JPS5953848A - X線電子写真感光体 - Google Patents
X線電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS5953848A JPS5953848A JP16478082A JP16478082A JPS5953848A JP S5953848 A JPS5953848 A JP S5953848A JP 16478082 A JP16478082 A JP 16478082A JP 16478082 A JP16478082 A JP 16478082A JP S5953848 A JPS5953848 A JP S5953848A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- ray
- layer
- electrophotographic photoreceptor
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
最近光導電材料として、その組成式が
13ixMOn
(但しMはゲルマニウム、珪素、チタン、ガリウムおよ
びアルミニウムのうちの 少なくとも1種であり、Xは10≦X ≦14なる条件を満たす数であり、ま た1]は上記MおよびX次第で化学量論的に決定される
酸素原子截を示す) で表わされる酸化ビスマス系複合酸化物の体心立方晶系
(γ型)結晶が注目されるようになった。このr型結晶
性複合酸化物はX線の照射を受ける時導電性になり、従
ってX線の照射によって静電潜像が形成さ」しるX線電
子写真法に用いられる感光体のアC導電材料とし一〇使
用することができる( ’L!+開昭53 4:35
31号参照)。
びアルミニウムのうちの 少なくとも1種であり、Xは10≦X ≦14なる条件を満たす数であり、ま た1]は上記MおよびX次第で化学量論的に決定される
酸素原子截を示す) で表わされる酸化ビスマス系複合酸化物の体心立方晶系
(γ型)結晶が注目されるようになった。このr型結晶
性複合酸化物はX線の照射を受ける時導電性になり、従
ってX線の照射によって静電潜像が形成さ」しるX線電
子写真法に用いられる感光体のアC導電材料とし一〇使
用することができる( ’L!+開昭53 4:35
31号参照)。
一上記複合酸化物のγ型結晶粒子を有機結合剤中に分散
してなる感X線層を導電性基板上に設し〕だX線電子写
真感光体はかなり高感度である。例えば、従来X線電子
写真感光体として導電性基板とこの導電性基板上に蒸着
によつで設けらJl.た非晶質セレン層とからなる感光
体が知もれており、この感光体はマンモグラフイー等に
実用されているが、上記複合酸化物のγ型結晶粒子を有
機結合剤中に分散してなる感X線層を有する感光体は、
一般に上記非晶質セレン感X線層を有する従来実用の感
光体&C JIZ較してX +%! vc対する感度が
約5乃至’ O ff.f ii’<+ ’11,’
。
してなる感X線層を導電性基板上に設し〕だX線電子写
真感光体はかなり高感度である。例えば、従来X線電子
写真感光体として導電性基板とこの導電性基板上に蒸着
によつで設けらJl.た非晶質セレン層とからなる感光
体が知もれており、この感光体はマンモグラフイー等に
実用されているが、上記複合酸化物のγ型結晶粒子を有
機結合剤中に分散してなる感X線層を有する感光体は、
一般に上記非晶質セレン感X線層を有する従来実用の感
光体&C JIZ較してX +%! vc対する感度が
約5乃至’ O ff.f ii’<+ ’11,’
。
とこイ)でX線?lX子写真感光体が特に医療診断を目
的とーI゛るX線電子写真法に用(・られる場合K &
:l、、患者の被曝線量を少なくするために感光付はで
きるだけ高感度であるのが望ましく・0このような点か
ら、上記複合酸化物のγ型結品λ:;7 r’,4イ1
機結合剤中に分散して!、朱゛る感X線層を自する感光
体についてもその感度をより一層向上させることが望ま
れている。
的とーI゛るX線電子写真法に用(・られる場合K &
:l、、患者の被曝線量を少なくするために感光付はで
きるだけ高感度であるのが望ましく・0このような点か
ら、上記複合酸化物のγ型結品λ:;7 r’,4イ1
機結合剤中に分散して!、朱゛る感X線層を自する感光
体についてもその感度をより一層向上させることが望ま
れている。
上記複合酸化物のγ型結晶粒子と共にl1型半導体粒子
を有機結合剤中に分散せしめて感X線層を構成する場合
には、感X線層の感度が向上する19本出願人はこのよ
うな上記複合酸化物のr型結晶粒子と共に■〕型半導体
粒子を有機結合剤中に分散してなる感X線層を導電性基
板上に有する感度の向上したX線電子写真感光体を先に
特許出願した(特願昭56−156695号)。
を有機結合剤中に分散せしめて感X線層を構成する場合
には、感X線層の感度が向上する19本出願人はこのよ
うな上記複合酸化物のr型結晶粒子と共に■〕型半導体
粒子を有機結合剤中に分散してなる感X線層を導電性基
板上に有する感度の向上したX線電子写真感光体を先に
特許出願した(特願昭56−156695号)。
上記特願昭56−156695号のX線電子写真感光体
の感X線層は上述のように上記複合酸化物のγ型結晶粒
子および1]型型半体粒子を分散状態で含むものである
のてその表面は比較的粗く、特に粒子径の大きな複合酸
化物γ型結晶粒子およびn型半導体粒子が用いられた感
X線層の表面はかなり粗い。この特願昭56−1.56
695号の感光体かトナー現像。
の感X線層は上述のように上記複合酸化物のγ型結晶粒
子および1]型型半体粒子を分散状態で含むものである
のてその表面は比較的粗く、特に粒子径の大きな複合酸
化物γ型結晶粒子およびn型半導体粒子が用いられた感
X線層の表面はかなり粗い。この特願昭56−1.56
695号の感光体かトナー現像。
転写、クリーニングを伴なうカールソン法により使用さ
れる場合、このように感X線層の表面が粗いことは得ら
れる画像の画質および画像形成後の感光体のクリーニン
グ操作に悪影響を及ぼ−・j、1づ−なわち、特願昭5
6−i5G695号の感光体&、1. トナー現像の際
にかぶりを生じ易く、従つ゛(?!Jられる画像は一般
にかぶり濃度が高く、−合のために解像度が低い。また
特願昭56−156(l95号の感光体は一般に従来実
用の非晶;lタセレン感X線層を有する感光体等に適用
さハ、ている通常のクリーニング法によっては残存トナ
ーを次回の画像形成が悪影響を受けない程度に除去する
のが困難である。
れる場合、このように感X線層の表面が粗いことは得ら
れる画像の画質および画像形成後の感光体のクリーニン
グ操作に悪影響を及ぼ−・j、1づ−なわち、特願昭5
6−i5G695号の感光体&、1. トナー現像の際
にかぶりを生じ易く、従つ゛(?!Jられる画像は一般
にかぶり濃度が高く、−合のために解像度が低い。また
特願昭56−156(l95号の感光体は一般に従来実
用の非晶;lタセレン感X線層を有する感光体等に適用
さハ、ている通常のクリーニング法によっては残存トナ
ーを次回の画像形成が悪影響を受けない程度に除去する
のが困難である。
本発明のX線電子写真感光体は上記特願昭56−156
695月のX線電子写真感光体の感X線層上Vこさらに
オーバーコート層として下記57種の物質からなる無機
物質群より選ばれる無機物質の層を設けて該感光体の表
面の平滑性を高め、それによって該感光体によって得ら
れる画像の画質を向上させ、また該感光体の画1象形成
後のクリーニングを容易に行なうことができるようにし
たものである;SiC、Bl” 、 A11jP 、
A4As 、 GaN 、 GaP 、ZnO、Pli
OlBaO、TiO2、Alj203 、 NiO、八
JnO、J、i 20 、 J3cO。
695月のX線電子写真感光体の感X線層上Vこさらに
オーバーコート層として下記57種の物質からなる無機
物質群より選ばれる無機物質の層を設けて該感光体の表
面の平滑性を高め、それによって該感光体によって得ら
れる画像の画質を向上させ、また該感光体の画1象形成
後のクリーニングを容易に行なうことができるようにし
たものである;SiC、Bl” 、 A11jP 、
A4As 、 GaN 、 GaP 、ZnO、Pli
OlBaO、TiO2、Alj203 、 NiO、八
JnO、J、i 20 、 J3cO。
Na2O,MgO,5iOz 、K2O,C;10.5
C203、V2O3、Cr 203 、 FcO、Fe
zO3,Fc30i 、CIJ20 、 CuO1Co
01ZrOz 、N1)205 、 MOO2、MOO
3、Cd01S1102.5b20:+ 、 C820
、IIfO2,i’azo:+ 、WO++ 、Tl2
O,13j 203 、T1102 、 UO2、Ce
O2、Pr2O3、N(+203、AgF2. lVI
gF2、CaF2、BN 、 Si 3N4 、5l)
03 、5b2os、AS203 、AS205および
Na3AlF6゜すなわち、本発明のX線?に子写真感
光体は1)少なくとも一方の面が導電性である基板、1
1)上記基板の導電性の面上に設けられており、有機結
合剤と、この有機結合剤中に分散された a)上記酸化
ビスマス系複合酸化物のγ型結晶粒子および b)1]
型型半体粒子とからなる感X線層、およびl11)上記
感X線層」二に設けられた上記57種の物質からなる無
機物質群より選ばれる無機物質の層からなることを特徴
とづ−る。
C203、V2O3、Cr 203 、 FcO、Fe
zO3,Fc30i 、CIJ20 、 CuO1Co
01ZrOz 、N1)205 、 MOO2、MOO
3、Cd01S1102.5b20:+ 、 C820
、IIfO2,i’azo:+ 、WO++ 、Tl2
O,13j 203 、T1102 、 UO2、Ce
O2、Pr2O3、N(+203、AgF2. lVI
gF2、CaF2、BN 、 Si 3N4 、5l)
03 、5b2os、AS203 、AS205および
Na3AlF6゜すなわち、本発明のX線?に子写真感
光体は1)少なくとも一方の面が導電性である基板、1
1)上記基板の導電性の面上に設けられており、有機結
合剤と、この有機結合剤中に分散された a)上記酸化
ビスマス系複合酸化物のγ型結晶粒子および b)1]
型型半体粒子とからなる感X線層、およびl11)上記
感X線層」二に設けられた上記57種の物質からなる無
機物質群より選ばれる無機物質の層からなることを特徴
とづ−る。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明のX線電子写真感光体は以下に述べるような方法
によって製造さ、lする。
によって製造さ、lする。
まず最vnc
1)化学的II(/A化J−ろこノー乙・<J存柊的に
形成される感X線)?四の有槻結介ヘリとなる] (’
、:+xもし7くは2種以」二の有機物質、あるいは 2)則えば」1定の樹脂とその架l喬削のような以下に
述べる加熱乾燥時に互に反 応して最、終曲に形成される感X線層の有(・(&結合
剤となる2種以上の有機物質、あるいは :3〕 上H1’、: l )および2)全適当な溶媒
に溶解してなる溶液中に上記酸化ビスマス系複合酸化物
のγ型結晶粒子およびn型半導イ・1・粒Fを分散せし
めた分散液が調製される(以[上記1)、2)および3
)if’有機結合剤)%口1」ということにする)。上
記有機結合剤中、+4−)は1V合酸化物γ型結晶粒子
および11型半導体粒子・に悪影響を及ぼさず、かつそ
れら粒1′−が分散した少なくとも通常のX線七子写−
AI・′X)作θ、による取扱いに耐えうる程度の機械
的強度を有する層全形成しつるものであればいかなる有
機物質からなるものであってもよい。一般に従来電子写
真感光体の感光層k 構成する有機結合剤の原4”lと
して使用することができることが知C)71.−こいる
1イ中もしくは2種以上の有、膿胸り4は本発明におい
ても有磯結合剤原オ・1として使用することかできる。
形成される感X線)?四の有槻結介ヘリとなる] (’
、:+xもし7くは2種以」二の有機物質、あるいは 2)則えば」1定の樹脂とその架l喬削のような以下に
述べる加熱乾燥時に互に反 応して最、終曲に形成される感X線層の有(・(&結合
剤となる2種以上の有機物質、あるいは :3〕 上H1’、: l )および2)全適当な溶媒
に溶解してなる溶液中に上記酸化ビスマス系複合酸化物
のγ型結晶粒子およびn型半導イ・1・粒Fを分散せし
めた分散液が調製される(以[上記1)、2)および3
)if’有機結合剤)%口1」ということにする)。上
記有機結合剤中、+4−)は1V合酸化物γ型結晶粒子
および11型半導体粒子・に悪影響を及ぼさず、かつそ
れら粒1′−が分散した少なくとも通常のX線七子写−
AI・′X)作θ、による取扱いに耐えうる程度の機械
的強度を有する層全形成しつるものであればいかなる有
機物質からなるものであってもよい。一般に従来電子写
真感光体の感光層k 構成する有機結合剤の原4”lと
して使用することができることが知C)71.−こいる
1イ中もしくは2種以上の有、膿胸り4は本発明におい
ても有磯結合剤原オ・1として使用することかできる。
また上記有機結合剤原料r溶解して溶液とするための溶
媒は使用される有(幾結合剤原料に応じて適宜選択され
る。
媒は使用される有(幾結合剤原料に応じて適宜選択され
る。
本発明のX線心子写真感光体の感N線層を構成する有機
結合剤として特に好捷しいものとして、ポリエステル樹
脂、ポリエステル樹脂J脂と例えばアルキッド樹脂のよ
うなその他の樹脂との混合物、ジイソシアネーI・等の
架橋剤によって架橋されたポリエステル樹脂、および前
記架橋剤によって架橋されたポリエステル樹脂と例えば
アルキッド樹脂のようなそあ他の樹脂との混合物が挙げ
られる。なお、特開昭56 5549号には上記酸化ビ
スマス系複合酸化物のr型結晶粒子を電荷担体輸送能を
持つ有機結合剤中に分散してなる感X線層を有するX
+腺′f[i;子写真感光体が開示されているが、本q
F明の感光体の感X線層を構成する有(幾結rr +′
ilI &l、1記公開公・ト1シの感光体に使用され
ている。1、°〕な11C荀411体輸送能を持つもの
であつ−Cも」、い3、電、G7川用輸iX 1jf6
を持つ有機結合剤の具r=lk 1allについては例
えばL記公開公報を参照され/、二い。
結合剤として特に好捷しいものとして、ポリエステル樹
脂、ポリエステル樹脂J脂と例えばアルキッド樹脂のよ
うなその他の樹脂との混合物、ジイソシアネーI・等の
架橋剤によって架橋されたポリエステル樹脂、および前
記架橋剤によって架橋されたポリエステル樹脂と例えば
アルキッド樹脂のようなそあ他の樹脂との混合物が挙げ
られる。なお、特開昭56 5549号には上記酸化ビ
スマス系複合酸化物のr型結晶粒子を電荷担体輸送能を
持つ有機結合剤中に分散してなる感X線層を有するX
+腺′f[i;子写真感光体が開示されているが、本q
F明の感光体の感X線層を構成する有(幾結rr +′
ilI &l、1記公開公・ト1シの感光体に使用され
ている。1、°〕な11C荀411体輸送能を持つもの
であつ−Cも」、い3、電、G7川用輸iX 1jf6
を持つ有機結合剤の具r=lk 1allについては例
えばL記公開公報を参照され/、二い。
酸化ビスマス系複合酸化物のγ型結晶粒子に、チョクラ
ルスキー法等の従来公知の方法で製造された該複合酸化
物のγ型結晶体(単結晶あるいは多結晶)を粉砕するこ
とによって作られる。この複合酸化物r型、晴晶粒子は
一般に粒子径が1000μm以下のものが使用され、好
ましくは200μm以下、より好丑しくは100μm以
下のものが使用される。本発明に1′ 使用される酸化ビスマス系腹合酸化物のうちでも、得ら
れる/i&光体の感度の点から上記組成式のMがゲルマ
ニウムおよび珪素のうちのいずれか一方あるいはその両
方である複合酸化物、すなわちその組成式が Bix (Oe+−y + Siy ) On(但しX
および1]は上記と同じ定義を有し、yは0≦Y 5
]なる]件を満たす数である) で表わされる複合酸化物が竹に好オしい。この特定の腹
自酸化物のうちても、上記組成式0式% である複合酸化物(すなわちf3i+20cOzo )
およびXが12であり、yカI テあり、1】が20で
ある榎合酸fヒ物(すなわちT3112S 102o
)が行に好ましい。
ルスキー法等の従来公知の方法で製造された該複合酸化
物のγ型結晶体(単結晶あるいは多結晶)を粉砕するこ
とによって作られる。この複合酸化物r型、晴晶粒子は
一般に粒子径が1000μm以下のものが使用され、好
ましくは200μm以下、より好丑しくは100μm以
下のものが使用される。本発明に1′ 使用される酸化ビスマス系腹合酸化物のうちでも、得ら
れる/i&光体の感度の点から上記組成式のMがゲルマ
ニウムおよび珪素のうちのいずれか一方あるいはその両
方である複合酸化物、すなわちその組成式が Bix (Oe+−y + Siy ) On(但しX
および1]は上記と同じ定義を有し、yは0≦Y 5
]なる]件を満たす数である) で表わされる複合酸化物が竹に好オしい。この特定の腹
自酸化物のうちても、上記組成式0式% である複合酸化物(すなわちf3i+20cOzo )
およびXが12であり、yカI テあり、1】が20で
ある榎合酸fヒ物(すなわちT3112S 102o
)が行に好ましい。
本発明に使用される11型半導体粒子の具体例とシテ、
C(ダイヤモンド)、へ(gzA6204、p −Si
C,TiO2、V2O5、V2O4、Mn0z、J’
Q203、Fc52、Zllo、CLI2S 、 C
u1nSez 、 ZIIS 。
C(ダイヤモンド)、へ(gzA6204、p −Si
C,TiO2、V2O5、V2O4、Mn0z、J’
Q203、Fc52、Zllo、CLI2S 、 C
u1nSez 、 ZIIS 。
Zn5c 、 ZnTc 、 QeSe 、 5rO
1N+)205、N1〕2o4、N′b203 、
MOO3、八4oS 、 MoS2 、 l
? −AgzS 、79− AgzSe、β−Ag
z’l’c 、 CdS、InSe 、 5nO1
SnOz、SII’Se 、 5l)204、T a
203、Taz(J5、WOa、HgSc、J1i2
s3、Bi2Se3、Ceo 2、N(1203、円+
CrOイ、I]gS 等の粒子が挙げられる。これら
OQ91= VIL体粒子粒子ちでも、得られる感光1
\の感1Φの点からZllo、(シd8、〜V03およ
びl’ i 02の粒子が・特にattしい。一般に1
1・型半導体粒子は01用される複合酸化物γ型結晶粒
子と同等あるいはそれよりも小さな粒子径のものが使用
される。
1N+)205、N1〕2o4、N′b203 、
MOO3、八4oS 、 MoS2 、 l
? −AgzS 、79− AgzSe、β−Ag
z’l’c 、 CdS、InSe 、 5nO1
SnOz、SII’Se 、 5l)204、T a
203、Taz(J5、WOa、HgSc、J1i2
s3、Bi2Se3、Ceo 2、N(1203、円+
CrOイ、I]gS 等の粒子が挙げられる。これら
OQ91= VIL体粒子粒子ちでも、得られる感光1
\の感1Φの点からZllo、(シd8、〜V03およ
びl’ i 02の粒子が・特にattしい。一般に1
1・型半導体粒子は01用される複合酸化物γ型結晶粒
子と同等あるいはそれよりも小さな粒子径のものが使用
される。
複合酸化物γ型結晶粒子とIl型半導体粒子は一般にn
型半導体粒子の量が両者の合計11」の01乃至50容
叶%となるような割合で使用され、好丑しくは1乃至3
0容1Lより好ましくは:3乃至10容に係となるよう
な割合で使用される。寸だ、複合酸化物γ型結晶粒子、
1]型型半体粒子および有、磯結合剤原別は一般に、イ
J槻結合剤原料の楢が三者の合1j−l’ 、I仕の1
乃至1〕()容!4[%となるようなiI#!1合で使
用され、好捷しくは1o乃至7o容量%、より好ましく
は20乃至5o容量係となるような′側合で使用される
っ 分散液の調製は有機結αIi+)原イーF全溶媒に溶J
’Jイしてなる溶液に複合酸化(吻rjli!Q結晶粒
子および11型半41’4−粒子ケ添)Jll L 、
適当な手段で充分に4FL Iテ1’混合するこ々にょ
ってイイなわれるこのユ易合、複合1′唆化!l勿γ型
結Ifi!1粒子および11型゛1丘導体粒子o7↓で
きるたけ一次粒子として有機結合剤原旧溶1夜中に分散
され5のが好丑しい。
型半導体粒子の量が両者の合計11」の01乃至50容
叶%となるような割合で使用され、好丑しくは1乃至3
0容1Lより好ましくは:3乃至10容に係となるよう
な割合で使用される。寸だ、複合酸化物γ型結晶粒子、
1]型型半体粒子および有、磯結合剤原別は一般に、イ
J槻結合剤原料の楢が三者の合1j−l’ 、I仕の1
乃至1〕()容!4[%となるようなiI#!1合で使
用され、好捷しくは1o乃至7o容量%、より好ましく
は20乃至5o容量係となるような′側合で使用される
っ 分散液の調製は有機結αIi+)原イーF全溶媒に溶J
’Jイしてなる溶液に複合酸化(吻rjli!Q結晶粒
子および11型半41’4−粒子ケ添)Jll L 、
適当な手段で充分に4FL Iテ1’混合するこ々にょ
ってイイなわれるこのユ易合、複合1′唆化!l勿γ型
結Ifi!1粒子および11型゛1丘導体粒子o7↓で
きるたけ一次粒子として有機結合剤原旧溶1夜中に分散
され5のが好丑しい。
次に上述のようにして調製された分1救液が少なくとも
その一方の面が導′1L性である基板の導電性の向上に
均一に塗布される。使用される基板は分散液か塗布ざI
Lる而、すなわち感X #jノ・Δが形成される面が’
t+”i jb、 ++−であればいかなるものであっ
てもよいが、一般には金属板が上記基板として使用され
る。金4g板のうちでも、行に経済性およびノ1y仏い
性の点からアルミニウム板、ステンレススチール板ある
いは亜鉛板が使用されるのが好ましい。分散液の塗布は
ワイヤルバー、ドクターグレード、ロールコ−ター、ナ
イフ:j−ターWE k 使JIJ する一般的iI:
1方イIノ方法によって行なわれる。一般に分散71’
j−は以1・°に述べる加熱乾燥後の厚さくすなわ0感
X線層の厚さ)が10乃全2000、 1ln1とな
るユうン(=(を布され、々fましくは30乃至800
〕11m」、り好丑シ<は100乃至400Jimと
なるように塗布される、 分散液/i′:布の後、分散液塗膜は分散液に含まれる
溶媒のθ1)点よりも高いzl、1度で加熱乾燥される
3、ε−の加熱乾燥は分散液に含まれている溶媒Xj・
l!3傅J L、、て基板トに感X線層全形成せしめる
/・−めにrJなわれるものであるが、有機7貼合j’
+IJ片、IFが1記2)あるいは3)である場合には
、このJJIIA・((・:12.燥は該原料を+f7
J成する反応成分を反応′さ、1て面磯結合剤にあるい
は有機結合剤の一部e(=することをも1にねるもので
ある。この方旧;1冒+”/、’燥によって形成される
感X線層は有機結合剤と、この有機結合剤中に分散
1された複合酸化物γ型結晶粒子およびII型形導
体粒子とからなる。
その一方の面が導′1L性である基板の導電性の向上に
均一に塗布される。使用される基板は分散液か塗布ざI
Lる而、すなわち感X #jノ・Δが形成される面が’
t+”i jb、 ++−であればいかなるものであっ
てもよいが、一般には金属板が上記基板として使用され
る。金4g板のうちでも、行に経済性およびノ1y仏い
性の点からアルミニウム板、ステンレススチール板ある
いは亜鉛板が使用されるのが好ましい。分散液の塗布は
ワイヤルバー、ドクターグレード、ロールコ−ター、ナ
イフ:j−ターWE k 使JIJ する一般的iI:
1方イIノ方法によって行なわれる。一般に分散71’
j−は以1・°に述べる加熱乾燥後の厚さくすなわ0感
X線層の厚さ)が10乃全2000、 1ln1とな
るユうン(=(を布され、々fましくは30乃至800
〕11m」、り好丑シ<は100乃至400Jimと
なるように塗布される、 分散液/i′:布の後、分散液塗膜は分散液に含まれる
溶媒のθ1)点よりも高いzl、1度で加熱乾燥される
3、ε−の加熱乾燥は分散液に含まれている溶媒Xj・
l!3傅J L、、て基板トに感X線層全形成せしめる
/・−めにrJなわれるものであるが、有機7貼合j’
+IJ片、IFが1記2)あるいは3)である場合には
、このJJIIA・((・:12.燥は該原料を+f7
J成する反応成分を反応′さ、1て面磯結合剤にあるい
は有機結合剤の一部e(=することをも1にねるもので
ある。この方旧;1冒+”/、’燥によって形成される
感X線層は有機結合剤と、この有機結合剤中に分散
1された複合酸化物γ型結晶粒子およびII型形導
体粒子とからなる。
なお、上述のようにして]、(板上に形成された感xm
層がさらに核感X腺層を構成する有機結合剤の軟化点以
」二であるがその分解開始温度よりも低い温度て熱処理
される場合には、その感X線層の感度はさらに向上する
。この熱処理は充分な感度向上効果が得られるようにそ
の:r;A度およびlL’j間か厳密に制叫1されなけ
ればならない。すなわち、熱処理か有機結合剤の1pf
(化点あるいはそれに近い/、1.2.度て行なわれる
場合には、充分な感度向上効果を得るためには比較的長
時間の熱処J41jか材間てあり、逆に熱処理が有機結
合剤の分解1jF]始11(1jt度に近い温度で行な
われる」場合には、比較的短11.5″間の熱処理で充
分な感度向1−効果を得ることかできる。竹に熱処理か
イ〕磯結合剤の分解開始温度に近い温度で行なわれる場
合には、感X線層に焼けあるいはこげか生しないように
するために熱処理時間はより一層厳密に制御される必要
がある、一般に上記熱処理が励された感X線層の感度は
熱処理前の感X線層の感度の約2乃至;ふ倍である。上
記熱処理によって感X線層の感度が+rrt−Lするの
は、熱処理によって有機結合剤が軟化し、それによって
複合酸化物γ型結晶粒子と11型半導体粒子との接触が
向上するだめであると思われる。
層がさらに核感X腺層を構成する有機結合剤の軟化点以
」二であるがその分解開始温度よりも低い温度て熱処理
される場合には、その感X線層の感度はさらに向上する
。この熱処理は充分な感度向上効果が得られるようにそ
の:r;A度およびlL’j間か厳密に制叫1されなけ
ればならない。すなわち、熱処理か有機結合剤の1pf
(化点あるいはそれに近い/、1.2.度て行なわれる
場合には、充分な感度向上効果を得るためには比較的長
時間の熱処J41jか材間てあり、逆に熱処理が有機結
合剤の分解1jF]始11(1jt度に近い温度で行な
われる」場合には、比較的短11.5″間の熱処理で充
分な感度向1−効果を得ることかできる。竹に熱処理か
イ〕磯結合剤の分解開始温度に近い温度で行なわれる場
合には、感X線層に焼けあるいはこげか生しないように
するために熱処理時間はより一層厳密に制御される必要
がある、一般に上記熱処理が励された感X線層の感度は
熱処理前の感X線層の感度の約2乃至;ふ倍である。上
記熱処理によって感X線層の感度が+rrt−Lするの
は、熱処理によって有機結合剤が軟化し、それによって
複合酸化物γ型結晶粒子と11型半導体粒子との接触が
向上するだめであると思われる。
以上説明したような方法で少なくともその一方の面か導
電性である基板と、この基板の導電性の面上に設けられ
た感Xm層とからなり、該感X線層が有機結合剤と、こ
のイ1重結合剤中に分散された a)上記酸化ビスマス
系複合酸化物の7種結晶粒子および 1))II型半導
体粒j”、!、からなるX a9准子写真感光体(すな
わち上記itケ願昭56−156(595号のX線電子
写真感光体)が得られるが、この感光体の感X線層表面
は一般に粗く、特に粒子径の大きな複合酸化物r型結晶
粒子および1]型型半体粒子が用いられた感X線層表面
の表面はかなり和い1.このX線電子写真感光体の感X
線ノー表面の平滑性を高めるために、次にこのノさ光体
の感X線層ヒに上記57神の物TLからなる無機物質群
より選ばれる無機物質の層がオーバーコート層として形
成される。−上記57種の無機物質のうちでもオーバー
コート層の材料どして特に好ましいものはZ+】O、P
l)0、TlO2、A、620:+、MgO1SiOz
、Cco 2、A6F3、MgF 2、Ca1r2およ
びNa:+A6’li”+;である。
電性である基板と、この基板の導電性の面上に設けられ
た感Xm層とからなり、該感X線層が有機結合剤と、こ
のイ1重結合剤中に分散された a)上記酸化ビスマス
系複合酸化物の7種結晶粒子および 1))II型半導
体粒j”、!、からなるX a9准子写真感光体(すな
わち上記itケ願昭56−156(595号のX線電子
写真感光体)が得られるが、この感光体の感X線層表面
は一般に粗く、特に粒子径の大きな複合酸化物r型結晶
粒子および1]型型半体粒子が用いられた感X線層表面
の表面はかなり和い1.このX線電子写真感光体の感X
線ノー表面の平滑性を高めるために、次にこのノさ光体
の感X線層ヒに上記57神の物TLからなる無機物質群
より選ばれる無機物質の層がオーバーコート層として形
成される。−上記57種の無機物質のうちでもオーバー
コート層の材料どして特に好ましいものはZ+】O、P
l)0、TlO2、A、620:+、MgO1SiOz
、Cco 2、A6F3、MgF 2、Ca1r2およ
びNa:+A6’li”+;である。
上記;!l!Q機物り′tのオーバー:+−1一層は一
般にスパッタ蒸着法、真空蒸着法等によって形成される
。このオーバーコート層の厚さは感X線層表面の粗さの
程度等に依存して適宜選択されるが、一般には0.01
乃至200071111 であり、好寸しぐは01乃至
200 /1111である。
般にスパッタ蒸着法、真空蒸着法等によって形成される
。このオーバーコート層の厚さは感X線層表面の粗さの
程度等に依存して適宜選択されるが、一般には0.01
乃至200071111 であり、好寸しぐは01乃至
200 /1111である。
なお、感X線層上にスパッタ蒸着法により無機物質のオ
ーバーコート層を形成する際には、被蒸着体である感X
線層が200 ”G程度になるので、感X線層全構成す
る有機結合剤は耐熱性が高いものである必要がある。
ーバーコート層を形成する際には、被蒸着体である感X
線層が200 ”G程度になるので、感X線層全構成す
る有機結合剤は耐熱性が高いものである必要がある。
以上説明した製造方法に」、つて得られる不発゛明のX
線電子写真感光体Qよ1)少なくとも一方の面が導電性
である基板、11狂記基板の導この有機結合剤中に分散
されたa)上記酸化ビスマス系複合酸化物のr型結晶オ
カ子および1))11型半導体粒子とからなる感X腺層
、および1(1)上記感X線層1−に設けられた上記5
7種の物質からなる無機物質群より選ばれる無機物質の
層(詞・−)・−コート層)からなる1、この本発明の
感光体の表面、すなわち無機物質オーバーコー 1層の
表面ハ、該オーバーコート層が設け1゛、れZ)前の感
光体の表面、すなわち感X線層の表面よりも著しく平滑
であるっ従って、カールツノ法により使用される場合、
本発明の感光体は無機物質オーバーコート層か設けられ
ていない感光体(すなわち」二記特願昭56 =−15
6(i95号の感光体)に比較してトナー現像の際にか
ぶりが生じにくく、従って本発明の感光体によって得ら
れる画像は無機物質オーバー、レ−1・層が設けられて
いない感光体に、1.って111られる両像よりもかぶ
り濃度カ低く)θf1ゴ3゛度か高い。また無機物質オ
ー・・−コート層が設けられていない感光体は一般に従
来実用の非晶質セレン感X線層を有する感光体等に適用
されている通′l’l:のクリーニング法によっては残
存トナー金(’/(回の画像形成に悪影響を及ぼさない
程度に除去するのが困難であるが、これに対して本うと
明の感光体は感光体表面の平滑性が向上し/ζものであ
るので上記1層常のクリー二/グ法によりほぼ完全に残
存トナーを除去することが1月能であり、クリーニング
された感光体はそのまま次回の画像形成に使用すること
かできる。このように本発明の感光体は無機物質オーバ
ーコート層が設けられていない感光体よりも残存トナー
のクリーニングをよね容易に行なうことができ、従って
本発明の感光体全便用してクリーニングの容易化を計る
ことにより画像形成プロセスを簡易化することが可能で
あり、ひいてはX線電子写真装置を小型rヒすることが
可hhである。な、お、無機物質のオーバーコート層は
一般に高い耐摩耗性を有しており、従って本発明の感う
“14体は一般に繰返し使用特性が高い。
線電子写真感光体Qよ1)少なくとも一方の面が導電性
である基板、11狂記基板の導この有機結合剤中に分散
されたa)上記酸化ビスマス系複合酸化物のr型結晶オ
カ子および1))11型半導体粒子とからなる感X腺層
、および1(1)上記感X線層1−に設けられた上記5
7種の物質からなる無機物質群より選ばれる無機物質の
層(詞・−)・−コート層)からなる1、この本発明の
感光体の表面、すなわち無機物質オーバーコー 1層の
表面ハ、該オーバーコート層が設け1゛、れZ)前の感
光体の表面、すなわち感X線層の表面よりも著しく平滑
であるっ従って、カールツノ法により使用される場合、
本発明の感光体は無機物質オーバーコート層か設けられ
ていない感光体(すなわち」二記特願昭56 =−15
6(i95号の感光体)に比較してトナー現像の際にか
ぶりが生じにくく、従って本発明の感光体によって得ら
れる画像は無機物質オーバー、レ−1・層が設けられて
いない感光体に、1.って111られる両像よりもかぶ
り濃度カ低く)θf1ゴ3゛度か高い。また無機物質オ
ー・・−コート層が設けられていない感光体は一般に従
来実用の非晶質セレン感X線層を有する感光体等に適用
されている通′l’l:のクリーニング法によっては残
存トナー金(’/(回の画像形成に悪影響を及ぼさない
程度に除去するのが困難であるが、これに対して本うと
明の感光体は感光体表面の平滑性が向上し/ζものであ
るので上記1層常のクリー二/グ法によりほぼ完全に残
存トナーを除去することが1月能であり、クリーニング
された感光体はそのまま次回の画像形成に使用すること
かできる。このように本発明の感光体は無機物質オーバ
ーコート層が設けられていない感光体よりも残存トナー
のクリーニングをよね容易に行なうことができ、従って
本発明の感光体全便用してクリーニングの容易化を計る
ことにより画像形成プロセスを簡易化することが可能で
あり、ひいてはX線電子写真装置を小型rヒすることが
可hhである。な、お、無機物質のオーバーコート層は
一般に高い耐摩耗性を有しており、従って本発明の感う
“14体は一般に繰返し使用特性が高い。
以14,1シ+l 1911−2/、−ように、本発明
は上記!l′J、1ら111昭56−11コfi(j!
15号のX線電子写真感光体の感X線層上にさらにオー
バーコート層として特定の無機物Ipjの層全設けて該
感光体の表面の平滑1生全高め、・それによって該感光
体によって得られる画1象の画質全向上さす、また該感
光体の画像形成酸のクリ−ニック全容易に行なうことが
できるようにしたものであり、その工業的利用イ+1f
i値は大きなものである。
は上記!l′J、1ら111昭56−11コfi(j!
15号のX線電子写真感光体の感X線層上にさらにオー
バーコート層として特定の無機物Ipjの層全設けて該
感光体の表面の平滑1生全高め、・それによって該感光
体によって得られる画1象の画質全向上さす、また該感
光体の画像形成酸のクリ−ニック全容易に行なうことが
できるようにしたものであり、その工業的利用イ+1f
i値は大きなものである。
次に実施例によって本発明全説明する7実施例 1
メチルエチルクトンとドルエンド’a=1’4の重量比
で混合してなる混合溶剤787にポリエステル樹脂(東
洋紡製バイロン200 )1.57およびアルギッド樹
脂の40重川用キシレン溶液(大E1本インキ化学工梁
製ベソコラW トM −62f12−’40 ) 1.
255’ f添加し、攪拌溶解させて有機結合剤原利溶
液全調製1〜た。次にこの有機結合剤原料溶液に粒子径
が20乃至40 /ZlllのBit追cOzoγ型結
晶粒子407およびi]型半導体粒子としてZr+0粒
子(堺(ヒ学製ザゼノクス400(1) 2 gf、H
添加し、ホモジナイザーを用いて] 0000 r 、
p 、mで3分間攪拌混合してBJI2G0020粒
子およびZ110粒子を溶液中に分散させた。なお使用
したI3 i +20eO2゜のγ型結晶粒子はチョク
ラルスキー法によって製造した13 i + 20eo
20の7〜型単結晶金粉砕し、分級することに」:つ
てイ4+たものである。
で混合してなる混合溶剤787にポリエステル樹脂(東
洋紡製バイロン200 )1.57およびアルギッド樹
脂の40重川用キシレン溶液(大E1本インキ化学工梁
製ベソコラW トM −62f12−’40 ) 1.
255’ f添加し、攪拌溶解させて有機結合剤原利溶
液全調製1〜た。次にこの有機結合剤原料溶液に粒子径
が20乃至40 /ZlllのBit追cOzoγ型結
晶粒子407およびi]型半導体粒子としてZr+0粒
子(堺(ヒ学製ザゼノクス400(1) 2 gf、H
添加し、ホモジナイザーを用いて] 0000 r 、
p 、mで3分間攪拌混合してBJI2G0020粒
子およびZ110粒子を溶液中に分散させた。なお使用
したI3 i +20eO2゜のγ型結晶粒子はチョク
ラルスキー法によって製造した13 i + 20eo
20の7〜型単結晶金粉砕し、分級することに」:つ
てイ4+たものである。
得られた分散液をドクターブンードを用いてアルミニウ
ム板上に乾燥後の厚さが約=l O03mとなるように
均一に塗布した。塗布後、塗膜を大気中で60 ”Cで
1時間加熱乾燥し、さらに同じく大気中で120 ”(
:て10時間加熱乾燥してアルミニウム板上に感X線層
全形成した。このようにして」二記ポリエステル樹脂と
上記アルキッド樹脂との混合物中に上記13−1z(3
eOzoγ型結晶粒子および上記ZnO粒子が分散され
た約400μm厚の感X線層金アルミニウム板1−にイ
→するX線電子写真感光体1)だが、この感光体の感度
を向りさぜるために感光体音さらに大気中で240℃の
温度(上記混合イ何脂の11す(化点よりも高いがその
分解開始温度よりも低い/111i’1度)で2時間熱
処理した。
ム板上に乾燥後の厚さが約=l O03mとなるように
均一に塗布した。塗布後、塗膜を大気中で60 ”Cで
1時間加熱乾燥し、さらに同じく大気中で120 ”(
:て10時間加熱乾燥してアルミニウム板上に感X線層
全形成した。このようにして」二記ポリエステル樹脂と
上記アルキッド樹脂との混合物中に上記13−1z(3
eOzoγ型結晶粒子および上記ZnO粒子が分散され
た約400μm厚の感X線層金アルミニウム板1−にイ
→するX線電子写真感光体1)だが、この感光体の感度
を向りさぜるために感光体音さらに大気中で240℃の
温度(上記混合イ何脂の11す(化点よりも高いがその
分解開始温度よりも低い/111i’1度)で2時間熱
処理した。
上記熱処理の後、感光体の感X線層上にスパッタ蒸着法
により厚さ5μmの8102の層(オー・・−コート層
)全形成した。この5i(Jzのスパッタ蒸着は3 X
] O”Tor+のAr+5%02の雰囲気中におい
て、■モト゛パワー250Wの放電条件で純度99.9
9999係の8102 ターゲット(・1インチ径)
を用い、250 A、/ 分ノ蒸着速度で200分間行
なった。このようにして感X線層上に5i02オ一バー
コート層を有する本発明のX線電子写真感光体ffi
?4Iた。このようにして得た感光体を感光子扉1とし
たつまた、57zm厚の8102オーバーコーI・層の
代わりに同じ厚さのZn(1)オーバーコート層をスパ
ッタ蒸着法により形成すること以外は」ニ記感光体蔦1
と同様にして本発明のX線?匡子写真感光体を得た。こ
のようにして得た感光体全感光子扉2とした。なお、Z
nOのスパッタ蒸着は3 X 10 TorrのAr
+5%02(7)雰囲気中において、R1−パ1ノー
200 Wの放電条件で99.999%のZnOのター
ゲット(4インチ径)を用い、250A/分の蒸着速度
で20Q分間行なった。
により厚さ5μmの8102の層(オー・・−コート層
)全形成した。この5i(Jzのスパッタ蒸着は3 X
] O”Tor+のAr+5%02の雰囲気中におい
て、■モト゛パワー250Wの放電条件で純度99.9
9999係の8102 ターゲット(・1インチ径)
を用い、250 A、/ 分ノ蒸着速度で200分間行
なった。このようにして感X線層上に5i02オ一バー
コート層を有する本発明のX線電子写真感光体ffi
?4Iた。このようにして得た感光体を感光子扉1とし
たつまた、57zm厚の8102オーバーコーI・層の
代わりに同じ厚さのZn(1)オーバーコート層をスパ
ッタ蒸着法により形成すること以外は」ニ記感光体蔦1
と同様にして本発明のX線?匡子写真感光体を得た。こ
のようにして得た感光体全感光子扉2とした。なお、Z
nOのスパッタ蒸着は3 X 10 TorrのAr
+5%02(7)雰囲気中において、R1−パ1ノー
200 Wの放電条件で99.999%のZnOのター
ゲット(4インチ径)を用い、250A/分の蒸着速度
で20Q分間行なった。
さらに、5 μm厚の8102のオーバーコート層の代
わりに同じ厚さのTiO2オーバーコート層をスパッタ
蒸着により形成すること以外は上記感光体扁1と同様に
して本発明のX線?E子写真感光体を得た。このように
して得た感光体を感光体16.3とした。なお、 T
iO2のスパッタ蒸着は3 X I OTor+のAr
+ 5%02ノ雰囲気中において、RFパワー200
Wの放電条件で99.999%のTlO2のターゲット
(4インチ径)を用い、3.30A/分の蒸着速1変で
150分間行なった。
わりに同じ厚さのTiO2オーバーコート層をスパッタ
蒸着により形成すること以外は上記感光体扁1と同様に
して本発明のX線?E子写真感光体を得た。このように
して得た感光体を感光体16.3とした。なお、 T
iO2のスパッタ蒸着は3 X I OTor+のAr
+ 5%02ノ雰囲気中において、RFパワー200
Wの放電条件で99.999%のTlO2のターゲット
(4インチ径)を用い、3.30A/分の蒸着速1変で
150分間行なった。
−さらに、オーバーコート層を設けないこと以外は上記
感光子馬1.扁2および漁3七同様にしてj゛い11−
シのためのXa電子写真感光体を製造した。このオーバ
ーコー1− )jriが設けられていない比111史の
だめの感光体を感光子扉4とした。
感光子馬1.扁2および漁3七同様にしてj゛い11−
シのためのXa電子写真感光体を製造した。このオーバ
ーコー1− )jriが設けられていない比111史の
だめの感光体を感光子扉4とした。
オーバー:11・層が設けられた感光体4.1゜A2お
、1:ひノに3のオーバーコート層の表面はその層が形
成される前の感X線層の表面、即ち感)’(: (−ト
ガ6・1の表面よりも平滑性が著しく高かつ/こ。
、1:ひノに3のオーバーコート層の表面はその層が形
成される前の感X線層の表面、即ち感)’(: (−ト
ガ6・1の表面よりも平滑性が著しく高かつ/こ。
−J: 述(’) 、1:りにして得た本発明のオーバ
ーコート層が設けられた感光子扉]、A2および扁3と
オーバー コート層が設けられていない比較V/qの感
光U\扁4のX線感度金以下の様にして測定した、 感光子馬1.蔦2.篇3および扁4を暗所で5J(Vの
コロナ電圧でコロナ帯電させ、続いて表面電位R1(川
口電機製SS V、−I+−50)で表面電位を測定し
ながら感光体にX線を照射した。X線照射条件は以下の
通りであったー。
ーコート層が設けられた感光子扉]、A2および扁3と
オーバー コート層が設けられていない比較V/qの感
光U\扁4のX線感度金以下の様にして測定した、 感光子馬1.蔦2.篇3および扁4を暗所で5J(Vの
コロナ電圧でコロナ帯電させ、続いて表面電位R1(川
口電機製SS V、−I+−50)で表面電位を測定し
ながら感光体にX線を照射した。X線照射条件は以下の
通りであったー。
X 8発生りtjlJWIT]装置 fJi 芝
g K X O−J 5X 線 管 球 東芝製
DILX−190A管電圧 )i Q K V I
) 管電流 1 lnA 焦点−感光体間距離 1 +n 照射モード 連続モード 感光体面照射IJI量率 4.7用It/秒(ピクト
リーン損」qモデル500 線機測定器による測定 値) X線感度の尺度として、X線照射直前の表面電位(初期
電圧)を半分に低下させるのに必要な照射線71J二(
半減衷照射祉)を測定した。
g K X O−J 5X 線 管 球 東芝製
DILX−190A管電圧 )i Q K V I
) 管電流 1 lnA 焦点−感光体間距離 1 +n 照射モード 連続モード 感光体面照射IJI量率 4.7用It/秒(ピクト
リーン損」qモデル500 線機測定器による測定 値) X線感度の尺度として、X線照射直前の表面電位(初期
電圧)を半分に低下させるのに必要な照射線71J二(
半減衷照射祉)を測定した。
その結果を下記第1表に示す。
下記第1表から明らかなように、本発明のオーバーコー
ト層が設けられた感光体AI。
ト層が設けられた感光体AI。
4θ2および扁3はいずれもオーバーコート層を設けな
いこと以外は上記本発明の感光体と同様にして製造され
た感光子扉4とほぼ同等の一感度金示した。
いこと以外は上記本発明の感光体と同様にして製造され
た感光子扉4とほぼ同等の一感度金示した。
第1表
次に各感光体についてI!1?l!像度の測定全以下の
ようにして行なった。
ようにして行なった。
感光体A I 、 A 2 、+煮3および扁4を暗所
で一5KVのコロナ電圧でコロナ?’Y T(t、 k
行ない、次でEMIL FUNK 01)TIK F
OTO社製X糾テストチャートを用いてX 51画像露
光を行ない、その後磁気ブラシEJl像法により正帯電
した粉体トノー−を用いて現像全行ないトナー像を得た
。解像度の尺度としてトナー像が1關当り何本の線1で
識別しr(Iるがを測定した。その結果を下記第2表に
示す。なお、X線照射条件tよ上記感度測定の場合と同
じであ明4+11714のン?印!:(内容に変更なし
)つた。
で一5KVのコロナ電圧でコロナ?’Y T(t、 k
行ない、次でEMIL FUNK 01)TIK F
OTO社製X糾テストチャートを用いてX 51画像露
光を行ない、その後磁気ブラシEJl像法により正帯電
した粉体トノー−を用いて現像全行ないトナー像を得た
。解像度の尺度としてトナー像が1關当り何本の線1で
識別しr(Iるがを測定した。その結果を下記第2表に
示す。なお、X線照射条件tよ上記感度測定の場合と同
じであ明4+11714のン?印!:(内容に変更なし
)つた。
下記第2表から明らかなように、本発明のオーバーコー
ト層が設けられた感光子扉1゜扁2およびA3はいずれ
もオーバーコート層金設けないこと以外は上記本発明の
感光体と同様にして製造された感光体A4に比較して著
しく高い解像度を示した。
ト層が設けられた感光子扉1゜扁2およびA3はいずれ
もオーバーコート層金設けないこと以外は上記本発明の
感光体と同様にして製造された感光体A4に比較して著
しく高い解像度を示した。
さらに、上記トナー現像により得られたトナー像を通常
の方法により紙に転写して転写像を形成した。トナー像
の場合と同様に、本発明の感光体7i1i1.A2およ
びA3により得られた転写像は比較例の感光体通4によ
りmられた転写像に比較して解像度が著しく高く、また
その画f9!はfQY明でがっかぶりが少ながった。−
1’/こ、J−、記本発明の感光体形1.扁2および扁
3と比較(91Jの感光体16.4− k通常のクリー
ニング方θ、によりクリー二/グしたところ、オーバー
コ−1・層を有さない感光体A4においては残I′fl
・ナーを次回の両縁形成に悪影響企及はさない程度に除
去するのが困難であったのに対して、本発明のオーバー
コート層を有する感光体AI、茄2および扁3において
はいず)1も残YJトナーが容易に除去され、次回の画
像1[ヨ成に使用される状態になった。
の方法により紙に転写して転写像を形成した。トナー像
の場合と同様に、本発明の感光体7i1i1.A2およ
びA3により得られた転写像は比較例の感光体通4によ
りmられた転写像に比較して解像度が著しく高く、また
その画f9!はfQY明でがっかぶりが少ながった。−
1’/こ、J−、記本発明の感光体形1.扁2および扁
3と比較(91Jの感光体16.4− k通常のクリー
ニング方θ、によりクリー二/グしたところ、オーバー
コ−1・層を有さない感光体A4においては残I′fl
・ナーを次回の両縁形成に悪影響企及はさない程度に除
去するのが困難であったのに対して、本発明のオーバー
コート層を有する感光体AI、茄2および扁3において
はいず)1も残YJトナーが容易に除去され、次回の画
像1[ヨ成に使用される状態になった。
実施例 2
メチル上ノールクト/とトルエン、!:’tl:4の重
量比で(11合してなる混合溶剤7.87にボIJ x
スツールll7J 脂(東洋紡製バイロン200>1
、55’ J:、よひアルキッド樹脂の40重量%キ7
レン溶液(大11本インキ化学工業製ベノコラ’f l
・M −1i2(1240)1.251 k添加し、攪
拌溶1リイさぜ°CイJ機結合剤原刺溶液全調製した。
量比で(11合してなる混合溶剤7.87にボIJ x
スツールll7J 脂(東洋紡製バイロン200>1
、55’ J:、よひアルキッド樹脂の40重量%キ7
レン溶液(大11本インキ化学工業製ベノコラ’f l
・M −1i2(1240)1.251 k添加し、攪
拌溶1リイさぜ°CイJ機結合剤原刺溶液全調製した。
次にこの有機結合剤原料溶液に粒子径が20乃¥40
μmのBi t2GcOzo y型結晶粒子407」・
・よひ11型半導体粒子としてC(l 8粒子(山中化
学製)27を添加し、ホモジナイザーを用いて] 00
00r、p、mで3分間隔1′1ミ混合してJ3i t
zGeoz。
μmのBi t2GcOzo y型結晶粒子407」・
・よひ11型半導体粒子としてC(l 8粒子(山中化
学製)27を添加し、ホモジナイザーを用いて] 00
00r、p、mで3分間隔1′1ミ混合してJ3i t
zGeoz。
粒子および068粒子を溶液中に分散さぜた。
なお使用した13i +20eOzo のr型結晶粒
子はヂョクラルスキー法によって製造した13i r
zOCQ2゜のγ型巣結晶を粉砕し、分級することによ
って得たものである。
子はヂョクラルスキー法によって製造した13i r
zOCQ2゜のγ型巣結晶を粉砕し、分級することによ
って得たものである。
得られた分散液をドクターブレードを用いてアルミニウ
ム板上に乾燥後の厚さが約40041nとなるように均
一に塗布した。塗布後、塗膜を大気中で60”Cで1時
間加熱乾燥し、さらに同しく大気中で120“Cで10
時間加熱乾燥してアルミニウム板上に感X線層を形成し
た。このようにして上記ポリエステル(匍)指と上記ア
ルキッド樹脂との混合物中に上記13i+2GeOzo
、型結晶粒子および上記CdS粒子が分散された約
400μmη厚の感X #j!層をアルミニウノ・板上
にイエするX線電子写真感光体を得たが、このjl・\
光体の感度を白玉さぜるために感光体をさらに大気中で
240 ”Gの温度(上記混合樹脂の軟化点よりも高い
がその分)II11!開始温度よりも低い温度)で2時
間熱処理したO 上記熱処理の後、感光体の感X線層上にスパッタ蒸着法
により厚さ5μm]]の8102の層(オーバーコート
層)′ff:形成した。この5I02のスパッタ蒸着は
3 X 10−2TorrのAr + 5%02の雰1
ノH気中において、J?、 I喝゛パワー250Wの放
電条件で純度99.9’9999係の5102ターゲソ
+−(−1インチ径)を用い、25OA/分の蒸着速度
で2 (1(1分間行なったっこのようにして感X線層
上にS iozオーツく−コート層を有する本発明のX
線電子写真感光体を得た。このようにしてイIIた感光
体を感光体蔦5とした。
ム板上に乾燥後の厚さが約40041nとなるように均
一に塗布した。塗布後、塗膜を大気中で60”Cで1時
間加熱乾燥し、さらに同しく大気中で120“Cで10
時間加熱乾燥してアルミニウム板上に感X線層を形成し
た。このようにして上記ポリエステル(匍)指と上記ア
ルキッド樹脂との混合物中に上記13i+2GeOzo
、型結晶粒子および上記CdS粒子が分散された約
400μmη厚の感X #j!層をアルミニウノ・板上
にイエするX線電子写真感光体を得たが、このjl・\
光体の感度を白玉さぜるために感光体をさらに大気中で
240 ”Gの温度(上記混合樹脂の軟化点よりも高い
がその分)II11!開始温度よりも低い温度)で2時
間熱処理したO 上記熱処理の後、感光体の感X線層上にスパッタ蒸着法
により厚さ5μm]]の8102の層(オーバーコート
層)′ff:形成した。この5I02のスパッタ蒸着は
3 X 10−2TorrのAr + 5%02の雰1
ノH気中において、J?、 I喝゛パワー250Wの放
電条件で純度99.9’9999係の5102ターゲソ
+−(−1インチ径)を用い、25OA/分の蒸着速度
で2 (1(1分間行なったっこのようにして感X線層
上にS iozオーツく−コート層を有する本発明のX
線電子写真感光体を得た。このようにしてイIIた感光
体を感光体蔦5とした。
また、5μm厚の8102オ一バーコート層の代わりに
同じ厚さのZnOオーバーコート層金スパッタ蒸着に」
:り形成すること以外は−1−17己感光体/I65と
同様にして本発明のX線電子写真感光体を得た。このよ
うにして得た感光体全感光体7f;6とした。なお、Z
nOのスパッタ蒸着は3 X 10 1’orrOA1
+5%02の雰囲気中において、JjFパワー200
Wの放電条件で99.999係のZ+10のターゲット
(4インチ径)を用b、250 A 7分の蒸着速度で
200分間行なった。
同じ厚さのZnOオーバーコート層金スパッタ蒸着に」
:り形成すること以外は−1−17己感光体/I65と
同様にして本発明のX線電子写真感光体を得た。このよ
うにして得た感光体全感光体7f;6とした。なお、Z
nOのスパッタ蒸着は3 X 10 1’orrOA1
+5%02の雰囲気中において、JjFパワー200
Wの放電条件で99.999係のZ+10のターゲット
(4インチ径)を用b、250 A 7分の蒸着速度で
200分間行なった。
さらに、5μmn厚の5iOzオ一バーコート層の代わ
りに同じ厚さの’I’i(ルオーバーコート層全スパッ
タ蒸着により形成すること以外は上記感光体形5と同様
にして本発明のX aIンQ;子写真感光体を得た。こ
のようにして得た感光体’を感光体)に7とした。なお
、’I”iozのスパッタ蒸着は3 X 10−2i”
orrのAr −1−5402の雰囲気中において、1
1.1”パワー200 Wの放電条件で’−19,99
5)係のT i 02のターゲット(4インチ径)を用
い、330A/分の蒸着速度で150分間行なった。
りに同じ厚さの’I’i(ルオーバーコート層全スパッ
タ蒸着により形成すること以外は上記感光体形5と同様
にして本発明のX aIンQ;子写真感光体を得た。こ
のようにして得た感光体’を感光体)に7とした。なお
、’I”iozのスパッタ蒸着は3 X 10−2i”
orrのAr −1−5402の雰囲気中において、1
1.1”パワー200 Wの放電条件で’−19,99
5)係のT i 02のターゲット(4インチ径)を用
い、330A/分の蒸着速度で150分間行なった。
さらに、オーバーコート層を設けないこと以外は上記感
光子扉5.ノにGおよびA7と同様にして比’Ily、
のためのX線電子写真感光体を製造した。このオーバー
コート層が設けられていない比較のだめの感光体全感光
子扉8とした。
光子扉5.ノにGおよびA7と同様にして比’Ily、
のためのX線電子写真感光体を製造した。このオーバー
コート層が設けられていない比較のだめの感光体全感光
子扉8とした。
オーバーコート層が設けられた感光体A37f;6およ
びA7のオーバーコート層の表面はその7%が形成され
る前の感X線層の表面、#lJち感光体形8の表面より
も平滑性が著しく高かつ/、二。
びA7のオーバーコート層の表面はその7%が形成され
る前の感X線層の表面、#lJち感光体形8の表面より
も平滑性が著しく高かつ/、二。
上述の、1: ’>にして得た本発明のオーバーコート
層が設けられた感光体A5.A6およびA7とオーバー
コート層が設けられていない比較例の感光体16.8の
Xm感度全実施例1と同様にして測定した。その結果を
下記第3表に示す、。
層が設けられた感光体A5.A6およびA7とオーバー
コート層が設けられていない比較例の感光体16.8の
Xm感度全実施例1と同様にして測定した。その結果を
下記第3表に示す、。
下記第13表から明らかなように、本発明のオーバーコ
ーl+ Jiiが設けられた感光体形5゜煮6お」、び
扁7はいずれもオーバーコート層を設け/Iいこと以外
は上記本発明の感光体と明細書のγ71i!::(内′
1′iに変更なし)同様にして製造さハた感光体、16
8と11Q゛下同等の感度を示した。
ーl+ Jiiが設けられた感光体形5゜煮6お」、び
扁7はいずれもオーバーコート層を設け/Iいこと以外
は上記本発明の感光体と明細書のγ71i!::(内′
1′iに変更なし)同様にして製造さハた感光体、16
8と11Q゛下同等の感度を示した。
第 3 表
次に各感ブ〔、什についてブ竹作度の1ljil″iヒ
庖実施例1ど同様にして行なった。その結果を下記t(
341−に示16 T ;il、+狗)4表から1町らか4[、[うに、川
・う1−町のオーバーコート層が設けら才また/+Rつ
C2体)’h; J HJhGふ5よひt167 &よ
いず才1もA−バーコード層を設けないこと上り、外は
上h1.″、木釦)明のA+:4 )(:体と1iiJ
杭にして製造さハ、た感う“c体/168に比較して:
+、’; シ<高い角Il8“腹を4ミした。
庖実施例1ど同様にして行なった。その結果を下記t(
341−に示16 T ;il、+狗)4表から1町らか4[、[うに、川
・う1−町のオーバーコート層が設けら才また/+Rつ
C2体)’h; J HJhGふ5よひt167 &よ
いず才1もA−バーコード層を設けないこと上り、外は
上h1.″、木釦)明のA+:4 )(:体と1iiJ
杭にして製造さハ、た感う“c体/168に比較して:
+、’; シ<高い角Il8“腹を4ミした。
明Ill’llI書)l’1′+、li、(Il(容に
変更なし)す1)U(−1I:iil冒・ナー、!、1
1.イ故ニ、シリイlllらA′またトナー1イ(4仙
常の力θ、により紙に%<写して転写1“イ゛ イil
tりDVL、 ハh、l・ ノー −fイ; の ;
(、I、t 、j−j と l+IJ イ・1<
鈍二 木 ジ也明の]凸ブ(11本)165.ノt
b Gおよび、167匠よりイ:tも11、7と転′!
−l像は」1.Ill、y!例の感う°C体、!≦8に
よりイ:すらt’した転写イ3′に比較してlii’r
像度か著しく ivl (、ま/こその両区はM明でか
つかぶりが少なかった。また、」二記本発明の感光体1
6’ 5 、7166および、167と比較例の感光体
、168を通常のクリーニングカ法によりクリーニング
し5だところ、オーバーコート層恐〜有さない感)°C
体J68 vcおいては残存トナーを次回の画像形成に
悪影曽を及t−Jさない4−度に除去するのがμ・1角
11であつだのに対して、本発明9オーツ(−コート層
を有する感光体z% 5 、 /166およびy167
Vcj6 イてはいずれも残存トナーが容易に除去さ
れ、次回の画像形成に使用される状態になった。
変更なし)す1)U(−1I:iil冒・ナー、!、1
1.イ故ニ、シリイlllらA′またトナー1イ(4仙
常の力θ、により紙に%<写して転写1“イ゛ イil
tりDVL、 ハh、l・ ノー −fイ; の ;
(、I、t 、j−j と l+IJ イ・1<
鈍二 木 ジ也明の]凸ブ(11本)165.ノt
b Gおよび、167匠よりイ:tも11、7と転′!
−l像は」1.Ill、y!例の感う°C体、!≦8に
よりイ:すらt’した転写イ3′に比較してlii’r
像度か著しく ivl (、ま/こその両区はM明でか
つかぶりが少なかった。また、」二記本発明の感光体1
6’ 5 、7166および、167と比較例の感光体
、168を通常のクリーニングカ法によりクリーニング
し5だところ、オーバーコート層恐〜有さない感)°C
体J68 vcおいては残存トナーを次回の画像形成に
悪影曽を及t−Jさない4−度に除去するのがμ・1角
11であつだのに対して、本発明9オーツ(−コート層
を有する感光体z% 5 、 /166およびy167
Vcj6 イてはいずれも残存トナーが容易に除去さ
れ、次回の画像形成に使用される状態になった。
テ「続ン1) 、’iE書(h式)
%式%
2、発明の名称
X lit ’tri子写真熱写真
感光体3をりる育
事イ′1どの関係 特許出願人中J+を都港
区六木木51目2岳1号 昭和511(+ 27−J 21.+ (発送1」
■)ノ相58年2JJ221])1)明111書中第2
8.29.35および336頁を添付のものと差換え、
適正な表に訂正す゛る。
区六木木51目2岳1号 昭和511(+ 27−J 21.+ (発送1」
■)ノ相58年2JJ221])1)明111書中第2
8.29.35および336頁を添付のものと差換え、
適正な表に訂正す゛る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (i) i)少なくともその一方の面が導電性である
基板、11)上記基板の導電性の面上に設けられており
、有機結合剤と、この有機結合剤中に分散されたa)そ
の組成式が 33 i x M On (但しMはゲルマニウム、珪素、チタン、ガリウムおよ
びアルミニウムのうちの少な(とも1種であり、Xは1
0≦X≦14なる条件を満た′1″数であり、また11
は一ト記MおよびX次第で化学量論的に決定される酸素
原子数を示す) で表」;される酸化ビスマス系複合酸化物のγ型結晶粒
子およびb)1】型半導体粒子とからなる感X線層、お
よび111)上記感X線層上に設けられた下記57種の
物質からなる無機物質群より選ばれる無機物質の層から
なることを%徴とするX線電子写真感光体;SiCXB
l’ 、、A、gP 、 AlA、s 、 GaNXG
aP。 ZnO、PL+0 % BaOXTiO2、A120a
、Nip。 MnO、、Li 20、BeO、、Na2O、MgOX
SiO2、K2O、CaO、5C203、V2O3、C
r2O3、FcO、Fe 20:+、Fe3O4、Cu
2O、Cub。 C00% ZrO□、Nb 205、V0O2、V0O
3、CdO,、ξ→1102.5b203、Cs2O、
HfO2、Ta2(、)++ 、 込りII % T
lzO,BizO3、T1102、UO2、CeO2、
■)r203、Nd2O3\AlF3\MgF2、Ca
F2、BN、 5iaN4、SbO3、Sb 20r+
、AS203、A82Q 5、およびNa3AlF6゜
(2)上記無機物質の層の厚さが0.01乃至2000
tan であることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のXff!J電子写真感光体。 (3)上記無機物質の層の厚さが01乃至200μmで
あることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載のX線
電子写真感光体。 (4)上記無機物質がZnO、PbO、TiO2、fi
J 203、MgOXSiO2、CeO2、AlF3、
MgFz、Ca1t’2お、しびNa3AlF6からな
る無機物質群より選ばれることを特徴とする特許請求の
範囲第1項乃至第3項のいずれかの項記載のX線電子写
真感光体。 (5)上記11型半導体粒子がZnO、C(Is 、W
O3、およびI’iQ2のうちの少なくとも1種の粒子
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第4
項のいずれかの項記載のX線電子写真感光体。 (6) 上記組成式のMがゲルマニウムおよび珪素の
うちのいずれか一方ある℃・はその両方であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項乃至第5項のいずれかの
項記載のX線電子写真感光体。 (7)上記組成式のMがゲルマニウムであり、Xが12
であり、1tが20であることを特徴とする特許請求の
範囲第6項記載のX線電子写真感光体。 (8)上記組成式のMが珪素であり、Xが12であり、
11が20であることを特徴とする感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16478082A JPS5953848A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | X線電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16478082A JPS5953848A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | X線電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5953848A true JPS5953848A (ja) | 1984-03-28 |
Family
ID=15799800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16478082A Pending JPS5953848A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | X線電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5953848A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105914358A (zh) * | 2016-06-24 | 2016-08-31 | 扬州大学 | 蛋黄-蛋壳结构氮掺杂碳包覆四氧化三铁@二氧化锡磁性纳米盒子的制备方法 |
-
1982
- 1982-09-21 JP JP16478082A patent/JPS5953848A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105914358A (zh) * | 2016-06-24 | 2016-08-31 | 扬州大学 | 蛋黄-蛋壳结构氮掺杂碳包覆四氧化三铁@二氧化锡磁性纳米盒子的制备方法 |
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