JPS5951564A - 半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造方法Info
- Publication number
- JPS5951564A JPS5951564A JP16275482A JP16275482A JPS5951564A JP S5951564 A JPS5951564 A JP S5951564A JP 16275482 A JP16275482 A JP 16275482A JP 16275482 A JP16275482 A JP 16275482A JP S5951564 A JPS5951564 A JP S5951564A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- implanted
- polysilicon
- ions
- insulating substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/84—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は絶縁基板上に半導体を形成する工程でイオン注
入した際に、半導体内に注入された電荷を速やかに外部
に逃し、半導体素子の静電破壊を防止する事に関するも
のである。
入した際に、半導体内に注入された電荷を速やかに外部
に逃し、半導体素子の静電破壊を防止する事に関するも
のである。
従来のこの種の製造方法の一例を第1図に示す。
絶縁性の高い石英基板1の上にポリシリコンを1000
〜200OA気相成長させ、フォトリソグラフィーによ
り任意の形状のポリシリコン2を形成する。
〜200OA気相成長させ、フォトリソグラフィーによ
り任意の形状のポリシリコン2を形成する。
その後、熱酸化法によシポリシリコン上にシリコン酸化
膜3″f:500〜100OA形成させた後、ポリシリ
コンの不純物濃度制御の為、リンを注入量(0,1〜9
) X J[)!’m−”y加速tK 圧80KoV
テ、イオン注入4を注入用試料台5の上で行なう。注
入された不純物と共に注入された電荷6の逃げ道は、図
中7のようなルートが望ましいが最悪時は図中8のよう
に、シリコン酸化膜3を空き破9、直接外部に電荷が逃
げていた。以上のように、従来方法はシリコン酸化膜2
が静電破壊する欠点が存在していた。
膜3″f:500〜100OA形成させた後、ポリシリ
コンの不純物濃度制御の為、リンを注入量(0,1〜9
) X J[)!’m−”y加速tK 圧80KoV
テ、イオン注入4を注入用試料台5の上で行なう。注
入された不純物と共に注入された電荷6の逃げ道は、図
中7のようなルートが望ましいが最悪時は図中8のよう
に、シリコン酸化膜3を空き破9、直接外部に電荷が逃
げていた。以上のように、従来方法はシリコン酸化膜2
が静電破壊する欠点が存在していた。
本発明は、この欠点を解決する為、注入された電荷6を
速やかに注入用試料台5へ逃がす様に工夫したもので、
以下、図面について説明する。
速やかに注入用試料台5へ逃がす様に工夫したもので、
以下、図面について説明する。
第2図は本発明に基づき加工された素子のイオン注入中
の断面図であシ素子の形成工程は従来方法と同じである
が、導電&ff14′ftコーティングする工程のみが
本発明に基づき付加されている。これによシ注入された
電荷15は、図中16に示すようにポリシリコン10→
シリコン酸化膜11→導電膜14→注入試料台13へ速
やかにi号車ができる。ここで導電膜14はポリシリコ
ン10全体を包み、かつ電気抵抗が低いので、ポリシリ
コン10中の集中電界、発生を抑えられる為、静電破壊
は起らない。
の断面図であシ素子の形成工程は従来方法と同じである
が、導電&ff14′ftコーティングする工程のみが
本発明に基づき付加されている。これによシ注入された
電荷15は、図中16に示すようにポリシリコン10→
シリコン酸化膜11→導電膜14→注入試料台13へ速
やかにi号車ができる。ここで導電膜14はポリシリコ
ン10全体を包み、かつ電気抵抗が低いので、ポリシリ
コン10中の集中電界、発生を抑えられる為、静電破壊
は起らない。
実施例では導電膜14として、アルミニウムをエレクト
ロンビーム蒸着により1ooOXコーテイングしイオン
注入を行なった。これによると従来の静電破壊による素
子不良率50%に対し、本発明による方法でIiO%と
大きな効果が得られ、その有効性をW認できた。
ロンビーム蒸着により1ooOXコーテイングしイオン
注入を行なった。これによると従来の静電破壊による素
子不良率50%に対し、本発明による方法でIiO%と
大きな効果が得られ、その有効性をW認できた。
以上説明したように静電破壊防止に有効であるから素子
の歩留シ向上ができる。又当方式は基板表面にコーティ
ングするだけでよいので、安価かつ製造工程の変更も最
小で済む。そして、素子構成も変えなくてよいので、素
子寸法の増大もない。
の歩留シ向上ができる。又当方式は基板表面にコーティ
ングするだけでよいので、安価かつ製造工程の変更も最
小で済む。そして、素子構成も変えなくてよいので、素
子寸法の増大もない。
説明文では、石英基板−ポリシリコン−酸化膜の三重構
造を例として挙げたが、サファイア基板上にシリコン素
子を形成するSOSや、絶縁基板上に半導体素子を形成
するTPT全般に応用できる。又、酸化膜破壊を例と挙
げたが、他の種類の絶縁膜や、pn接合でも同じ効果が
得られる事は明らかである。そして、導電膜としては、
導電性があシ、薄膜コーティングできる物質は全て使用
可能である。
造を例として挙げたが、サファイア基板上にシリコン素
子を形成するSOSや、絶縁基板上に半導体素子を形成
するTPT全般に応用できる。又、酸化膜破壊を例と挙
げたが、他の種類の絶縁膜や、pn接合でも同じ効果が
得られる事は明らかである。そして、導電膜としては、
導電性があシ、薄膜コーティングできる物質は全て使用
可能である。
第1図は従来のイオン注入中の断面状態、第2図は本発
明によるイオン注入中の断面状態を示す。 1.9・・・石英基板 2 、 It)・・・任意形状のポリシリコン(3、1
1・・・シリコン酸化膜 4、I2・・争イオン注入 5、I3・・・注入用試料台 6.15・・・注入された電荷 7・・・・・注入された電荷の望ましい逃げ道8・・・
・・注入された電荷の)d悪の逃げ道14・ ・ ・
・ ・導電膜 以 上 出願人 株式会社H”i訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 第1図 2 第2図 1、事件の表示 昭和57年特許願第 162754号 発明の3称 半導体製造方法 3、補正をする者 事件との関係 出願人 東京都新宿区西新宿2丁目4番1号 (256)株式会社 諏 訪 精 工 舎4、 (t
埋入 代表取締役 中 村 恒 也5、
補正により増加する発明の数 α ある會、[加速電圧80にθVで、」に補正する。
明によるイオン注入中の断面状態を示す。 1.9・・・石英基板 2 、 It)・・・任意形状のポリシリコン(3、1
1・・・シリコン酸化膜 4、I2・・争イオン注入 5、I3・・・注入用試料台 6.15・・・注入された電荷 7・・・・・注入された電荷の望ましい逃げ道8・・・
・・注入された電荷の)d悪の逃げ道14・ ・ ・
・ ・導電膜 以 上 出願人 株式会社H”i訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 第1図 2 第2図 1、事件の表示 昭和57年特許願第 162754号 発明の3称 半導体製造方法 3、補正をする者 事件との関係 出願人 東京都新宿区西新宿2丁目4番1号 (256)株式会社 諏 訪 精 工 舎4、 (t
埋入 代表取締役 中 村 恒 也5、
補正により増加する発明の数 α ある會、[加速電圧80にθVで、」に補正する。
Claims (1)
- 絶縁基板上に半導体素子を形成する工程で、イオン注入
する際に、その表面に導電膜をコーティングする事を特
徴とする半導体製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16275482A JPS5951564A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16275482A JPS5951564A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 半導体製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5951564A true JPS5951564A (ja) | 1984-03-26 |
Family
ID=15760613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16275482A Pending JPS5951564A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 半導体製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5951564A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4933257A (en) * | 1986-10-13 | 1990-06-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Positive quinone diazide photo-resist composition with antistatic agent |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52127157A (en) * | 1976-04-19 | 1977-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP16275482A patent/JPS5951564A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52127157A (en) * | 1976-04-19 | 1977-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4933257A (en) * | 1986-10-13 | 1990-06-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Positive quinone diazide photo-resist composition with antistatic agent |
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