、高密度の特性を有する
   材料であることを特徴とするキイボード装置。 （５）特許請求の範囲第６項あるいは第４項のキイボー
   ド装置において、前記層は、エポキシで、Ｄ）って、エ
   ポキシと混合させることによってエポキシの高いデュロ
   メークを更に高くするような利料の粒子を含んでいるよ
   ５なエポ゛キンであることを特徴とする、キイボード装
   置＆′。 （６）％許請求の範囲第１項から第５項のうちのいずれ
   か一項記載のキイボード装置において、前記結晶と前記
   保持手段との間に薄い導電性板がとりつけられており、
   更に前記結晶ケ前記導電性板へ接着し、前記導電性板と
   前記結晶の１つの表面との間に電気的接続を与える手段
   を含むことすｔｈ徴とするキイボード装置。 （７）　　特許請求の範囲第６頌のキイボード装置であ
   って、前記接着手段が導電性エポキシであるような、キ
   イボード装置。 （８）特許請求の範囲第１項から第７項のうちのいずれ
   か一項記載のキイボード装置において、丈に電気的絶縁
   性ＩＪ料の薄い裏板と前記黒板へ接着された薄い導電性
   板とを有するプリント回路板区分を含み、前記結晶は薄
   い板側でできており、前記導電性板へ接着されているこ
   とを特徴とするキイボード装置。 （９）特許請求の範囲第８印のキイボード装置において
   、前記電気的絶縁性保持手段は、前記ハウジングと前記
   プリント回路区分との間にとりつけられ、前記ハウジン
   グと前記プリント回路１〆分とへ接着されて℃・ろこと
   を特徴とするキイボード装置九（１０）　　／％許請求
   の範囲第１項から第９項のうちのいずれか一項記載のキ
   イボード装置において、前記ハウジングは複数個の領域
   を有し、複数個の結晶が設置されており、その各々が前
   記領域の個々のものに伺随していることを７１’ｌｊ　
   Ｑと１ろキイボード装置。 ０１）特許請求の範囲第６Ｊ頂から第１０ＪｒＪのうち
   のいずれか一項記載のキイボード装置において、前記保
   持手段は：個々の領域を押すことによって前記ハウジン
   グ中に発生したひずみを伝達するために前記ハウジング
   にとりつげられた硬質の電気的に絶縁性の利料と；各々
   、前記ハウジング中の前記側々の領域に対応する位詐に
   お（・て前記絶縁性月利にとりつけられた複数個の薄い
   ｔＬ’ｌ’、気菌に絶縁性月利の板と；および各々、ｌ
   １１１　’８Ｌれりい絶縁＋Ｊ−板の１つと前記結晶の
   １つとの間にとりつけられた、複数個の導電性板とを含
   むことを特徴とするキイボード装置。 （１２１特許請求の範囲第５項から第１１項のうちのい
   ずれか一項記載のキイボード装置において、更に前記導
   電性薄板へ共通のアースを供給するＪχ続と、前記結晶
   の各々のアースされていない側への個りの接続とを含む
   ことを特徴とするキイボード装置。 （１３）特許′「請求の範囲第６項から第１１項のうち
   のし・ずれか−ＪＪｉ記載のキイボード装置において、
   更に各結晶をおおい、前記高℃・デュロメータな有する
   ４Ｚ料のデュロメータよりも小さいデュロメータを有ず
   ろような絶縁性月利の付加的層を含むことを特徴とする
   キイボード装置。 ０４）特許請求のｕｌｌ）四相１３項のキイボード装置
   において、前記付加的層はエポキシであることを特徴と
   するキイボード装置。 （１５）特約請求のｆｆ１ｉ）門弟１頑から第１４項の
   うちのいずｆｌか一項記載のキイボード装置におし・て
   、更に各結晶に接続されて、各々の結晶からの個号火比
   較的低インピーダンスを有１ろ１■１．気イｉＥ　′ｒ
   ’ｒへ変換するように動イ′ドする手段を含むことを！
   侍むシどするキイボード装置。 （Ｉｔ；ｌ　　特許請求の範囲第１５項のキイボー　ド
   装置６にお（・て、前ｈＩシ変換手段の各々が、前記結
   晶の個りのものに伺１！ｉｌｉ　ｔ、た半導体であつ゛
   〔、導通状態と非導通状態とを有し、非導通状態へバイ
   アスされて１・５す、前記イ・Ｊ随する結晶からの上記
   信号に応答して、その半導体な導通状態へ動作させるよ
   うに）Ｚつだ、半導体を含むことを特徴とするキイボー
   ド装置。 α７）特許請求の範囲第１６項のキイポード装（Ｋｌに
   おいて、前記半導体の各々か電界効果トランジスタであ
   ることを特徴とするキイボード装置。 （１８）特許請求の範囲第１６頌から第１７１ｐのうち
   のいずれか一項記載のキイボード装Ｕり：において、前
   記絶縁性材料の伺加的層が各々の結晶をおおっており、
   前記結晶中での雑：ＦＡ発生を最小化ずろような特性を
   有することを特徴とするキイボード装置。 ０９）特許請求の範囲第１６拍から第１８頂のうちのい
   ずれか一項記載のキイボード装置において、前記半導体
   の各々が第１、第２、第６のｆ（ｉ枠を有し、各々の半
   導体が前記電給のうちの１つにおいて非導通状態へバイ
   アスされており、また各々が前記電極のうちの第１のｔ
   Ｔｉ＋、極Ｉにおいてその半導体ン導通状態において動
   作させるだめのエネルギーを受けとるようになっており
   、史に名々か前記霜、極の第２の電極において基準筒；
   圧を受けとるようにブエつており、更に、各々が前記省
   コ、極の第６の７１Ｆ、極にオ６いて前記伺随する結晶
   の接地されていない端イからのイへ号を受けとることを
   特徴とするキイボ〜　ド装置。