JPS5956779A - フオトセンサ - Google Patents
フオトセンサInfo
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- JPS5956779A JPS5956779A JP57167169A JP16716982A JPS5956779A JP S5956779 A JPS5956779 A JP S5956779A JP 57167169 A JP57167169 A JP 57167169A JP 16716982 A JP16716982 A JP 16716982A JP S5956779 A JPS5956779 A JP S5956779A
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- Pending
Links
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- 102000003815 Interleukin-11 Human genes 0.000 claims 1
- 108090000177 Interleukin-11 Proteins 0.000 claims 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、仮構出物の南側を検出する反射型のフォト
センサに関する。
センサに関する。
従来、複写機における紙の検出等に使用される反射型の
フォトセンサは第１図に示すようにイ１ゲ成されている
。図において、１１は光透過性拉１脂製の外囲器、１２
，、１２２は凸レンズ、１ 、？ 、 １ 、？はリー
ドフレームである。第２図は、上記ａｒＪｌ図に示した
フォトセンサのＡ − Ａ−’線に沿っだｋＪテ而面成
図である。発光素子１４（例えｉＩ′ｉＧａＡ．ｓ赤外
元光ダイオード）およＯ−受光素子ｌ５（例えｔよシリ
コン・フォト・トランジスタ）ハそれぞれリードフレー
ム１ ３ 、 １ ３上に配設されており、発光素子１
４から発せられた光はレンズ１２Ｉ を弁して被検出物
１６に照射される。
フォトセンサは第１図に示すようにイ１ゲ成されている
。図において、１１は光透過性拉１脂製の外囲器、１２
，、１２２は凸レンズ、１ 、？ 、 １ 、？はリー
ドフレームである。第２図は、上記ａｒＪｌ図に示した
フォトセンサのＡ − Ａ−’線に沿っだｋＪテ而面成
図である。発光素子１４（例えｉＩ′ｉＧａＡ．ｓ赤外
元光ダイオード）およＯ−受光素子ｌ５（例えｔよシリ
コン・フォト・トランジスタ）ハそれぞれリードフレー
ム１ ３ 、 １ ３上に配設されており、発光素子１
４から発せられた光はレンズ１２Ｉ を弁して被検出物
１６に照射される。
この被検出ｖＩＪ１６によって反射された元は、レンズ
１２２を介して・ン光索子１５に導び／ノ・ｈる。
１２２を介して・ン光索子１５に導び／ノ・ｈる。
従って、被検出′吻が存任ずればその反射光を受光素子
１５で受光できるので、′ブ光素子１５に４ｉｊ ”￥
箱、流が流オＬる。まだ、被検出物１６が存在しなけノ
１．ば反射光はないので信号′由、流は流れない。この
ように被検出物の存否を受光素子１５して流れる化け”
ｊｉｌ、ｂＩＬの有無によって察知できる。
１５で受光できるので、′ブ光素子１５に４ｉｊ ”￥
箱、流が流オＬる。まだ、被検出物１６が存在しなけノ
１．ば反射光はないので信号′由、流は流れない。この
ように被検出物の存否を受光素子１５して流れる化け”
ｊｉｌ、ｂＩＬの有無によって察知できる。
」二連したように発光素子１４と受光素子１５とを同一
の外囲器に封止したフォトセンサは、発光素子と覚りし
素子とをそれぞれ異なる外囲器に封止するものに比べて
、製造および設置が容易でコストも低くでき、且つ小形
化もできる等多くの利点を有している。
の外囲器に封止したフォトセンサは、発光素子と覚りし
素子とをそれぞれ異なる外囲器に封止するものに比べて
、製造および設置が容易でコストも低くでき、且つ小形
化もできる等多くの利点を有している。
しかし、上記のような構成では、第３１ス４に示すよう
に発光素子１４０発するブ０が、外囲＋ｓｉ １ ’の
内１丁■Ｊで反射されて受ブＣ素子１５に供線される。
に発光素子１４０発するブ０が、外囲＋ｓｉ １ ’の
内１丁■Ｊで反射されて受ブＣ素子１５に供線される。
コ（７） ＩＬめ、フォトセンサの信号／ノイズ（ｓ、
ｚ４＋ ）比ケ悪くする欠点がある。従って、発光素子
１４０発生する光が弱かったり、あるいは被検出物１６
の反射率が低く微二ｊ：ｉの反射光しか得ら；ｈ、なか
った場合には、反射光が外囲器１１の内部反射光にマス
キングされて被検出物１６の検出が困鄭となったり、誤
甘った検出を行なっグこりする。
ｚ４＋ ）比ケ悪くする欠点がある。従って、発光素子
１４０発生する光が弱かったり、あるいは被検出物１６
の反射率が低く微二ｊ：ｉの反射光しか得ら；ｈ、なか
った場合には、反射光が外囲器１１の内部反射光にマス
キングされて被検出物１６の検出が困鄭となったり、誤
甘った検出を行なっグこりする。
この４代明は一ト石己のような事情に３％みてなさオし
たもので、その目的とするところは、発光素子と受）を
素子とを光透過性樹脂゛Ｐ↓の同一の外囲器（（封止す
るフオトセンサリ−において、外囲器の内部反射によっ
て発光素子の光が受光メζ子に供給されるのを防止し、
正確な検出か行なえるフォトセンサ全提供することであ
る。
たもので、その目的とするところは、発光素子と受）を
素子とを光透過性樹脂゛Ｐ↓の同一の外囲器（（封止す
るフオトセンサリ−において、外囲器の内部反射によっ
て発光素子の光が受光メζ子に供給されるのを防止し、
正確な検出か行なえるフォトセンサ全提供することであ
る。
すなわち、この発明においては、−ヒｉ己第２図におけ
る発）も素子１４と受光素子１５との間の外囲器（光透
過性樹１１Ｎ ） １１に溝あるいは不透光性部材から
成る遮光部ケ設りだもので舌ンる。
る発）も素子１４と受光素子１５との間の外囲器（光透
過性樹１１Ｎ ） １１に溝あるいは不透光性部材から
成る遮光部ケ設りだもので舌ンる。
以下、この発明の一実施例について図…〕を参照して説
明する。第４図はその構成を示すもので、上記風２図の
フォトセンサにおける外囲器１ノの発光素子１４の設置
部と受光素子１５の設置部との間に遮光部としてリード
フレーム１３１での深さでかつ素子の幅をこえる範囲の
溝１７を設けたものである。このｉｊｉ １７は例えば
発光素子１４と受光素子１５とを外囲器（清明エポキシ
樹脂）１ノに封１ヒする際、成型金型を用いで成型する
。
明する。第４図はその構成を示すもので、上記風２図の
フォトセンサにおける外囲器１ノの発光素子１４の設置
部と受光素子１５の設置部との間に遮光部としてリード
フレーム１３１での深さでかつ素子の幅をこえる範囲の
溝１７を設けたものである。このｉｊｉ １７は例えば
発光素子１４と受光素子１５とを外囲器（清明エポキシ
樹脂）１ノに封１ヒする際、成型金型を用いで成型する
。
このよう−なＡｔｑ成によれば、発うＹ、諧イ１４の元
しだ光は発光素子１５に到達しないため内部Ｊ文躬によ
るノイズは発生しない。
しだ光は発光素子１５に到達しないため内部Ｊ文躬によ
るノイズは発生しない。
萬５図１ （ａ）、 （ｂｌけこの発明のイ１ハの実施
例を示すもので、（ａ） ｌｄはその断面格成図、（ｂ
）汀上方から見た図である。ここでは上記第４図に示し
だフォトセンサの活部１７に不透光性４σｊｒｉ’ｉｉ
（例えば黒色染料入りの液状エポキシｌ１ｌｌ脂）１
８葡注入して硬化させ遮光部を形、成しプζものである
。
例を示すもので、（ａ） ｌｄはその断面格成図、（ｂ
）汀上方から見た図である。ここでは上記第４図に示し
だフォトセンサの活部１７に不透光性４σｊｒｉ’ｉｉ
（例えば黒色染料入りの液状エポキシｌ１ｌｌ脂）１
８葡注入して硬化させ遮光部を形、成しプζものである
。
このようなオ背成によれは、上Ｎ１２ｍ ４図のフォト
センサより更にノイズを減少できる。ｒｐ占５１ＲＩ（
ａ） 、（ｂ）に示しだフォトセンサのＳ／Ｎ ’：Ｉ
＝ ｆ ｄｔｌｌ ｙｉし。
センサより更にノイズを減少できる。ｒｐ占５１ＲＩ（
ａ） 、（ｂ）に示しだフォトセンサのＳ／Ｎ ’：Ｉ
＝ ｆ ｄｔｌｌ ｙｉし。
だところ、上記第２１ン１に示した従来のものに比べて
Ｓ／Ｎ比を２０〜３０ｄＢ程度向上できるのを確認した
。
Ｓ／Ｎ比を２０〜３０ｄＢ程度向上できるのを確認した
。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
、種々変形して失施することが可能であり、例えは上記
第５図（ａ） 、 （ｂ）でＲ’Ｊ Ｉｔｓ １７に注
入した不透光性液状付］脂１８０代わりに金属片や成型
物等の不透光性部材を設けても同様な効果が得られる。
、種々変形して失施することが可能であり、例えは上記
第５図（ａ） 、 （ｂ）でＲ’Ｊ Ｉｔｓ １７に注
入した不透光性液状付］脂１８０代わりに金属片や成型
物等の不透光性部材を設けても同様な効果が得られる。
以上説明したようにこの発明によれは、発光素子と受光
素子とを光透過性樹脂製の同一の外囲器に封止するフォ
トセンサにおいて、外囲器の内部反射によって発光素子
の元が受光素子に供給されるのを防止できるので、正確
な検出が行なえるすぐれたフォトセンサが４４＋ ラれ
る。
素子とを光透過性樹脂製の同一の外囲器に封止するフォ
トセンサにおいて、外囲器の内部反射によって発光素子
の元が受光素子に供給されるのを防止できるので、正確
な検出が行なえるすぐれたフォトセンサが４４＋ ラれ
る。
第１１ゾＩは従来のフォトセンサの斜視図、第２図は上
記第１図のＡ −Ａ’紳に〆Ｄつだ附ｒ面構成図、第３
図は外囲器の内面反射を説明するだめのＩ９．１、第４
１ン１ばこの発明の一実施例Ｖこ係るフォトセンサの断
面構成図、第５１ゾｊ （ａ） 、 （ｂ）ばそれぞれ
この発明の他の実施例を示す図である。 １１・・・外囲器、１４・・・発つ“Ｃ素子、１．夕・
・・受光素子、１６・・・被検出物、１７．１Ｂ・・・
遮光部（１７、溝、１８．不透光性例月）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図
記第１図のＡ −Ａ’紳に〆Ｄつだ附ｒ面構成図、第３
図は外囲器の内面反射を説明するだめのＩ９．１、第４
１ン１ばこの発明の一実施例Ｖこ係るフォトセンサの断
面構成図、第５１ゾｊ （ａ） 、 （ｂ）ばそれぞれ
この発明の他の実施例を示す図である。 １１・・・外囲器、１４・・・発つ“Ｃ素子、１．夕・
・・受光素子、１６・・・被検出物、１７．１Ｂ・・・
遮光部（１７、溝、１８．不透光性例月）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１発５’Ｃ素子と受ｙＬ素子とを光嬉過性樹ｍｉ
’＋’Ｊの同一外囲器内に有し、上記発光素子からの発
光を被検出物に照射しその反射光を受光素子で’Ｒ）Ｙ
； して被検出物の存否を検出するフォトセンサにおい
て、上記発光素子設置部と受光素予設（ｔｉ １ｉｌ（
との間にづ１１元素子からの発光が外囲器の内部で反射
して受光素子に供給されるのを防止するｊ↓ごξ）’ｅ
ｇｌｌを設けたことを特徴とするフォトセンサ。 （２）上記遮光ｉｔｓ ｉ−Ｊ、、外囲器の発光素子設
置バ部と受光素子設値ｊ’、Ｉｓとの間に設けられたｖ
ｆであることケ！１．１ｉイ孜とするｌ旨ｄ′ト請求の
範囲４１〜１項記載のフォトセンサ。 （＋（）上ｉ己趣几部は、外ＩＬ１１器の元光索子設に
′（、Ｑｌ＋と受光素子設置１イ部との間に設けられた
７１へとその１＋４内に冗」飼された不妨光性部月とか
ら成ることを特徴とする特許請求の仲、間第１ Ｊｓｉ
配威のフォトセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167169A JPS5956779A (ja) | 1982-09-25 | 1982-09-25 | フオトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167169A JPS5956779A (ja) | 1982-09-25 | 1982-09-25 | フオトセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956779A true JPS5956779A (ja) | 1984-04-02 |
Family
ID=15844693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57167169A Pending JPS5956779A (ja) | 1982-09-25 | 1982-09-25 | フオトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956779A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003096096A1 (fr) * | 2002-05-14 | 2003-11-20 | Sony Corporation | Dispositif de liaison optique |
| TWI401421B (zh) * | 2005-10-26 | 2013-07-11 | Avago Tech Ecbu Ip Sg Pte Ltd | 具有不同發射器檢測器組態之反射式編碼器 |
-
1982
- 1982-09-25 JP JP57167169A patent/JPS5956779A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003096096A1 (fr) * | 2002-05-14 | 2003-11-20 | Sony Corporation | Dispositif de liaison optique |
| US7121744B2 (en) | 2002-05-14 | 2006-10-17 | Sony Corporation | Optical link device |
| TWI401421B (zh) * | 2005-10-26 | 2013-07-11 | Avago Tech Ecbu Ip Sg Pte Ltd | 具有不同發射器檢測器組態之反射式編碼器 |
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