JPS5953609B2 - 磁気記録媒体に欠陥に関する情報を書込む方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は磁気記録媒体における欠陥または傷に関する
情報を書込む方法に関する。

本発明は特に磁気デイスクメモリ（記憶装置）に適応可
能である。現在のデータ処理方式においてはますます多
量にかつ頻繁に磁気デイスク・メモリが用いられるよう
になつている。

その理由は、磁気デイスクメモリの記憶容量が大きいば
かりでなく、磁気読取り／書込みヘツドがデータ処理装
置から特定の情報にアクセスする指令を受けた時点から
デイスク上に位置する当該情報にアクセスするのに比較
的短い時間しかかからないからである。周知のように磁
気デイスクには、符号化された形態で情報が同心円状の
記録トラツクに記憶されている。

このトラツクの幅はｌ詣の数百分の１を越えるものでは
なくそして円板の両面に記録トラツクは形成されている
。トラツクはそれにＯおよびＮ−１間の連続番号ｊ（ｊ
は整数）を割当てることによつで識別される。ここでＮ
は記録トラツクの全数である。１つのトラツクに割当て
られた連続番号ｊの符号化された表現がアドレスと呼ば
れる。

最も頻繁に用いられるコードは２進コードである。わづ
か１枚または２枚のデイスクしか有しない小記憶容量の
メモリの場合には，周知のようにデイスクの一面上のト
ラツクのアドレスは同じ面上に次のような仕方で記録さ
れる。

すなわちデータ記録のために最大量の面積が用いられ、
そしてアドレスの記録および該デイスク面と関連する磁
気ヘツドの位置をトラツクに対しサーボ制御するのに要
求される情報を記録するために最小量の面積が割当てら
れるような仕方で記録されている。現在実用化されてい
るものにおいては、情報は１つの円の中の等しくかつ隣
接するセクター上に分布され、そして各セクターは同等
でない面積の２つの部分から構成される。大きい方の部
分はデイスクメモリが所属するデータ処理装置により処
理されるのに用いられるデータが記憶され、他方フ参照
帯域もしくはゾーンと称される小さな部分にはトラツク
のアドレスおよびトラツクを識別するための情報、すな
わち位置のサーボ制御用の情報が記憶されている。

一般にデイスクの一面は数１０のセクターに分割されて
いる。各参照ゾーンは、例えばハニーウエル・ブル社に
より１９７６年３月３１日に出願されたフランス国特許
願第Ｚ６Ｏ９，３５７号明細書に記載されているように
、位置のサーボ制御に要求される情報の事項およびアド
レスの１ビツトをそれぞれ記憶する或る数のセノＶから
構成されている。

なお、ここで術語「ビツト」とは２進デイジツト「１」
または「０」を指すものであつて、このデイジツトを磁
気記録の形態で表現する場合もアナログもしくは論理電
気侶号の形態で表わす場合も、いずれの場合にも言うこ
とができ、ここで論理信号とは「論理０」および「論理
１」と称する２つの値しかとることができない信号であ
る。磁気媒体上に一連の情報の項目を記録する場合には
、周知のように媒体の各トラツクには［要素磁気区域」
と称される一連の小さな磁気ドメイン（領域）が生ずる
。これらの区域はトラツクの全長にわたつて分布され、
そして各区域すなわち磁気ドメインにおいて誘起される
磁気は交互に反対の値および方向を有し、そしてデイス
クの表面に対し平行な方向に配位されている。上に述べ
た各セルは磁化方向における２つの変化を表わす。これ
ら変化の各々はセル内で予め定められた位置のうちの１
つの位置を占め得る。磁気デイスクの開発において現在
では情報の密度を増加することに努力が払われている。

この目的で半径方向の密度すなわち円板の半径に沿つて
数えた単位長あたりの記録トラツクの数ならびに長手方
同の密度すなわち記録トラツクに沿つて計数した単位長
あたりのビツトの数の両方が大きくされている。情報の
密度をこのよノに過度に大きくした場合には、デイスク
上に記録欠陥を有する確率が高くなることは明らかであ
る。

即ち、上に述べたようなセクターが欠陥を有しない確率
は零よりは大きい〜 現在実用化されているものにおいては、傷もしくは欠陥
を示すセクター内に、正常ならば記憶されるであろう情
報を受けるのに企図された「待期］セクタ一と称する多
数の追加セクターが各ディスク面に設けられている。

欠陥の存在が原因でエラーすなわち誤りを有する情報が
デイスクから読出されてデータ処理装置に伝送されるの
を阻止するために、本発明によれば各セクター（待期セ
ク汐をも含む）に対し該セクターが欠陥を有しているか
否かを表示する情報がセクターの前に記述される。

これば各セク汐一における参照ゾーンに欠陥表示情報を
記入することにより達成される。このような情報の書込
み方法は簡単でありしかもこれによつて磁気デイスクか
らの露出しにぱ高い信頼度が与えられる。

セク汐一内の参照ゾーンは、またデイスクの取扱いを幇
助するための可能最大限の情報を収容している。この発
明の対象は、複数個のトラツクにより担持される情報の
項目が複数個のセクノ一に書込まれ、該セクターの各々
はトラツクの識別情報を記憶している少くとも１つの参
照ゾーンを有し、そしてセクターのうちのいくつかのも
のは、欠陥もしくは傷を示すセクターに正常ならば記憶
されるであろう情報を記憶するための待期セクターであ
る方式の磁気記録媒体に欠陥に関する情報を書込む方法
である。

本発明のこの書込み方法の特徴は全てのセクタ一内の参
照ゾーンがセクターに傷があるか否かを表示する「欠陥
表示」情報を記録している点にある。次に添付図面を参
照し非限定的意図で示した本発明の具体例について詳細
に説明する。

本発明の磁気記録欠陥に関する情報を書込む方法の動作
原理おょびその要件を明確に理解するために第１図およ
び第２図で図解した２、３の事象を梗概的に考察してみ
るのが有用であろう。

これらの図は磁気デイスク上における好ましい情報の分
布方法ならびに参照ゾーンにおける個々のセルの具体例
を示すものである。第１ａ図には、矢印Ｆの方向に回転
しそして有効記録領域が円Ｄ，およびＤ２により劃定さ
れている磁気デイスクＤが示されている。

このデイスク上にはＳＯ・・・・・、Ｓｉ・・・・・Ｓ
ｎ（７）ｎ個の等分のセクターが劃定されている。第１
ｂ図に最もよく示されているように各セクターＳｉは２
つの部分ＳＤＯｌおよびＳＡＤｌに分割されており、こ
れら２つの部分にはこのデイスクメモリが所属するデー
タ処理装置により処理されるべきデータならびにトラツ
クの軸線Ａｘｊに関して磁気ヘッドＴの位置をサーボ制
御するのに必要な情報、言い換えるならばトラツクの識
別情報ならびにトラツクのアドレスが記録されている。
ＳＡＤｉの面積はＳＤＯｉの面積よりも非常に小さい。
第１ｃ図および第１ｄ図は円Ｃ内に含まれるセクタ一Ｓ
１の部分ＳＡＤｉの拡大図である。

セクターＳｉの各ＳＡＤｉ部分は、位置出し参照ゾーン
と称するＮ＋１個のゾーンＺＲＰｉＯ・・・・・ＺＲＰ
ｉｊ，・・・・，ＺＲＰｉＮに分割されている。図示を
簡略にするためＶｃ取初から５つのゾーンＺＲＰｉＯな
いしＺＲＰｉ４だけが、第１ｃ図および第１ｄ図に示さ
れており、これらゾーンは矩形で表わされている。いろ
いろなゾーンＺＲＰｉｊ間の境界は、磁気トラツクの円
形軸線Ａｘｊである。

連続番号ｊおよび軸線Ａｘ，の各磁気トラツクは、それ
と関連するゾーンＺＲＰｉｊを有している。すなわちト
ラツク０はそれと関連するゾーンＺＲＰｉＯを刊し、ト
ラツク１はゾーンＺＲＰｉｌを有し、と言う具合である
。各ゾーンＺＲＰｉｊは少なくともトラツクのアドレス
を書くのに要求されるビツト数に等しい数の同じ長さの
複数個の個セルを有している。このようなセルの１例が
第２図に示されている。

すなわち第２図には、あるゾーンＺＲＰｉｊから１つの
セルＣＫと、隣接するセルＣ（Ｋ−１）およびＣ（Ｋ＋
１）の部分とが示されている。セルの各々は４つの等し
い部分ＣＰｌ、ＣＰ２、ＣＰ３、およびＣＰ４に分割さ
れており、これら部分の境界は部分ＣＰｌおよびＣＰ２
の間、部分ＣＰ２、ＣＰ３の間（以下同様）に位置する
。各セルは、磁気デイスクの磁化方向における２つの相
続く変化を有する。

これらの変化は第２図に２本の線で示されており、さら
にまたこの図には各セルに対し上記部分ＣＰｌないしＣ
Ｐ４の各各に誘起される磁気の方向および記号が示され
ている。２つの磁化方向の変化の各々は、次のような２
つの位置のいづれかを占めることができる。

（１）第１の変化は位置Ｐ１または位置Ｐ２をとること
ができる。（２）第２の変化は位置Ｐ３または位置Ｐ４
をとることができる。

現在実用化されているものにおいては、ゾーンＺＲＰｉ
ｊ内の個々のセルの大部分はトラツクｊに対するヘツド
Ｔの位置をサーポ制御するのに必要な情報および該トラ
ツクｊのアドレス・ビツトを記憶している。

情報およびアドレス・ビットは第１および第２の変化に
よりそれぞれ表わされる。第２図に示すように位置Ｐ１
およびＰ３を占め，る変化は「論理０」に等しいビツト
を表わし、他方位置Ｐ２およびＰ４を占める変化は「論
理１」に等価のビツトを表わす。上に述べたように横方
向および縦方向両方の情報密度が高い磁気デイスクが使
用されているので、デイスク上の欠陥を有するセクター
が存在する確率は無視できない大きさである。

この理由からデイスクＤの各面にはｎ個のＳＯないしＳ
（ｎ＋１）に加えて第３図に示すような待期セクターと
称する追加のセクターが設けられる。

このような待期セクターの数は２ないし６程度であり、
図示の具体例の場合には３つ設けられている。すなわち
、セクターＳＳｌ、ＳＳ２，およびＳＳ３である。これ
らのセクターはセクターＳＯないしＳ（ｎ−，）と同じ
である。特にこれらセクタ一の各々はＮ個のトラツクの
各々に対し参照ゾーンを有している。磁気デイスクの欠
陥部ほ製造後直ちに製造業者によつてデイスクに対し行
なわれる検査すなわちチエツクにより探知することがで
きる。

従つてデイスク上のどのセクターが欠陥を有しそしてこ
れら欠陥により影響を受けるセクター内のトラツクであ
るかはすでにこの段階で知られる。磁気ヘツドＴによる
デイスクの面からの情報の読取りの混乱を回避するため
に、このデイスク面上のすべてのセクター内に含まれる
トラツクの各部分に対し、該セクターがそこに情報を書
込んだりあるいはそこから情報を読出したりすることを
不可能にする欠陥を有しているかいないかを表わす情報
を記録しておく必要がある。

本発明によればこの欠陥表示情報は各参照ゾーン内で第
４図に示すようにゾーンの始まりの部分に位置するセル
内に書込むのが好ましい。

この図Ｖｃは同一のセクターＳｉから１０個の連接する
参照ゾーンすなわち参照ゾーンＺＲＰｉ（ｊ−６）・・
・・・ＺＲＰｉｊ・・・・・ＺＲＰｉ（ｊ＋３）が示さ
れている。ここで述べている具体例においては各ゾーン
は１１個の同じセルＣ１ないしＣｌＯを有し、そのうち
の９つすなわちセルＣ２ないしＣｌＯはトラツクのアド
レスおよびこれらトラツクに対する磁気ヘツドＴの位置
をサーボ制御するのに必要な情報を記録している。本発
明の１つの特徴によれば、セクタ一Ｓｉ内の参照ゾーン
ＺＲＰｉｊのセルＣ１は２デイスク上のＳｉに続くセク
ターＳＯ＋１）のトラツクｊにおける欠陥に関する２つ
の情報項目を記録している。

そのうち第１番目の項目はＢＣＰｌ，と称し位置Ｐ１ま
たは位置Ｐ２をとることができる。また、第２番目の項
目はＢＤｉｊと称し位置Ｐ３または位置Ｐ４のいづれか
を占めることができる。セルＣ１は、また位置ＰＯを占
める磁化方向における追加の変化を含んでおり、参照ゾ
ーンの始端の位置決めを可能にする。

２つの連接する参照ゾーンＺＲＰｉｊおよびＺＲＰｉ（
ｊ＋１）内の最初の２つの情報項目ＢＣＰｉｊおよびＢ
ＣＰｉ（ｊ＋１）がＰ１またはＰ２のいづれであれ同一
の位置を占める時には、最初の情報項目は「１」に等し
いと言う。

情報項目の一方が位置Ｐ１を占めそして他方の項目がＰ
２を占めるときにほ最初の情報項目は「０］に等しいと
言う。同様にして２番目の２つの情報項目ＢＤｉｊおよ
びＢＤｉ（ｊ＋１）が２Ｐ３ま洪はＰ４のいづれであれ
同一の位置を占める時には、ＢＤｉｊは「ｌ」に等しい
。また項目の一方が位置Ｐ３を占め、他方の項目が位置
Ｐ４を占める時にはＢＤｉｊぱ「０」に等しい。情報項
目ＢＤｉｊおよびＢＣＰｉｊは欠陥ビツトおよび確認パ
リテイ・ビツトとそれぞれ称される。

ビツトＢＤｉｊが０に等しい時には、これは連番Ｊを有
するトラツクのセクターＳｉ＋１にエラーもしくは欠陥
があることを意味する（ＢＤｉｊが「１」に等しい場合
にはこの部分にエラーがないことは明らかである。）キ
ー・パリテイ・ビツトＢＣＰｉｊの値は次の４つの因子
によつて決められる。

（１）トラツクの連番ｊ、 （２）セクタの連番１ （３）デイスク面の番号 （４）欠陥ビツトＢＤｉｊの値 同じ面上の同じセクタ一に対しては、ビツトＢＣＰｌｊ
の値は２つの因子の関数すなわちトラックの連番ｊおよ
びビツトＢＤｉｊの値の関数として変わる。

従つてトラツクｊがエラーを有しない場合にＢＤｉｊが
ｌに等しいとするとＢＣＰｉｊは「０」に等しくなる。

またトラツク（ｊ−１）がエラーを有している場合には
ＢＤｌｊ＝０そしてＢＣＰｉｊ＝Ｏである（第４図参照
）。トラツク（ｊ−２）がエラーを有しない場合にはＢ
Ｄｉｊは「１」に等しく、そしてＢＣＰｉｊ「０」に等
しい。

トラツク（ｊ−３）がエラーを有する場合にほ、ＢＤｉ
（ｊ−３）は「０」に等しく、そしてＢＣＰｉ（ｊ−３
）もＯに等しい。

トラツク（ｊ−４）がエラーを有しない場合には、ＢＤ
ｉ（ｊ−４）は「ｌ」に等しくそしてＢＣＰｉ（ｊ−４
）は「０」に等しい。

最後にトラツク（ｊ−５）がエラーを有しない場合には
、ＢＤｉ（ｊ−５）は「ｌ」に等しくそしてＢＤＰｉ（
ｊ−５）も「１」に等しくなる。

ビツトＢＤｉｊおよびＢＣＰｉｊの値は情報をデイスク
に書込む以前に計算される。ゾーンＺＲＰｉｊ内に記憶
されている情報から読出された信号、特にセルＣ１に記
憶されている情報からの読出し信号（ヘツドＴによつて
発生される）は、アナログ信号であつて、このアナログ
信号はデイスクメモリに設けられている信号整形回路（
図示せず）により論理パルス信号に変換される。

論理パルスはデイスクメモリを監視するための装置すな
わちモニ汐に伝達される。このモニタはデイスクＤが所
属するデイスクメモリと同じデータ処理装置に所属する
ものである。従つてこのモニタはピツトＢＤｉｊおよび
ＢＣＰｉｊを受ける。トラックｊの連番、デイスクの面
の番号およびセク３ｔｓｉの番号がわかれば、モニタ自
身でそれが受信したビツトＢＤｉｊの値からパリテイ・
ビツトＴＢＣＲｉｊが計算され、そしてこれパリテイ・
ピットＢＣＰｉｊと比較される。これら２つのビツトが
同じであるときには、信号ＢＤｉｊおよびＢＣＰｉｊの
伝送にエラーは生ぜず、従つて受信したビツトＢＤｉｊ
およびＢＣＰｉｊはデイスクＤにおける欠陥に関する正
しい情報を表わすことを意味する。

ビツトＢＣＰｉｊをビツトＢＤｉ，と相関させる必要が
あるのはこの理由からである。もしこれらピットが相関
されていない場合にぱビツトＢＤｉｊによつて与えられ
るデイスクＤ上の欠陥を表示する情報（この情報は上記
のようにモニタに与えられる）が正しいか否かを判断す
るのが不可能になるからである。

【図面の簡単な説明】

第１ａ図ないし第１ｄ図は従来の磁気デイスクの表面上
における情報分布の好ましいパターンを示す図、第２図
は参照ゾーンから個セルを設ける従来の方法を図解し、
第３ａ図および第３ｂ図は待期セクターを含めデイスク
上のすべてのセクタ一を示し、第４図は本発明に従つて
欠陥もしくはエラー表示情報を参照ゾーンに配列する１
例を図解するものである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 複数のトラックにより記録される情報項目が複数の
   セクターに書込まれ、前記セクターの各々は前記トラッ
   クを識別するための情報を含む少くとも１つの参照ゾー
   ンを有し、更に前記セクターのうち幾つかのものは通常
   は欠陥セクター内に記録されたであろう情報を記録する
   待期セクターであり、前記全てのセクターの前記参照ゾ
   ーンに、セクターに欠陥があるか否かを表示する欠陥表
   示情報を書込むようにした磁気記録媒体に欠陥に関する
   情報を書込む方法において、前記欠陥表示情報は欠陥ビ
   ットと確認ビットとの組合せを含み、欠陥ビットは、セ
   クターが欠陥を含むか否かに依存してその値を書込まれ
   、確認ビットは、前記セクターの幾何学的アドレス（記
   録面およびセクタのトラック番号）および前記欠陥ビッ
   トの値によつて示されるセクタの物理状態に依存してそ
   の値を書込まれるようにしたことを特徴とする磁気記録
   媒体に欠陥に関する情報を書込む方法。 ２ 前記磁気記録媒体が２つの記録面を有する磁気ディ
   スクであり、各参照ゾーンＺＲＰ＿ｉ＿ｊは連続番号ｊ
   のトラックと組合いかつ情報項目ＢＤ＿ｉ＿ｊおよび情
   報項目ＢＣＰ＿ｉ＿ｊを含み、２つの連接する参照ゾー
   ンＺＲＰ＿ｉ＿ｊおよびＺＲＰ＿ｉ＿（＿ｊ＿＋＿１＿
   ）の２つの連接する情報項目ＢＤ＿ｉ＿ｊおよびＢＤ＿
   ｉ＿（＿ｊ＿＋＿１＿）は、セクタＳ＿ｉ＿＋＿１に欠
   陥があるかないかを示す欠陥ビットＢＤ＿ｉ＿ｊの値を
   決め、前記２つの連接する参照ゾーンの２つの連接する
   情報項目ＢＣＰ＿ｉ＿ｊおよびＢＣＰ＿ｉ＿（＿ｊ＿＋
   ＿１＿）は確認ビットＢＣＰ＿ｉ＿ｊの値を決めるよう
   にした特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体に欠陥
   に関する情報を書込む方法。 ３ すべての参照ゾーンＺＲＰ＿ｉ＿ｊの各情報項目Ｂ
   Ｄ＿ｉ＿ｊおよび各情報項目ＢＣＰ＿ｉ＿ｊは１つの個
   セル内にあり、かつ磁化の方向における第１および第２
   の変化によつて決められ、前記磁化方向の変化の各々は
   各セル内で２つの所定の位置のうちの１つの位置を占め
   、前記ビットＢＤ＿ｉ＿ｊの値（ビットＢＣＰ＿ｉ＿ｊ
   ）は、相互に関係した２つの情報項目ＢＤ＿ｉ＿ｊ（Ｂ
   ＣＰ＿ｉ＿ｊ）およびＢＤ＿ｉ＿（＿ｊ＿＋＿１＿）（
   ＢＣＰ＿ｉ＿（＿ｊ＿＋＿１＿）の位置に依存し、さら
   に前記セルは参照ゾーンの始めの部分を識別することを
   可能にするインデックス手段を含んでいる特許請求の範
   囲第２項記載の磁気記録媒体に欠陥に関する情報を書込
   む方法。