JPS5950604A - 発振回路 - Google Patents
発振回路Info
- Publication number
- JPS5950604A JPS5950604A JP16150682A JP16150682A JPS5950604A JP S5950604 A JPS5950604 A JP S5950604A JP 16150682 A JP16150682 A JP 16150682A JP 16150682 A JP16150682 A JP 16150682A JP S5950604 A JPS5950604 A JP S5950604A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inverter
- resistor
- transistor
- channel
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 241000233866 Fungi Species 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/364—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising field effect transistors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明（は、周波数安定度の高い発振回路に関するもの
である。
である。
従来の発振回路は、第１図に示すように、発振インバー
タはＰチャネルＭＯＥ＋）ランジスタ１と、Ｎチャネル
ＭＯＥＩ）ランジスタ２よりなっていたが、このトラン
ジスタ１と２のゲート電圧ハ、電源電圧に大きく依存し
ている。よって各々のトランジスタ１と２が供給する電
流は電源電圧に依存し、結局、この発振回路は電源電圧
の変動に対し周波数安定度の悪い発振回路であった。な
お６は第１の抵抗、４は第２の抵抗、５は第１のコンデ
ンサ、６は第２のコンデンサ、７は水晶振動子である。
タはＰチャネルＭＯＥ＋）ランジスタ１と、Ｎチャネル
ＭＯＥＩ）ランジスタ２よりなっていたが、このトラン
ジスタ１と２のゲート電圧ハ、電源電圧に大きく依存し
ている。よって各々のトランジスタ１と２が供給する電
流は電源電圧に依存し、結局、この発振回路は電源電圧
の変動に対し周波数安定度の悪い発振回路であった。な
お６は第１の抵抗、４は第２の抵抗、５は第１のコンデ
ンサ、６は第２のコンデンサ、７は水晶振動子である。
本発明は、上記周波数安定度の悪い発振回路の欠点を除
去し、電源電圧の変動に対し、安定した周波数を得るこ
とを目的とする。
去し、電源電圧の変動に対し、安定した周波数を得るこ
とを目的とする。
本発明による第１と第２の実施例を、第２図と第３図に
示す。
示す。
第２図を参照して第１の実施例を説明すると、１ ａ
Ｉｄ ＮチャネルデプレッションＷＭＯ８）ランジスタ
で、ゲートとソースは同電位になっており、更にＰウェ
ルとソースも同電位になっている。
Ｉｄ ＮチャネルデプレッションＷＭＯ８）ランジスタ
で、ゲートとソースは同電位になっており、更にＰウェ
ルとソースも同電位になっている。
２ａｆｄ、Ｎチャネルエンハンスメント型ＭＯｓトラン
ジスタで、ＭＯＥＩ）ランジスタ１のソースとＭＯＳ）
ランジスタ２のドレインを接続して、その端子をｖｏｕ
ｔ と呼ぶ。２のゲート端子はＶＧと呼ぶ。３はフィ
ードバック用の第１の抵抗である。４はオーバートーン
防市用第２の抵抗である。
ジスタで、ＭＯＥＩ）ランジスタ１のソースとＭＯＳ）
ランジスタ２のドレインを接続して、その端子をｖｏｕ
ｔ と呼ぶ。２のゲート端子はＶＧと呼ぶ。３はフィ
ードバック用の第１の抵抗である。４はオーバートーン
防市用第２の抵抗である。
５と６はそれぞれコンデンサである。７は水晶撮動子で
ある、 次に、第２図の第１実施例の動作を第４図を用いて説明
する。
ある、 次に、第２図の第１実施例の動作を第４図を用いて説明
する。
第１の抵抗３を通して端子■ｏｕｔ より、最も高い電
圧ＶＧＩがトランジスタ２ａのゲート端子ＶＧに入ると
、第４図よシ端子ｖｏｕｔ は最も低い出力ＶＯＩＩ
となる。このときＭＯＳ）ランジスタ１ａと２ａを流れ
る電流は、ＭＯＳ）ランジスタ１ａのトランジスタの特
性で決まり、 １＝に１ （ＶＴ［、）２ ＋＋＋、、、、・■となる
。
圧ＶＧＩがトランジスタ２ａのゲート端子ＶＧに入ると
、第４図よシ端子ｖｏｕｔ は最も低い出力ＶＯＩＩ
となる。このときＭＯＳ）ランジスタ１ａと２ａを流れ
る電流は、ＭＯＳ）ランジスタ１ａのトランジスタの特
性で決まり、 １＝に１ （ＶＴ［、）２ ＋＋＋、、、、・■となる
。
Ｋ１はトランジスタ１ａの導電係数、ｖＴＮＬｉ’ｊト
ランジスタ１ａのスレッショルド電圧でアル。
ランジスタ１ａのスレッショルド電圧でアル。
■式で示されるように、電流は電源室ＦＥ、（ＶＤＤ）
に全く依存しない値である。
に全く依存しない値である。
同じく第２図、第１の抵抗３全通して端子■ｏｕｔより
、最も低い電圧Ｖ Ｇ ３ がトランジスタ２ａのゲ
ート端子ＶＧに入ると、第４図より端子■ｏｕｔは最も
高い電圧ＶＯＲを出力する。
、最も低い電圧Ｖ Ｇ ３ がトランジスタ２ａのゲ
ート端子ＶＧに入ると、第４図より端子■ｏｕｔは最も
高い電圧ＶＯＲを出力する。
出力ＶＯＲ：ｖＤＤ−１−ＶＴＮ を与えるゲート入
力をＶＧ３ と定めると、出力ｙｏｂからＶＯＨの振
幅に対し、トランジスタ１ａは飽和領域の動作をする。
力をＶＧ３ と定めると、出力ｙｏｂからＶＯＨの振
幅に対し、トランジスタ１ａは飽和領域の動作をする。
このときも、トランジスタ１ａと２ａを流れる電流はト
ランジスタ１ａＩ特性で決まり、■式の如くとなる。同
様にこの電流は電源電圧（ＶＤＤ）に全く依存しない値
である。
ランジスタ１ａＩ特性で決まり、■式の如くとなる。同
様にこの電流は電源電圧（ＶＤＤ）に全く依存しない値
である。
上記の如く、ｖｏｕｔ 端子の振幅がトランジスタ１
ａの飽和領域内で振れている限り、この発振インバータ
を流れる電流は電源電圧（ＶＤＤ）に全く依存しない。
ａの飽和領域内で振れている限り、この発振インバータ
を流れる電流は電源電圧（ＶＤＤ）に全く依存しない。
よってこの発振回路を用いれば、電源電圧の変動に対し
極めて安定度の高い周波数を得ることができる。
極めて安定度の高い周波数を得ることができる。
ま７’Ｃ％ ＶＧ４ の如くトランジスタ２のゲート
電圧が、前記Ｖ Ｇ ３ のレベルより少し低くなっ
た時、すなわち、Ｖ ｏｕｔ （Ｖ ＤＤ −４−Ｖ
ＴＮＬ のとき、このとき発振インバータを流ハる電
流は、トランジスタ１ａが非飽和領域動作となるから １＝に、１ （２（−ＶＴＮＩＩ）（ＶＴ）Ｄ−ｖｏｕ
ｔ）＝（ｖｐＤ−ｖＯＩｌｔ）２）・・・・・・・・・
■となり、電源電圧（ＶＴＩＤ）に依存する値となる。
電圧が、前記Ｖ Ｇ ３ のレベルより少し低くなっ
た時、すなわち、Ｖ ｏｕｔ （Ｖ ＤＤ −４−Ｖ
ＴＮＬ のとき、このとき発振インバータを流ハる電
流は、トランジスタ１ａが非飽和領域動作となるから １＝に、１ （２（−ＶＴＮＩＩ）（ＶＴ）Ｄ−ｖｏｕ
ｔ）＝（ｖｐＤ−ｖＯＩｌｔ）２）・・・・・・・・・
■となり、電源電圧（ＶＴＩＤ）に依存する値となる。
しかし第４図に示すように、発振振幅は振幅ｖＯＬから
ＭＯＥＩテあるが、振幅ｙｏｂからＶＯＲまでは■式で
述べたように、電源電圧に全く依存しない電流であシ、
しかもその割合が圧倒的に多い。
ＭＯＥＩテあるが、振幅ｙｏｂからＶＯＲまでは■式で
述べたように、電源電圧に全く依存しない電流であシ、
しかもその割合が圧倒的に多い。
よって、振幅ｖＯＨからＶ Ｏｎｌまでにおいて、発振
インバータを流れる電流は電源電圧に依存し、周波数を
変動させるが、その割合は極めて少なく、全体の発振周
波数の安定性は、電源電圧の変動に対して、極めて安定
性の良い特性を得ることができる。
インバータを流れる電流は電源電圧に依存し、周波数を
変動させるが、その割合は極めて少なく、全体の発振周
波数の安定性は、電源電圧の変動に対して、極めて安定
性の良い特性を得ることができる。
よって本発明によれば、電源電圧の変動に対して、発振
インバータを流れる電流は極めて安定で ５− あるので、周波数安定度の極めて高い発振回路を得るこ
とができる。
インバータを流れる電流は極めて安定で ５− あるので、周波数安定度の極めて高い発振回路を得るこ
とができる。
第３図は、ＰチャネルＭＯ９）ランジスタを用いた本発
明の第２の実施例を示す発振回路で、第２図と同様な理
由で、周波数安定度の高い発振回路である。なお、１ｂ
はＰチャネルエンハンスＭＯ８）ランジスタ、２ｂはデ
プレッションＭＯＳトランジスタである。
明の第２の実施例を示す発振回路で、第２図と同様な理
由で、周波数安定度の高い発振回路である。なお、１ｂ
はＰチャネルエンハンスＭＯ８）ランジスタ、２ｂはデ
プレッションＭＯＳトランジスタである。
第５図と第６図は、本発明の第３と＠４の実施例である
。
。
第５図に示す第３の実施例は、第２図に示す第１の実施
例にＮチャネルデプレッショントランジスタ１０を追加
することによって得ゆれ、動作範囲を広げた回路である
。
例にＮチャネルデプレッショントランジスタ１０を追加
することによって得ゆれ、動作範囲を広げた回路である
。
第６図に示す第４の実施例は、第３図に示す第３の実姉
例にＰチャネルデプレッショントランジスタ１１を追加
することによって得られ、動作範囲を広げた回路である
。
例にＰチャネルデプレッショントランジスタ１１を追加
することによって得られ、動作範囲を広げた回路である
。
６−
第１図は従来の発４最回路図であり、第２［ＴＪと第６
図は、それぞれ本発明による第１と第２実施例を示す回
路図である。 第５図と第６図は、本発明の第３と第４の実施例の回路
図であり、第４図（１陵、明のため用いたトランジスタ
特性図である。 １・・・・・・ＰチャネルＭＯ８）ランラスタ２パ・・
・・）■チャネルＭＯ８）ランジスタ３・・・・・・第
１の抵抗 ４・・・・・・第２の抵抗 ５・・・・・・第１のコンデンサ ６・・・・・・第２のコンデンサ ７・・・・・・水晶振動子 １ａ・・・ＮチャネルデプレッションＭｏＳトランジス
タ ２ａ・・・ＮチャネルエンハンスＭＯＳトランジスタ １ｂパ・ＰチャネルエンハンスＭＯ８）ランジスタ ツー ２ｂ・・・ＰチャネルデプレッンヨンＭＯＥＩ）ランジ
スタ １０・・・Ｎチャネルデジ９９フ３フ ンジスタ １１・・・ＰチャネルデブレッンヨンＭ Ｏ Ｓ ）ラ
ンジスタ 以 上 出願人 株式会社 第二精工台 代理人 弁理士 最上 務 ８ −
図は、それぞれ本発明による第１と第２実施例を示す回
路図である。 第５図と第６図は、本発明の第３と第４の実施例の回路
図であり、第４図（１陵、明のため用いたトランジスタ
特性図である。 １・・・・・・ＰチャネルＭＯ８）ランラスタ２パ・・
・・）■チャネルＭＯ８）ランジスタ３・・・・・・第
１の抵抗 ４・・・・・・第２の抵抗 ５・・・・・・第１のコンデンサ ６・・・・・・第２のコンデンサ ７・・・・・・水晶振動子 １ａ・・・ＮチャネルデプレッションＭｏＳトランジス
タ ２ａ・・・ＮチャネルエンハンスＭＯＳトランジスタ １ｂパ・ＰチャネルエンハンスＭＯ８）ランジスタ ツー ２ｂ・・・ＰチャネルデプレッンヨンＭＯＥＩ）ランジ
スタ １０・・・Ｎチャネルデジ９９フ３フ ンジスタ １１・・・ＰチャネルデブレッンヨンＭ Ｏ Ｓ ）ラ
ンジスタ 以 上 出願人 株式会社 第二精工台 代理人 弁理士 最上 務 ８ −
Claims (1)
- 入出力端子に、第１の抵抗が並列に接続されたインバー
タの前記入力端子と接地間に第１のコンデンサを接続す
ると共に、前記インバータの出力端子に第２の抵抗を直
列に接続し、更に前記インバータの出力端子に第２の抵
抗の他端と接地間に第２のコンデンサを接続すると共に
、前記第２の抵抗の他端と前記インバータの入力端子間
に水晶振動子を接続する発振回路において、前記インバ
ータの２つのＭＯＳ）ランジスタのいずれが一方のゲー
トをソースに接続するとともに、前記２つのＭＯＳ）ラ
ンジスタのそれぞれのソースとウェルとを共通にするこ
とを％隊とする発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16150682A JPS5950604A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16150682A JPS5950604A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950604A true JPS5950604A (ja) | 1984-03-23 |
Family
ID=15736352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16150682A Pending JPS5950604A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950604A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61192749A (ja) * | 1985-02-21 | 1986-08-27 | Hinode Kagaku Kogyo Kk | 導電性雲母粉末およびその製造法 |
| JPS62207718A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-12 | Taki Chem Co Ltd | 結晶質酸化チタンゾルの製造方法 |
| JPS6317221A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-25 | Taki Chem Co Ltd | 結晶質酸化チタンゾル及びその製造方法 |
| US6322939B2 (en) | 1997-12-16 | 2001-11-27 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image forming method and image forming apparatus for use in the method |
-
1982
- 1982-09-16 JP JP16150682A patent/JPS5950604A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61192749A (ja) * | 1985-02-21 | 1986-08-27 | Hinode Kagaku Kogyo Kk | 導電性雲母粉末およびその製造法 |
| JPS6157336B2 (ja) * | 1985-02-21 | 1986-12-06 | Hinode Kagaku Kogyo Kk | |
| JPS62207718A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-12 | Taki Chem Co Ltd | 結晶質酸化チタンゾルの製造方法 |
| JPH0262498B2 (ja) * | 1986-03-06 | 1990-12-25 | Taki Chemical | |
| JPS6317221A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-25 | Taki Chem Co Ltd | 結晶質酸化チタンゾル及びその製造方法 |
| JPH0262499B2 (ja) * | 1986-07-03 | 1990-12-25 | Taki Chemical | |
| US6322939B2 (en) | 1997-12-16 | 2001-11-27 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image forming method and image forming apparatus for use in the method |
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