JPS5940175B2 - シンチレ−タ用結晶 - Google Patents
シンチレ−タ用結晶Info
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- JPS5940175B2 JPS5940175B2 JP54002968A JP296879A JPS5940175B2 JP S5940175 B2 JPS5940175 B2 JP S5940175B2 JP 54002968 A JP54002968 A JP 54002968A JP 296879 A JP296879 A JP 296879A JP S5940175 B2 JPS5940175 B2 JP S5940175B2
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
- G01T1/2023—Selection of materials
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
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- C09K11/74—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth
- C09K11/745—Germanates
-
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K11/7707—Germanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
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- C30B29/16—Oxides
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- C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はX線もしくはγ線用のシンチレータ用結晶に関
し、特に残光時間が短かく且つ感度が高いシンチレータ
用結晶に関する。
し、特に残光時間が短かく且つ感度が高いシンチレータ
用結晶に関する。
従来、X線用もしくはγ線用のシンチレータ用結晶とし
て用いられて(・るビスマス・ジヤーマネート(Bi4
Ge3O、2以後BGOと略記する)単結晶は、(i)
構成元素の原子番号が大きく且つ結晶の密度が高いため
、放射線に対する吸収係数が大きい、(11)残光時間
が極めて短かい(O、1%まで減衰するのに要する時間
は30msである)、(111)非吸湿性である、等の
長所を有するので感度が比較的低いにもかゝわらず、X
線CT(Computori2edTomograph
y)およびポジトロンカメラのような医療機器のシンチ
レータ用結晶として用いることが検討されている。
て用いられて(・るビスマス・ジヤーマネート(Bi4
Ge3O、2以後BGOと略記する)単結晶は、(i)
構成元素の原子番号が大きく且つ結晶の密度が高いため
、放射線に対する吸収係数が大きい、(11)残光時間
が極めて短かい(O、1%まで減衰するのに要する時間
は30msである)、(111)非吸湿性である、等の
長所を有するので感度が比較的低いにもかゝわらず、X
線CT(Computori2edTomograph
y)およびポジトロンカメラのような医療機器のシンチ
レータ用結晶として用いることが検討されている。
一方、現在既にこのような目的に用いられているNal
もしくはTi添加のNalは前記BGO結晶の約10倍
の高い感度を有しているが、残光時間が極めて長く(O
、1%まで減衰するのに要する時間は350msである
)このため像が不鮮明になるという短所を有する。した
がつて、BGO結晶の短かい残光時間という長所を失わ
ずに、その感度を上昇させることが望まれていた。従来
のBGO結晶は発光効率(螢光出力)がNal等の約1
0%に過ぎず、人体が受ける放射線量を低減するために
も、高い発光効率をもつBGO結晶が必要である。BG
O結晶の発光中心は構成元素のBiイオンであり、これ
まではゾーン精製した原料を用いて結晶を高純度化する
ことにより有害な作用をする不純物元素を取り除き、発
光効率を向上させてきた。
もしくはTi添加のNalは前記BGO結晶の約10倍
の高い感度を有しているが、残光時間が極めて長く(O
、1%まで減衰するのに要する時間は350msである
)このため像が不鮮明になるという短所を有する。した
がつて、BGO結晶の短かい残光時間という長所を失わ
ずに、その感度を上昇させることが望まれていた。従来
のBGO結晶は発光効率(螢光出力)がNal等の約1
0%に過ぎず、人体が受ける放射線量を低減するために
も、高い発光効率をもつBGO結晶が必要である。BG
O結晶の発光中心は構成元素のBiイオンであり、これ
まではゾーン精製した原料を用いて結晶を高純度化する
ことにより有害な作用をする不純物元素を取り除き、発
光効率を向上させてきた。
しかしながら、結晶の高純度化のため行なう原料のゾー
ン精製には長時間を要するのみでなく、原料のロスが多
く、最終歩留りは例えば35%程度と著るしく低いもの
であつた。本発明の目的は、残光時間が短かく且つ感度
が高いシンチレータ用結晶を提供することである。
ン精製には長時間を要するのみでなく、原料のロスが多
く、最終歩留りは例えば35%程度と著るしく低いもの
であつた。本発明の目的は、残光時間が短かく且つ感度
が高いシンチレータ用結晶を提供することである。
前記目的を達成するため、本発明のシンチレータ用結晶
は、0.5重量%以下のBi4Si3Ol2もしくは5
0ppm(重量比)以下のGd又はその両者を含有する
Bi4Ge3Ol2結晶からなるものである。Bi4S
i3Ol2もしくはGdの含有量が上記の値以上になる
と放射線に対する感度が低下し、従来のBGO結晶の感
度と同程度又はそれ以下となり好ましくない。
は、0.5重量%以下のBi4Si3Ol2もしくは5
0ppm(重量比)以下のGd又はその両者を含有する
Bi4Ge3Ol2結晶からなるものである。Bi4S
i3Ol2もしくはGdの含有量が上記の値以上になる
と放射線に対する感度が低下し、従来のBGO結晶の感
度と同程度又はそれ以下となり好ましくない。
また、Bi4Si3Ol2もしくはGdは微量でもBG
O結晶中に含まれていれば、それなりの効果を示し感度
が上昇するので、これらの量に特に下限を設ける必要は
ない。BGO結晶中のBl4Sl3Ol2量が0.02
〜0.2重量%の場合はさらに好ましい結果が得られ、
0.05〜0.1重量%の場合はもつとも好ましい結果
が得られる。
O結晶中に含まれていれば、それなりの効果を示し感度
が上昇するので、これらの量に特に下限を設ける必要は
ない。BGO結晶中のBl4Sl3Ol2量が0.02
〜0.2重量%の場合はさらに好ましい結果が得られ、
0.05〜0.1重量%の場合はもつとも好ましい結果
が得られる。
また、BGO結晶中のGd量が1〜10ppm(重量比
、以下同様とする)の場合にもより好ましい結果が得ら
れる。BGO結晶に上記Bi4Si3Ol2と上記Gd
の両者を複合添加しても本発明の効果が低下することは
ない。本発明は、従来技術におけるような結晶の高純度
化により発光効率を向土させるのではなく、逆にBGO
結晶中に不純物を添加することにより発光効率を高める
ものである。Bi4Si3Ol2もしくはGd又はその
両者の添加によりBGO結晶の発光効率が向土すること
は、本発明者等の詳細な研究により発見されたものであ
り、本発明は本発明者等による新規なる発見に基づいて
構成されたものと言うことができる。
、以下同様とする)の場合にもより好ましい結果が得ら
れる。BGO結晶に上記Bi4Si3Ol2と上記Gd
の両者を複合添加しても本発明の効果が低下することは
ない。本発明は、従来技術におけるような結晶の高純度
化により発光効率を向土させるのではなく、逆にBGO
結晶中に不純物を添加することにより発光効率を高める
ものである。Bi4Si3Ol2もしくはGd又はその
両者の添加によりBGO結晶の発光効率が向土すること
は、本発明者等の詳細な研究により発見されたものであ
り、本発明は本発明者等による新規なる発見に基づいて
構成されたものと言うことができる。
なお、Bi4Si3Ol2はBGOと同一結晶構造を持
つて(・るが、室温での発光効率は小さくシンチレータ
として有用ではない。しかし、BGOに添加して固溶体
とすると、放射線を照射した場合の螢光出力が純粋のB
GO結晶よりも高いものとなるのである。以下、実施例
を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
つて(・るが、室温での発光効率は小さくシンチレータ
として有用ではない。しかし、BGOに添加して固溶体
とすると、放射線を照射した場合の螢光出力が純粋のB
GO結晶よりも高いものとなるのである。以下、実施例
を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
実施例 1
本実施例はBi4Si3O,2を含有するBGO結晶に
関する。
関する。
目的とする組成に従つて秤量、所定量とし混合したBG
O.Bi2O3、SiO2を原料とし、種結晶としてB
GO単結晶を用いて周知のチヨクラルスキ一法によつて
Bi4Si3Ol2を含有するBGO単結晶を育成した
。
O.Bi2O3、SiO2を原料とし、種結晶としてB
GO単結晶を用いて周知のチヨクラルスキ一法によつて
Bi4Si3Ol2を含有するBGO単結晶を育成した
。
原料のBGOは1回ゾーン精製したものを用℃・た。B
i4Si3Ol2はBGO中に固溶した状態で含まれて
いた。Bi4Si3O,2の含有量は5重量%以下の範
囲で種々の値とし、比較のためBi4Si3Ol2を添
加しないBGO単結晶も同一条件で育成した。
i4Si3Ol2はBGO中に固溶した状態で含まれて
いた。Bi4Si3O,2の含有量は5重量%以下の範
囲で種々の値とし、比較のためBi4Si3Ol2を添
加しないBGO単結晶も同一条件で育成した。
得られた各BGO単結晶を縦20詣、横10mm、厚さ
2mW!に切出しシンチレータとして、これに放射性同
位元素57C0のγ線を照射し、シンチレータであるB
GO単結晶から発生した螢光を光電増倍管によつて電気
パルスに変換し、その波高分布からピークチヤンネル数
を求め、これを螢光出力を示す値とした。実験結果を第
1図に示す。
2mW!に切出しシンチレータとして、これに放射性同
位元素57C0のγ線を照射し、シンチレータであるB
GO単結晶から発生した螢光を光電増倍管によつて電気
パルスに変換し、その波高分布からピークチヤンネル数
を求め、これを螢光出力を示す値とした。実験結果を第
1図に示す。
第1図の縦軸はピークチヤンネル数(Ch)、横軸はB
i4Si3Ol2の含有量(重量%)である。第1図か
ら明らかなように、螢光出力すなわちピークチヤンネル
数はBGO単結晶中のBi4Sj3O,2の濃度に依存
し、その極大値はBl4Sl3O,2濃度が0.05〜
0.1重量%の場合に得られる。また、無添加のBGO
単結晶よりも感度が高くなるには、Bi4Si3Ol2
量は0.5重量%以下であることを要し、0,02〜0
.2重量%であればさらに好ましい結果が得られる。B
GO単結晶にBi4Si3Ol2を含有させることによ
り、その螢光出力は最高約20%増加した。また、無添
加のBGO単結晶の原料として2回ゾーン精製したBG
Oを用いて、チヨクラルスキー法により育成した場合、
無添加のBGO単結晶のピークチャンネル数は300c
hであつた。
i4Si3Ol2の含有量(重量%)である。第1図か
ら明らかなように、螢光出力すなわちピークチヤンネル
数はBGO単結晶中のBi4Sj3O,2の濃度に依存
し、その極大値はBl4Sl3O,2濃度が0.05〜
0.1重量%の場合に得られる。また、無添加のBGO
単結晶よりも感度が高くなるには、Bi4Si3Ol2
量は0.5重量%以下であることを要し、0,02〜0
.2重量%であればさらに好ましい結果が得られる。B
GO単結晶にBi4Si3Ol2を含有させることによ
り、その螢光出力は最高約20%増加した。また、無添
加のBGO単結晶の原料として2回ゾーン精製したBG
Oを用いて、チヨクラルスキー法により育成した場合、
無添加のBGO単結晶のピークチャンネル数は300c
hであつた。
したがつて、適量のBi4Si3Ol2をBGOに添加
することは、原料のBGOを1回多くゾーン精製するこ
とと等価的である。これは、BGO単結晶の感度を低下
させることなく、原料BGOのゾーン精製回数を1回減
らすことができることを意味する。このように、ゾーン
精製工程数を1回減少させることにより、製造時間が短
縮されるのみでなく、ゾーン精製によるロスを少なくす
ることができBGOの最終歩留りが著るしく向上する。
なお、1回のゾーン精製により約30%のロスを生じる
から、適量のBi4Si3Ol2を添加することはこの
ロスをなくする事になる。1重量%までのBi4Si3
Ol2を含むBGO単結晶のピークチャンネル数測定の
検出分解能は約30%で無添加のBGOと同等であつた
。
することは、原料のBGOを1回多くゾーン精製するこ
とと等価的である。これは、BGO単結晶の感度を低下
させることなく、原料BGOのゾーン精製回数を1回減
らすことができることを意味する。このように、ゾーン
精製工程数を1回減少させることにより、製造時間が短
縮されるのみでなく、ゾーン精製によるロスを少なくす
ることができBGOの最終歩留りが著るしく向上する。
なお、1回のゾーン精製により約30%のロスを生じる
から、適量のBi4Si3Ol2を添加することはこの
ロスをなくする事になる。1重量%までのBi4Si3
Ol2を含むBGO単結晶のピークチャンネル数測定の
検出分解能は約30%で無添加のBGOと同等であつた
。
実施例 2
本実施例はGdを含有するBGO結晶に関する。
添加物の原料としてGd2O3を用いたこと以外は実施
例1と同様にしてGdを含有するBGO単結晶を育成し
た。Gdの含有量は100ppm以下の範囲で種々の値
とし、比較のためGdを添加しないBGO単結晶も同一
条件で育成した。得られた各BGO単結晶の螢光出力を
実施例1と同様にして求めた。実験結果を第2図に示す
。
例1と同様にしてGdを含有するBGO単結晶を育成し
た。Gdの含有量は100ppm以下の範囲で種々の値
とし、比較のためGdを添加しないBGO単結晶も同一
条件で育成した。得られた各BGO単結晶の螢光出力を
実施例1と同様にして求めた。実験結果を第2図に示す
。
第2図の縦軸はピークチヤンネル数(Eh)、横軸はG
dの含有量(Ppm)である。第2図から明らかなよう
に、螢光出力すなわちピークチャンネル数はBGO単結
晶中のGdの濃度に依存し、50ppm以下のGdを含
む場合に無添加のBGOより高い感度を示し、1〜10
ppmの場合にはさらに高いピークチャンネル数を示し
た。BGO単結晶にGdを含有させることにより、その
螢光出力は最高約20%増加した。このようにBGOに
Gdを添加すると、BGOの螢光出力は高くなるが、B
GOに対するGdの分配係数は0.1以下と小さいため
に、結晶中に100ppm以上添加しようとすれば、融
液中のGd濃度が高くなり、結晶には空隙が生じ易くな
る。
dの含有量(Ppm)である。第2図から明らかなよう
に、螢光出力すなわちピークチャンネル数はBGO単結
晶中のGdの濃度に依存し、50ppm以下のGdを含
む場合に無添加のBGOより高い感度を示し、1〜10
ppmの場合にはさらに高いピークチャンネル数を示し
た。BGO単結晶にGdを含有させることにより、その
螢光出力は最高約20%増加した。このようにBGOに
Gdを添加すると、BGOの螢光出力は高くなるが、B
GOに対するGdの分配係数は0.1以下と小さいため
に、結晶中に100ppm以上添加しようとすれば、融
液中のGd濃度が高くなり、結晶には空隙が生じ易くな
る。
この空隙は発生した螢光を減衰させるために、結果的に
は螢光出力を小さなものとする。空隙を発生させること
なく、螢光出力を上げるにはGd添加量を50ppm以
下とするのがよい。一般に、不純物を結晶中に添加すれ
ば、X線やγ線の照射による照射損傷を受け易くなり、
螢光出力は低下する。
は螢光出力を小さなものとする。空隙を発生させること
なく、螢光出力を上げるにはGd添加量を50ppm以
下とするのがよい。一般に、不純物を結晶中に添加すれ
ば、X線やγ線の照射による照射損傷を受け易くなり、
螢光出力は低下する。
しかし、Gdを添加したBGO結晶の照射損傷による劣
化率は、1500Rの照射直後においても、10%であ
つた。この値はGdを添加しないBGO結晶と同じであ
り、照射損傷に関してはGdを添加しても悪影響のない
ことを示している。なお、50ppm(7)Gdを添加
したBGO単結晶のピークチヤンネル数測定の検出分解
能は約25%で良好であつた。
化率は、1500Rの照射直後においても、10%であ
つた。この値はGdを添加しないBGO結晶と同じであ
り、照射損傷に関してはGdを添加しても悪影響のない
ことを示している。なお、50ppm(7)Gdを添加
したBGO単結晶のピークチヤンネル数測定の検出分解
能は約25%で良好であつた。
また、実施例1の場合と同様に、適量のGdをBGOに
添加することは、原料のBGOを1回多くゾーン精製す
ることと等価的である。
添加することは、原料のBGOを1回多くゾーン精製す
ることと等価的である。
したがつて、BGO単結晶の感度を低下させることなく
、原料BGOのゾーン精製回数を1回減らすことができ
、製造時間が短縮されるのみでなく、ゾーン精製による
ロスを少なくすることができるのでBGOの最終歩留り
が著るしく向土する。以上の実施例から明らかなように
、BGO単結晶に0.5重量%以下のBi4Si3Ol
2もしくは50ppm以下のGdを添加することにより
、BGO単結晶のシンチレータとしての螢光出力を最高
約20%増加することができ、螢光出力を無添加のBG
O単結晶と同等にする場合には原料BGOのゾーン精製
を1回減少させることができ、製造時間、原料のロスを
低減させることができる。
、原料BGOのゾーン精製回数を1回減らすことができ
、製造時間が短縮されるのみでなく、ゾーン精製による
ロスを少なくすることができるのでBGOの最終歩留り
が著るしく向土する。以上の実施例から明らかなように
、BGO単結晶に0.5重量%以下のBi4Si3Ol
2もしくは50ppm以下のGdを添加することにより
、BGO単結晶のシンチレータとしての螢光出力を最高
約20%増加することができ、螢光出力を無添加のBG
O単結晶と同等にする場合には原料BGOのゾーン精製
を1回減少させることができ、製造時間、原料のロスを
低減させることができる。
なお、添加物の原料として、Bi2O3、SiO2およ
びGd2O3を用いたこと以外は実施例1もしくは実施
例2と同様にして、0.1重量%のBi4Si3Ol2
および5ppmf)Gdを複合添加したBGO単結晶を
育成しそのピークチャンネル数を測定したところ、約3
00chであつた。したがつて、BGO結晶にBi4S
i3O,2とGdの両者を複合添加しても、本発明の効
果が減することはなく、単独添加と同様の効果が得られ
る。
びGd2O3を用いたこと以外は実施例1もしくは実施
例2と同様にして、0.1重量%のBi4Si3Ol2
および5ppmf)Gdを複合添加したBGO単結晶を
育成しそのピークチャンネル数を測定したところ、約3
00chであつた。したがつて、BGO結晶にBi4S
i3O,2とGdの両者を複合添加しても、本発明の効
果が減することはなく、単独添加と同様の効果が得られ
る。
第1図はBGO単結晶中のBi4Si3Ol2含有量と
ピークチヤンネル数で示す螢光出力との関係を示すグラ
フ、第2図はBGO単結晶中のGd含有量とピークチャ
ンネル数で示す螢光出力との関係を示すグラ7である。
ピークチヤンネル数で示す螢光出力との関係を示すグラ
フ、第2図はBGO単結晶中のGd含有量とピークチャ
ンネル数で示す螢光出力との関係を示すグラ7である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 0.5重量%以下のBi_4Si_3O_1_2お
よび50ppm以下のGdからなる群から選択された少
なくても一成分を含有するBi_4Ge_3O_1_2
結晶からなることを特徴とするシンチレータ用結晶。 2 0.02〜0.2重量%のBi_4Si_3O_1
_2を含有するBi_4Ge_3O_1_2結晶からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のシンチ
レータ用結晶。 3 0.05〜0.1重量%のBi_4Si_3O_1
_2を含有するBi_4Ge_3O_1_2結晶からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のシンチ
レータ用結晶。 4 1〜10ppmのGdを含有する Bi_4Ge_3O_1_2結晶からなることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載のシンチレータ用結晶。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54002968A JPS5940175B2 (ja) | 1979-01-17 | 1979-01-17 | シンチレ−タ用結晶 |
US06/112,276 US4279772A (en) | 1979-01-17 | 1980-01-15 | Crystal for scintillator |
GB8001344A GB2040979B (en) | 1979-01-17 | 1980-01-15 | Scintillator crystal |
DE3001592A DE3001592C2 (de) | 1979-01-17 | 1980-01-17 | Dotierter Wismutgermanat-Einkristall |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54002968A JPS5940175B2 (ja) | 1979-01-17 | 1979-01-17 | シンチレ−タ用結晶 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5595885A JPS5595885A (en) | 1980-07-21 |
JPS5940175B2 true JPS5940175B2 (ja) | 1984-09-28 |
Family
ID=11544164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54002968A Expired JPS5940175B2 (ja) | 1979-01-17 | 1979-01-17 | シンチレ−タ用結晶 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4279772A (ja) |
JP (1) | JPS5940175B2 (ja) |
DE (1) | DE3001592C2 (ja) |
GB (1) | GB2040979B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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GB8431838D0 (en) * | 1984-12-17 | 1985-01-30 | Secr Defence | Luminescent ceramic plates |
JPH065290B2 (ja) * | 1986-09-18 | 1994-01-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | ポジトロンct装置 |
CN102011187B (zh) * | 2010-12-28 | 2012-11-21 | 上海应用技术学院 | 硅锗酸铋混晶及其制备方法 |
CN110295394A (zh) * | 2018-03-23 | 2019-10-01 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种硅酸铋闪烁晶体的旋转下降法生长工艺 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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FR2415086A1 (fr) * | 1978-01-24 | 1979-08-17 | Thomson Csf | Materiau polycristallin de formule bi12sio20, procede de fabrication dudit materiau, et dispositif de detection de radiations utilisant ce materiau |
-
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- 1979-01-17 JP JP54002968A patent/JPS5940175B2/ja not_active Expired
-
1980
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- 1980-01-15 GB GB8001344A patent/GB2040979B/en not_active Expired
- 1980-01-17 DE DE3001592A patent/DE3001592C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3001592A1 (de) | 1980-08-21 |
GB2040979B (en) | 1983-01-12 |
JPS5595885A (en) | 1980-07-21 |
DE3001592C2 (de) | 1982-06-03 |
US4279772A (en) | 1981-07-21 |
GB2040979A (en) | 1980-09-03 |
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