JPS5941487A - 3価クロムめつき液用チアゾ−ル添加剤 - Google Patents

3価クロムめつき液用チアゾ−ル添加剤

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JPS5941487A
JPS5941487A JP58137445A JP13744583A JPS5941487A JP S5941487 A JPS5941487 A JP S5941487A JP 58137445 A JP58137445 A JP 58137445A JP 13744583 A JP13744583 A JP 13744583A JP S5941487 A JPS5941487 A JP S5941487A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は広義には6価クロムめっき液に関し、詳しくは
通常の工業的めっき作業中に蓄積して濃度が著しく増加
するニッケル、亜鉛、鉄、銅及び鉛の如き有害な汚染性
金属の存在に対して実質的にもつと耐抗性がある改良せ
られた6価クロムめっき液組成物に関する。かかる金属
イオン不−七の一種もしくは二種以上の濃度がある水準
に達すると、たとえ微量の水準であってもクロム皮膜に
悪影響を与えて黒色条こん、曇り、かすみを生ぜしめ、
さらには被覆力を減少せしめるためにかかるクロムめっ
き浴の満足な工業的使用を不可にせしめることがしばし
ばある。
3価クロムめっき浴中で起こるかかる外来金属イオンの
汚染に伴う問題については、これまでに米国特許第4,
068.I b 0号において少量の水溶性フェロシア
ン化物をめっき液に添加してかかる汚染性金属イオンを
沈澱させてp過してやる方法が提案されている。この提
案による7エロシアン化物処理は多くの場合に有効では
あるが、処理費が高く、時間が掛るうえに過剰量が液中
に残留していると6価クロムめっき液の性能に悪影響を
及ぼすという欠点がある。したがって意識的に汚染金属
を添加して浴をさらに処理して過剰の沈澱剤を沈また、
電解N製法によってかかる汚染性金属イオンを除去する
提案があシ、これによればある種のカンードを用いて浴
を長時間電解してカソード上に汚染性金属イオンの共析
を行なわせるものである。残念ながらかかる電解精製方
法は銅イオンの低減には有効であるが、ニッケル及び亜
鉛イオンに対しては比較的に効果がなく、鉄の除去に対
しては部分的に有効であるに過ぎない。
本発明は従来技術に対する改良方法を提供できるもので
あって、ここではかかる有害汚染金属イオンの有害作用
をマスキングもしくは隠蔽して汚染性金属イオンの一種
もしくは二種以上の存在に対してもつと耐抗性のある6
価クロムめっき浴を提供するもので、通常の工業的操業
条件下での浴寿命が延長できるものである。さらに本発
明はかかる汚染性金属イオンの共析を促進するので浴の
通常の操作中における汚染イオン濃度の蓄積速度を実質
的に低下させるので、汚染速度が比較的遅い場合にはか
かる汚染性イオンが有害な水準にまで#績するのを阻止
する効果がある。さらにまた本発明は、かかる汚染性金
属イオンの蓄積によって損傷した6価クロムめっき液の
性能を再生させるための方法を指向し、これによって汚
染性金属イオンの濃度を低減せしめてめっき浴の性能を
回復させるものである。
本発明による利益は、6価クロムイオンと、3価クロム
イオンを液中に維持するための錯化剤と、及び有害な汚
染性金属イオンの存在に対して浴の耐性を増加せしめる
ような量にて含まれる浴可溶性添加剤とを含有する酸性
6価クロム水性めっき液組成物によって達成することが
できる。この添加剤は次の一般式 選択される。
本発明の提案によれば、汚染性金属イオンに耐性がある
改良6価クロムめっき液が、めっき浴中に@記のタイプ
の可溶性で浴相溶性のチアゾール及びベンゾチアゾール
化合物の一種を一定有効量において添加することによっ
て調、製することができる。同様に本発明は、汚染溶液
の持ち込み、被めっき物品の侵食や溶解、浴への補給水
や補給薬品中の不純物などが原因で有害な汚染性金属イ
オンが蓄積して開業的に満足できるクロムめっきの生成
ができなくなった6価クロムめっき浴の再生に対する方
法を提供するもので、この場合には浴中に一定量のチア
ゾールもしくはベンゾチアゾール添加剤を加えて浴を電
解してかかる汚染性金属イオンをカンード上に共析せし
め、かっこの電解工程を継続して満足できるクロムめっ
きが達成できる水準までこの汚染性金属を減少させてや
るものである。
この添加剤の使用量は使用したチアゾール誘導体の抽類
もしくは誘導体の組み合わせにもよるが、低くは約1 
my/lから高くは約200119/4の範囲まで6価
クロムめっき液の性能に悪影#を与えずに使用すること
ができる。この添加剤は約20011v′L以下の過剰
量においては浴に悪影響がなく、通常の電解操作中に漸
新的に消滅する。
本発明のその他の利益と進歩性は実施例に記載ゼられだ
好ましい実施態様を判読することによジ明らかとなろう
本発明による6価クロムめっき液は約0.2〜約0.8
モル、好捷しくけ約0.4〜約0.6モルの濃度範囲の
6価クロムイオンを含有している。この3価クロムイオ
ンは塩化クロム・ろ水和物、硫酸クロムその他の如き水
溶性で温和溶性の単純型塩の形で浴中に導入するのが好
オしい。このめっき浴は−また、クロムイオンを錯化し
てこれを浴中に保持せしめるための錯化剤を含んでいる
。この錯化剤は通常はギ酸イオン、酢酸イオンもしくは
これらの混合物から成るが、このうちではギ酸塩が好ま
しい。この錯化剤は通常は約0.2〜約2.4モルの濃
度で使用するが、この際6価りロムイオン濃度を考慮し
てやる。錯化剤対クロムイオンのモル比は約1:1〜約
3=1の範囲が普通であるが、約1.5=1〜約2=1
の゛モル比が好ましい。
さらにかかる6価クロムめっき浴は、アルカリ金属もし
くはアルカリ土類金属と塩化水素酸及び硫酸の如き強酸
との塩から成る導電性塩類の一定量を含むのが普通であ
る。
かかる導電性塩の使用は業界において公知であって、め
っき操作中での′心力の浪費を減少させる。
好ましい導電性塩には硫酸カリウム、硫酸す) IJウ
ム、塩化カリウム、塩化ナトリウム並びに塩化アンモニ
ウム及び硫酸アンモニウムが包含される。
特に好ましい4を性基はホウフッ化水素酸ならびに浴可
溶性のアルカリ金属、アルカリ土類全類及びアンモニウ
ムのホウフッ化水素酸塩である。かかる導電性塩は通常
約300y/4以下もしくはこれ以上の遺を用いて必要
とする導電性を付与するが、約4〜約300y/lのホ
ウフッ化水素イオンvk度が典型的である。任意成分で
はあるが好ましい成分としてはアンモニウムイオンがあ
シ、この4 oハロ 価クロムを6価クロムの状態に還
元してやるために含ませるあらゆる還元剤の還元能力を
強化する役割をもつ。全アンモニウムイオン対クロムイ
オンのモル比が約2:1〜約11.:1、好まし7くは
約3:1〜約7=1において特に満足な結果を与える。
この浴はまたノ1ライドを含むのがよく、この中でも塩
化物と臭化物が好ましい。ノ・ライト°の濃度は一般的
には少なくとも約15y/L、通常はクロム濃度に対し
て約0.8=1〜約10 : 1 oモル比、好ましく
は約2二1〜約4=1のモル比関係で存在させるのが好
ましい。かかるノAライト’−Eオンはまた、6価クロ
ムイオンの生成を制御するために浴中に存在せしめた還
元剤の効率を増力nせしめることが知られている。
任意成分ではあるが好ましい他の成分としてバナジウム
還元剤があり、このものは米国特許出願第205,40
6号(1980年11月10日出願)に開示せられたよ
うなものである。このバナジウム還元剤は浴可溶性で相
溶性であればいかなる形のものでもよく、少なくとも約
0.015P/l〜約6.3P/Zのバナジウムイオン
濃度で存在させる。
さらに゛またこの3価りロム浴は任意の成分として、約
0.15モルないし浴への溶解限度までの範囲の緩衝剤
を含ませるのが好ましく、典型的には約1モル以下での
量である。好ましくは、この緩衝剤a1産はホウ酸とし
て計算して約0.45〜約0.75モルに制御する。緩
衝剤としてのホウ酸並びにこのアルカリ金属及びアンモ
ニウム塩は浴中へのホウ酸イオンの導入には効果的であ
って、浴の被覆能力を高めることが知られている。さら
に、任意成分としての湿潤剤もしくは湿潤剤混合物が含
まnることか好ましく、これらは通常のニッケルめっき
浴及び6価クロムめっき浴中に添加される型のもののい
ずれでもよい。これらは例えばアニオン性もしくはカチ
オン性のものであって、温和溶性で3価クロムめっき液
の性能を阻害しないようなものから選択する。典型的な
湿潤剤にはスルホコハク酸塩もしくはナトリウムラウリ
ルサルフェート及びアルキルエーテルサルフェート単味
か又はオクチルアルコールの如き温和溶性消泡剤と組み
合わせて使用する。かかる湿潤剤を存在させると、暗色
まだらの皮膜がないきれいなりロムめっきが得られ、低
電流密度領域における被覆力が改善されることが分って
いる。かかる湿潤剤は典型的には約1 p/を以下、好
ましくは約0.05〜約1 f/lの量で使用される。
以上の3価クロムめっき液は一般的には酸性水溶液であ
ってpHを酸性側に維持する濃度の水素イオンを含んで
いる。通常、水素イオン濃度は約2.5〜約5.5、好
ましくけ約6.5〜約4.0になるように制御する。
かかる6価クロムめっき液の工業的な操業中には、持ち
込み、被めっき物品やタンク、ライニングとしてめっき
浴が次第に汚染していき、ニッケル、亜鉛、鉄、銅及び
鉛の如きイオンの濃度が次第に増加してくる。ニッケル
イオン濃IWが約i s o ppmもしくはこれ以上
になると肩書でクロム皮膜に欠陥を与えるようになる。
鉄イオンは約500ppm以下ではクロム皮膜の被覆を
促進する効用があるのであるが約1000 ppm(I
 P/Z)の濃度になるとクロム皮膜に有害に作用する
。同じく銅イオン濃度は約15ppm以上、亜鉛イオン
は約IDppm以上になると有害である。鉛は約5〜1
0ppm以上にて有害である。しかしながら、通常硫酸
塩を含む浴では鉛イオンは不溶性の硫酸鉛として沈澱す
るので沖過すれば問題がない。このような汚染性金属イ
オンが浴中区存在するときには、この有害効果は累積的
であって個々の金属イオンの低い方の濃度がクロム皮膜
に欠陥を与えることは、黒色条こん、曇りやかすみが生
ずることからも明らかである。ひどく汚染が進行すると
めつき液のa覆能力にも有害に作用するようになる。
本発明によれば、浴中に一冗有効量のチアゾール及びベ
ンゾチアゾール化合物を添加すると、この添加剤のマス
キングまたは隠蔽効果によって、かかる汚染性金属イオ
ンの存在に対するめつき浴の耐性が予想外に向上して、
商業的に満足できるクロムめっきを生成せしめるのであ
る。さらに、この添加剤を用いると、めっき浴の有用な
浴寿命をに長できるので有害な水準に到達したときに沈
澱剤でしばしば処理して有害なイオンを除く必要性が減
少する。またこの添加剤は汚染性金属イオン、特VCニ
ッケル及び鉄イオンが通常のめつき操作における正規の
電解中に共析することを促進するので、汚染性イオン濃
度を比較温和な水準に維持して許容できる濃度に保つ作
用をする。かかる3価クロムめっきはニッケル被覆せら
れた素地上に析出されるのが普通であり、この種の素地
はめつき液がニッケルイオンで汚染されることを促進す
る傾向があるので電解によってニッケルイオンが除去さ
れることは非常に意義がある。
この添加剤は次の一般式 で示される浴可溶性で相溶性のチアゾール及びベンゾチ
アゾール化合物である。
上記の式に含まれるもので特に好ましい化合物には2−
アミノチアゾール、2−アミノベンゾチアソール、2−
アミノーチアゾールプロノくンスルホネート、2−メル
カプトベンゾチアゾール2−プロパンスルホネート並び
にこれらの混合物が包含される。この添加剤の使用量は
約1 my/lの少量でさえもめつき液の性能を向上す
ることが分った。
通常は、約15〜約30 trfi/lを用いる。この
添加剤a度が約200m9/l  もしくtまこれ以上
になると、低電流密度領域において不都合な黄色皮膜が
生成してくる。この添加剤が使′用できる最高濃度は使
用した添加剤の稲類、めっき条件及び被めっき物品の形
状によって変わる。約200Q/を及びそれ以上添加し
ても?り条金属イオンの抑fljlJ効果に対してなん
ら有益ではないので、通常は約100η/を以下の水準
にかかる添加剤濃度を維持するのが好ましい。汚染性金
属イオンを制御するのに必要な量以上の過剰量が存在し
てもめつき浴の性能にはなんら有害ではなく、この過剰
量は通常の電解操作中に次第に消滅してし7まd)。本
発明の添加剤を用いると、米国特許第3,954,57
4号;同第4.10乙004号;同第4,169,02
2号及び同第、II、19(S、063号に一般的かつ
個々に記載せられているような6価のクロムめっき液に
対しても有益な結果が得られる。
この発明の提案によれば、この添加剤を含有する各種の
組成のめつき液を浴温約15〜45℃、好ましくは約2
0°〜約35℃の範囲にて使用することができる。カソ
ード電流密度は約50〜250ALP (5,S 〜2
7 A/Dm )、典型的には約75〜約125 AS
F C8〜13 A/Dm  ) テある。この3価ク
ロムめつき浴は通常の鉄系もしくはニッケル素地、ステ
ンレス鋼並びにアルミニウム及び亜鉛の如き非鉄系素地
上にクロムめっきを施すのに使用される。このめっき浴
はまた、適宜に公知の手段で前処理してその上にニッケ
ルもしくは銅層のような感電性皮膜が被覆されているよ
うなグラスチック素地上にクロムめっきをするのにもま
た使用できる。クロムめっきされる作業物品は公知の方
法で前処理さtLるが、このめっき液はあらかじめニッ
ケルめっき操作を受けている導電性紫地上にクロム皮膜
を析出せしめる際に特に効果がある。
本発明はまた。汚染性金属イオンが蓄積しているために
商業的に満足しうるようなりロムめっきができなくなっ
たような3価クロムめつき浴の再生をも考慮したもので
ある。この添加剤を浴中に加えてから、仄いて通常はニ
ッケルめっきしたカンードを使用して十分な時間、浴を
電解してカソード上にこれを共析させることによってこ
の汚染性金属イオンの函度を許容しつる水準まで低減さ
せるのである。一定量のこの添加剤が包含されると、ニ
ッケルイオン礫度を約150 ppmの水準まで低減す
るのに極めて有効であることが分ってきた。
本発明の利益をさらに説明するために、次に実施例を述
べる。これらの実施例は単に説明の目的のためであるか
ら、本発明はこれらに制約されるものではない。
実施例1 次の組成を有する3価クロムめっき液を充填した200
ガロン(5681)パイロットめっき槽を準備した@ 成分      濃度 Or”               24.2 P/
LC(1)li−61,3y/1 H5BIJ557 、jり/1 NH4C4150,0タ/1 NaBl’455 、OP/Z VUSO41、O、liを 湿潤剤m         2.[1CC/l※ 湿潤
剤は0,1344 f/lのナトリウムスルホコハク酸
ジヘキゾルエステル及び0.24A y/lの2−エチ
ル−1−ヘキサノールのナトリウムサレフエート誘導体
から成る。
鉄、銅及びニッケルイオンによるめっき液の汚染はそれ
ぞれの硫酸塩を添加して、鉄イオン濃度約338ppm
、銅イオン濃度約42ppm、ニッケルイオン濃度約1
221)I)Inとした。通常のワツ゛ト型光沢ニッケ
ルめっき浴を用いて電流密度約45A8F(4,8A/
Dm2)、浴温145°F(63℃)にて10分間、約
0.3ミル(7,6X10  朋)厚さに光沢二ツケル
したS−型鋼製試験片を水すすぎしてから前記の汚染6
価クロムめっき液によって平均電流密度100 AS 
F (11A/L)nl)にj?いて9[1秒間めっき
した。得らi′したクロム皮1模はかなり良好な被覆を
示す光沢性のものであったが、高電流密度領域及び中電
流密度領域に亘って暗色の条こんがあった。この暗色条
こんの程度は商業的に許容できない程度のもので、高い
金属性不純物含量、l辱にニッケルイオンが原因である
と考えられる。
実施例2 汚染性金属イオンを含む実施例1に記載の3価クロムめ
っき液中に、25 mg/lの2−アミノチアゾールを
加え、r’++J記と同一条件下にて−こ験片のめつき
金縁シ返え1−たつ得らnたクロムめっき膜は全面に亘
って優れた被覆を示す光沢性のものであって、暗色の条
こんはみられなかった。このクロム皮膜は商業的に許容
しうる品位のものであった。
丈施例3 −A施例1に記載したものと類似の組成を有する商業用
3価クロムめっき浴について通常の電気めつき操作中に
蓄積したニッケル及び鉄イオンを分析した。ニッケルイ
オン濃度は約385ppm、鉄イオン濃度は約162p
p川であった。
6インチ(7,bcm ) x aインチ(10(m)
の通常のハルセル試験片であって普通のワット型光沢ニ
ッケル浴中にてめっきし、水すすぎしたものを上記の汚
染した工業用6価クロムめつき液から採取り、り[料を
用いてハルセル中で5アンモニウム分間めっきした。生
成したクロム皮膜は高電流密度領域において暗黒色のひ
どい条こんかあjLJっでいた。この黒色条こんは浴中
に高濃度のニッケルイオンが蓄積しているのが原因であ
ると考えられる。上記汚染6価クロムめっき級から別に
二つの追加試料を採取して試料Aと試料Bとして、それ
ぞれをハルセル中に入れ、試料A中に50■/lの2−
アミノチアゾールを加えた。ニッケルめっきしたハルセ
ル試験片を両セル中で5アンペアにて5分間めっきした
。試料A中にてめっきした)・ルセル試験片から得られ
たクロム皮膜は実質的に改善せられてはいたが未だ商業
的に受は入れられる程度の外観のものではなかった。そ
の後、試料A及びBを含むノ・ルセルをニッケルめっき
したカソードを用いて5アンペアにて4時間さらに電解
してからニッケルと鉄イオンを分析した。試料A及びB
を含むこのノ・ルセルをさらに16時間電解して再び分
析した。次のような結果が得られた。
(mg/11  (■/l)(■/l)(4g/l )
初   期   385   162   385  
 1624時間後  321  121  380  
13520時間後  172    9  378  
 41試料A及びBをさらに電解してもニッケルイオン
濃度の減少はそれ程みられなかった。前記の表に記載の
結果からも明らかなように、2−アミノチアゾールを添
加すると、約150η/を以上のニッケル濃度において
ニッケルが電解共析するのを著しく促進する効果がある
ことが分かる。試料Bのニッケルイオン濃度は実質的に
不変である一方、鉄イオン濃度の減少は試料Aのほうが
試料Bにおいて得られたものよシ大きかった。
実施例4〜20 約21.by/lの3価クロムイオン、約67.2F/
Lのアンモニウムイオン、約103.3 P/lの塩酸
イオン、約26,4 P/lのホウ酸、錯化剤として約
42.517tのギ酸ナトリウム・ギ酸アンモニウム混
合物、約559/lのホウフッ化水素酸ナトリウム、約
1 f/lのV(JSO4及び実施例1において示した
と同型の約2 CC/Zの湿潤剤を含む6価クロムめっ
き液を調製して、各種濃度の汚染性ニッケル、鋼及び亜
鉛金属イオンの存在下における前記化学構造の種々の添
加剤の各種濃度における効果を評価した。この3価クロ
ム試験めっき液の別々の)くフチ中に一定量の汚染性ニ
ッケル、銅及び亜鉛イオンを、対応する硫酸塩として溶
解、添加した。
3インチ(7,5cIn)x4インチ(10fi)の一
連のハルセル試験片を予めワット型光沢ニッケル浴中で
3アンペアにて10分間めっきしたのち、種々の3価ク
ロム試験溶液中でのクロムめつきノくネル試験に用いた
が、ここでのハルセルの浴温は8゜’F (27℃)で
あシラアンペアにおいて3分間操作した。このハルパネ
ル試験の電流密度は約0ないし約300ASF (32
A/1)〜2) O範囲である。
実施例4では、この3価試験めっき液を、75ppHの
ニッケルイオン濃度、5ppmの銅イオン濃度、2 p
pmの亜鉛イオン濃度になるように調整した。添加剤は
加えなかったが、このパネル試験ではクロム被覆は完全
であって曇りもなく商業的に満足できる品位のものであ
った。
実施例5では、実施例4の試験めっき液のニッケルイオ
ン濃度を225ppmK高めた液を用いてパネル試験を
繰り返えしたが、全面被覆したパネルが得られたものの
、 150A8に’ (16A/Dm2)ないし高電流
密度端部に亘っての領域上に暗黒の曇シが与られ、商品
価値がないものであった。
実施例6では、実施例5と同一の汚染水準の試験めっき
液を用いたが、この場合は15 my/lの2−アミノ
チアゾールを添加してパネル試験を繰夛返えした。完全
被覆されたクロム皮膜が得られ曇実施例7では、汚染水
準は実施例5と同一であるが、2011=97tの2−
アミ、ノベンゾチアゾールを加えてパネル試験したが実
施例4及び6において得られたと類似の商業的に満足で
きるクロム皮膜が得られた。
実施例8では、実施例7に用いた2−アミノベンゾチア
ゾールの代シに2−アミノ−4,5−ジメチルチアゾー
ルを20I1g/を用いたが、実施例7において得られ
たものと類似の満足すべきクロム皮膜が得られた。
実施例9では、実施例5の試験液に対して1511tg
/lの2−メルカプトベンゾチアゾール−2−プロパン
スルホネートを添加したが実施例7及び8と類似の商業
的に満足できるクロムめっき膜が生成した。
実施例10では、添加剤を加えない試験めっきa t 
調整して325ppmのニッケルイオン#度としたが、
銅イオンは!5 ppm、亜鉛イオンは2 ppmであ
って不変とした。パネルめっき試験では全面被覆のクロ
ム皮膜が得られたが、100ASF(11A/Dm2)
ないし高電流密度端部のめっき上に黒色の斡夛がみられ
、前条的に不満足なものであった。
実施例11では、30my/lの2−メルカプトベンゾ
チアゾール−2−プロパンスルホネートヲ添加して、実
施例10の試験めっき液を変性したが。
パネル試験では125ASF (13,4A/l)〜2
)ないし高電流密度端郡領域のめつき上に淡褐色の汚れ
がある完全被覆の改良皮膜が生成したが、商業的には不
満足なものであった。
実施例12では、実施例11の試験めっき液を変性して
添加剤を60■/lと倍増したところ、完全被覆のクロ
ム皮膜であって曇りもなく、わずかに0〜2,5ASF
範囲において白いくもシがあるだけで商業的に満足でき
る皮膜が得られた。
実施例13では、試験めっき液を調整して200ppm
oニッケルイオン濃度、5 pptnの銅イオン濃度、
2ppmの亜鉛イオン濃度になるようにした。
10 my/lのベンゾチアゾールを加えてハルセル試
験を行なったところ、実施例4において得られたと類似
の完全被覆の曇りのない皮膜が得られ、商業的にも満足
のできるものであった。
実施例14では、この試験液を変性してニッケルイオン
濃度を75ppmとし、銅イオン濃度を25 ppmに
増加し、亜鉛イオン全2 ppmとした。
添加剤を加えない際の試験めっき液のパネル試験では完
全被覆ではあったが、100 A 8 F (11A1
1)〜2)ないし高電流密度端部領域のめつきに黒い曇
りがあシ、商業的に許容できないものであった。
実施例15では、実施例14の試験めっき液中に101
197tの2−アミノチアゾールを添加して変性したが
、めつ性試験によれば完全被覆で曇9もないクロム皮膜
が生成し、商業的に容認できる品位のものであった。
実施例16では、試験めっき液を調整してニッケルイオ
ン濃度を75ppm、銅イオン濃度を5ppmとし、亜
鉛イオン4度を17ppmに増やした。
添加剤を加えない試験めっき液のパネル試験結果によれ
ば電流密度40〜175A8F (4,3〜19 A/
Dm2)領域において白色のひというず巻きがあシ、0
〜20 ASF (0〜2.I A/Dm’)範囲のめ
つき部分が脱落して商業的に受入れられないものであっ
た。
実施例17では、実施例16の試験めっき液中に15■
/lの2−メルカプトベンゾチアゾール−2−プロパン
スルホネートを加えて変性し、めっき試験を繰り返えし
た。生成したクロム皮膜は改善されたものではあったが
、150〜170ASF(16〜I B、6A/Dm“
)領域圧はまだ淡い白色うす巻きがあシ、商業的に許容
できないものであった。
実施例18では、実施例17のものと類似の試験めっき
液を用いたが、添加剤濃度を3019/lに増加した。
パネル試験によれば実施例17において得られたものよ
シも若干改良されたクロムめっきが生成したが、低電流
密度領域において淡い黄色外観を呈し、商業的に許容し
えない品位の皮膜が生成していた。
実施例19では、実施例16のめつき液を使用し、これ
に15 Q/lの2−メルカプトベンゾチアゾールを加
えた。パネルめっき試験によれば低電流密度領域でスキ
ップめっきのある光沢性クロム皮膜が得られ、商業的に
はまあまあの合格品であった。
実施例20では、実施例19の試験めっき液を用いて1
、この中に加える添加剤濃度を30 Q/lに増加した
・実施例19において得られたと同様の結果が得られた
以上の如〈実施例4〜20の各種のめっき液では、添加
剤は濃縮水溶液の形で試験めっき液中に加え、実施例1
9及び20では添加剤を20%水酸化す)IJウム溶液
中に溶解して添加した。
実施例4〜20のめっき液及びパネル試験によって得ら
れた結果は汚染性ニッケルイオン及び汚染性鋼イオンの
悪影響を克服するのにこの添加剤が有効であることを示
している。この添加剤は約17ppmのように高度に亜
鉛イオンによって汚染されている場合には差程の効果が
なかった。
実施例21 実施例1に相当する組成を有する4、000ガロン(1
,5KL )の工業用3価クロムめっき液の試験的処理
を行なった。このめっき液の性能は通常のめつき操作の
間に鉄及びニッケルの汚染性イオンの蓄積によって悪化
し、作業物品上のめつきに暗色の条こんが発生するよう
なものであった。処理前の分析によれば約1.3P/Z
の鉄イオン、約0.5f/lのニッケルイオン濃度であ
った。性能が劣化したこのめつき液の処理は、1011
9/lの濃度になるように液中に2−アミノチアゾール
を添加することによって通常のめつき操業を中断しない
で実施した。めっき部品上の黒色染こんは消失し、さら
に各8時間毎(8時間シフト)に同量の2−アミノチア
ゾールを添加した。
最初のシフトではまた、350 y/l、のす) +)
ラムジエチルジチオカルバメートを含む10ガロン(3
8t)水溶液を添加して汚染金属イオンが適度に沈澱す
るようにして適度に精製処理を行なって。
青黒色沈澱を形成させて汚染鉄及びニッケルイオンの一
部を浴から沈澱させた。この沈澱剤の添加による沈澱は
極く少量なので通常のFifM装置にて容易にP遇する
ことができた。この沈澱剤の添加量は汚染鉄イオン及び
汚染ニッケルイオンを実質的に完全に沈澱せしめうるよ
うな化学量論的量よシも著しく低いものであった。2ニ
アミノチアゾールのマスキング効果と組み合わせて温和
な沈澱処理を実施すると、生成する沈#量が満足しうる
クロムめっきの生成を阻害しない程度なので浴の通常の
操業を中止する必要がなかった。
通常、かかる6価クロムめっき液精兵処理に際しては、
化学量論的な量か、もしくはそれ以上の大量の沈澱剤を
用いておびただしい量の沈澱を生成させるので、この沈
澱を除去するのに約1〜約3時間、浴の操業を停止する
必ばかあった。かかる大量の沈澱が存在するままに操業
が継続するとめつき膜中に沈澱が包含されて、粗い不合
格クロムめっきが生成してくる。
この実施例は、本発明の添加剤をごく少量の沈澱剤と組
み合わせて使用して、汚染性金属イオンの悪影響をマス
キングすると共に、浴の操業を中断せずに過剰量のイオ
ンを沈澱させることによって除去することから成る6価
クロムめっき液の二重処理について述べたものである。
このような二重処理は操業中の各8時間シフ′ト毎に行
なって浴中の汚染性金属イオンが無害の濃度にまで低減
するまで行なえば、以後はかかる汚染性金属イオンが再
びめつき膜に悪影響を与える水準まで蓄積するまでは浴
をそれ以上処理する必要がない。ジエチルジチオカルバ
メート沈澱剤以外にも、他の沈澱としてジメチルジチオ
カルバメートがあり、また前記米国特許第4,038,
160号に開示されているような型の浴可溶性フェロシ
アン化物が包含される0 この発明の精神と範囲に反することなしに、広範に異な
る実施態様を構成することができることは明白なので、
この発明は、添付フレイムにおいて根定した以外は、そ
の特定の実施態様に制約されるものではない。
ほか1名

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)3価りaムイオン、3価クロムイオンを溶液中に
    保持さぜるための錯化剤、ノ)ライドイオン並びに次の
    一般式 で示される浴可溶性の添加剤を汚染性金属イオンの悪影
    響に対するめつき液の耐性を増加せしめるような量にお
    いて含有している酸性3価クロム水性めっき浴・ (り 該添加剤が2−アミノチアゾールであることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項に記載のめつき液。 已)該添加剤が2−アミノベンゾチアゾールであること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のめつき液。 (4)  該添加剤が2−アミノチアゾールプロパンス
    ルホネートであることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項に記載のめつき液。 (5)該めっき液が2−メルカプトベンゾチアゾール2
    −プロパンスルホネートであることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項に記載のめつき液。 (6)  さらにアンモニウムイオンを含有することを
    特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のめつき液。 (7)満足すべきクロム電気めっき皮膜が生成するよう
    な水準に6価クロムイオンを維持するのに効果的な負で
    存在するバナジウムイオンをさら処含有することを特徴
    とする特許請求の範囲第1項に記載のめつき液。 (8)約300 y/を以下の浴可溶性で相溶性の導電
    性塩をさらに含有することを特徴とする特許請求の範囲
    第1項に記載のめつき液。 (9)  さらにホウ酸イオンを含有することを特徴と
    する特許請求の範囲第1項に記載のめつき液。 (10)さらに界面活性剤を含有する特許請求の範囲第
    1項に記載のめつき液。 (11)約2.5〜約5.5のpHを有することを特徴
    とする特許請求の範囲第1項に記載のめつき液。 (12)  約0.2〜約0.8モルの3価クロムイオ
    ンと、6価クロムイオンを溶液中に維持するための錯化
    剤であって錯化剤対クロムイオンのモル比が約1=1〜
    約6:1の量で存在する錯化剤と、アンモニウムイオン
    対クロムイオンのモル比が約6:1〜約7=1になるよ
    うな量で存在するアンモニウル比が約0.8:1〜約1
    0:1になるような量で存在するハライドイオンと、酸
    性側のpHを与える量において存在する水素イオンと、
    及び一般式で示される浴可溶性の添加剤であって汚染性
    金属イオンの悪影響に対するめつき液の耐性を増加せし
    めるのに十分な量で存在する添加剤を含有する酸性6価
    クロム水性めっき液。 (16)該添加剤が2−アミノチアゾール、2−アミノ
    ベンゾチアゾール、2−アミノ−チアゾールプロパンス
    ルホネート、2−メルカプトベンゾチアゾール2−プロ
    パンスルホネート及びこれらの混合物から成る群から選
    択されることを特徴とする特許請求の範囲第12項に記
    載のめつき液。 (14)該添加剤が少なくとも約1m9/lの量におい
    て存在することを特徴とする特許請求の範囲第12項に
    記載のめつき液。 (15)該添加剤が約200119/を以下の量におい
    て存在することを特徴とする特許請求の範囲第12項に
    記載のめつき液。 (16)有害な汚染性金属イオンの存在に対して酸性6
    価クロム水性めっき液の耐性を改良するための方法であ
    って、次の一般式 で示される浴1j[性添加剤を該めっき液中に添加する
    工程と、このめっき液を電力¥してカンード上にクロム
    皮膜を生成せしめる工程とから成る方法。 (17)該添加剤が少なくとも約111/1(DHで添
    加されることを特徴とする特許請求の範囲第16項に記
    載の方法。 (18)該添〃口剤が約200■/を以下の量で添加さ
    れることを特徴とする特許請求の範囲第16項に記載の
    方法。 (19)該添加剤が2−アミノチアゾール、2−アミノ
    ベンシナアゾール、2−アミノチアゾールプロパンスル
    ホ不一ト、2−メルカプトベンゾチアゾール2−プロパ
    ンスルホネート及びこれらの混合物から選択されること
    を特徴とする特許請求の範囲第16項に記載の方法・ (20)有害な汚染性金属イオンが蓄積したために満足
    できるクロムめっきを析出する能力を失なった酸性6価
    クロム水性めっき液の再生方法であって、該めっき液中
    に一般式 で示される浴可溶性添加剤を添加する工程と、該汚染性
    金属イオン濃度を許容水準まで減少せしめるのに十分な
    時間に亘って該めっき液を電解してクロムと汚染性金属
    イオンをカソード上に電着せしめる工程と、次いで被め
    っき物品上にクロムを電着させる工程とから成る方法。 (21)この汚染性金属イオンが銅であり、めっき液の
    ′tlf#工程を銅イオン濃度が約15ppm以下の水
    準に減少するまで継続することを特徴とする特許請求の
    範囲第20項に記載の方法。 (22)この汚染性金属イオンがニッケルであシ、めっ
    き液の電解工程をニッケルイオン濃度が約150ppm
    以下の水準に減少するまで継続することを特徴とする特
    許請求の範囲第20項に記載の方法。 (26)この汚染性金属イオンが鉄であシ、めっき液の
    電解工程を鉄イオン設度が約1y/l以下の水準まで減
    少するまで継続することを特徴とする特許請求の範囲第
    20項VC記載の方法。 (24)有害な汚染性金属イオンがJ積したために満足
    できるクロムめっきを析出する能力を失なった酸性6価
    クロム水性めり@筬のカ止方法であって、該めっき液中
    に一般式 で示される浴可溶性添加剤を添加してクロムめっきに及
    ぼす汚染性金属イオンの有害作用を少なくとも部分的に
    マスキングする工程と、汚染性金属イオンのすべてを沈
    澱するに要する化学景論的量よシも少ない量の沈澱剤を
    該添加剤の存在下で添加して汚染性金属イオンの一部を
    沈澱せしめる工程と1次いでめっき液から沈澱を分離す
    る工程とから成る方法。 (25)該沈澱剤が浴可溶性のフェロシアン化物化合物
    から成ることを特徴とする特許請求の範囲第24項に記
    載の方法・ (26)該沈澱剤がジメチルジチオカルバメートイオン
    、ジエチルジチオカルバメートイオン及びこれらの混合
    物から成る群から選択されるイオンを供給する浴可溶性
    化合物から成ることを特徴とする特許請求の範囲第24
    項に記載の方法。
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