JPS5954276A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
- Publication number
- JPS5954276A JPS5954276A JP57165503A JP16550382A JPS5954276A JP S5954276 A JPS5954276 A JP S5954276A JP 57165503 A JP57165503 A JP 57165503A JP 16550382 A JP16550382 A JP 16550382A JP S5954276 A JPS5954276 A JP S5954276A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- amorphous
- sih4
- atmosphere
- laminated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 abstract 3
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic System
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） βＣ業」二の利用分１叶
不発明はうｔ工矛ルギン′串゛気工不ル」ζに的］〉ｌ
乃叫勢Ｔる光４Ｃ′）子方装置にｌ’、’４１ Ｔる１
、叩】従来技１ホ１ 非晶質シリコン等の非晶質半ｊｆ、＞体会・ｆ（１１′
けた）Ｙ：起電、力装置行が従来の単結晶シリコンか１
）成イ＞）Ｙ−れ１市力装置に較べ中位発電ｋｔ当りの
コストが安＜ Ｔｃるために脚光を浴ひている。
乃叫勢Ｔる光４Ｃ′）子方装置にｌ’、’４１ Ｔる１
、叩】従来技１ホ１ 非晶質シリコン等の非晶質半ｊｆ、＞体会・ｆ（１１′
けた）Ｙ：起電、力装置行が従来の単結晶シリコンか１
）成イ＞）Ｙ−れ１市力装置に較べ中位発電ｋｔ当りの
コストが安＜ Ｔｃるために脚光を浴ひている。
然し乍ら、斯る非晶質光ｌｌＢ電力喪置装周知の如く単
結晶装置に比して光エネルギ７１１イ接′屯気エネルギ
に変換下る際の光重、変換効率（η）が低いことが最大
の間鴨点となっており、従来からつＹ二重変換効率ン如
何にに竹せしめるかがｔ’Ｆ究・１４Ｂ１発の第１の目
標とｙ′Ｃっでいる。
結晶装置に比して光エネルギ７１１イ接′屯気エネルギ
に変換下る際の光重、変換効率（η）が低いことが最大
の間鴨点となっており、従来からつＹ二重変換効率ン如
何にに竹せしめるかがｔ’Ｆ究・１４Ｂ１発の第１の目
標とｙ′Ｃっでいる。
一方、：ＪＩＥ晶質光用雷力装置は；−述の如き光７１
Ａ、変換効率の低率のみｒｃらず、強いうＹ：不＜ ｆ
’ｌｉ １１４？間照ａ（（７に場合にに紀光電、変換
効率が低下下７．）こと／＋；”；ＰＦα的に確駆され
た。
Ａ、変換効率の低率のみｒｃらず、強いうＹ：不＜ ｆ
’ｌｉ １１４？間照ａ（（７に場合にに紀光電、変換
効率が低下下７．）こと／＋；”；ＰＦα的に確駆され
た。
Ｃ］＠口日の目的
本発明Ｆ１斯る光電変換効率の低下、即ち劣化ヶ防１ヒ
Ｔろこと１目的として為されたものである７、以下にＭ
面不・・亥−照し７つ一つ詳述する５、に）発明の４ｙ
ｉ成 第１図は本発明のＪ、（木構浩弔・示＋７− ｆｌｉｔ
：ｔがラス・耐熱プラスチック等の絶躯件目つつＹ；透
過外の）、１÷ｔｈ、 ＋２１は該哉析（１）の−主面
に被！′「された酸化スズ、酸化インジウム・スズ等の
透明筒；極Ｉｌぐｆ、 ＋３１＆−ｒ該透明電極、＋１
．ｉ’ｊ１７＋上にシランＳｉＨ４等のグロー放電、に
より形成された非晶質シリコン系の半７ｒ３１体層、（
４）は該半消１体層（３１ｔにつに重畳されたアルミニ
ウム。
Ｔろこと１目的として為されたものである７、以下にＭ
面不・・亥−照し７つ一つ詳述する５、に）発明の４ｙ
ｉ成 第１図は本発明のＪ、（木構浩弔・示＋７− ｆｌｉｔ
：ｔがラス・耐熱プラスチック等の絶躯件目つつＹ；透
過外の）、１÷ｔｈ、 ＋２１は該哉析（１）の−主面
に被！′「された酸化スズ、酸化インジウム・スズ等の
透明筒；極Ｉｌぐｆ、 ＋３１＆−ｒ該透明電極、＋１
．ｉ’ｊ１７＋上にシランＳｉＨ４等のグロー放電、に
より形成された非晶質シリコン系の半７ｒ３１体層、（
４）は該半消１体層（３１ｔにつに重畳されたアルミニ
ウム。
チタン等の裏面絹、極膜である。
而して１本発明の特徴は上部半導体層（３）の組ｌＪ見
にＩ）ろ、、ｐＪ］ち、」二ξ己半導イ木層ｆ３１ｕ
３Ｙへｑ」イ（ＩＩ１で、ア）るう−１１月宙極クりｆ
２１＋ＩＩ月か１つ Ｐ型層 （７）ｐ） 、 ■
ノ１リ （１”てイ生）ＦＱ（ろ１）及びＮ型層（５
ｎ ） Ｙｌｉ１１次１１’ａ Ｑ’ａ、−Ｌ。
にＩ）ろ、、ｐＪ］ち、」二ξ己半導イ木層ｆ３１ｕ
３Ｙへｑ」イ（ＩＩ１で、ア）るう−１１月宙極クりｆ
２１＋ＩＩ月か１つ Ｐ型層 （７）ｐ） 、 ■
ノ１リ （１”てイ生）ＦＱ（ろ１）及びＮ型層（５
ｎ ） Ｙｌｉ１１次１１’ａ Ｑ’ａ、−Ｌ。
めたＰ Ｉ Ｎ１片合型枠１侍ケ持ら ｉ（ｊに詳１−
＜はＰ型層（３ｐ ） ＆１シラ／ Ｓ Ｉ Ｈ４７０
％ ＋＝対し、 ３ ［１％のメタンＣＨ４にドーピン
グガスとして０３％ジボラン８２Ｈ６ｆ含む雰囲気中で
θ）グロー放′１１？により形）現された非晶質シリコ
ンカーバイド（ａ−８ｉ ｘ Ｃ１−ｘツカ）らＩ戊、
す、ＩＪＡすＩＩＭ（、’＞ｉ） は ＳｆＨ４カ゛
ス＋： （１，５−５９５程度の四弗什、ｔ：を二累Ｓ
ｊＦ ４ガスを添加した１１？合ガス雰１用ｑ中で形
ｆ戊さオした弗化非晶質シリコン（ａ−３ｉ：＋Ｉ：Ｆ
Ｊがら成り、そしてＮ型層（３１１）はＳ ｉ Ｈ４ブ
ｆスｆニボスフインＰＨ５を１％添加して形成された非
晶質シリコン（ａ−８１： Ｈ）から構成さり、ている
７、この様１ｍ５ｉＨ４ケ主成分どＴろｒ囲気中でのグ
ロー放′市により形成、さ牙１．たｈ ４ｔ’、 Ｐ型
層（ｌｐン、ガス（ｉり層（ろｉ）及びＮ型層（ろ０）
の各膜厚は例えば１００Ａ、５０００Ａ、５００Ａに設
定さり、ている。
＜はＰ型層（３ｐ ） ＆１シラ／ Ｓ Ｉ Ｈ４７０
％ ＋＝対し、 ３ ［１％のメタンＣＨ４にドーピン
グガスとして０３％ジボラン８２Ｈ６ｆ含む雰囲気中で
θ）グロー放′１１？により形）現された非晶質シリコ
ンカーバイド（ａ−８ｉ ｘ Ｃ１−ｘツカ）らＩ戊、
す、ＩＪＡすＩＩＭ（、’＞ｉ） は ＳｆＨ４カ゛
ス＋： （１，５−５９５程度の四弗什、ｔ：を二累Ｓ
ｊＦ ４ガスを添加した１１？合ガス雰１用ｑ中で形
ｆ戊さオした弗化非晶質シリコン（ａ−３ｉ：＋Ｉ：Ｆ
Ｊがら成り、そしてＮ型層（３１１）はＳ ｉ Ｈ４ブ
ｆスｆニボスフインＰＨ５を１％添加して形成された非
晶質シリコン（ａ−８１： Ｈ）から構成さり、ている
７、この様１ｍ５ｉＨ４ケ主成分どＴろｒ囲気中でのグ
ロー放′市により形成、さ牙１．たｈ ４ｔ’、 Ｐ型
層（ｌｐン、ガス（ｉり層（ろｉ）及びＮ型層（ろ０）
の各膜厚は例えば１００Ａ、５０００Ａ、５００Ａに設
定さり、ている。
第２図１は１巡の如きＨ１戊（二ある光起電力装置に於
いて、川Ｘ：ｇＦのＩ八りＩｆ；ｒ ＜ ３１月二於（
する金子ｆ；丘？パラＪ−夕としてＩ’（小質換効宰（
η）の経ＯＪｒ変化χ！Ｑ！定した４１性図１である。
いて、川Ｘ：ｇＦのＩ八りＩｆ；ｒ ＜ ３１月二於（
する金子ｆ；丘？パラＪ−夕としてＩ’（小質換効宰（
η）の経ＯＪｒ変化χ！Ｑ！定した４１性図１である。
１ｍ図１１＝於いて、縦１即１は・ｆｔｌ累Ｆの含σは
そθ）ものによ１ノ瞭質ｌβ件化し党電変橡効率（η）
が鍋句１するＴ−めに、該）Ｙ：年変換効率（η）石・
初１．１１値でｌ；Ｑ格化しπもので、弓を；、イ清Ｉ
ＩＪは５００ｍ Ｗ ／ ｔ：ｍ Ｏ） ／Ｌ ＩＱ＋
−１５Ｙ−のＩＩ、！Ｉ、 Ｑ１ｆ！；７間である。
そθ）ものによ１ノ瞭質ｌβ件化し党電変橡効率（η）
が鍋句１するＴ−めに、該）Ｙ：年変換効率（η）石・
初１．１１値でｌ；Ｑ格化しπもので、弓を；、イ清Ｉ
ＩＪは５００ｍ Ｗ ／ ｔ：ｍ Ｏ） ／Ｌ ＩＱ＋
−１５Ｙ−のＩＩ、！Ｉ、 Ｑ１ｆ！；７間である。
尚−１ｌｌｌ定（二１共’、’−１：１１ ：ｈ５Ｘ、
’）穎ｄ己左・列装１１′ｆの１小素Ｆの含有用は以
下の１；ぼりである。
’）穎ｄ己左・列装１１′ｆの１小素Ｆの含有用は以
下の１；ぼりである。
ヒ記Ｆ含有Ｊ什はＩ型層（３１〕？ハ形ＦＱされ、る雰
囲気中の混合ガス［を率であ？）− にコニリ与えられている。
囲気中の混合ガス［を率であ？）− にコニリ与えられている。
この杵に１発電量ち光電変換効率（η）Ｃ二＠与下る電
子及び正孔対が主として発生し半導体層（３）の大部分
ケ占めるＩ ２１！Ｊ ｌｉ’ｉ％ （６１月二弗駆Ｆ
゛ン添加下ると、光電変換効率（η〕の劣化特性は変動
し。
子及び正孔対が主として発生し半導体層（３）の大部分
ケ占めるＩ ２１！Ｊ ｌｉ’ｉ％ （６１月二弗駆Ｆ
゛ン添加下ると、光電変換効率（η〕の劣化特性は変動
し。
しかもその変動幅は弗素Ｆの添加け１を増せば増Ｔはど
縮小するものではなく、に紀測定結果（二よれば試料（
ｄ）の１％の時最小の変動幅か得１：）れ。
縮小するものではなく、に紀測定結果（二よれば試料（
ｄ）の１％の時最小の変動幅か得１：）れ。
試料（Ｃ）及び（θ）（二於いても４％以内θ）略満足
のいく結果か得られた。
のいく結果か得られた。
ｕ１効 果
本発明光ｌｌμ電力装ｆｉｉ２ ｔｔｌ以−ヒの説明か
にン明１′）かｙ、（如く、発″小に寄′手Ｔる″電子
及びＨ４ニア：＆：を正孔対ン発生Ｔる非晶質シリコン
系の半導体層＆：Ｔ約（）５〜５％の弗素ケ含んでいる
ので、 ５Ｙ；Ｉｆｆ（射に、；、イ）光γｉ（変換効
率の劣化を防止Ｔることう・で入、今￥１′でイｉｌｆ
究開発の第１の目標とされていた一１’ｌ’： ７１１
Ｃ変喚効率を違った観点から実質的にヒ昇せしめること
〆できる。
にン明１′）かｙ、（如く、発″小に寄′手Ｔる″電子
及びＨ４ニア：＆：を正孔対ン発生Ｔる非晶質シリコン
系の半導体層＆：Ｔ約（）５〜５％の弗素ケ含んでいる
ので、 ５Ｙ；Ｉｆｆ（射に、；、イ）光γｉ（変換効
率の劣化を防止Ｔることう・で入、今￥１′でイｉｌｆ
究開発の第１の目標とされていた一１’ｌ’： ７１１
Ｃ変喚効率を違った観点から実質的にヒ昇せしめること
〆できる。
第１図は本発明装置の断面図、第２り１は光′山変換効
率の経時変化を測ｒｉ′Ｌ、た特性図で、（１１は承拵
。 （３）は半ｙｏ体層、不ご夫々示してい２）。 出願人 三７１゛小［Ｒ）（（、式会ネ１．−ｌ′、′
Ｆ
率の経時変化を測ｒｉ′Ｌ、た特性図で、（１１は承拵
。 （３）は半ｙｏ体層、不ご夫々示してい２）。 出願人 三７１゛小［Ｒ）（（、式会ネ１．−ｌ′、′
Ｆ
Claims (1)
- （１１非晶質シリコン系の半導体層をｌ！ｆｆｆえた光
吊昂′、力装置１夕に於いて２上記半導体層は約０５〜
５％の弗素を含み、光■クイ甲１による光電変換効率の
劣化ン防１１ユしたこと７特徴とするイ；４己′屯力装
ｊｉｊ１、．
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57165503A JPS5954276A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57165503A JPS5954276A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954276A true JPS5954276A (ja) | 1984-03-29 |
Family
ID=15813624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57165503A Pending JPS5954276A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954276A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4692558A (en) * | 1983-05-11 | 1987-09-08 | Chronar Corporation | Counteraction of semiconductor impurity effects |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55157276A (en) * | 1979-05-28 | 1980-12-06 | Sharp Corp | Amorphous thin film solar battery |
| JPS56100486A (en) * | 1980-01-14 | 1981-08-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photoelectric conversion element |
| JPS56104433A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-20 | Energy Conversion Devices Inc | Amorphous semiconductor corresponding to crystalline semiconductor |
| JPS56167371A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-23 | Sanyo Electric Co Ltd | Solar cell |
| JPS571262A (en) * | 1980-06-02 | 1982-01-06 | Fuji Electric Co Ltd | Solar cell |
| JPS5778184A (en) * | 1980-09-09 | 1982-05-15 | Energy Conversion Devices Inc | Photoresponse amorphous alloy and method of producing same |
-
1982
- 1982-09-22 JP JP57165503A patent/JPS5954276A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55157276A (en) * | 1979-05-28 | 1980-12-06 | Sharp Corp | Amorphous thin film solar battery |
| JPS56100486A (en) * | 1980-01-14 | 1981-08-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photoelectric conversion element |
| JPS56104433A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-20 | Energy Conversion Devices Inc | Amorphous semiconductor corresponding to crystalline semiconductor |
| JPS56167371A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-23 | Sanyo Electric Co Ltd | Solar cell |
| JPS571262A (en) * | 1980-06-02 | 1982-01-06 | Fuji Electric Co Ltd | Solar cell |
| JPS5778184A (en) * | 1980-09-09 | 1982-05-15 | Energy Conversion Devices Inc | Photoresponse amorphous alloy and method of producing same |
| JPS5779672A (en) * | 1980-09-09 | 1982-05-18 | Energy Conversion Devices Inc | Photoresponsive amorphous alloy and method of producing same |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4692558A (en) * | 1983-05-11 | 1987-09-08 | Chronar Corporation | Counteraction of semiconductor impurity effects |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2814351B2 (ja) | 光電装置 | |
| TW200917504A (en) | Solar energy photoelectric conversion apparatus | |
| CN101515608A (zh) | 硅纳米晶体光电池及其在薄膜晶体管面板内的应用 | |
| Myong et al. | Double amorphous silicon-carbide p-layer structures producing highly stabilized pin-type protocrystalline silicon multilayer solar cells | |
| JPS59973A (ja) | アモルフアスシリコン本体に絶縁層を組込んだアモルフアスシリコン太陽電池およびホ−ルのｎ型領域への逆拡散を抑制する方法 | |
| JPS5954276A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS5810871A (ja) | アモルフアス太陽電池 | |
| Terakawa et al. | Film property control of hydrogenated amorphous silicon germanium for solar cells | |
| CN107293604A (zh) | 一种p型面低反射率晶硅电池的制备方法 | |
| JPS5954274A (ja) | 光起電力装置 | |
| JP4187328B2 (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| JPS5955077A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS61244073A (ja) | アモルフアスシリコン光電変換素子 | |
| JPH065892A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JPH046880A (ja) | 非晶質シリコンカーバイド膜の形成方法並びに光起電力装置 | |
| JPS5997514A (ja) | 太陽電池の製造法 | |
| TW200536136A (en) | Method for producing thin-film photoelectric converter | |
| JPS59101879A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JP2004140010A (ja) | タンデム形太陽電池 | |
| JPS632385A (ja) | 多層構造ｐ型シリコン膜および太陽電池 | |
| JP2543498B2 (ja) | 半導体薄膜 | |
| JPS62165374A (ja) | アモルフアス光起電力素子 | |
| Glaudell et al. | Simulation-Optimized ZnS x Se1-x Contacts on Si for Photovoltaic Carrier-Selective Contacts | |
| Kuwano | Photovoltaic Structures by Plasma Deposition | |
| JPS61236171A (ja) | アモルフアスシリコン光電変換素子 |