JPS5935482B2 - 誘電体薄膜の製造方法 - Google Patents
誘電体薄膜の製造方法Info
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- JPS5935482B2 JPS5935482B2 JP51145866A JP14586676A JPS5935482B2 JP S5935482 B2 JPS5935482 B2 JP S5935482B2 JP 51145866 A JP51145866 A JP 51145866A JP 14586676 A JP14586676 A JP 14586676A JP S5935482 B2 JPS5935482 B2 JP S5935482B2
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/0009—Materials therefor
- G02F1/0018—Electro-optical materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
-
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- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電気光学効果を利用する光変調素子、表示装
置、或いは表面波伝播媒体等に用いて好適な誘電体薄膜
の製造方法に係わる。
置、或いは表面波伝播媒体等に用いて好適な誘電体薄膜
の製造方法に係わる。
電気光学効果を利用する誘電体としては、例えばビスマ
ス−珪素酸化物、ビスマス−ゲルマニウム酸化物の各結
晶を引上法によつて得るものがあるが、この結晶は光照
射による電気伝導度即ち光伝導性が大きいために電界印
加が阻害され、又、十分大なる面積のものが得られない
。
ス−珪素酸化物、ビスマス−ゲルマニウム酸化物の各結
晶を引上法によつて得るものがあるが、この結晶は光照
射による電気伝導度即ち光伝導性が大きいために電界印
加が阻害され、又、十分大なる面積のものが得られない
。
そして、光伝導性の小さい電気光学結晶として、特願昭
４９−２９９３１号（特開昭５０一１３０４６６号）に
おいて提案された。
４９−２９９３１号（特開昭５０一１３０４６６号）に
おいて提案された。
しかしながら、これも十分大面積の結晶を得難いもので
ある。本発明は、光伝導性が小さく、結晶性に優れた誘
電体薄膜を大面積に形成することができる新規な誘電体
薄膜の製造方法を提供せんとするものである。
ある。本発明は、光伝導性が小さく、結晶性に優れた誘
電体薄膜を大面積に形成することができる新規な誘電体
薄膜の製造方法を提供せんとするものである。
即ち、本発明においては、Ｂｉ４２ＧｅＯ４２より成る
単結晶基体上に、液相エピタキシャル法によつて、Ｃａ
Ｏ、ＭｇＯ、ＢａＯ、Ｓｒ０のうちの少くとも１つと、
Ｇａ２ｏ３がドープされたＢｉ１２Ｇｅ０２０より成る
誘電体薄膜を生長させる。
単結晶基体上に、液相エピタキシャル法によつて、Ｃａ
Ｏ、ＭｇＯ、ＢａＯ、Ｓｒ０のうちの少くとも１つと、
Ｇａ２ｏ３がドープされたＢｉ１２Ｇｅ０２０より成る
誘電体薄膜を生長させる。
以下、本発明を詳細に説明するに、本発明においては、
Ｂｉ２０３−Ｇｅ０２−（Ｙ＋ＸＧａ２０３）の擬３成
分系の融液（但し、ＹはＣａＯ、ＭｇＯ、ＢａＯ、Ｓｒ
０のうちの少くとも１つ）を用意する。
Ｂｉ２０３−Ｇｅ０２−（Ｙ＋ＸＧａ２０３）の擬３成
分系の融液（但し、ＹはＣａＯ、ＭｇＯ、ＢａＯ、Ｓｒ
０のうちの少くとも１つ）を用意する。
そして、この融液の組成を特定する。即ち、第１図に示
すＢｉ２０３−Ｇｅ０２−Ｙの３元図において３つの点
Ａ、Ｂ及びＣを互に結ぷ３角形で示される範囲内にその
組成を選定する。第１図の３元図は、ＹとしてＣａ０を
用いた場合で、このＣａ０に対してＧａ２ｏ３を０．０
５から５．０モル添加する。即ち、ｘの値を０．０５＜
Ｘ＜５．０に選定する。ここに、各Ａ、Ｂ及びＣの点は
、各成分の比（モル比）Ｂｉ２０３：Ｇｅ０２：Ｙ（即
ちＣａ０）が夫々、０．７６０：０．００２：０．２３
８、０．９９４■０．００２：０．０（）４、及び０．
７６：０．２３６■０．００４なる組成を示す点である
。そして、このような組成を有し加熱熔融された液をＢ
ｉ１２Ｇｅ０２０より成る単結晶基体上に接触させて液
相エピタキシャルを行う。
すＢｉ２０３−Ｇｅ０２−Ｙの３元図において３つの点
Ａ、Ｂ及びＣを互に結ぷ３角形で示される範囲内にその
組成を選定する。第１図の３元図は、ＹとしてＣａ０を
用いた場合で、このＣａ０に対してＧａ２ｏ３を０．０
５から５．０モル添加する。即ち、ｘの値を０．０５＜
Ｘ＜５．０に選定する。ここに、各Ａ、Ｂ及びＣの点は
、各成分の比（モル比）Ｂｉ２０３：Ｇｅ０２：Ｙ（即
ちＣａ０）が夫々、０．７６０：０．００２：０．２３
８、０．９９４■０．００２：０．０（）４、及び０．
７６：０．２３６■０．００４なる組成を示す点である
。そして、このような組成を有し加熱熔融された液をＢ
ｉ１２Ｇｅ０２０より成る単結晶基体上に接触させて液
相エピタキシャルを行う。
尚、上述したように、本発明において各成分Ｂｉ２０３
、ＧｅＯ２、ＹをＡ、Ｂ、Ｃの各点で結ぷ範囲内に選定
する理由の詳細は後述するが、この範囲を規定するＡ−
Ｂ線及びＡ−Ｃ線より外側の範囲では、この組成の融液
を用いて成長させた誘電体薄膜に異相が生じてくること
、又、Ｂ−Ｃ線より外側の範囲では、析出温度が高くな
り過ぎることと、成長速度が早く厚さの制御が困難にな
つてくることによつて、上述のＡ，Ｂ，Ｃの各点を結ぶ
範囲に規定する。
、ＧｅＯ２、ＹをＡ、Ｂ、Ｃの各点で結ぷ範囲内に選定
する理由の詳細は後述するが、この範囲を規定するＡ−
Ｂ線及びＡ−Ｃ線より外側の範囲では、この組成の融液
を用いて成長させた誘電体薄膜に異相が生じてくること
、又、Ｂ−Ｃ線より外側の範囲では、析出温度が高くな
り過ぎることと、成長速度が早く厚さの制御が困難にな
つてくることによつて、上述のＡ，Ｂ，Ｃの各点を結ぶ
範囲に規定する。
次に本発明の実施例を説明する。
実施例 １
０．８２Ｂ１２０３●０．０５Ｇｅ０２●０．１３Ｃａ
０●０．０１９５Ｇａ２０３の組成に各出発原料を混合
し、之を容積２０αの白金るつぼに収容し、之が十分熔
け得る温度の９２０℃に昇温し、１時間保持して之を溶
融させた後、この溶液を徐々に温度を下げて、先ずその
析出温度Ｔｓは８６５℃となつた。
０●０．０１９５Ｇａ２０３の組成に各出発原料を混合
し、之を容積２０αの白金るつぼに収容し、之が十分熔
け得る温度の９２０℃に昇温し、１時間保持して之を溶
融させた後、この溶液を徐々に温度を下げて、先ずその
析出温度Ｔｓは８６５℃となつた。
尚、この析出温度の測定は、溶融液中にＢｉｌ２ＧｅＯ
２Ｏの結晶片を浸して、之に析出が生じ始める温度を測
定した。
２Ｏの結晶片を浸して、之に析出が生じ始める温度を測
定した。
次に、成長速度が約０．６μｍ／分となるように過冷却
度△Ｔを０．９℃に選びエピタキシヤル成長時の温度Ｔ
。を、ＴＯ＝Ｔｓ−△Ｔ＝（８６５−０．９）℃：８６
Ａ．１℃に設定する。即ち、加熱炉中で、上記組成の融
液を８６４．１℃に保持し、之にＢｉｌ２ＧｅＯ２Ｏ基
体を浸漬した。そして、１０分後に基体を引上げたこの
時、基体上に６μｍの厚さで、表面性の良い誘電体薄膜
、即ちＣａとＧａがドープされたＢｉ，２ＧｅＯ２Ｏの
エピタキシヤル薄膜が形成された。これを試料１とする
。ここに、過冷却度△Ｔと、エピタキシヤル成長速度の
関係は、第２図に示すようにその成長速度は、過冷却度
△Ｔに比例して、△Ｔの増大に伴つて、直線的に増加す
るものであるので、過冷却度を適当に選定することによ
つて所望のエピタキシヤル成長速度の選定ができる。
度△Ｔを０．９℃に選びエピタキシヤル成長時の温度Ｔ
。を、ＴＯ＝Ｔｓ−△Ｔ＝（８６５−０．９）℃：８６
Ａ．１℃に設定する。即ち、加熱炉中で、上記組成の融
液を８６４．１℃に保持し、之にＢｉｌ２ＧｅＯ２Ｏ基
体を浸漬した。そして、１０分後に基体を引上げたこの
時、基体上に６μｍの厚さで、表面性の良い誘電体薄膜
、即ちＣａとＧａがドープされたＢｉ，２ＧｅＯ２Ｏの
エピタキシヤル薄膜が形成された。これを試料１とする
。ここに、過冷却度△Ｔと、エピタキシヤル成長速度の
関係は、第２図に示すようにその成長速度は、過冷却度
△Ｔに比例して、△Ｔの増大に伴つて、直線的に増加す
るものであるので、過冷却度を適当に選定することによ
つて所望のエピタキシヤル成長速度の選定ができる。
実施例１によつて得た試料１と、実施例１と同様の方法
によるも、その組成を夫々変えた場合の各例の薄膜を試
料２〜８として、その組成と、析出温度Ｔｓと、過冷却
度１℃当りのエピタキシヤル成長速度Ｖｓと、光照射時
の電流値１とを夫々表１に列記する。
によるも、その組成を夫々変えた場合の各例の薄膜を試
料２〜８として、その組成と、析出温度Ｔｓと、過冷却
度１℃当りのエピタキシヤル成長速度Ｖｓと、光照射時
の電流値１とを夫々表１に列記する。
この場合の電流値１は光源として白熱電球を用い、各試
料のエピタキシヤル薄膜上の一定距離の２点間に２７０
Ｖの直流電圧を印加した場合の値である。尚、同表に比
較のために比較例１として本発明による組成の範囲外の
例を挙げたが、この場合は異相が生じた。又、比較例２
として添加物を含まないビスマス−ゲルマニウム酸化物
薄膜の例を挙げた。之等試料Ｊｆ）．１〜８の各組成は
、第１図の３元図４の符号１〜８で夫々示す組成であり
、比較例１は、同図中に符号９で示す組成である。
料のエピタキシヤル薄膜上の一定距離の２点間に２７０
Ｖの直流電圧を印加した場合の値である。尚、同表に比
較のために比較例１として本発明による組成の範囲外の
例を挙げたが、この場合は異相が生じた。又、比較例２
として添加物を含まないビスマス−ゲルマニウム酸化物
薄膜の例を挙げた。之等試料Ｊｆ）．１〜８の各組成は
、第１図の３元図４の符号１〜８で夫々示す組成であり
、比較例１は、同図中に符号９で示す組成である。
そして、これら融液組成において、析出温度Ｔｓと成長
速度Ｖｓ（／△Ｔ）との関係をみると第４図に示す如く
なり、析出温度の高い組成のものほど、成長速度が早く
なることがわかる。
速度Ｖｓ（／△Ｔ）との関係をみると第４図に示す如く
なり、析出温度の高い組成のものほど、成長速度が早く
なることがわかる。
そして、この成長速度は、これが余り早いと、エピタキ
シヤル薄膜層の厚さの制御が困難となつてくる。又、析
出温度が余り高いと、成長時の温度がＢｉｌ２ＧｅＯ２
Ｏの融点に近づいてくることによつて基本を熔かすこと
がないようにこの温度の設定を行う必要が生じ高い精度
の温度制御が必要となつてくるなどの欠点を招来する。
第４図は、ＧｅＯ２の量を０．０５モルに設定し、他の
２成分のＢｉ２Ｏ３及びＣａＯ＋ＸＧａ２Ｏ３の量を変
えた時の析出温度Ｔ８の変化を示すものでこれよりＢｉ
２Ｏ３の増加に伴い、析出温度がほぼ直線的に高くなつ
ている。即ち、Ｂｉ２Ｏ３の量が余り多くなるとその析
出温度が高くなり過ぎ、厚さの制御及び温度制御に高精
度が要求されてくるものである。又．逆にＣａＯ量が余
り多いと比較例１のように異相の析出が生じてくる。一
方、表１より明らかなように、本発明製法によつて得た
各試料の光照射時の電流値はＹがドープされていない比
較例２にくらべて可成り抑制されているが、試料５の例
では、１桁程度の抑制である。これは、ＣａＯの添加量
が余り少いと、ＣａＯの析出が少なく光伝導性の抑制が
小さくなつてくるためと思われる。これらに、第１図の
３元図においてＢ−Ｃ線よりＡ，Ｂ，Ｃによる３角形内
にその範囲を規定する所以がある。又、第１図のＡ，Ｂ
，Ｃによる３角形のＡ−Ｂ線及びＡ−Ｃ線の規定は、上
述したように比較例１では異相の析出があつてエピタキ
シヤルの育成が不可能であり、又、ＣａＯ量を一定（０
．０６モル）としてＢｉ２Ｏ３とＧｅＯ２量を変化させ
たときの析出温度の関係は、第５図に示す如く試料２を
挟んでそのＢｉ２Ｏ３の量が増加又は減少してもその析
出温度Ｔｓが上つてくることによる。
シヤル薄膜層の厚さの制御が困難となつてくる。又、析
出温度が余り高いと、成長時の温度がＢｉｌ２ＧｅＯ２
Ｏの融点に近づいてくることによつて基本を熔かすこと
がないようにこの温度の設定を行う必要が生じ高い精度
の温度制御が必要となつてくるなどの欠点を招来する。
第４図は、ＧｅＯ２の量を０．０５モルに設定し、他の
２成分のＢｉ２Ｏ３及びＣａＯ＋ＸＧａ２Ｏ３の量を変
えた時の析出温度Ｔ８の変化を示すものでこれよりＢｉ
２Ｏ３の増加に伴い、析出温度がほぼ直線的に高くなつ
ている。即ち、Ｂｉ２Ｏ３の量が余り多くなるとその析
出温度が高くなり過ぎ、厚さの制御及び温度制御に高精
度が要求されてくるものである。又．逆にＣａＯ量が余
り多いと比較例１のように異相の析出が生じてくる。一
方、表１より明らかなように、本発明製法によつて得た
各試料の光照射時の電流値はＹがドープされていない比
較例２にくらべて可成り抑制されているが、試料５の例
では、１桁程度の抑制である。これは、ＣａＯの添加量
が余り少いと、ＣａＯの析出が少なく光伝導性の抑制が
小さくなつてくるためと思われる。これらに、第１図の
３元図においてＢ−Ｃ線よりＡ，Ｂ，Ｃによる３角形内
にその範囲を規定する所以がある。又、第１図のＡ，Ｂ
，Ｃによる３角形のＡ−Ｂ線及びＡ−Ｃ線の規定は、上
述したように比較例１では異相の析出があつてエピタキ
シヤルの育成が不可能であり、又、ＣａＯ量を一定（０
．０６モル）としてＢｉ２Ｏ３とＧｅＯ２量を変化させ
たときの析出温度の関係は、第５図に示す如く試料２を
挟んでそのＢｉ２Ｏ３の量が増加又は減少してもその析
出温度Ｔｓが上つてくることによる。
又、ＣａＯに対するＧａ２Ｏ３の添加量ｘ（モル）を０
．０５〈ｘ〈５に規定する理由は、光伝導性の抑制の効
果において、この範囲が好適であることを確めたことに
因る。
．０５〈ｘ〈５に規定する理由は、光伝導性の抑制の効
果において、この範囲が好適であることを確めたことに
因る。
尚、上述の本発明方法によつて得たエピタキシヤル薄膜
は、上記組成の範囲でＣａの場合、粉末Ｘ線回析により
、Ｂｉｌ２ＧｅＯ２Ｏとの格子定数の不整合は１０−５
程度であることを確めた。
は、上記組成の範囲でＣａの場合、粉末Ｘ線回析により
、Ｂｉｌ２ＧｅＯ２Ｏとの格子定数の不整合は１０−５
程度であることを確めた。
そして、ＹとしてＭｇＯ，ＢａＯ，ＳｒＯを用いる場合
においても、そのＭｇ，Ｓｒ，Ｂａの結晶中に含まれる
量は極めて小であるのでＣａの場合とほぼ同等にその格
子定数の不整合を抑えることができる。そして、Ｙとし
てＭｇＯ，ＢａＯ，ＳｒＯを用いた場合も、充分に光伝
導性が抑制されることを確めた。上述した本発明によれ
ば、光伝導性が小さく且つ結晶性の良い誘電体薄膜をエ
ピタキシヤル生長によつて得るので、広面積の誘電体薄
膜を得ることができ表示装置を始めとして各種用途に利
用でき、その実益は大である。
においても、そのＭｇ，Ｓｒ，Ｂａの結晶中に含まれる
量は極めて小であるのでＣａの場合とほぼ同等にその格
子定数の不整合を抑えることができる。そして、Ｙとし
てＭｇＯ，ＢａＯ，ＳｒＯを用いた場合も、充分に光伝
導性が抑制されることを確めた。上述した本発明によれ
ば、光伝導性が小さく且つ結晶性の良い誘電体薄膜をエ
ピタキシヤル生長によつて得るので、広面積の誘電体薄
膜を得ることができ表示装置を始めとして各種用途に利
用でき、その実益は大である。
第１図は本発明製法の組成範囲を示すためのＢｌ２Ｏ３
−ＧｅＯ２−（Ｙ＋ＸＧａ２Ｏ３）の擬３成分系の３元
図、第２図は本発明の説明に供する過冷却度一成長速度
の関係を示す曲線図、第３図は同様の析出温度一成長速
度の関係を示す曲線図、第４図は同様のＢｉ２Ｏ３量と
析出温度の関係を示す曲線図、第５図は同様のＢｉ２Ｏ
３量と析出温度の関係を示す曲線図である。
−ＧｅＯ２−（Ｙ＋ＸＧａ２Ｏ３）の擬３成分系の３元
図、第２図は本発明の説明に供する過冷却度一成長速度
の関係を示す曲線図、第３図は同様の析出温度一成長速
度の関係を示す曲線図、第４図は同様のＢｉ２Ｏ３量と
析出温度の関係を示す曲線図、第５図は同様のＢｉ２Ｏ
３量と析出温度の関係を示す曲線図である。
Claims (1)
- １ Ｂｉ＿２Ｏ＿３−ＧｅＯ＿２−（Ｙ＋ｘＧａ＿２Ｏ
＿３）の擬３成分系（但し、ＹはＣａＯ、ＢａＯ、Ｓｒ
Ｏのうちの少くとも１つ）で、そのＢｉ＿２Ｏ＿３と、
ＧｅＯ＿２と、Ｙとの３元図において、Ｂｉ＿２Ｏ＿３
：ＧｅＯ＿２：Ｙ（モル比）が、０．７６０：０．００
２：０．２３８なるＡ点と、０．９９４：０．００２：
０．００４なるＢ点と、０．７６：０．２３６：０．０
０４なるＣ点との３点を結ぶ範囲で囲まれ、上記ｘが０
．０５＜ｘ＜５．０なる組成の熔融液を用いてＢｉ＿１
＿２ＧｅＯ＿２＿０基体上に誘電体薄膜をエピタキシャ
ル成長させることを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51145866A JPS5935482B2 (ja) | 1976-12-03 | 1976-12-03 | 誘電体薄膜の製造方法 |
| CA291,959A CA1089114A (en) | 1976-12-03 | 1977-11-29 | Method of producing a dielectric of two-layer construction |
| FR7736175A FR2373160A1 (fr) | 1976-12-03 | 1977-11-30 | Procede de fabrication d'une couche dielectrique |
| US05/856,269 US4235663A (en) | 1976-12-03 | 1977-12-01 | Method of producing a dielectric of two-layer construction |
| DE2753787A DE2753787C2 (de) | 1976-12-03 | 1977-12-02 | Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Kristallschicht auf einem Bi↓1↓↓2↓GeO↓2↓↓0↓-Einkristall-Substrat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51145866A JPS5935482B2 (ja) | 1976-12-03 | 1976-12-03 | 誘電体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5370398A JPS5370398A (en) | 1978-06-22 |
| JPS5935482B2 true JPS5935482B2 (ja) | 1984-08-29 |
Family
ID=15394860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51145866A Expired JPS5935482B2 (ja) | 1976-12-03 | 1976-12-03 | 誘電体薄膜の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4235663A (ja) |
| JP (1) | JPS5935482B2 (ja) |
| CA (1) | CA1089114A (ja) |
| DE (1) | DE2753787C2 (ja) |
| FR (1) | FR2373160A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6126779U (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-18 | 松下電工株式会社 | 簡易据え置き便器 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6217099A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-26 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | ビスマス含有酸化物単結晶の製造方法 |
| KR100603354B1 (ko) * | 2004-06-26 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | Pdp 보호막 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 pdp 보호막, 보호막의 제조방법, 및 이를 채용한 pdp |
| CN110992853B (zh) * | 2019-11-19 | 2021-03-12 | 西安交通大学 | 一种发光水晶字的制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4092208A (en) * | 1974-11-27 | 1978-05-30 | U.S. Philips Corporation | Method of growing single crystals of rare earth metal iron garnet materials |
| JPS5738560B2 (ja) * | 1975-02-24 | 1982-08-16 |
-
1976
- 1976-12-03 JP JP51145866A patent/JPS5935482B2/ja not_active Expired
-
1977
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- 1977-12-02 DE DE2753787A patent/DE2753787C2/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6126779U (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-18 | 松下電工株式会社 | 簡易据え置き便器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2753787A1 (de) | 1978-06-15 |
| US4235663A (en) | 1980-11-25 |
| FR2373160A1 (fr) | 1978-06-30 |
| CA1089114A (en) | 1980-11-04 |
| DE2753787C2 (de) | 1983-11-10 |
| JPS5370398A (en) | 1978-06-22 |
| FR2373160B1 (ja) | 1981-02-06 |
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