JPS5942916A - 単結晶の加工方法 - Google Patents
単結晶の加工方法Info
- Publication number
- JPS5942916A JPS5942916A JP57153822A JP15382282A JPS5942916A JP S5942916 A JPS5942916 A JP S5942916A JP 57153822 A JP57153822 A JP 57153822A JP 15382282 A JP15382282 A JP 15382282A JP S5942916 A JPS5942916 A JP S5942916A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- single crystal
- processing
- plane
- crystal orientation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明はＬｉＮｂ５−？） ＬｉＴａＯ５等の単結晶の
加工方法の改良に関する。
加工方法の改良に関する。
（発明の技術的背景及びその問題点）
近年ＬｉＮｂ、やＬ ｉＴ ａ ０３等の単結晶を加工
した部品が広く弾性表面波素子とし°Ｃ用いられＣいる
。
した部品が広く弾性表面波素子とし°Ｃ用いられＣいる
。
これら単結晶を弾性表面波素子とし°Ｃ利用するには多
くの場合結晶を一定結晶面（二泊っＣ切断や切削等の加
工を行わなければならない。例えば１ｉｉＮｂ０３単結
晶をウェハ加工するにはＸ線を用いた装置（ｌＦｊ公１
１８５０１４１４３月公報）により結晶方位を測定し、
占ひ加工用保持具に戻し゛Ｃ前記測定データに基い゛Ｃ
結品の保持角度を補正し、加工を行う方法が考えられる
。しかしこの方法では結晶方位を測定するだめに加工用
保持具から取外さなければならず、そのため再び結晶を
保持具に戻し゛Ｃ補ｉＥを行なつＣもその精度は十分で
なく、加工而と結晶面とのずれのばらつきは±０．５°
以内４二することが困難である。このばらつきが大きい
と弾性表面波素子の特性劣化の原因につながる。
くの場合結晶を一定結晶面（二泊っＣ切断や切削等の加
工を行わなければならない。例えば１ｉｉＮｂ０３単結
晶をウェハ加工するにはＸ線を用いた装置（ｌＦｊ公１
１８５０１４１４３月公報）により結晶方位を測定し、
占ひ加工用保持具に戻し゛Ｃ前記測定データに基い゛Ｃ
結品の保持角度を補正し、加工を行う方法が考えられる
。しかしこの方法では結晶方位を測定するだめに加工用
保持具から取外さなければならず、そのため再び結晶を
保持具に戻し゛Ｃ補ｉＥを行なつＣもその精度は十分で
なく、加工而と結晶面とのずれのばらつきは±０．５°
以内４二することが困難である。このばらつきが大きい
と弾性表面波素子の特性劣化の原因につながる。
一方内周刃カッターでウェハを１枚づつ切り出し、直ち
に結晶方位の測定を行い、この結果に基い゛Ｃ保持角度
の補正を行う方法を採用すれば、ばらつきの問題は解消
するがＬｉＴａ０．やｌ、１Ｎｂ０３単結晶を内周刃加
工することは一量産性がないので打首しくない。
に結晶方位の測定を行い、この結果に基い゛Ｃ保持角度
の補正を行う方法を採用すれば、ばらつきの問題は解消
するがＬｉＴａ０．やｌ、１Ｎｂ０３単結晶を内周刃加
工することは一量産性がないので打首しくない。
（発明の目的）
本発明は以上のような欠点をなくすためになされたもの
で、単結晶の結晶面と加工面との方向のイｉ 差が少なく（方向精度がよく）なり、かつ量産性を有す
る加工方法を提供することを目的とする。
で、単結晶の結晶面と加工面との方向のイｉ 差が少なく（方向精度がよく）なり、かつ量産性を有す
る加工方法を提供することを目的とする。
（発明の概要）
本発明は単結晶を゛保持具（二保持し一定の結晶面に沿
つ′Ｃ加工を行う（二当り、前もって結晶方位を測定し
、この測定情報に基いて単結晶の保持具への保持角度の
補正を行なつＣから前記加工を行なう工程を（ｆｉｔｔ
えた単結晶の加工方法におい（、前記中−結晶にあらか
じめ平担部を形成し、この単結晶を固定部及び司！ｌＸ
１１調節部よりなる保持具の可動調節部に装着し、材結
晶方位測定装置の所定位ｆｆに前記固定部を設置し、 一方表￥４・２つの基準平面を有しかつ前記単結晶と同
一の結晶面ケ有し、かつこの結晶面と基準平面との関係
が既知の標準板を用意し、 前記結晶方位測定装置に装着した前記単結晶の平担部の
結晶方位及び前記標準板をこの平和部に当ｈａせしめた
ときの標準板の結晶方位を測定し、これらの測定値及び
この測定値の基準値からのずれ情報に基いて可動円筒ｊ
部を調節して補正をイｊうことを特徴とする単結晶の加
工方法である。
つ′Ｃ加工を行う（二当り、前もって結晶方位を測定し
、この測定情報に基いて単結晶の保持具への保持角度の
補正を行なつＣから前記加工を行なう工程を（ｆｉｔｔ
えた単結晶の加工方法におい（、前記中−結晶にあらか
じめ平担部を形成し、この単結晶を固定部及び司！ｌＸ
１１調節部よりなる保持具の可動調節部に装着し、材結
晶方位測定装置の所定位ｆｆに前記固定部を設置し、 一方表￥４・２つの基準平面を有しかつ前記単結晶と同
一の結晶面ケ有し、かつこの結晶面と基準平面との関係
が既知の標準板を用意し、 前記結晶方位測定装置に装着した前記単結晶の平担部の
結晶方位及び前記標準板をこの平和部に当ｈａせしめた
ときの標準板の結晶方位を測定し、これらの測定値及び
この測定値の基準値からのずれ情報に基いて可動円筒ｊ
部を調節して補正をイｊうことを特徴とする単結晶の加
工方法である。
（発明の実施（９１＋ ）
実施例１
２０１図は本発明（二係る結晶方位測定装置の平面図、
第２図は第１図の側１１図である。
第２図は第１図の側１１図である。
育成されたｘ １ｆｉｉｌ引上のＬｉＴａＯ３単結晶ｂ
ｏｕｌｅ ｆｌ）を１４００υでアニールを行ない、ア
ニール終了後固定部（２）及び可動調整部（３）よりな
る保持具の５Ｊ動調整部（３）に固定する。結晶方位測
定装置のベース（４）全前記固定部（２）を装着しＸ線
発生装置（７）及びディフラクトメータ（８）を用いｃ
ｔ’ｚ ’ｙ ｘ面の回折角度θ＝３６．７７°に合
わせ、可動調節部（３）の止めねじ（３−１）を固定す
る。次に固定部（２）のねじ（５）を外し、図示しない
端面加工機にねじ止めし、Ｘ面方位加工して単結晶の平
担部（ｒ−ｔ）を形成する。次に固定部（２）の止めね
じ（５）を外して再び結晶方位測定装置のベース（４）
に固定部（２）をねじ止めする。
ｏｕｌｅ ｆｌ）を１４００υでアニールを行ない、ア
ニール終了後固定部（２）及び可動調整部（３）よりな
る保持具の５Ｊ動調整部（３）に固定する。結晶方位測
定装置のベース（４）全前記固定部（２）を装着しＸ線
発生装置（７）及びディフラクトメータ（８）を用いｃ
ｔ’ｚ ’ｙ ｘ面の回折角度θ＝３６．７７°に合
わせ、可動調節部（３）の止めねじ（３−１）を固定す
る。次に固定部（２）のねじ（５）を外し、図示しない
端面加工機にねじ止めし、Ｘ面方位加工して単結晶の平
担部（ｒ−ｔ）を形成する。次に固定部（２）の止めね
じ（５）を外して再び結晶方位測定装置のベース（４）
に固定部（２）をねじ止めする。
一方ＬｉＴａＯ３結晶を用いＸ面方向に精度よく（±０
．０２°）加工した５０庫×５０期×ｌ順のＸ面標準板
１６）をあらかじめ用意しておく。
．０２°）加工した５０庫×５０期×ｌ順のＸ面標準板
１６）をあらかじめ用意しておく。
次に前記装置に装着された保持具の可動調節部（３）の
結晶平担部（ｒ−ｉ）の結晶方位を測定したところ回折
角度は３７．７０°であった。次にこの平担部（ｌ−ｔ
）に前記標準板（６）を水滴を介して密着させ、測定し
たところ、標準板（６）の回折角度は３７．４０’であ
った。この結果から補正角度は（基準値−標準板の値）
−（基準直−平担部の値）（３６，７７−３７，４０）
−（３６，’／ ’／ −３７，７（１）＝燈輯 が着
出され、銅薄０寿鼻抱戒神正ずればよいことがわかる。
結晶平担部（ｒ−ｉ）の結晶方位を測定したところ回折
角度は３７．７０°であった。次にこの平担部（ｌ−ｔ
）に前記標準板（６）を水滴を介して密着させ、測定し
たところ、標準板（６）の回折角度は３７．４０’であ
った。この結果から補正角度は（基準値−標準板の値）
−（基準直−平担部の値）（３６，７７−３７，４０）
−（３６，’／ ’／ −３７，７（１）＝燈輯 が着
出され、銅薄０寿鼻抱戒神正ずればよいことがわかる。
を行つＣから可動調節部（３）を固定部（２）にねじ止
めする。補ＩＥを終了した保持具の固定部（２）を再び
図示しない加工機にかけ、１００本のワイヤソーのつい
だカッターでスライス加工したところ出来上ったウェハ
ーの方位精度は±００２°以内であり、これをくり返し
ても同じような精度が得られた。
めする。補ＩＥを終了した保持具の固定部（２）を再び
図示しない加工機にかけ、１００本のワイヤソーのつい
だカッターでスライス加工したところ出来上ったウェハ
ーの方位精度は±００２°以内であり、これをくり返し
ても同じような精度が得られた。
実ＩＡ例２
育成された１２８°ＹｉＩＩｌｌｌ引上のＬｉＮｂＯ５
単結晶ｂｏｕｌｅ（【）を１２００’にでアニールを行
ない、アニール終了後固定部（２）及び可動４１整部（
３）よりなる保持具の可動ｉ＋、’ａ 整部（３）（二
固定する。結晶方ｍｓ′Ｌ測定装置のベースに前記固定
部（２）を装着しはソＸ面の回折角度２θ＝３２．１５
３°１−合わ、ｔＯｊ動調動部節部）の止めねじ（３（
）を固定する。次鴫二固定部（２）のねじ（５）を外し
端面加工機にｉ］じ止めし、１２８°Ｙ面方位加工して
平４υ部（Ｌ−１）を形成ｒる。次に固定部（２）の止
めねじ（５）を外し°Ｃ再び結晶方位測定性■のベース
（４）に固定部（２）をねし止めする。
単結晶ｂｏｕｌｅ（【）を１２００’にでアニールを行
ない、アニール終了後固定部（２）及び可動４１整部（
３）よりなる保持具の可動ｉ＋、’ａ 整部（３）（二
固定する。結晶方ｍｓ′Ｌ測定装置のベースに前記固定
部（２）を装着しはソＸ面の回折角度２θ＝３２．１５
３°１−合わ、ｔＯｊ動調動部節部）の止めねじ（３（
）を固定する。次鴫二固定部（２）のねじ（５）を外し
端面加工機にｉ］じ止めし、１２８°Ｙ面方位加工して
平４υ部（Ｌ−１）を形成ｒる。次に固定部（２）の止
めねじ（５）を外し°Ｃ再び結晶方位測定性■のベース
（４）に固定部（２）をねし止めする。
一方ＬｉＮｂＯ３結晶を用い１２８°Ｙ １ｉｉ方向も
二精度よく（±００２°）加工した５ （Ｄｖｉｒ ｘ
５０ｒｉＸ １７１１ （７） １２８°Ｙ面標準板
（６）をあらかじめ用意しＣおく。
二精度よく（±００２°）加工した５ （Ｄｖｉｒ ｘ
５０ｒｉＸ １７１１ （７） １２８°Ｙ面標準板
（６）をあらかじめ用意しＣおく。
次に前記装置に装着された保持具の可動調節部（３）の
結晶平和部（１−１）の結晶方位を測定したところ回折
角度は３２．６°であった。次にこの平担部Ｑ −ｔ
）に前記標準板１６）を水滴を介して密着させ、測定し
たところ、標準板（６）の回折角度は３３．１０であっ
た。
結晶平和部（１−１）の結晶方位を測定したところ回折
角度は３２．６°であった。次にこの平担部Ｑ −ｔ
）に前記標準板１６）を水滴を介して密着させ、測定し
たところ、標準板（６）の回折角度は３３．１０であっ
た。
この結果から補正角度は（基準値−標準板の値）−（基
準値−平担部の値） （３２，６３−３３，１）−（３
２，６３−３２，６） ＝−０，４４が９出され、０．
４４°逆方向４二補正すればよいことがわかる。
準値−平担部の値） （３２，６３−３３，１）−（３
２，６３−３２，６） ＝−０，４４が９出され、０．
４４°逆方向４二補正すればよいことがわかる。
可動調節部のねじ（３−１）を外し、０．４４°の補正
を行ってから可動調節部を固定部にねじ止めする。
を行ってから可動調節部を固定部にねじ止めする。
補正を終了した保持具の固定部（２）を再び図示しない
加工機にかけ、’ ｔｏｏ本のワイヤノーのついたカッ
ターでスライス加工したところ出来上ったウェハーの方
位精度は±０．０２°以内であり、これをくり退しても
同じような精度が得られた。
加工機にかけ、’ ｔｏｏ本のワイヤノーのついたカッ
ターでスライス加工したところ出来上ったウェハーの方
位精度は±０．０２°以内であり、これをくり退しても
同じような精度が得られた。
（発明の効果）
以上の通り本発明の加工方法によれば結晶面と加工面と
の方向がよくそろう（方位精度がよし））ので品質のよ
いウエノ・を効率よく製作することができる。
の方向がよくそろう（方位精度がよし））ので品質のよ
いウエノ・を効率よく製作することができる。
第１図は本発明に係る結晶方位装置の平面図、第２図は
第１図の側面図である。
第１図の側面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 単結晶を保持具に保持し一定の結晶面に沿っ゛Ｃ加工を
行うに当り、前もって結晶方位を測定し、この測定情報
に基いて単結晶の保持具への保持角度の補正を行なって
から前記加工を行なう工程を備、えた単結晶の加工方法
において、 前記単結晶にあらかじめ平担部を形成し、この単結晶を
固定部及び可動調節部よりなる保持具の可１ｉＩＩＪ調
節部に装着してｍ結晶方位測定装置の所定位置に前記固
定部を設置し、 一方表裏２つの基準平面を有しかつ前記単結晶と同一の
結晶面を有し、かっこの結晶面と基準平面との関係が既
知の標準板を用意し、 前記結晶方位測定装置６に装着した前記単結晶の平担部
の結晶方位及び前記標準板をこの平担部に当接せしめた
ときの標準板の結晶方位を測定し、これらの測定値及び
この測定値の基準値からのずれ情報に基いＣ可動調節部
を調節し°Ｃ補正を行うことを特徴とする単結晶の加工
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57153822A JPS5942916A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 単結晶の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57153822A JPS5942916A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 単結晶の加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5942916A true JPS5942916A (ja) | 1984-03-09 |
| JPS637124B2 JPS637124B2 (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=15570846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57153822A Granted JPS5942916A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 単結晶の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5942916A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110910A (ja) * | 1987-10-26 | 1989-04-27 | Toshiba Corp | 薄板切断方法および薄板切断装置 |
| CN102785298A (zh) * | 2012-07-09 | 2012-11-21 | 浙江上城科技有限公司 | 一种蓝宝石工件粘胶台 |
| JP2014058444A (ja) * | 2007-06-25 | 2014-04-03 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc | 単結晶体の結晶方位を再配向する方法 |
| CN110065171A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-07-30 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种切割装置和晶棒的切割方法 |
-
1982
- 1982-09-06 JP JP57153822A patent/JPS5942916A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110910A (ja) * | 1987-10-26 | 1989-04-27 | Toshiba Corp | 薄板切断方法および薄板切断装置 |
| JPH0541410B2 (ja) * | 1987-10-26 | 1993-06-23 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JP2014058444A (ja) * | 2007-06-25 | 2014-04-03 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc | 単結晶体の結晶方位を再配向する方法 |
| CN102785298A (zh) * | 2012-07-09 | 2012-11-21 | 浙江上城科技有限公司 | 一种蓝宝石工件粘胶台 |
| CN110065171A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-07-30 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种切割装置和晶棒的切割方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS637124B2 (ja) | 1988-02-15 |
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