JPS5936527A - 乾式排煙脱硫法 - Google Patents
乾式排煙脱硫法Info
- Publication number
- JPS5936527A JPS5936527A JP57145106A JP14510682A JPS5936527A JP S5936527 A JPS5936527 A JP S5936527A JP 57145106 A JP57145106 A JP 57145106A JP 14510682 A JP14510682 A JP 14510682A JP S5936527 A JPS5936527 A JP S5936527A
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- Japan
- Prior art keywords
- gas
- agent
- column
- desulfurizing agent
- adsorbed
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- Pending
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- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は乾式排煙脱硫法に係り、特に加熱脱着時に発生
するガスから効率よく元素状硫黄を回収するのに好適な
乾式排煙脱硫法に関する。
するガスから効率よく元素状硫黄を回収するのに好適な
乾式排煙脱硫法に関する。
乾式排煙脱硫では、硫黄酸化物を含む燃焼排ガスと脱硫
剤を接触し、硫黄酸化物を吸着除去する。
剤を接触し、硫黄酸化物を吸着除去する。
この際、燃焼排ガス中の802は、脱硫剤の細孔内にH
2804として酸化され存在する。また、細孔内のH,
so、は吸着時の燃焼排ガス温度と平衡状態のH2Oを
吸着し、希硫酸(H2804・?1H20)として存在
する。SO2’fi:吸着した脱硫剤を加熱することに
よって細孔内からH2SO4、H2Oが脱着する。H2
SO4が加熱脱着する際、 H2SO4の分解と脱硫、
剤中のカーボンが脱離するが、はぼH2SO4ガス[C
O2,5O2)は次に石膏1元素状硫黄などの回収工程
に送られ1石膏、硫黄の副生品が得られる。硫黄を回収
する場合、安価なカーボン源として石炭を乾留して得ら
れる乾留炭を用い、このような乾留炭に加熱脱着再生時
発生するガス、即ち高濃度S02含有ガスを700〜8
50℃の適宜温度で直接接触させ、 SQ2に硫黄ガス
、H2S、 C08TLどに還元する。得られる反応ガ
スを部分凝縮させることによって、硫黄ガスが凝縮し元
素状硫黄が回収できる。しかしながらカーボンと高濃度
■ S02含有ガスを反応させる際、c + So、→2
S 2+CO2の反応のみならず、種々の副反応が生成
し、S02の元素状硫黄への還元率を低下させている。
2804として酸化され存在する。また、細孔内のH,
so、は吸着時の燃焼排ガス温度と平衡状態のH2Oを
吸着し、希硫酸(H2804・?1H20)として存在
する。SO2’fi:吸着した脱硫剤を加熱することに
よって細孔内からH2SO4、H2Oが脱着する。H2
SO4が加熱脱着する際、 H2SO4の分解と脱硫、
剤中のカーボンが脱離するが、はぼH2SO4ガス[C
O2,5O2)は次に石膏1元素状硫黄などの回収工程
に送られ1石膏、硫黄の副生品が得られる。硫黄を回収
する場合、安価なカーボン源として石炭を乾留して得ら
れる乾留炭を用い、このような乾留炭に加熱脱着再生時
発生するガス、即ち高濃度S02含有ガスを700〜8
50℃の適宜温度で直接接触させ、 SQ2に硫黄ガス
、H2S、 C08TLどに還元する。得られる反応ガ
スを部分凝縮させることによって、硫黄ガスが凝縮し元
素状硫黄が回収できる。しかしながらカーボンと高濃度
■ S02含有ガスを反応させる際、c + So、→2
S 2+CO2の反応のみならず、種々の副反応が生成
し、S02の元素状硫黄への還元率を低下させている。
その原因は主に高濃度S02含有ガス中のI(20によ
るものであって+ C+ R20の副反応によって生成
するR2と、生成した硫黄ガスが反応しH2S に還元
されるためである。
るものであって+ C+ R20の副反応によって生成
するR2と、生成した硫黄ガスが反応しH2S に還元
されるためである。
本発明の目的は、硫黄酸化物を吸着した脱硫剤を加熱脱
着再生し1発生する高濃度802含有ガスとカーボンと
を接触反応させ元素状硫黄を回収する際+ so2の元
素状硫黄への還元率を高めることができる乾式排煙脱硫
法を提供することにある。
着再生し1発生する高濃度802含有ガスとカーボンと
を接触反応させ元素状硫黄を回収する際+ so2の元
素状硫黄への還元率を高めることができる乾式排煙脱硫
法を提供することにある。
本発明者らは、S02の元素状硫黄への還元率を高める
ためにはS02還元塔におけるR2の生成を抑制するこ
とが有効であり、このためには脱着ガス中のH2O1低
減することが必要であることを見い出した。本発明は、
上記のような知見から得られたものであって、硫黄酸化
物を吸着した脱硫剤盆200℃以下の温度で加熱して脱
硫剤の水分を脱離させ、ここで発生したガスを加熱脱着
系外に抜き、しかる後脱硫剤を200℃よジも高(50
0℃以下の温度で加熱し、ここで発生したガスをカーボ
ンと接触反応させるようにしたものである。
ためにはS02還元塔におけるR2の生成を抑制するこ
とが有効であり、このためには脱着ガス中のH2O1低
減することが必要であることを見い出した。本発明は、
上記のような知見から得られたものであって、硫黄酸化
物を吸着した脱硫剤盆200℃以下の温度で加熱して脱
硫剤の水分を脱離させ、ここで発生したガスを加熱脱着
系外に抜き、しかる後脱硫剤を200℃よジも高(50
0℃以下の温度で加熱し、ここで発生したガスをカーボ
ンと接触反応させるようにしたものである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
硫黄酸化物を吸着した脱硫剤は、前記したように、脱硫
剤細孔内に希硫酸として存在している。
剤細孔内に希硫酸として存在している。
脱硫剤細孔内の水分は、排ガス中のR20、温度などに
よって異なり、排ガス温度が高いとH2SO4・%H2
0の水分割合は少す<、排ガス中のT(、O濃度が高い
場合には水分割合は高くなる。即ち、脱硫剤細孔中に物
理的に存在するR20は、排ガス温度。
よって異なり、排ガス温度が高いとH2SO4・%H2
0の水分割合は少す<、排ガス中のT(、O濃度が高い
場合には水分割合は高くなる。即ち、脱硫剤細孔中に物
理的に存在するR20は、排ガス温度。
排ガス中のR20濃度に影響する。一般に脱硫剤に吸着
された希硫酸を不活性ガス雰囲気で加熱脱着すると以下
の反応で802. CO2−R20k生成する。
された希硫酸を不活性ガス雰囲気で加熱脱着すると以下
の反応で802. CO2−R20k生成する。
LC”十H2So 4・7LH20→±CO2+SO2
+(H20+%H鵞O)2 ・・・・・・・・・(1) 反応式中C※は固体のカーボンを示し、tLH20はn
分子の結晶水を示す。また、極少量のCOは次の脱着反
応によって生成する場合がある。
+(H20+%H鵞O)2 ・・・・・・・・・(1) 反応式中C※は固体のカーボンを示し、tLH20はn
分子の結晶水を示す。また、極少量のCOは次の脱着反
応によって生成する場合がある。
C※+H2SQ 4− R1(20−+ C0−1−8
o 2 +(HzO+%H20) −−(2)次に加熱
脱着により生成した、CO2,5O2−R20および若
干のCOは、カーボン(石炭を乾留した乾留炭)と接触
反応を行なわせる。この時の反応温度は石炭種、乾留条
件によって得られる乾留炭の特性によって異なるもので
あるが、平均的には700 ’C〜850℃の温度が選
択される。
o 2 +(HzO+%H20) −−(2)次に加熱
脱着により生成した、CO2,5O2−R20および若
干のCOは、カーボン(石炭を乾留した乾留炭)と接触
反応を行なわせる。この時の反応温度は石炭種、乾留条
件によって得られる乾留炭の特性によって異なるもので
あるが、平均的には700 ’C〜850℃の温度が選
択される。
8O2還元塔での主反応は。
20些=SO1→C−8+CO2・・・・・・・・・・
・・(3)c−s+so2→S2+CO! ・・・
・・・・・・・・・ (4)であり1反応式中C−3は
カーボン表面に化学吸着した硫黄化合物を意味している
。さらにS2への還元を抑制する副反応は 永 C+H2O−+H2+ Co ・・・・・・・・・・
・・・・・(5)CO+H20→H2+CO2・・・・
・・・・・・・・・・・(6)lh+/S2→H2S
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ (7
)(5)〜(7)の反応式で示すように脱着ガス中のR
20は乾留炭中のカーボンと反応して■、とCOを生成
し、さらIccOとR20のシフト反応によってR2と
co2’l生成する。このとき、SO2の還元で生成し
たS!と(5)および(6)の反応によって生成したH
!とが反応し、H2Sとなる。
・・(3)c−s+so2→S2+CO! ・・・
・・・・・・・・・ (4)であり1反応式中C−3は
カーボン表面に化学吸着した硫黄化合物を意味している
。さらにS2への還元を抑制する副反応は 永 C+H2O−+H2+ Co ・・・・・・・・・・
・・・・・(5)CO+H20→H2+CO2・・・・
・・・・・・・・・・・(6)lh+/S2→H2S
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ (7
)(5)〜(7)の反応式で示すように脱着ガス中のR
20は乾留炭中のカーボンと反応して■、とCOを生成
し、さらIccOとR20のシフト反応によってR2と
co2’l生成する。このとき、SO2の還元で生成し
たS!と(5)および(6)の反応によって生成したH
!とが反応し、H2Sとなる。
本発明において、 so2還元塔におけるR2の生成を
抑制り、H2+’ 82→H2Sの副反応を低下させる
ために脱着ガス中のHIO’i低減させるものである。
抑制り、H2+’ 82→H2Sの副反応を低下させる
ために脱着ガス中のHIO’i低減させるものである。
第1図は、硫黄酸化物を吸着した脱硫剤の加熱温度に対
する脱離速度を示す。第1図において。
する脱離速度を示す。第1図において。
加熱温度50℃付近から180°Cでの脱離速度のピー
クAでは脱硫剤中の水分の脱離を示し、200℃から4
50℃に発生する脱離速度のピークBけH2SO4の分
解反応によるものである。さらに650℃付近にある脱
離速度のピークCは、脱硫剤表面の表面酸化物の脱離で
ある。
クAでは脱硫剤中の水分の脱離を示し、200℃から4
50℃に発生する脱離速度のピークBけH2SO4の分
解反応によるものである。さらに650℃付近にある脱
離速度のピークCは、脱硫剤表面の表面酸化物の脱離で
ある。
したがって第1図の結果から、硫黄酸化物を吸着した脱
硫剤を温度200℃以下(望捷しくは200°C領域)
で保持し1発生するガスを加熱脱着系外に抜き、その後
脱硫剤を200℃より K <5008C以下(望1し
くけ450℃から500℃)に加熱し発生するガスをカ
ーボンと接触反応させSO2’Th還元するようにすれ
ば、カーボンと接触反応させるガス中からH2O1除去
できるので1(20に起因する副反応を抑制し、S02
→S2の還元率を高めることができる。
硫剤を温度200℃以下(望捷しくは200°C領域)
で保持し1発生するガスを加熱脱着系外に抜き、その後
脱硫剤を200℃より K <5008C以下(望1し
くけ450℃から500℃)に加熱し発生するガスをカ
ーボンと接触反応させSO2’Th還元するようにすれ
ば、カーボンと接触反応させるガス中からH2O1除去
できるので1(20に起因する副反応を抑制し、S02
→S2の還元率を高めることができる。
次に第2図によって本発明の一実施例を説明する。
吸着塔100には、硫黄酸化物を含む排ガスlが流れ4
と合流し、流れ2となって導入される。
と合流し、流れ2となって導入される。
吸着塔100において、排ガス中の硫黄酸化物は脱硫剤
に吸着除去され、硫黄酸化物が除去された排ガスd:吸
着塔100から流ね、3となる。硫黄酸化物を吸着した
脱硫剤8は、脱着塔101.102.103において加
熱脱着再生が連続的に行れる。
に吸着除去され、硫黄酸化物が除去された排ガスd:吸
着塔100から流ね、3となる。硫黄酸化物を吸着した
脱硫剤8は、脱着塔101.102.103において加
熱脱着再生が連続的に行れる。
脱着塔101では温度200℃以下、望ましくは200
℃領域に保持し、ここで発生するガス5は流れ4として
直接吸着塔入口排ガスに合流させるか、あるいは冷却器
104で部分的に凝縮し、水13を回収した後、未凝縮
性ガスを流れ4として吸着塔入口側に戻すこともできる
。脱硫剤8は温度200℃以下で加熱した後、脱硫剤9
は脱着塔102に導びき、ここでは温度200℃よりも
高く500℃以下、望ましくは450°C〜500℃で
加熱し発生するガス6は直接SO2還元塔に導びきカー
ボンと反応させる。再生脱硫剤lOは脱着塔]03で任
意の温度捷で冷却し、系外から補給する脱硫剤12と合
流し、流れ7となって吸着塔iooに戻される。
℃領域に保持し、ここで発生するガス5は流れ4として
直接吸着塔入口排ガスに合流させるか、あるいは冷却器
104で部分的に凝縮し、水13を回収した後、未凝縮
性ガスを流れ4として吸着塔入口側に戻すこともできる
。脱硫剤8は温度200℃以下で加熱した後、脱硫剤9
は脱着塔102に導びき、ここでは温度200℃よりも
高く500℃以下、望ましくは450°C〜500℃で
加熱し発生するガス6は直接SO2還元塔に導びきカー
ボンと反応させる。再生脱硫剤lOは脱着塔]03で任
意の温度捷で冷却し、系外から補給する脱硫剤12と合
流し、流れ7となって吸着塔iooに戻される。
ここで脱着塔101102.103は一塔の移動層から
なり、予備加熱(200℃以下)、加熱(200℃より
も高く500℃以下)および冷却の各処理が連続的に行
なわれる。
なり、予備加熱(200℃以下)、加熱(200℃より
も高く500℃以下)および冷却の各処理が連続的に行
なわれる。
第3図は第2図の移動層脱着塔における加熱脱着を行っ
た際の塔内温度分布を示す。移動層脱着塔の上部に供給
された硫黄酸化物を吸着した脱硫剤は間接加熱により徐
々に昇温され、温度200°′C領域から発生するガス
5Aを加熱脱着系外に抜き出し、吸着塔入口の排ガスに
合流させる。脱硫剤はその後に徐々に加熱し、500℃
領域から発生するガス6Aを抜き、SO2還元塔に供給
する。
た際の塔内温度分布を示す。移動層脱着塔の上部に供給
された硫黄酸化物を吸着した脱硫剤は間接加熱により徐
々に昇温され、温度200°′C領域から発生するガス
5Aを加熱脱着系外に抜き出し、吸着塔入口の排ガスに
合流させる。脱硫剤はその後に徐々に加熱し、500℃
領域から発生するガス6Aを抜き、SO2還元塔に供給
する。
脱硫剤は次に冷却し、吸着塔に戻される。
以上のよう((本発明によれば、硫黄酸化物を吸着した
脱硫剤を加熱脱着再生し1発生するガスをカーボンと接
触反応させ1元素状硫黄を回収する際、ガス中の水分割
合を少なくすることによってH2と生成S2との副反応
を抑制することができるのでSO2の82への還元率を
高めることができる。
脱硫剤を加熱脱着再生し1発生するガスをカーボンと接
触反応させ1元素状硫黄を回収する際、ガス中の水分割
合を少なくすることによってH2と生成S2との副反応
を抑制することができるのでSO2の82への還元率を
高めることができる。
第1図は硫黄酸化物を吸着した脱硫剤の加熱温度と脱離
速度との関係を示す図、第2図は本発明(9) の一実施例を示すフロー図、第3図は第2図の移動層型
脱着塔内の温度分布と脱着ガスの抜き出し位置を示す図
である。 】・・排ガス、5・・・脱着ガス、6・・・脱着ガス、
8・・・脱硫剤(硫黄酸化物全吸着]、12・・補給脱
硫剤、100・・・吸着塔、101102.103・・
・脱着塔、104・・・冷却器。 代理人 鵜 沼 辰 之 C10) 第2図 12 144− 第3図 R殺乏制壜崖 (6C)
速度との関係を示す図、第2図は本発明(9) の一実施例を示すフロー図、第3図は第2図の移動層型
脱着塔内の温度分布と脱着ガスの抜き出し位置を示す図
である。 】・・排ガス、5・・・脱着ガス、6・・・脱着ガス、
8・・・脱硫剤(硫黄酸化物全吸着]、12・・補給脱
硫剤、100・・・吸着塔、101102.103・・
・脱着塔、104・・・冷却器。 代理人 鵜 沼 辰 之 C10) 第2図 12 144− 第3図 R殺乏制壜崖 (6C)
Claims (4)
- (1)排ガス中の硫黄酸化物を吸着した脱硫剤を加熱脱
着再生し、発生する脱着ガス全カーボンと接触反応させ
一部元素状硫黄として回収する乾式排煙脱硫法において
、硫黄酸化物を吸着した脱硫200℃よりも高< 50
0 ’C以下の温度で加熱し。 ここで発生したガスをカーボンと接触反応させ元素状硫
黄を回収することを特徴とする乾式排煙脱硫法。 - (2)脱硫剤を200℃以下の温度で加熱して発生した
ガスを吸着塔入口の排ガスに合流させることを特徴とす
る特許請求の範囲第(1)項記載の乾式%式% - (3)硫黄酸化物を吸着した脱硫剤を200 ℃以下の
温度での第1の加熱処理、および200 ℃よりも高く
500℃以下の温度での第2の加熱処理後、冷却処理し
て吸着塔に戻すことを特徴とする特許請求の範囲第(1
)項記載の乾式排煙脱硫法。 - (4)第1の加熱処理、第2の加熱処理および冷却処理
を一部の移動層により連続して行うようにしたことを特
徴とする特許請求の範囲第(3)項記載の乾式排煙脱硫
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57145106A JPS5936527A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 乾式排煙脱硫法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57145106A JPS5936527A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 乾式排煙脱硫法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5936527A true JPS5936527A (ja) | 1984-02-28 |
Family
ID=15377512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57145106A Pending JPS5936527A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 乾式排煙脱硫法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5936527A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS617585A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-14 | タニカ電器株式会社 | 家庭用電熱器具の防水構造 |
-
1982
- 1982-08-20 JP JP57145106A patent/JPS5936527A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS617585A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-14 | タニカ電器株式会社 | 家庭用電熱器具の防水構造 |
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