JPS5964595A - 化合物半導体結晶育成装置 - Google Patents
化合物半導体結晶育成装置Info
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- JPS5964595A JPS5964595A JP57174405A JP17440582A JPS5964595A JP S5964595 A JPS5964595 A JP S5964595A JP 57174405 A JP57174405 A JP 57174405A JP 17440582 A JP17440582 A JP 17440582A JP S5964595 A JPS5964595 A JP S5964595A
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- crystal
- raw material
- vapor pressure
- melt
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B27/00—Single-crystal growth under a protective fluid
- C30B27/02—Single-crystal growth under a protective fluid by pulling from a melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓなどの
高蒸気圧原料と低融点原料よ構成る化合物半導体結晶育
成装置層間するもので、特に上記化合物半導体結晶を構
成する元素のうち蒸気圧の高いＶ族元素の蒸気圧を制御
し、結晶の組成化を精密に制御すること、さらに融点よ
り低温からの結晶成長を可能にし、結晶欠陥である転位
の低減を図りうる化１キ梨導体結晶育成装置に関するも
のである。
高蒸気圧原料と低融点原料よ構成る化合物半導体結晶育
成装置層間するもので、特に上記化合物半導体結晶を構
成する元素のうち蒸気圧の高いＶ族元素の蒸気圧を制御
し、結晶の組成化を精密に制御すること、さらに融点よ
り低温からの結晶成長を可能にし、結晶欠陥である転位
の低減を図りうる化１キ梨導体結晶育成装置に関するも
のである。
従来、高温で蒸気圧の高い元素からなる化合物半導体結
晶の育成方法として、液体封止引き上げ法が多く用いら
れている。この方法は、円柱状に形状制御された大直径
の結晶が比較的容易に育成できることから、有効な結晶
育成方法である。
晶の育成方法として、液体封止引き上げ法が多く用いら
れている。この方法は、円柱状に形状制御された大直径
の結晶が比較的容易に育成できることから、有効な結晶
育成方法である。
しかし、上記高温で蒸気圧の筒い元素は液体封止剤を用
いても完全に解離、蒸発を防止することは不可能であり
、融液の作製時、さらに長時間の結晶育成時に徐々に蒸
発して、融液の組成比が初期の組成比からずれてしまう
。このことは、１本の結晶においてＭ品育成初期に成長
した結晶上部と終期に成長した結晶下部とで結晶組成や
、それに伴う多くの結晶特性が変化し、均一な結晶基板
収得の歩留シが低下することを意味している。
いても完全に解離、蒸発を防止することは不可能であり
、融液の作製時、さらに長時間の結晶育成時に徐々に蒸
発して、融液の組成比が初期の組成比からずれてしまう
。このことは、１本の結晶においてＭ品育成初期に成長
した結晶上部と終期に成長した結晶下部とで結晶組成や
、それに伴う多くの結晶特性が変化し、均一な結晶基板
収得の歩留シが低下することを意味している。
また、従来の化学量論組成比に近い融液からの精品育成
では、成長した結晶部は融点に近い高温から大きな熱歪
を受けだ状態で冷却されるため、歪誘起性の高密度の転
位が発生し、結晶の品質を著しく劣化させていた。
では、成長した結晶部は融点に近い高温から大きな熱歪
を受けだ状態で冷却されるため、歪誘起性の高密度の転
位が発生し、結晶の品質を著しく劣化させていた。
本発明は、これらの欠点を解決するため、蒸気圧の高い
元素の蒸気圧によって制御１した一定組成のしかも成長
結晶融点以下の溶液ないし融液から液体封止引き上げ１
去によ！７結晶育成を行なう新しい育成方法を可能とす
る育成装置を提供するもので一組成比の均一なそして転
位密度の低い高品質化合物半導体結晶を得ることを目的
とする。
元素の蒸気圧によって制御１した一定組成のしかも成長
結晶融点以下の溶液ないし融液から液体封止引き上げ１
去によ！７結晶育成を行なう新しい育成方法を可能とす
る育成装置を提供するもので一組成比の均一なそして転
位密度の低い高品質化合物半導体結晶を得ることを目的
とする。
以下、本発明の一実施例を図面に基づき詳−Ａ＋ｔｌｌ
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明による化合物半導体ｉｆ成装置ｙｔの一
実施例のホットゾーンを示す断面図であシ、図中、１は
るつは、２はるつはホルダ、３はベデステル、４は収納
室、５は高蒸気圧結晶原料収納部、６は蓋体、７は低融
点結晶原料収納部、７ａは結晶成長部、８は原料溶液（
融液）、９は気−液界面、１０は原料導入部、１２及び
１３は加熱装置（発熱体等）、１４は成長結晶、１５は
引上げ軸、１６は連通孔、１７は高蒸気圧結晶原料、１
８及び１９は保温材、２０は結晶成長界面、２１は液体
封止剤會示す。
実施例のホットゾーンを示す断面図であシ、図中、１は
るつは、２はるつはホルダ、３はベデステル、４は収納
室、５は高蒸気圧結晶原料収納部、６は蓋体、７は低融
点結晶原料収納部、７ａは結晶成長部、８は原料溶液（
融液）、９は気−液界面、１０は原料導入部、１２及び
１３は加熱装置（発熱体等）、１４は成長結晶、１５は
引上げ軸、１６は連通孔、１７は高蒸気圧結晶原料、１
８及び１９は保温材、２０は結晶成長界面、２１は液体
封止剤會示す。
この４１図より明かなように、石英（Ｓｉｎ２）ないし
熱分解窒化ポロン（ＰＵＮ）などのるつは１はグラファ
イト材等のるつはホルダ２に保持され、かつこのるつぼ
ホルダ２の底部に設けられたペデステル３により回転可
能に支持されている。
熱分解窒化ポロン（ＰＵＮ）などのるつは１はグラファ
イト材等のるつはホルダ２に保持され、かつこのるつぼ
ホルダ２の底部に設けられたペデステル３により回転可
能に支持されている。
でらにるつは１は外周縁に突出した断面はぼ鉤状の高蒸
気圧結晶原料の収納室４を有し、この収納室４の垂直壁
４ａと嵌合し、高蒸気圧結晶原料収納部５を気Ｗｉない
しほぼ気密に保持する蓋体６が設けられている。この錯
体６の前記垂直壁４ａと嵌合する外周縁６ａと反対にあ
る内縁６ｂは、るつぼｌ内部に机下しておシ、るつは１
の低融点結晶原料収納部７に原料溶液ないし融液８が収
納された場合、液−気界面９において前記高蒸気圧結晶
原料収納部５と接触する原料導入部１０を形成している
。すなわち、低融点結晶原料収納部７は蓋体６の内縁６
ｂで画成される結晶成長部７ａとこの導入４１０より成
っている。
気圧結晶原料の収納室４を有し、この収納室４の垂直壁
４ａと嵌合し、高蒸気圧結晶原料収納部５を気Ｗｉない
しほぼ気密に保持する蓋体６が設けられている。この錯
体６の前記垂直壁４ａと嵌合する外周縁６ａと反対にあ
る内縁６ｂは、るつぼｌ内部に机下しておシ、るつは１
の低融点結晶原料収納部７に原料溶液ないし融液８が収
納された場合、液−気界面９において前記高蒸気圧結晶
原料収納部５と接触する原料導入部１０を形成している
。すなわち、低融点結晶原料収納部７は蓋体６の内縁６
ｂで画成される結晶成長部７ａとこの導入４１０より成
っている。
さらに、前記蓋体６及び収納室４とで形成される高蒸気
圧結晶原料収納部５の外側には、この高蒸気圧結晶原料
収納部５の温度を制御するための加熱装６イ１２が設け
られ、るつぼ１の底部には低融点結晶原料収納部７の温
度を制御するための加ｆＡ装ｊｆ１３力稔己置されてお
り、前記高蒸気圧結晶原料収納部５及び低融点結晶原沼
１収納４３７はそれぞれ独立して温度制御可能となって
いる。
圧結晶原料収納部５の外側には、この高蒸気圧結晶原料
収納部５の温度を制御するための加熱装６イ１２が設け
られ、るつぼ１の底部には低融点結晶原料収納部７の温
度を制御するための加ｆＡ装ｊｆ１３力稔己置されてお
り、前記高蒸気圧結晶原料収納部５及び低融点結晶原沼
１収納４３７はそれぞれ独立して温度制御可能となって
いる。
前記低融点結晶原料収納部７の上方には、結晶１４を回
転させながら引上げる引上け１１４１１１５が設けられ
ている。
転させながら引上げる引上け１１４１１１５が設けられ
ている。
またｎｊｆ記簡蒸気圧結晶原料収納部５には、）！！辿
孔１６が設けられている。この迎通孔１６は尚蒸気圧結
晶原料収納部５と炉（図示せず）内とのバランスを保持
する作用を営むももので、結晶げ成時の浴敵囲の筒さの
変動や、制蒸気圧結晶涼科収納室５の油、ぽな温度友化
に伴う高蒸気圧結晶原料１７の圧力変化による危険防止
等の作用効米がある。しかしながらこのｉ ＞ｉｉ！孔
１６は本兄明おいて必ずしも設ける必νはない。
孔１６が設けられている。この迎通孔１６は尚蒸気圧結
晶原料収納部５と炉（図示せず）内とのバランスを保持
する作用を営むももので、結晶げ成時の浴敵囲の筒さの
変動や、制蒸気圧結晶涼科収納室５の油、ぽな温度友化
に伴う高蒸気圧結晶原料１７の圧力変化による危険防止
等の作用効米がある。しかしながらこのｉ ＞ｉｉ！孔
１６は本兄明おいて必ずしも設ける必νはない。
次に本％鴫の作１＝全ＧａＡｓ帖晶哲成を例にとって「
ｊ兄り」する。
ｊ兄り」する。
第１図において、低融点結晶原料収納部７の結晶成長部
７ａ中のＧａ溶Ｎ！Ｌ８のＡｓｈ電変は主に発熱体Ｉ３
による加熱制御ｊによシ決定される結晶部ｊ、ｔ１．’
ｔｌｓ ７ ａのｌ晶度および織度分布とＡｓ専人部ｌ
Ｏの表面、（気−牧’ｊｌ−＋ｍ）９のＡｓの蒸気圧に
よって決定される・すなわち・Ａｓ４人部１００表面９
″”° ：蒸気圧をＡｓ原料収納部５の温度
によシ制何ｊシ１少なくとも１気圧（ＧａＡｓ融准の融
点におけるＡｓの屏離正にイー１１Ｍ）以上に保つこと
によって、半筒状４ＢＨに２いで結晶成長部７ａ（１）
谷ｖ１βのＧａ浴欣８中のＡｓ政ｅはその部分の温度に
よシ決足される飽和両度に抹た７’Ｌる。
７ａ中のＧａ溶Ｎ！Ｌ８のＡｓｈ電変は主に発熱体Ｉ３
による加熱制御ｊによシ決定される結晶部ｊ、ｔ１．’
ｔｌｓ ７ ａのｌ晶度および織度分布とＡｓ専人部ｌ
Ｏの表面、（気−牧’ｊｌ−＋ｍ）９のＡｓの蒸気圧に
よって決定される・すなわち・Ａｓ４人部１００表面９
″”° ：蒸気圧をＡｓ原料収納部５の温度
によシ制何ｊシ１少なくとも１気圧（ＧａＡｓ融准の融
点におけるＡｓの屏離正にイー１１Ｍ）以上に保つこと
によって、半筒状４ＢＨに２いで結晶成長部７ａ（１）
谷ｖ１βのＧａ浴欣８中のＡｓ政ｅはその部分の温度に
よシ決足される飽和両度に抹た７’Ｌる。
央屍の粕晶成艮が進行している状態では、８ａｄ＆或艮
郡７ａ″ｃ′は、尿さ万回凹内に温度公理が生ずるよう
に、う６熱体１３、保湿４Δ１８寺を選択し、結晶成長
部７ａの上部甲心部すなわち、鮎晶成長界囲２０力畑途
も低温となるよに温度分布をｉｌｊ！ｊ御する。そのた
め、粕晶成艮界聞２０ではＡｓ が過飽）ｆＩＪ状ｊ法
となシ、その結末、化学鍼嗣組成のＧａＡｓ結晶が成長
する。この４Ｊ曾成長ｙＩ−１月２０近傍の浴液の諷れ
、τ届Ｉ現分曲、結晶形状等の適切な’ｄｉｌＪ １ｍ
４１を行なう目的で結晶１４およびるつは１の回転条件
を決にすることは従来の引上は法結晶付成と同様である
０背た結晶成長部７ａのｐ面に設けｆｃ ８２０３など
による液体封止剤２１も、従来の故体飼止引上げ法と同
様、狭面からのＡｓ所離、蒸発を１坊止する作用を行な
う。なお、Ａｓ原料収ｉｌＪ都５の温度制御はＭＵ述の
ように王に元勲１４１２によって口なう。浬Ａｉ孔１６
はＡｓ涼科収納部５の圧力と炉内の圧力とのバランスを
・昧つ作用をするもので、粕晶付成時のｈ数曲の尚さの
震動やＡ８原料収稍都５の急倣な温度度化に伴う、Ａｓ
圧震化による危荻の防止などの坪用効呆がある。
郡７ａ″ｃ′は、尿さ万回凹内に温度公理が生ずるよう
に、う６熱体１３、保湿４Δ１８寺を選択し、結晶成長
部７ａの上部甲心部すなわち、鮎晶成長界囲２０力畑途
も低温となるよに温度分布をｉｌｊ！ｊ御する。そのた
め、粕晶成艮界聞２０ではＡｓ が過飽）ｆＩＪ状ｊ法
となシ、その結末、化学鍼嗣組成のＧａＡｓ結晶が成長
する。この４Ｊ曾成長ｙＩ−１月２０近傍の浴液の諷れ
、τ届Ｉ現分曲、結晶形状等の適切な’ｄｉｌＪ １ｍ
４１を行なう目的で結晶１４およびるつは１の回転条件
を決にすることは従来の引上は法結晶付成と同様である
０背た結晶成長部７ａのｐ面に設けｆｃ ８２０３など
による液体封止剤２１も、従来の故体飼止引上げ法と同
様、狭面からのＡｓ所離、蒸発を１坊止する作用を行な
う。なお、Ａｓ原料収ｉｌＪ都５の温度制御はＭＵ述の
ように王に元勲１４１２によって口なう。浬Ａｉ孔１６
はＡｓ涼科収納部５の圧力と炉内の圧力とのバランスを
・昧つ作用をするもので、粕晶付成時のｈ数曲の尚さの
震動やＡ８原料収稍都５の急倣な温度度化に伴う、Ａｓ
圧震化による危荻の防止などの坪用効呆がある。
以下１本つ６明による央除の栢晶言成例を祝明する。
第２図は、粕晶背成にあたシ、原料前を充填した状態ケ
示すホットゾーン都の一台ＩＳ断田１図である。
示すホットゾーン都の一台ＩＳ断田１図である。
るつ／ビ１として、Ｇａ融牧収網７ｔｌＳ ７の凹住が
１０５ｍ１ｎψ、Ａｓ原４′＋収網至４のｍｓ＝が１６
０ｍｍψで尚さがメツ１５０ｒｎｍのものを用いた。Ｇ
ａ原料はｉｔ ｌ ０００ ｇｒの固形のＧａ）Ｑ科を
ｔｆＵ ５０ ”Ｃに熱しｌ？Ｉ’ｌ！故化して、溶成
収納部７に光槙した。一方、ＡｓＪＭ科収稍綿５には、
約１０００ ｇｒ の固形Ａｓ原料１７を充填した。次
に、るつぼ１の搭体６はるつは１の収粕峯４に蓋体６の
外周縁６ａを落し込むごとくして気’＋ｆｊ性を保持し
てかん合した。さらにＢ＝ Ｏｓを主成分とする固形故
体刺止剤２１約２．００ ｇを、Ｇａ ＭＩＲ液８の上
部に自己１白′して、身３２図に示すような不発明によ
る結晶育成のｆｖ！堀を完了した。
１０５ｍ１ｎψ、Ａｓ原４′＋収網至４のｍｓ＝が１６
０ｍｍψで尚さがメツ１５０ｒｎｍのものを用いた。Ｇ
ａ原料はｉｔ ｌ ０００ ｇｒの固形のＧａ）Ｑ科を
ｔｆＵ ５０ ”Ｃに熱しｌ？Ｉ’ｌ！故化して、溶成
収納部７に光槙した。一方、ＡｓＪＭ科収稍綿５には、
約１０００ ｇｒ の固形Ａｓ原料１７を充填した。次
に、るつぼ１の搭体６はるつは１の収粕峯４に蓋体６の
外周縁６ａを落し込むごとくして気’＋ｆｊ性を保持し
てかん合した。さらにＢ＝ Ｏｓを主成分とする固形故
体刺止剤２１約２．００ ｇを、Ｇａ ＭＩＲ液８の上
部に自己１白′して、身３２図に示すような不発明によ
る結晶育成のｆｖ！堀を完了した。
次に、炉内雰囲気を、真全引き、Ａｒガスによる加圧プ
ロセス♀ｊを社で、Ａｒガス圧、ｌＱ１０気圧に調艇し
た故、主に元船坏１３によシ、加熱を開りａシｆｃ。Ｇ
ａＭＬ液８の一ノ良が６００℃程度で欣坏飼止沖Ｊ２１
は晩化し、Ｇａ−欣８の六回を板抜するので、これを（
ｉｔｍｍした後、主に発熱体１２によシ、ＡＳ原料収納
部５の温度を６００℃まで昇温し、−尾に保持した。１
？５」時に、Ｇａ融准８の温度も約１１００℃に昇温し
−ボに保持した。このような状態で約４１侍間保ちデす
ることにより、ＡＳ涼料枢納都５のＡｓ原料１７はＡｓ
蒸気となり梯ＱＩＪし〜Ａ８々す入部１０の気−液界面
９よシ、Ｇａ融液８中に浴は込み、前述のごとく、Ｇａ
溶液８の温度によって矩するＡｓの飽オ０穣度のＧａ浴
液８を矢視した。次に使米の液体封止引上げ法のプロセ
スに便って、稚子付け、２ネック都形成屑広げ、ボ往５
１−Ｔ成などを、成長界囲２０近傍の温度、結晶１４の
引上は速度を制御ｊしながら追付させた。
ロセス♀ｊを社で、Ａｒガス圧、ｌＱ１０気圧に調艇し
た故、主に元船坏１３によシ、加熱を開りａシｆｃ。Ｇ
ａＭＬ液８の一ノ良が６００℃程度で欣坏飼止沖Ｊ２１
は晩化し、Ｇａ−欣８の六回を板抜するので、これを（
ｉｔｍｍした後、主に発熱体１２によシ、ＡＳ原料収納
部５の温度を６００℃まで昇温し、−尾に保持した。１
？５」時に、Ｇａ融准８の温度も約１１００℃に昇温し
−ボに保持した。このような状態で約４１侍間保ちデす
ることにより、ＡＳ涼料枢納都５のＡｓ原料１７はＡｓ
蒸気となり梯ＱＩＪし〜Ａ８々す入部１０の気−液界面
９よシ、Ｇａ融液８中に浴は込み、前述のごとく、Ｇａ
溶液８の温度によって矩するＡｓの飽オ０穣度のＧａ浴
液８を矢視した。次に使米の液体封止引上げ法のプロセ
スに便って、稚子付け、２ネック都形成屑広げ、ボ往５
１−Ｔ成などを、成長界囲２０近傍の温度、結晶１４の
引上は速度を制御ｊしながら追付させた。
これらの精米、粘晶成長速匣は前布の液１７Ｉ−封止引
上げ法の場曾の１１５ 以下でめったが、得らｎた直住
釣５０ｒｕｍψの結晶は、引上げ万１０」に化字蚕調ホ
旧戊の均一でさらに転・ＩＭ鴇度の少ないものであるこ
と全確認した。
上げ法の場曾の１１５ 以下でめったが、得らｎた直住
釣５０ｒｕｍψの結晶は、引上げ万１０」に化字蚕調ホ
旧戊の均一でさらに転・ＩＭ鴇度の少ないものであるこ
と全確認した。
なお、本実施向では、Ｇａの光積金−反〃１」然して漉
故としてか、ら、るつぼ中に竹なっているが、−収にｌ
′ｉ、固形の１まで何なっても良い。これは、Ｇａの融
点（２９℃）が欲体期止ハリの軟化温度（幻６００℃）
よす十分低いことが必景乗件であジ、この条件を満たす
＠台は、他の匈胡の結晶でも、本実施向の手法が通用で
きることは西うまでもない。
故としてか、ら、るつぼ中に竹なっているが、−収にｌ
′ｉ、固形の１まで何なっても良い。これは、Ｇａの融
点（２９℃）が欲体期止ハリの軟化温度（幻６００℃）
よす十分低いことが必景乗件であジ、この条件を満たす
＠台は、他の匈胡の結晶でも、本実施向の手法が通用で
きることは西うまでもない。
また、本実施例では、箱晶成ｉた部の温度はホｙｌｌ（
）０℃としたが、実用的な結晶成長速度を考えた場合の
６００℃以上から、ＧａＡｓ結晶のけｕ点（１２３８℃
）までの任意の温度に適用が可曲であることも一兄明を
蚤しない。
）０℃としたが、実用的な結晶成長速度を考えた場合の
６００℃以上から、ＧａＡｓ結晶のけｕ点（１２３８℃
）までの任意の温度に適用が可曲であることも一兄明を
蚤しない。
さらに、不兄明の実施例において、蓋体及びるつほは別
々となっているが、これらを一体内に成形したものでも
よい。
々となっているが、これらを一体内に成形したものでも
よい。
まだ蓋体の内紛６ｂは溶液内部まで垂下しているが、こ
れをるつは１の底部まで垂下するようにし１２．前記内
線６ｂに通孔を収けて尋人飾とＭ晶ノ戎Ｊ（部が遅進す
るようにしてもよい。
れをるつは１の底部まで垂下するようにし１２．前記内
線６ｂに通孔を収けて尋人飾とＭ晶ノ戎Ｊ（部が遅進す
るようにしてもよい。
また尚蒸気圧結晶ルミ料収納呈は不実施タリにおいては
単畝であるが、これを収畝収けて２元以上の牛纒体化曾
′＃枯晶忙〜戟することもできる。
単畝であるが、これを収畝収けて２元以上の牛纒体化曾
′＃枯晶忙〜戟することもできる。
以上説明したように、本発明による化合物半導体結晶ｒ
４成では尚蒸気圧鮎晶原料函度たとえばＡｓ敲度を制佃
１した低温の低融点粕晶涼科浴液ないし融液、たとえば
Ｇａ溶液から従来の散俸到止引上げ法とほぼ同様なプロ
セスで、大形、枠状の結晶貯成かりｌにである。また、
溶液からの成長であるため結晶の化学亀論組成の鞘嵐艮
い制御が可能であること、低温からの成長のため、成長
した結晶部の熱歪は少なくでき、低転位結晶を得ること
が容易であること、さらに結晶表面からのＡｓ等の解離
蒸発による結晶の変質、劣化が少くできることなど品質
１１１１でも多くの特長がある。
４成では尚蒸気圧鮎晶原料函度たとえばＡｓ敲度を制佃
１した低温の低融点粕晶涼科浴液ないし融液、たとえば
Ｇａ溶液から従来の散俸到止引上げ法とほぼ同様なプロ
セスで、大形、枠状の結晶貯成かりｌにである。また、
溶液からの成長であるため結晶の化学亀論組成の鞘嵐艮
い制御が可能であること、低温からの成長のため、成長
した結晶部の熱歪は少なくでき、低転位結晶を得ること
が容易であること、さらに結晶表面からのＡｓ等の解離
蒸発による結晶の変質、劣化が少くできることなど品質
１１１１でも多くの特長がある。
物半得体でも炉内圧力未件、温度榮件をＪバ釈すること
により、全く同様に農用できる０
により、全く同様に農用できる０
【図面の簡単な説明】
Ｍ１図は本発明によるＧ ａＡ ｓ結晶角成状感をホす
ホットゾーン地の一品ｋＭｌ用図、第２図は凹じく不発
明による粕晶首成における原料前を充填した状態全示ず
ホットソ゛−ン司３の一台＋３ ＋ｍ １川区１である
。 ■・・・るつぼ、２・・・るっｌｘホルダ、３・・・ベ
テステル、４°“°収納至、５°°°市蒸気圧粕晶原料
収Ａ【“ｊ郡、６・・・菰不、７・・・低融点結晶原料
１欠網部（粕晶成灸部）、８・・・原料４面（融液）、
９・・・気−液界面Ｘ１０・・・涼科彎入部、１２及び
１３・・・加Ｒ４°、装置区（つら熱体前）、１４・・
・成Ｊそ結晶、１５・・・引上は軸、１６・・・沖、７
孔、１７・・・藺蒸気圧粕晶涼利、１８及び１９・・・
・区γ晶桐、２０・・・結晶成長界１川、２１・・・液
体」、ｊ止納。 出願入代ｐＶ人 １；１４ 宮 正 李第
１ 図
ホットゾーン地の一品ｋＭｌ用図、第２図は凹じく不発
明による粕晶首成における原料前を充填した状態全示ず
ホットソ゛−ン司３の一台＋３ ＋ｍ １川区１である
。 ■・・・るつぼ、２・・・るっｌｘホルダ、３・・・ベ
テステル、４°“°収納至、５°°°市蒸気圧粕晶原料
収Ａ【“ｊ郡、６・・・菰不、７・・・低融点結晶原料
１欠網部（粕晶成灸部）、８・・・原料４面（融液）、
９・・・気−液界面Ｘ１０・・・涼科彎入部、１２及び
１３・・・加Ｒ４°、装置区（つら熱体前）、１４・・
・成Ｊそ結晶、１５・・・引上は軸、１６・・・沖、７
孔、１７・・・藺蒸気圧粕晶涼利、１８及び１９・・・
・区γ晶桐、２０・・・結晶成長界１川、２１・・・液
体」、ｊ止納。 出願入代ｐＶ人 １；１４ 宮 正 李第
１ 図
Claims (1)
- 気密あるいはほぼ気密に保持される、少なくとも１つの
、蒸気圧の高い結晶原料を収納するための高蒸気圧結晶
原料収納部と；この原料収納部と気−液界面において接
触する低融点原料溶液ないし融液を収納する低融点結晶
原料収納部と；前記高蒸気圧結晶原料収納部及び低融点
結晶原料収納部をそれぞれ独立［７て制御可能な加熱装
置；とを有すると共に、前記低融点結晶原料収納部の＠
記法液な１八し融液に種結晶を接触させて結、ｉ′！ｌ
を育成することを特徴とする化合物半導体結晶育成装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57174405A JPS5964595A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 化合物半導体結晶育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57174405A JPS5964595A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 化合物半導体結晶育成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5964595A true JPS5964595A (ja) | 1984-04-12 |
Family
ID=15977983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57174405A Pending JPS5964595A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 化合物半導体結晶育成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5964595A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60251191A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-11 | Res Dev Corp Of Japan | 高解離圧化合物単結晶成長方法 |
| JPS623096A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-09 | Res Dev Corp Of Japan | 高解離圧化合物半導体単結晶成長方法 |
| CN114262222A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-01 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种调控铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷材料电阻率和极化强度的方法 |
-
1982
- 1982-10-04 JP JP57174405A patent/JPS5964595A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60251191A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-11 | Res Dev Corp Of Japan | 高解離圧化合物単結晶成長方法 |
| JPS623096A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-09 | Res Dev Corp Of Japan | 高解離圧化合物半導体単結晶成長方法 |
| JPH0314800B2 (ja) * | 1985-06-27 | 1991-02-27 | Shingijutsu Jigyodan | |
| CN114262222A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-01 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种调控铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷材料电阻率和极化强度的方法 |
| CN114262222B (zh) * | 2021-12-31 | 2022-10-14 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种调控铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷材料电阻率和极化强度的方法 |
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