JPS5941467A - イオンプレ−ティング装置 - Google Patents
イオンプレ−ティング装置Info
- Publication number
- JPS5941467A JPS5941467A JP15189282A JP15189282A JPS5941467A JP S5941467 A JPS5941467 A JP S5941467A JP 15189282 A JP15189282 A JP 15189282A JP 15189282 A JP15189282 A JP 15189282A JP S5941467 A JPS5941467 A JP S5941467A
- Authority
- JP
- Japan
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- anode
- filament
- gas
- current flowing
- ionizing
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、試料の表面に奇麗なコーティングを形成する
ことができるイオンブレーティング方法及び装置に関す
るものである。
ことができるイオンブレーティング方法及び装置に関す
るものである。
従来のイオンブレーティング装置では、真空容器内に供
給されるガスをイオン化する陽極とフィラメントとから
なる第１の陽極手段に流れる電流は、このガスのイオン
化が進むにつれて増加するので、この電流の増加に比例
して、コーティングする物質をイオン化する陽極とフィ
ラメントとからなる第２のイオン化手段に流れる電流を
増加するようにしている。
給されるガスをイオン化する陽極とフィラメントとから
なる第１の陽極手段に流れる電流は、このガスのイオン
化が進むにつれて増加するので、この電流の増加に比例
して、コーティングする物質をイオン化する陽極とフィ
ラメントとからなる第２のイオン化手段に流れる電流を
増加するようにしている。
このように構成された従来のイオンブレーティング装置
では、イオン化したガスと物質との比率が化合物を作る
比率になっていないので、試料のコーテイング面にメタ
ルブラックが発生したり、ピンホールが生じたりして、
奇麗なコーテイング面が得られないという欠点があった
。
では、イオン化したガスと物質との比率が化合物を作る
比率になっていないので、試料のコーテイング面にメタ
ルブラックが発生したり、ピンホールが生じたりして、
奇麗なコーテイング面が得られないという欠点があった
。
本発明は、上記従来例の欠点を解消するために、ガスを
イオン化する第１のイオン化手段に流れる電流を一定に
制御するとともに、物質をイオン化する第２のイオン化
手段に流れる電流が、第１のイオン化手段に流れる電流
とある一定の比率を持つように制御することを特徴とし
、その目的はメタルブラックが発生することがなく、光
沢を持った硬質のコーテイング面が得られ、またピンホ
ールの少ないコーテイング面が得られるイオンブレーテ
ィング方法及び装置を提供するものである。
イオン化する第１のイオン化手段に流れる電流を一定に
制御するとともに、物質をイオン化する第２のイオン化
手段に流れる電流が、第１のイオン化手段に流れる電流
とある一定の比率を持つように制御することを特徴とし
、その目的はメタルブラックが発生することがなく、光
沢を持った硬質のコーテイング面が得られ、またピンホ
ールの少ないコーテイング面が得られるイオンブレーテ
ィング方法及び装置を提供するものである。
以下図面により本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は、本発明の詳細な説明するためのブロック図を
示したもので、■は真空容器であるペルジャー、２はペ
ルジャー１内に吊り下げられた試料、３はイオン化する
ガスを供給するガス供給手段、４はペルジャー１の内部
を真空にする真空手段。
示したもので、■は真空容器であるペルジャー、２はペ
ルジャー１内に吊り下げられた試料、３はイオン化する
ガスを供給するガス供給手段、４はペルジャー１の内部
を真空にする真空手段。
５はガスをイオン化する第１のイオン化手段の第１の陽
極、６は第１のイオン化手段のフィラメント、７は第１
のイオン化手段に電流を流す直流電源、８は陽極５と直
流電源７との間に接続され、第１のイオン化手段に流れ
る電流を指示する電流計、９はフィラメント６に流れる
電流を制御する第１の制御手段、ｌＯはイオン化したガ
スと化合させる物質１１を載置した第２の陽極、１２は
物質１１をイオン化するフィラメント、１３はフィラメ
ント１２に流れる電流を制御する第２の制御手段、１４
は第２の陽極１０にプラス側が接続され、マイナス側が
直流電源７のマイナス側に接続された直流電源、１５は
直流電源７．１３のマイナス側とフィラメント６の一端
に接続された電流計であり、第２の陽極ｌＯとフィラメ
ント６の間で第２のイオン化手段を構成する。
極、６は第１のイオン化手段のフィラメント、７は第１
のイオン化手段に電流を流す直流電源、８は陽極５と直
流電源７との間に接続され、第１のイオン化手段に流れ
る電流を指示する電流計、９はフィラメント６に流れる
電流を制御する第１の制御手段、ｌＯはイオン化したガ
スと化合させる物質１１を載置した第２の陽極、１２は
物質１１をイオン化するフィラメント、１３はフィラメ
ント１２に流れる電流を制御する第２の制御手段、１４
は第２の陽極１０にプラス側が接続され、マイナス側が
直流電源７のマイナス側に接続された直流電源、１５は
直流電源７．１３のマイナス側とフィラメント６の一端
に接続された電流計であり、第２の陽極ｌＯとフィラメ
ント６の間で第２のイオン化手段を構成する。
本実施例のイオンブレーティング装置では、まずペルジ
ャー１の中に試料２を吊り下げ、イオン化する物質１１
（例えばチタンナイトライド「ＴｉＮＪの場合は、チ
タンｒＴｚ）を第２のイオン化手段の第２の陽極１０に
セットし、真空手段４でペルジャー１の内部を真空にす
る。次に、ガス供給手段から物質１１と化合するガス（
チタンナイトライドｒＴｉＮＪの場合は、窒素「Ｎ」）
を微少量供給する。このように各部をセットした後、第
１の制御手段９及び第２の制御手段１３でそれぞれフィ
ラメント６．１２に電流を流し、ガス及び物質１１をそ
れぞれイオン化する。ここで、陽極５とフィラメント６
の間に直流電源７によって高電圧を与えると、フィラメ
ント６でイオン化したガスは陽極５へ移動して電流が流
れ、この電流は電流計８で指示される。そこで、電流計
８の指示が一定になるように第１の制御手段９でフィラ
メント６に流れる電流を制御すると、ガスのイオン化量
が一定に制御される。次に、第２の制御手段１３でフィ
ラメント１２に流れる電流を制御して第２の陽極ｌＯの
物質１１のイオン化量を制御するが、この場合、イオン
化された物質のイオンの量とイオン化されたガスのイオ
ンの量が試料２をコーティングする化合物になる割合に
対応するイオンの量になるように第２の制御手段１３か
らフィラメント１２に流す電流を制御する。即ちζ試料
をコーティングする化合物が、例えばチタンナイトライ
ド（ＴｉＮ）の場合は、チタン（Ｔｉ）と窒素（Ｎ）が
一対一になっているので、チタン（Ｔｉ）である物質１
１のイオン化量を窒素（Ｎ）のイオン化量と一致させる
。つまり、第２の陽極１０とフィラメント６の間に直流
電源１４で高電圧を与えると、第２の陽極１０からイオ
ン化した物質が移動して電流計１５に電流が流れるが、
この電流計１５に流れる電流は第１の陽極５からフィラ
メント６に流れる電流、即ち電流計８で指示された電流
も含まれるので、この電流計８で指示された電流を１と
すると、電流計１５で指示される電流は２倍になるよう
に制御する。
ャー１の中に試料２を吊り下げ、イオン化する物質１１
（例えばチタンナイトライド「ＴｉＮＪの場合は、チ
タンｒＴｚ）を第２のイオン化手段の第２の陽極１０に
セットし、真空手段４でペルジャー１の内部を真空にす
る。次に、ガス供給手段から物質１１と化合するガス（
チタンナイトライドｒＴｉＮＪの場合は、窒素「Ｎ」）
を微少量供給する。このように各部をセットした後、第
１の制御手段９及び第２の制御手段１３でそれぞれフィ
ラメント６．１２に電流を流し、ガス及び物質１１をそ
れぞれイオン化する。ここで、陽極５とフィラメント６
の間に直流電源７によって高電圧を与えると、フィラメ
ント６でイオン化したガスは陽極５へ移動して電流が流
れ、この電流は電流計８で指示される。そこで、電流計
８の指示が一定になるように第１の制御手段９でフィラ
メント６に流れる電流を制御すると、ガスのイオン化量
が一定に制御される。次に、第２の制御手段１３でフィ
ラメント１２に流れる電流を制御して第２の陽極ｌＯの
物質１１のイオン化量を制御するが、この場合、イオン
化された物質のイオンの量とイオン化されたガスのイオ
ンの量が試料２をコーティングする化合物になる割合に
対応するイオンの量になるように第２の制御手段１３か
らフィラメント１２に流す電流を制御する。即ちζ試料
をコーティングする化合物が、例えばチタンナイトライ
ド（ＴｉＮ）の場合は、チタン（Ｔｉ）と窒素（Ｎ）が
一対一になっているので、チタン（Ｔｉ）である物質１
１のイオン化量を窒素（Ｎ）のイオン化量と一致させる
。つまり、第２の陽極１０とフィラメント６の間に直流
電源１４で高電圧を与えると、第２の陽極１０からイオ
ン化した物質が移動して電流計１５に電流が流れるが、
この電流計１５に流れる電流は第１の陽極５からフィラ
メント６に流れる電流、即ち電流計８で指示された電流
も含まれるので、この電流計８で指示された電流を１と
すると、電流計１５で指示される電流は２倍になるよう
に制御する。
このように、第１の制御手段９及び第２の制御手段１３
を制御して、ガス及び物質１１のイオン化量を制御する
と、イオン化されたガスと物質が一対一に化合し、これ
が試料２の表面を奇麗にコーチイブする。
を制御して、ガス及び物質１１のイオン化量を制御する
と、イオン化されたガスと物質が一対一に化合し、これ
が試料２の表面を奇麗にコーチイブする。
なお、試料２をコーティングする化合物がチタンカーバ
イト（ＴｉＮ）の場合は、ガス供給手段３から供給され
るガスは、例えばフレオンガス（Ｃ２Ｈｖ）やアセチレ
ンガスが使用される。
イト（ＴｉＮ）の場合は、ガス供給手段３から供給され
るガスは、例えばフレオンガス（Ｃ２Ｈｖ）やアセチレ
ンガスが使用される。
上記の原理を具体化した実施例を第２図により説明する
。第２図において、第１の陽極５、第２の陽極１０及び
フィラメント６．１１等はペルジャーの中に入っており
、また試料等が前述と同様にペルジャー内に装着されい
る。フィラメント６は第１の変圧器１６の二次側に接続
され、この第１の変圧器１６の一次側は電源１７に接続
されたメインスイッチ１８に第１のスイッチ１９．第１
の制御手段９を介して接続されている。またフィラメン
ト１２は第２の変圧器２０の二次側に接続され、この第
２の変圧器２ｏの一次側はメインスイッチ１８に第２の
スイッチ２１、第２の制御手段１３を介して接続されて
いる。また、メインスイッチ１８に第３の変圧器２２を
介して整流器２３が接続され、また整流器２３の°カソ
ード側はアースされ、また第１の陽極５が第１の電流検
出器２４を介して、また第２の陽極１ｏが整流器２３の
カソード側に接続されている。フィラメント６．１２の
それぞれ一端の間に第２の電流検出器２５が接続され、
この第２の電流検出器２５のフィラメント１０側は整流
器２３のアノードに接続され、第２の制御手段３は第２
の電流検出器２５に接続されたフォトカップラー２６に
よって第２の電流検出器２５に流れる電流を検出する。
。第２図において、第１の陽極５、第２の陽極１０及び
フィラメント６．１１等はペルジャーの中に入っており
、また試料等が前述と同様にペルジャー内に装着されい
る。フィラメント６は第１の変圧器１６の二次側に接続
され、この第１の変圧器１６の一次側は電源１７に接続
されたメインスイッチ１８に第１のスイッチ１９．第１
の制御手段９を介して接続されている。またフィラメン
ト１２は第２の変圧器２０の二次側に接続され、この第
２の変圧器２ｏの一次側はメインスイッチ１８に第２の
スイッチ２１、第２の制御手段１３を介して接続されて
いる。また、メインスイッチ１８に第３の変圧器２２を
介して整流器２３が接続され、また整流器２３の°カソ
ード側はアースされ、また第１の陽極５が第１の電流検
出器２４を介して、また第２の陽極１ｏが整流器２３の
カソード側に接続されている。フィラメント６．１２の
それぞれ一端の間に第２の電流検出器２５が接続され、
この第２の電流検出器２５のフィラメント１０側は整流
器２３のアノードに接続され、第２の制御手段３は第２
の電流検出器２５に接続されたフォトカップラー２６に
よって第２の電流検出器２５に流れる電流を検出する。
次に、本実施例の動作を説明する。まず、メインスイッ
チ１８を閉じて、第１のスイッチ１９を閉じると、第１
の電流検出器２４で第１の陽極５に流れる電流が検出さ
れるので、第１の電流検出器２４に流れる電流が一定に
なるように第１の制御手段９で第１の変圧器１６に流れ
る電流を制御する。次に、第２のスイッチ２１を閉じ、
第２の電流検出器２５に流れる電流が第１の電流検出器
２４に流れる電流の整数倍（１，２、・・・）になるよ
うに、第２の制御手段１３によって第２の変圧器２０に
流れる電流を制御する。
チ１８を閉じて、第１のスイッチ１９を閉じると、第１
の電流検出器２４で第１の陽極５に流れる電流が検出さ
れるので、第１の電流検出器２４に流れる電流が一定に
なるように第１の制御手段９で第１の変圧器１６に流れ
る電流を制御する。次に、第２のスイッチ２１を閉じ、
第２の電流検出器２５に流れる電流が第１の電流検出器
２４に流れる電流の整数倍（１，２、・・・）になるよ
うに、第２の制御手段１３によって第２の変圧器２０に
流れる電流を制御する。
このように構成することにより、第１のイオン化手段で
イオン化されたガスのイオンと第２のイオン化手段でイ
オン化された物質のイオンとが化合物を作る割合でペル
ジャー内に発生するので、試料の表面にメタルブラック
が発生せず、奇麗な光沢を持つ面が形成される。
イオン化されたガスのイオンと第２のイオン化手段でイ
オン化された物質のイオンとが化合物を作る割合でペル
ジャー内に発生するので、試料の表面にメタルブラック
が発生せず、奇麗な光沢を持つ面が形成される。
ここで、試料の表面にコーティングされる化合物として
、チタンナイトライド（ＴｉＮ）を使用した場合は、イ
オン化される物質であるチタン（Ｔｉ）とイオン化され
る窒素ガス（Ｎ）が一対一で発生するように制御するが
、試料の表面をコーティングする化合物がモリブデンカ
ーバイト（Ｍｏ２Ｃ）の場合は、炭素（Ｃ）が２価であ
るので、モリブデン（ＭＯ）のイオンが炭素イオンの２
倍発生するように第２の制御手段１３で第２の変圧器２
０に流れる電流を制御する。また、酸化アル□ミ（ＡＱ
２０３）の場合は、アルミ（ＡＱ）が３価で酸素（０）
が２価であるので、アルミと酸素が２対３になるように
、第２の制御手段１３で第２の変圧器２０に電流が流れ
るように制御する。
、チタンナイトライド（ＴｉＮ）を使用した場合は、イ
オン化される物質であるチタン（Ｔｉ）とイオン化され
る窒素ガス（Ｎ）が一対一で発生するように制御するが
、試料の表面をコーティングする化合物がモリブデンカ
ーバイト（Ｍｏ２Ｃ）の場合は、炭素（Ｃ）が２価であ
るので、モリブデン（ＭＯ）のイオンが炭素イオンの２
倍発生するように第２の制御手段１３で第２の変圧器２
０に流れる電流を制御する。また、酸化アル□ミ（ＡＱ
２０３）の場合は、アルミ（ＡＱ）が３価で酸素（０）
が２価であるので、アルミと酸素が２対３になるように
、第２の制御手段１３で第２の変圧器２０に電流が流れ
るように制御する。
以上説明したように、本発明によれば、試料にコーティ
ングされる化合物によって、この化合物を作る物質及び
ガスのイオン化量を制御したので。
ングされる化合物によって、この化合物を作る物質及び
ガスのイオン化量を制御したので。
試料の表面にメタルブラックが発生することがなく、試
料の表面が奇麗な光沢面を持つようにすることができ、
またピンホールが殆ど無い硬質面を作ることができる。
料の表面が奇麗な光沢面を持つようにすることができ、
またピンホールが殆ど無い硬質面を作ることができる。
第１図は、本発明の詳細な説明するイオンブレーティン
グ方法の原理図、第２図は、本発明の一実施例のイオン
ブレーティング装置の構成図である。 ■・・・ペルジャー、２・・・試料、３・・・ガス供給
手段、４・・・真空手段、５・・・第１の陽極、６・・
・フィラメント、７．１４・・・直流電源、８・・・電
流計、９・・・第１の制御手段、１０・・・第２の陽極
、１１・・・物質、１２・・・フィラメント、１３・・
・第２の制御手段、１５・・・電流計、１６・・・第１
の変圧器、１７・・・メインスイッチ、１９・・・第１
のスイッチ、２０・・・第２の変圧器、２１・・・第２
のスイッチ、２２・・・第３の変圧器、２３・・・整流
器、２４・・・第１の電流検出器、２５・・・第２の電
流検出器、２６・・・フォトカップラ特許出願人 佐
藤 弘 信
グ方法の原理図、第２図は、本発明の一実施例のイオン
ブレーティング装置の構成図である。 ■・・・ペルジャー、２・・・試料、３・・・ガス供給
手段、４・・・真空手段、５・・・第１の陽極、６・・
・フィラメント、７．１４・・・直流電源、８・・・電
流計、９・・・第１の制御手段、１０・・・第２の陽極
、１１・・・物質、１２・・・フィラメント、１３・・
・第２の制御手段、１５・・・電流計、１６・・・第１
の変圧器、１７・・・メインスイッチ、１９・・・第１
のスイッチ、２０・・・第２の変圧器、２１・・・第２
のスイッチ、２２・・・第３の変圧器、２３・・・整流
器、２４・・・第１の電流検出器、２５・・・第２の電
流検出器、２６・・・フォトカップラ特許出願人 佐
藤 弘 信
Claims (4)
- （１）真空容器内に設けたフィラメントと第１の陽極と
の間に一定の電流を流して、前記真空容器内に送られた
ガスを前記フィラメントと前記第１の陽極との間でイオ
ン化し、該イオン化ガスと化合する一種゛またはそれ以
上の物質をイオン化する第２の陽極を前記真空容器内に
設け、前記第２の陽極と前記フィラメントの間に流す電
流を前記第１の陽極と前記フィラメントの間流れている
電流に対して一定の比率になるようにし、前記真空容器
内に設けた試料に化合物をコーティングすることを特徴
とするイオンブレーティング方法。 - （２）真空容器内に設けられた試料と、前記真空容器内
を真空にし、イオン化するガスを供給する真空供給手段
と、前記ガスをイオン化する第１の陽極とフィラメント
とからなる第１のイオン化手段と、第２の陽極とフィラ
メントとからなり、イオン化したガスと化合する物質を
前記第２の陽極に設けてイオン化する第２のイオン化手
段とからなり、前記第１のイオン化手段に流れる電流を
一定にし、前記第２のイオン化手段に流れる電流を前記
第１のイオン化手段に流れる電流に対して一定の比率に
なるようにしたことを特徴とするイオンブレーティング
装置。 - （３）前記第１のイオン化手段の前記第１の陽極に流れ
る電流を一定にするように、前記第１のイオン化手段の
フィラメントに流れる電流を制御する第１の制御手段を
設けることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のイ
オンブレーティング装置。 - （４）前記第２のイオン化手段の前記第２の陽極から前
記第１のイオン化手段のフィラメントに流れる電流が前
記第１のイオン化手段に流れる電流に対して一定の比率
に持つように、前記第２のイオン化手段のフィラメント
に流れる電流を制御する第２の制御手段を設けることを
特徴とする特許請求の範囲第３項記載のイオンブレーテ
ィング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15189282A JPS5941467A (ja) | 1982-09-01 | 1982-09-01 | イオンプレ−ティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15189282A JPS5941467A (ja) | 1982-09-01 | 1982-09-01 | イオンプレ−ティング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5941467A true JPS5941467A (ja) | 1984-03-07 |
| JPS6214219B2 JPS6214219B2 (ja) | 1987-04-01 |
Family
ID=15528475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15189282A Granted JPS5941467A (ja) | 1982-09-01 | 1982-09-01 | イオンプレ−ティング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5941467A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013060649A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-04 | Shinko Seiki Co Ltd | イオンプレーティング装置および方法 |
-
1982
- 1982-09-01 JP JP15189282A patent/JPS5941467A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013060649A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-04 | Shinko Seiki Co Ltd | イオンプレーティング装置および方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6214219B2 (ja) | 1987-04-01 |
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