JPS5933242B2 - サ−ミスタ用酸化物半導体材料の製造方法 - Google Patents

サ−ミスタ用酸化物半導体材料の製造方法

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JPS5933242B2
JPS5933242B2 JP16294979A JP16294979A JPS5933242B2 JP S5933242 B2 JPS5933242 B2 JP S5933242B2 JP 16294979 A JP16294979 A JP 16294979A JP 16294979 A JP16294979 A JP 16294979A JP S5933242 B2 JPS5933242 B2 JP S5933242B2
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JP
Japan
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manufacturing
oxide semiconductor
thermistor
atomic percent
semiconductor material
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JP16294979A
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JPS5685801A (en
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拓興 畑
嘉浩 松尾
孝之 黒田
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、酸化マンガンを主成分とし、特に酸化ジルコ
ニウムを含有することを特徴とした負の抵抗温度係数を
有するサーミスタ用酸化物半導体材料の製造方法に関す
るものである。
従来、負の抵抗温度係数を有する市販の汎用サーミスタ
材料の製造方法は、他のセラミックスの製造工程同様、
湿式混合・仮焼・湿式粉砕が一般的である。
また、不純物の混入を極度に嫌う場合には、溶液での混
合が用いられる。
上記湿式混合および湿式粉砕に使用される玉石はメノウ
玉石が一般的である。
また、酸化ジルコニウムを含有し、酸化マンガンを主成
分とするサーミスタ用酸化物組成としては、Ｍｎ −Ｚ
ｒ系、Ｃｏ−Ｚｒ系、Ｎｉ−Ｚｒ系、Ｎｉ−Ｚｒ、Ｃ
ｕ−Ｚｒ系の２成分系がよく知られている（ｅ！３日立
製作所、中央研究所創立二手周年記念論文集、Ｐ３０〜
４６、昭和３７年）。
本発明は、Ｍｎ−Ｎｉスピネルに酸化銅を含有させるこ
とにより比抵抗をコントロールし、しかも酸化ジルコニ
ウム含有効果として常温比抵抗のわりにＢ定数が大きく
、安定しているＭ ｎ −Ｎ １−Ｃｕ−Ｚｒ系の４成
分系酸化部材料の製造方法で、ジルコニアボールな玉石
として湿式混合・湿式粉砕を行い、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｃｕ系
材料にＺｒをジルコニアボールからの摩耗により添加す
る事を特徴とする。
以下、実施例を挙げて説明する。
市販の原料ＭｎＣＯ３＠ＮｉＯおよびＣｕＯをＭｎ：Ｎ
ｉ ： Ｃｕ＝８０．０＝１７．２ ： ２．５原子
１になるように配合し、これを１１ｎｃｈ ｅｎｄ ｒ
ａｄｉｏｎｓ ｔｙｐｅ（アメリカ・ツートン社製）の
ジルコニアボールを玉石としてボールミルで混式混合し
、これらのスラリーを乾燥後、８００℃の温度で仮焼し
、これらの仮焼物を上記のボールミルで湿式粉砕混合を
行った。
こうして得られたスラリーを乾燥し、半導体材料を得る
。
ここで、粉砕条件を変える事により添加するＺｒ量をコ
ントロールできる。
下表にボールミルの回転数および粉砕時間を変えた場合
の焼結体としての最終組成比を示す。
最終組成比は、焼結体を螢光Ｘ線解析を行い求めた。
上記表に示すように、Ｚｒを含有させる系で、しかも微
量添加が必要な場合に最も適している。
従来のようにメノウ玉石を用いた場合には、玉石から５
ｉ０２・ＣａＯが混入し特性上に大きな影響を与え、製
造上の再現性にも乏した。
また、溶液法に転換するには設備面等の投資が必要であ
る。
以上のように本発明の製造方法を用いれば、従来通りの
設備を使用でき、且つ特性の再現性が得られる点で産業
上の効果は大きい。
また、請求の範囲の中で限定したサーミスタ゛組成の限
定理由は、既に市販されている汎用サーミ； スタの特
性値からくるものである。
すなわち、２５℃での実用抵抗率は１０Ω・ｃｍから１
犯・ｃｍの範囲、またＢ定数は１０００〜６０００°に
範囲である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 金属酸化物の焼結混合体において、その金属元素が
    マンガン９４．６〜５５原子％、ニッケル５〜２５原子
    チ、銅０．１〜１０原子チおよびジルコニウム０．３〜
    １０原子係の４種を合計１００原子係含有するサーミス
    タ用酸化物半導体を得るために、粉末製造工程でジルコ
    ニアボールを玉石とした湿式混合、湿式粉砕工程を行う
    ことを特徴とするサーミスタ用酸化物半導体材料の製造
    方法。
JP16294979A 1979-11-02 1979-12-14 サ−ミスタ用酸化物半導体材料の製造方法 Expired JPS5933242B2 (ja)

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JP2689251B2 (ja) * 1987-10-20 1997-12-10 昇 一ノ瀬 磁性流体の製造法

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