JPS5961152A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5961152A
JPS5961152A JP57171260A JP17126082A JPS5961152A JP S5961152 A JPS5961152 A JP S5961152A JP 57171260 A JP57171260 A JP 57171260A JP 17126082 A JP17126082 A JP 17126082A JP S5961152 A JPS5961152 A JP S5961152A
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substrate
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lcc
module
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JP57171260A
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Hidehiko Akasaki
赤崎　英彦
Kiyoshi Miyasaka
宮坂　清
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）　発明の技術分野 本発明は、リードレスチップキャリア（以下ＬＣＣと記
す）のモジュールに係り、特に発熱部分をモジュール上
平均化し実装密度を高めた半導体装置に関する。
（２）　技術の背景 近年１例えばＬＳＩ等にみられるように高密度化の傾向
は著しい進歩が見られるが、またこれに伴って例えば実
装密度等の面からも技術的進歩が各種口られていること
は既に周知である。
例えば、リードレスチップキャリア （ＬＣＣ）と呼ばれ従来の例えばＤＩＰに比較して長さ
が１／２乃至１／３と大幅に小型化されたリード部を持
たない新しいパッケージが出現している。
（３）　従来技術と問題点 従来９例えばＩＣのパッケージとしてはフラットパッケ
ージ、デュアルインラインパッケージ等が各種開発され
て来ているが、何れも例えば高密度実装等に際しては放
熱等に関して不都合を生じている。
例えば、複数のワンチップパッケージを同一基板上に並
べてモジュール化する際に、ＩＣのパッケージのうち同
時に動作する種類のパンケージどうしを隣接して基板上
に並べる等各種パッケージを任意に並べて基板上に搭載
すると、各種パッケージのうち全ての種類のＩＣが等し
い頻度で動作するとは限らないために、特定の種類のＩ
Ｃのみが多く動作した場合にはＩＣの動作時に流れる電
流の発熱によって上記基板上での温度にムラが生しるこ
とがある。このため例えば基板の温度上昇によるＩＣチ
ップの動作の遅延等各種不都合を生じている。
（４）　発明の目的 本発明の目的は、上記従来の欠点に鑑ｂ　Ｌ　ＣＧの各
種異なるパッケージを基板上に−まとまりのブロックと
してまとめてブロック毎に配列してモジュール化するこ
とによって」動作中のＬＣＣにより発生する熱が基板上
平均化された。従って。
動作速度の遅延が少いしかも基板上での温度の偏りが少
いために、ＬＣＣを高密度化することが可能なモジール
化した半導体装置を提供することにある。
（５）　発明の構成 本発明の特徴とするところは、それぞれ異なる回路機能
を有するチップを搭載した複数のり一ドレスチップキャ
リアを、該チップから発生した熱による配線基板上の温
度分布が均一化されるように該配線基板上に配置したこ
とを特徴とする半導体装置を提供することによって達成
される。
（６）　発明の実施例 以下１本発明についての実施例を図面を用いて説明する
。
第１図は本発明のＬＣＣモジュールの平面図である。
各ＬＣＣモジールは例えばセラミック等からなる基板１
上にメモリが収納口のリードレスチップキャリア（ＬＣ
Ｃ）のパンケージ２が例えばＡ。
Ｂの２種それぞれ４個ずつ都合８個搭載されている。そ
して、これらＡ、８２種のＬＣＣのパッケージは交互に
配列されている。各ＬＣＣのパッケージには、外リード
部を設＆Ｊておらず例えば基板１上にプリント配線され
た回路を介して電気的に接続されており、更にＬＣＣモ
ジュールの例えば側口１；に設りである外リード部の各
端子であるピン３にて外部との電気的接続が図られてい
る。
本装置の外リード部の各端子はΔ、Ｂを１つの組として
構成して共用させであるために全体の端子数は従来に比
して大幅に減少し、従って端子を取付けている基板１も
飛躍的に小型化することが可能となっている。
論理演算等において、ＬＣＣモジールの例えば上記２種
のメモリＡ、Ｂから構成さる場合には。
Δ、ＢＩＪ＜瞬間的に同時刻に動作することは無いため
にＡ、８１組で外リード部の各端子を共用することが可
能である。
例えば、任意の時刻ｔ１においてはＬＣＣのＡのみが動
作するため、ずなわち４１１！Ｊｃ））Ａが同時刻ｔ１
で動作し、且つ４１１１ｉ１のＢは同時刻ｔ１では動作
しておらず、従って１個おきに配列された４個のＡのみ
からその時刻ｔ１では電流が流れて熱が発生する。そし
て上述の如く配列されたパッケージを有するモジュール
であるため、すなわちΔ。
Ｂのパンケージを交互に配列しであるので、」二記時刻
Ｌ１で発熱による基板１」二での温度の偏りはみられな
い。次に時刻ｔ２ではＬＣＣのＢが動作をする場合、ず
なわち４個のＡが時刻ｔ２では動作をしておらず、４個
のＢのみが同時刻ｔ２で動作をする場合にば１１１１ｉ
１おきに配列された４個の動作をしている１３にのみ時
刻ｔ２で瞬間的に電流が流れて熱が発生する。従って、
この場合にも１個おきにＢが配列されているために上記
時刻Ｌ２での発熱による基板１上での温度の部分的な偏
りは見られずほぼ平均化した温度分布となる。
以上の如く、上記論理演算等での各素子の動作は通例同
時刻には各組のうち何れか一方が動作するために、ＬＣ
Ｃのモジュールにおいて上記の如き配列すなわち例えば
２種のパッケージの場合には交互に配列することによっ
て発熱による基板上での温度の偏りを防止することがで
きる。従って。
このためにバ・７ケージの実装密度を高めても発熱によ
る精度の低下、動作の遅延が阻止できるようになった。
第２図（ａｌ及び（ｂｌは１本発明のＬＣＣモジュール
の他の実施例におけるそれぞれ表と裏の平面図である。
第１図と同一部分には同一符号を付して重複説明は省略
する。
第１図（ａｌにおいて１例えば２種類のパッケージＡ、
Ｂを基板１上にそれぞれ２個ずつ搭載されている。また
、第１図ｔｂ）において、第１図ｔａ＋の表面に対応す
る部分の裏面での搭載するパッケージの種類は同一種類
のパンケージは避りるようにすることで基板上でのパッ
ケージの発熱による温度分布を平均化さ・已ることが可
能となる。
第３図（８１及び（ｂｌは１本発明のＬＣＣモジュール
の他の実施例におけるそれぞれ表と裏を表す平面図であ
る。
第１図、第２図と同一部分には同一符号をイ；１して重
複説明は省略する。
基板１上に搭載するパンケージ２は第３図と同様に２種
類へ、Ｂを用いである。第３図（ａｌにおいて、第２図
とは異りＡ及びＢのパッケージ２をそれぞれ交互に配列
さセており、第２図の場合より更に基板１上でのパンケ
ージによる発熱の均一化を図ることが可能となっている
。これは隣どうし及び同一部分の表裏両面での搭載され
るパッケージの種類を全て異るように並べて配列したた
めである。
本装置の外リード部の各端子はＡ、Ｂを１つの組として
構成して共用させであるために、全体の端子数は従来に
比して大幅に減少し、従って端子を取付けている基板１
も飛躍的に小型化することが可能となっている。
（７）　発明の効果 以上述べて来たように１本発明の如＜　ＬＣＣの異る種
類のものを１組としてまとめて何組かこれ等を配列して
モジール化することによって、更に゛演理演算等での同
時に異種のＬＣＣは動作゛しないことを利用して各組毎
に電気接続端子を共用することによって、従来に比べ飛
躍的に実装密度を高め且つ発熱による動作の遅延及び積
度の低下を抑えた半導体装置を得ることが可能となった
。
【図面の簡単な説明】
第１図は１本発明のＬＣＣモジュール半導体装置の平面
図、第２図ｔａ＋及び（ｂｌは本発明のＬＣＣモジュー
ル半導体装置の他の実施例におけるそれぞれ表と裏の平
面図、第３図（ａｌ及び［ｂｌは本発明のＬＣＣモジュ
ール半導体装置のもう一つの他の実施例におけるそれぞ
れ表と裏の平面図である。 １・・・Ｘｔｔ、　　　２・・・）々・ノケージ、３・
・・ピン ２３ 第１図 第２図 第３図 １ １

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. それぞれ異なる回路機能を有するチップを搭載した複数
    のり一ドレスチップキャリアを、該チップから発生した
    熱による配線基板上の温度分布が均一化されるように該
    配線基板上に配置したことを特徴とする半導体装置。
JP57171260A 1982-09-30 1982-09-30 半導体装置 Pending JPS5961152A (ja)

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JP57171260A JPS5961152A (ja) 1982-09-30 1982-09-30 半導体装置
DE8383305762T DE3377686D1 (en) 1982-09-30 1983-09-27 A modular semiconductor device
US06/536,324 US4689658A (en) 1982-09-30 1983-09-27 Modular semiconductor device
EP83305762A EP0110512B1 (en) 1982-09-30 1983-09-27 A modular semiconductor device
CA000438042A CA1200321A (en) 1982-09-30 1983-09-29 Modular semiconductor device
KR1019830004654A KR870002065B1 (ko) 1982-09-30 1983-09-30 모듀울형 반도체 장치

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ID=15920023

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EP (1) EP0110512B1 (ja)
JP (1) JPS5961152A (ja)
KR (1) KR870002065B1 (ja)
CA (1) CA1200321A (ja)
DE (1) DE3377686D1 (ja)

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EP0110512B1 (en) 1988-08-10
KR870002065B1 (ko) 1987-12-03
CA1200321A (en) 1986-02-04
DE3377686D1 (en) 1988-09-15
KR840005924A (ko) 1984-11-19
EP0110512A2 (en) 1984-06-13
EP0110512A3 (en) 1985-07-31
US4689658A (en) 1987-08-25

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