JPS5956751A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5956751A
JPS5956751A JP58154836A JP15483683A JPS5956751A JP S5956751 A JPS5956751 A JP S5956751A JP 58154836 A JP58154836 A JP 58154836A JP 15483683 A JP15483683 A JP 15483683A JP S5956751 A JPS5956751 A JP S5956751A
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JP
Japan
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heat sink
semiconductor
resin body
cut
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JP58154836A
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JPS6350864B2 (ja
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Akio Yasukawa
彰夫 保川
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • H01L2924/3511—Warping

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は半導体装置、特に樹脂封止型半導体装置に関す
るものである。
〔発明の背景〕
従来のこの補パワーＩＣ１Ｊ第１図〜第３図に示すよう
に、ビス穴６を設けた放熱板取付部１ａと半導体取付部
１ｂからなる金属基板１と、その半導体取付部ｌｂ上に
取付けられた半導体素子２と、この半導体素子２粋よび
半導体取付部１ｂを覆うように金属基板１に一体に結ば
された樹脂体５と、この樹脂体５に先端部が埋設される
と共に、金属層１線３を介して半導体素子２に接続され
たリード線４によシ構成されている。
上記のように金属基板１に第４図に示すように放熱板７
を取付ける際は、放熱板取（−１部１ａのビス穴６にビ
ス８をねじ込むと、放熱板取付部１ａＩＪ、放熱板７に
締付けられるので、放熱板取付部１ａは放熱板７に沿っ
て反シ変形する。
この場合、半導体取付部１ｂはくびれることなく放熱板
取（−１部１ａと一体に形成されているので、その放熱
板取付部１ａと一緒に反って変形するから、半導体素子
２および樹脂体５も半導体取付部１）＋と一緒に反って
変形するととになる。このだめ半導体素子２および樹脂
体５に大きな引張力を生じてクラックが発生ずる恐れが
ある。
〔発明の目的〕
本発明は上記欠点を解消するためになされたもので、樹
脂封止形半導体装置における樹脂体のりラック等の発生
しにくい（１り造を提供゛ノーることを目的とするもの
である。
〔発明の概要〕
本発明の半導体装置は金属基板の放熱板取付部と半導体
取付部の間に、矩形状切込み部を設け、放熱板取付部に
放熱板を取付けた嚇ａの変形の生じる部分と生じない部
分の境界を切込み７１１（のうち最も半導体素子から離
れだ部分になるように（、−１成したことを特徴とする
ものであるう 〔発明の実施例〕 以下本発明の一実施例を図面を参照して説明する。第５
図に示す符号のうち第２図に示す符号と同一のものは同
一部分を示すものとする。
第５図において、１は放熱板１［又（＝Ｊ部１ａと半導
体取付部１））からなる金属基板で、前記両［保イ」部
１ａと１　ｂの間に矩形状（υ込み部ＩＣが設けられて
いる。５は手厚１イ・素子２を数句けた半導体取付部１
　ｂの３（而およびその周囲に一体に結合された樹脂体
である。その他の構造は第２図に示す従来１シリと同一
であるから説明を省略する。
本実Ｍ［ｉ例は上古己のように放熱板取付部１ａと半導
体取付部１ｂの間に矩形状切込み部ＩＣを設けたので、
放熱板取付部１ａのビス穴６にビス（図示せず）をねじ
込み、）ｊｋ熱板（図示せず）に放熱板取付部１ａを締
付けた場合に、放熱板取付部１ａは放熱板に沿って反り
変形する。しかｊ〜、１．’Ｚ熱板取Ｕ部１ａに放熱板
を締付けた場合の変形の生じる部分と生じない部分の境
界は、最も切込虜れた部分のうちの最も放熱板取Ｕ部に
近い部分（＃ｌＩも、最も半導体素子に遠い部分）に位
置する。
従って、半導体素子２卦よび樹脂体５の取付けられた半
２Ｊ１５体取付部１））は変形しないから、半導体取付
部１ｂと一体に結合された半・１を体素子２および樹脂
体５も（・１とんど変形し７ない。
〔発明の効−毛〕
以上説明したように本発明（τよれば、金が１承仮を放
熱板に取（すけた際に、半・１月４・素子および樹脂体
（／ｉ窯変形ないので、その両−６に生ずる引張応力は
小さいからクラックが発生するのを防上することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第３図は従来の樹脂封止型パワーＩＣの市面図
、偵断面および１ｕｌｌ　Ｍ面図、第４図は従来の樹脂
封止型パワーＩＣを放熱板に取付りた状態を示す１Ｅ面
図、第５図は本発明の半導体装置の一実施例として樹脂
封止型パワーＩＣを示す横断面図である。 １・・・金属基板、１ａ・・・放熱板取付部、１ｂ・・
・半導体取付部、ｌｃ・・・矩形状切込み部。 ＼−・−１ 佑　１　図　　　　　第　２　口 囁づ図 第　５　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 放熱板取付部と半導体取付部からなる金属基板と、その
    半導体取付部に取付けられ、かつリード線に接続する半
    導体素子と、この半導体素子および前記半導体取付部を
    覆うように金属基板に一体に結合された樹脂体からなる
    半導体装置において、前記金属基板の放熱板取付部と半
    導体取付部の間に矩形状切込み部を設けたことを特徴と
    する半導体装置。
JP58154836A 1983-08-26 1983-08-26 半導体装置 Granted JPS5956751A (ja)

Priority Applications (1)

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JP58154836A JPS5956751A (ja) 1983-08-26 1983-08-26 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP58154836A JPS5956751A (ja) 1983-08-26 1983-08-26 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPS5956751A true JPS5956751A (ja) 1984-04-02
JPS6350864B2 JPS6350864B2 (ja) 1988-10-12

Family

ID=15592939

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JP58154836A Granted JPS5956751A (ja) 1983-08-26 1983-08-26 半導体装置

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4947567U (ja) * 1972-08-02 1974-04-25
JPS51136057U (ja) * 1975-04-22 1976-11-02

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4947567U (ja) * 1972-08-02 1974-04-25
JPS51136057U (ja) * 1975-04-22 1976-11-02

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JPS6350864B2 (ja) 1988-10-12

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