JPS59502025A - オリゴヌクレオシドホスホネ−トの製造法 - Google Patents
オリゴヌクレオシドホスホネ−トの製造法Info
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- JPS59502025A JPS59502025A JP83503577A JP50357783A JPS59502025A JP S59502025 A JPS59502025 A JP S59502025A JP 83503577 A JP83503577 A JP 83503577A JP 50357783 A JP50357783 A JP 50357783A JP S59502025 A JPS59502025 A JP S59502025A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07H—SUGARS; DERIVATIVES THEREOF; NUCLEOSIDES; NUCLEOTIDES; NUCLEIC ACIDS
- C07H21/00—Compounds containing two or more mononucleotide units having separate phosphate or polyphosphate groups linked by saccharide radicals of nucleoside groups, e.g. nucleic acids
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
オリゴヌクレオシドホスホネートの製造法本発明は、オリゴヌクレオシドホスホ
ネートの製造法に関する。本発明で得られる化合物は対応するオリゴデオキシヌ
クレオシドホスホネートも含み、親油性ハイブリダイゼーションアナログとして
有用である。
すなわち、それらは親水性オリゴヌクレオチドに組み込まれ、細胞膜をより容易
に透過でき、細胞内で塩基−相補性核酸配列と交互反応する(ハイブリダイゼー
ション)。
糖部分またはヌクレオチド内結合のいずれかlこ修飾を有する核酸アナログは知
られており、例えば、ヌクレオシドホスファイト、ヌクレオシドホスホネートお
よびヌクレオシドチオホスホネートの形で知られている。デオキシヌクレオシド
メチルホスホネートジエステル類もすでに合成され、研究されている。そのデオ
キシヌクレオシドのフェニルおよびメチルホスホノ−ジエステル類は均一相にて
トリエステル変法を用いて得られているが、比較的長時間の網金時間を要し、純
粋な製品を得るためには煩雑な精製手段が要求される。
迅速で高収率を与えるオリゴヌクレオチドの合成も知られており、その方法では
、いくつかの反応剤はポリマー担体、例えば制御された孔径のガラス、に化合的
に結合する。本発明の方法でもポリマー結合反応剤を用い、きわめて短時間に行
なうことができ、目的とするヌクレオシドホスホネートを高収率、で得る。
本発明により製造されるオリゴヌクレオチドホスボネートはつぎの一般式Iで示
される。
式I中、Bはヌクレオ塩基、例えばA、C,GまたはTまたはその類縁体を意味
する。
klは炭素数1〜10の分枝していることもあるアルキル基を意味し、それは4
個までの塩素原子またはシアノ基で置換dれていてもよい。これらの基はメチル
、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、5ec−ブチル、ter
t−ブチル、2,2.2−)リクロロエチルまたはシアノエチルを含む。この基
mlはさらにγリールまたはアラルキル基、とくにフェニルマタはベンジル基で
あってもよく、それは低級アルキル、低級アルコキシ、シアノ、ハロゲン、とく
に塩素マタハ臭素、またはニトロで適宜置換されていてもよい。
基に2は水素原子であり得る:本発明の化合物はしたがってオリゴデオキシヌク
レオシドホスホネートであり得る。基に2はまたヒドロキシ、またはヌクレオチ
ド化学において慣用の保護基で適当に保護されたヒドロキシであってもよい。そ
のような保護基の例は、トリチル、モノメトキシトリチルおよびジメトキシトリ
チル;アシル、例えばアセチルまたはベンゾイル;テトラヒドロピラニル、メト
キシテトラヒドロピラニル、O−ニトロベンジルおよびシリルエーテル類、例え
ばt−ブチルジフェニルシリルエーテルなどである。
一般式Iにおけるnは2S50の整数を意味する。
本発明の方法は下記反応工程:
a)一般式■
式中、Aは、例えばTetrahedron l 981 、363〜369頁
、Liebig’s Ann、 Chem−1978+ 839−850頁およ
びNucleic Ac1ds Re5earch、Sympo−siumSe
ries No、7.1980 、39〜59頁に記載されるようなヌクレオチ
ド化学において慣用の保護基である。
B1は、上記文献に同様に記載されているようなヌクレオチド化学において慣用
の保護基で適宜保護されているヌクレオ塩基Bである。R1は前記と同意義であ
るで示されるヌクレオシドと、一般式■
式中、Xは塩素または臭素、Zは塩素または臭素、−Nq(ilは前記に同じ)
、または反応性複素環基(反応性複素環基としてはトリアゾリル、テトラゾリル
、3−ニトロ−1,2,4−)リアゾリルなどがあり、N原子を介してP原子に
結合している)、およびに1は前記と同じである
で示されるハロゲノホスフィンとを、有機塩基、例えばピリジン、ルチジンまた
はコリジンの存在下に反応させ、
b)工程1で得られる一般式■
式中、A、Bl、ml、R2およびZは前記と同じで示されるホスホノ−ヌクレ
オシド誘導体を、一般式式中、mlおよびに2は前記に同じ、Tはポリマー担体
であり、使用可能な可溶性または不溶性(架橋〕ポリマー担体の例は変性シリカ
ゲル、ポリエステル、ポリアミド、ポリビニルアルコール、ポリシロキサン、ポ
リスチレン、ガラスなど:エステル結合(レボリニルマタハβ−ベンゾイルプロ
ピオニル基から導かれるものも含む)は担体とヌクレオシド間でアンカー機能を
有するため好ましい
で示されるポリマー担体に結合したヌクレオシドと反C)工程すで得られる一般
式VI
式中、R,B”、kl、−およびTは前記に同じで示される担体結合ヌクレオチ
ドヌクレオシドを酸化し、該ホスホネートへの酸化は、例えば、ヨウ素にて行な
われ得るが、この酸化は一般に0、SまたはSeの導入と理解されるべきである
ψ工程すの反応で反応されなかった遊離の5’−OH基を永久保護基により、例
えば、無水酢酸と反応させることにより、マスクし、
e)その保護基Aを、例えばプロトン酸またはルイス酸(Zn Br2など)、
またはAがトリチル基またはそのメトキシ誘導体の場合はジアルキルアルミニウ
ムクロライド、を用いて離脱させ、
り必要なら、a 、−eの反応によりさらにヌクレオシドホスホネートまたはオ
リゴヌクレオシドホスホネート単位を導入させ、
ρそのヌクレオシド−担体結合を塩基、例えばアンモニアまたはヒドラジンにて
PH7で処理して開裂させ、所望により、オリゴヌクレオシドホスホネート中、
とくにヌクレオ塩基中に残存する全保護基を離脱させる
ことを特徴とする。
一般式IV の中間体は新規化合物である。それらは反応の遅い亜ホスホン酸モ
ノエステル類とは異なり数倍も反応速度が大きいが、なお一定の選択性を有する
。
このように、式■のポリマー結合反応剤を用いれば、化合物Iを驚くほど短時間
にかつ予期し得ないほど高収率で製造することができる。
デオキシヌクレオシドメチルホスホノジエステル類d(AC)、d(AT)、d
(ATG) およびd(ATT) の製造の場合を例にとって、以下に、本発明
をさらに詳細擾こ説明する。反応および製造されたオリゴヌクレオシドホスホネ
ート類の物理的パラメータの詳細を下記反応式および表に示す。
実施例
均一孔径のガラス(cpc)に結合したN−保護ヌクレオシドを、Tetrah
edron Letters l 981 、4177に記載と同様にして調製
する。
N−7シルー5/ O)、リチルデオキシヌクレオシドl rrmol を乾燥
THF1−にとかし、これを2.6−ルチジン5 rrmol およびメチルク
ロロホスフィン1mmol のTHFI−混合液]こ、−78℃lcテ、保護ガ
ス雰囲気下、所要時間15〜20分にて添加する。
30分後、この混合物を室温にまでゆっくり放湿する。
ルチジン塩酸塩を戸去し、p液を減圧濃縮する。その残液をトルエン/THF
(10n/、1:1〕にて泡が発生するまで2回蒸発させ、その混合物を2,6
−ルチン75 mmol を含むTHF5.nlにとかし、0.2M溶液を得る
。この活性ヌクレオシドメチルホスホノモノクロリダイト溶液(1rnl)を、
CPGビーズ(100〜200■)に結合したヌクレオシド(10〜20μmo
l)を含有する、隔膜で蓋をしだカラムに注射器で入れる。15分間反応させた
のち、保護ガス圧により反応10分間に再度入れる。縮合収率をトリチルカチオ
ン濃度を測定することにより確認した。95%以上縮合が進行したのち、ホスフ
ァイトジエステルをTHF/HF/ビリジン40:20:1)中で0,1Mヨウ
素にて酸化する。この酸化は3〜5、分間で終了した。過剰のヨウ素をピリジン
(5〜10−)にて色が消えるまで洗浄して除く。この混合物をついてTHF
(20〜30−)で洗浄する。D M A P / T HF / A C20
/ルチジンC0,69,10−11,1p )の混合物2−をカラムに通し、そ
の後、カラムをピリジン5rn11ついでTHF30〜50−にて洗浄し、残存
するピリジンおよびルチジンを除去する。このカラムを高真空下に10分間乾燥
する。Zn Br21:D CH2CJ2/ MeOH(7:3)中またはニト
ロメタン/水(100:1)中飽和溶液を、トリチルの離脱が完了するまで、ビ
ーズに通す。このビーズをn −BuOH/ /l/チジ7/THF(4/1:
5)(5n/)にて洗浄し、最後にTHF 30〜50rnlにてそのまま再度
洗浄する。ついて、適当なヌクレオシドメチルホスホノモノクロリダイトを用い
て上記方法を繰返してつぎのヌクレオシド単位を導入する。
反応サイクルが完了する時間は45〜60分てあり、それはホスホノモノエステ
ルおよび縮合剤のMSNTを用いる場合の4〜6時間とは対照的である。
ヌクレオシドメチルホスホノジエステル鎖を、アンモニア(25%、2−)にて
35℃で15時間処理スることにより担体からはずす。上清液を除き、そのビー
ズを2回蒸留した水(2,3m1)で洗浄する。その液を合せ、減圧下に濃縮し
、薄層クロマトグラフィによリシリカゲルプレート(アセトニトリル/水:80
=20)上にて非ヌクレオチド物質を除去する。プレート上のヌクレオチドバン
ドをCHCj’3/MeOH(? ’ 3)で溶出する。その生成物を濃縮し、
2回蒸留した水を用いて凍結乾燥する。
プリンおよびピリミジンデオキシヌクレオシドメチルホスホノモノクロリダイト
の両方をCPG結合プリン−およびピリミジン−デオキシヌクレオシドとの縮合
に同様にして用いることができる。この方法によりd(AC)、d(AT)、d
(ATG)およびd(ATTT)メチルホスホノジエステル類を製造した。全収
率、UV吸収値およびR1値を表に示す。
d(AT) 94 264 234 0.26す0.05c)d(ATG) 8
5 271 243 0.210d(ATTT) 76 268 243 0.
320中で測定した。
田際謀杏磐告
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式■ 式中、Bはヌクレオ塩基、R1は炭素数1〜1oの分枝していることもあるアル キル基(4個までの塩素原子またはシアノ基で置換されていてもよい)、または アリールまたはアルキル部分が炭素数1〜2個のアラルキル基(低級アルキル、 低級アルコキシ、シアノ、ハロゲンまたはニトロで適宜置換されていてもよい) 、R2は水素原子、ヒドロキシ、またはヌクレオチド化学において慣用の保護基 で適当に保護されたヒドロキシ、およびnは2〜5oの整数を意味する で示されるオリゴヌクレオシドホスホネートの製造法であって、下記反応工程: a〕一般式■ 式中、Aはヌクレオチド化学において慣用の保護基、B1はヌクレオチド化学に おいて慣用の保護基で適宜保護されているヌクレオ塩基、klは前記と同意義で あるで示されるヌクレオシドを、一般式■ 式中、Xは塩素または臭素、Zは塩素または臭素、−N R2、または反応性複 素環基、およびに1は前記と同じである で示されるハロゲノホスフィンと有機塩基の存在下ニ反応させ、 b)工程1で得られる一般式■ 式中、A、Bl、kl、k2およびZは前記と同じで示されるホスホノ−ヌクレ オシド誘導体を、一般式■ 式中、B1およびに2は前記に同じ、Tはポリマー担体である で示されるポリマー担体に結合したヌクレオシドと反式中、k%B1、kl、k 2およびTは前記に同じで示される担体結合ヌクレオチドヌクレオシドを酸化し 、 d)工程すの反応で反応されなかった遊離の5’−OH基を永久保護基によりマ スクし、 e)その保護基Aを離脱させ、 り必要なら、a x eの反応によりさらにヌクレオシドホスホネートまたはオ リゴヌクレオシドホスホネート単位を導入させ、 Vそのヌクレオシド−担体結合を開裂させ、所望により、得られたオリゴヌクレ オシドホスホネート中の全保護基を離脱させる ことを特徴とする方法。
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