JPS5931018A - Method of producing metallized plastic film condenser - Google Patents
Method of producing metallized plastic film condenserInfo
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- JPS5931018A JPS5931018A JP14095182A JP14095182A JPS5931018A JP S5931018 A JPS5931018 A JP S5931018A JP 14095182 A JP14095182 A JP 14095182A JP 14095182 A JP14095182 A JP 14095182A JP S5931018 A JPS5931018 A JP S5931018A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属化ポリエチレンテレフタレートフィルムコ
ンデンサの製造方法に関するもので、プラスチックフィ
ルムコンデンサのチップ化及びプラスチックフィルムコ
ンデンサの耐熱性の向上を目的とするものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a metalized polyethylene terephthalate film capacitor, and is aimed at forming a plastic film capacitor into a chip and improving the heat resistance of the plastic film capacitor.
現在電子機器の小形化、薄形化および高密度化に伴い、
これに使用される電子部品のチップ化が進展しつつあり
、コンデンサの分野においては、すでにチップ形のセラ
ミックコンデンサや固体電解コンデンサなどが市場に出
され著しく普及している。しかしプラスチックフィルム
コンデンサは現時点においてまだ実用化されていない。Currently, as electronic devices become smaller, thinner, and more dense,
The electronic components used in these devices are becoming more and more chip-based, and in the field of capacitors, chip-shaped ceramic capacitors, solid electrolytic capacitors, and the like have already been put on the market and have become extremely popular. However, plastic film capacitors have not yet been put into practical use.
この主な理由は現在プラスチックフィルムコンデンサに
使用されている誘電体材料がポリエチレンテレフタレー
ト、ポリカーボネートおよびポリプロピレンなどの有機
高分子化合物であり、セラミックコンデンサやタンタル
コンデンサの誘電体を構成している無機または金属化合
物に比べて耐熱性が低いためチップ形コンデンサに要求
されるはんだ何時の耐熱性を充分に満足することができ
ないからである。又耐熱性の高いフィルムはあっても、
現状では甚だしく高価であり又3μm以下の厚さの薄膜
化が困難なために、この種のフィルムを使用して実用に
適した小形でしかも安価なチップ形コンデンサは一般化
されていない。すなわちこれまでにコンデンサ用として
各種のフィルムが市場に提供されてから長期間を経過し
ているにも拘らず未だにチップ形プラスチックフィルム
コンデンサが商品化されていないのが現状である。The main reason for this is that the dielectric materials currently used in plastic film capacitors are organic polymer compounds such as polyethylene terephthalate, polycarbonate, and polypropylene, whereas the dielectric materials used in ceramic capacitors and tantalum capacitors are inorganic or metallic compounds. This is because it cannot fully satisfy the heat resistance required for chip capacitors during soldering because its heat resistance is lower than that of capacitors. Also, even if there are films with high heat resistance,
At present, it is extremely expensive and it is difficult to reduce the film thickness to 3 μm or less, so small and inexpensive chip capacitors suitable for practical use using this type of film have not become popular. In other words, although a long period of time has passed since various films for capacitors have been provided on the market, the current situation is that chip-type plastic film capacitors have not yet been commercialized.
本発明は従来のプラスチックフィルムコンデンサに最も
多く使用されているポリエチレンテレフタレートフィル
ムを用い、製造工程中において、このフィルムに対し従
来と異なる高温度長時間を特徴とする熱処理を施して耐
熱性を大巾に改善することによりチップ形プラスチック
フィルムコンデンサの製品化を可能なら1〜めるもので
あり、又従来のリード線形金属化ポリエチレンテレフタ
レートフイルムコンデンザのはんだ耐熱性を一段と向上
させるものである。The present invention uses polyethylene terephthalate film, which is most commonly used in conventional plastic film capacitors, and during the manufacturing process, this film is subjected to a heat treatment characterized by high temperatures and long periods of time, which is different from conventional ones, to significantly improve heat resistance. The present invention aims to reduce the commercialization of chip-type plastic film capacitors by one step if possible, and further improves the soldering heat resistance of conventional lead linear metallized polyethylene terephthalate film capacitors.
従来のプラスチックフィルムコンデンサがチップ形状で
、はんだ耐熱性を満足できなかった主な理由は、フィル
ムの融点がはんだ耐熱性の試験温度に近いため、はんだ
耐熱性試験時にフィルムが軟化すると同時に著しい収縮
が起p、これによりフィルムに蒸着されている蒸着金属
と金属溶射によって加工されたリード線引出端面金属部
(メタリコン部)との接触が損なわれて電気的な接触不
良、すなわち誘電損失不良や断線不良が発生する外同じ
この収縮によシ、静電容量の著しい減少や絶縁不良が発
生するためである。The main reason why conventional plastic film capacitors are chip-shaped and cannot satisfy soldering heat resistance is that the melting point of the film is close to the soldering heat resistance test temperature, so the film softens and shrinks significantly during the soldering heat resistance test. As a result, the contact between the vapor-deposited metal on the film and the lead wire end face metal part (metallicon part) processed by metal spraying is impaired, resulting in poor electrical contact, that is, poor dielectric loss or disconnection. This is because this shrinkage causes a significant decrease in capacitance and poor insulation.
本発明者は上記不良の原因がフィルムの250°C前後
の高温における著しい熱収縮現象にあることに着目し、
このフィルムの高温時の熱収縮現象を除去または緩和さ
せる方法を種々研究した結果、適当な条件で熱処理を行
なうことが最も有効であるとの結論を得た。すなわち、
コンデンサの素子を160〜200℃の温度で、加熱時
間を種々変えて熱処理を行なった後、耐熱試験を行ない
素子の寸法変化、静電容量、誘電損失および絶縁抵抗等
の電気特性を調査した結果、それぞれの温度でその温度
に対応する所定の時間の熱処理を行なえば、耐熱性が著
しく改善され、従来不可能とされていた回路基板の上に
のせて250℃前後の炉の中を通すことによるリフロー
はんだ付の条件にも充分に耐えることを確認することが
できた。The inventors of the present invention focused on the fact that the cause of the above-mentioned defects is the remarkable thermal shrinkage phenomenon of the film at high temperatures of around 250°C,
As a result of various studies on methods for eliminating or mitigating the heat shrinkage phenomenon of this film at high temperatures, it was concluded that heat treatment under appropriate conditions is most effective. That is,
After heat-treating capacitor elements at temperatures between 160 and 200 degrees Celsius for various heating times, heat resistance tests were conducted to investigate electrical properties such as dimensional changes, capacitance, dielectric loss, and insulation resistance of the elements. If heat treatment is performed at each temperature for a predetermined period of time corresponding to that temperature, the heat resistance will be significantly improved, and it will now be possible to place it on a circuit board and pass it through a furnace at around 250 degrees Celsius, which was previously considered impossible. We were able to confirm that it could sufficiently withstand the conditions of reflow soldering.
更に前述の各種条件で熱処理を行なった素子のフィルム
の密度を測定した結果、熱処理条件、密度および耐熱性
との間に一定の関係があることが判明した。すなわち、
時間を一定にして温度を変えて熱処理を行なえば、温度
を高くする程密度は大きくなり、又温度を一定にして時
間を変えると時間を長くする程密度は大きくなる。そし
て密度は大きくなる程コンデンサとしての耐熱性は曳好
な結果を示す。すなわち、熱処理前のポリエチレンテレ
フタレートフィルムの密度は通常的1.40.!i’A
Iであるが、これを熱処理により密度を増加させていく
と1.405VcII附近から耐熱性の効果が現われ始
め、1409gA1!附近から更にその効果が顕著とな
る。Furthermore, as a result of measuring the density of the film of the element heat-treated under the various conditions described above, it was found that there is a certain relationship between heat treatment conditions, density, and heat resistance. That is,
If heat treatment is performed while keeping the time constant and changing the temperature, the higher the temperature, the higher the density will become.If the temperature is kept constant and the time is changed, the density will increase as the time gets longer. The higher the density, the better the heat resistance as a capacitor. That is, the density of polyethylene terephthalate film before heat treatment is usually 1.40. ! i'A
I, but when the density was increased by heat treatment, the effect of heat resistance began to appear around 1.405VcII, and it became 1409gA1! The effect becomes even more noticeable from nearby.
この理由は、フィルムの熱収縮率が密度と大きな関係を
もっているためと見做される。The reason for this is considered to be that the heat shrinkage rate of the film has a large relationship with the density.
然しなから、この密度を上げるために温度を上(5)
げていくとフィルムの酸化による熱劣化が起シ、物理的
な強度が低下するので温度に対してはある限界が存在す
る。空気中の場合時間にも関係するが200℃附近がそ
の限界となる。但し真空中の場合には酸化による熱劣化
が抑制されるため、更に温度を上げることができるが、
酸化以外の熱劣化が起る外、熱変形も起シ始めるので2
30℃附近がその限界となる。そして、それらの条件を
組合せ実用可能な範囲での最高の熱処理を行なった場合
フィルムの密度は1.+2o1/cr&であった。従っ
てポリエチレンテレンタレートフイルムコンデンサの耐
熱性を改善するためには、そのフィルムの密度が1.4
05〜1420.!i’/fflの範囲で、その目的に
応じた熱処理を行なえばよい。すなわち、従来のリード
線形のもののはんだ耐熱性に対しては密度1.405V
cr1程度でも効果があり、チップ形のもののはんだ耐
熱性に対しては密度1.40(1/i以上が効果がある
。However, if the temperature is raised in order to increase this density (5), thermal deterioration due to oxidation of the film will occur and the physical strength will decrease, so there is a certain limit to the temperature. In the case of air, the limit is around 200°C, although it also depends on the time. However, in a vacuum, thermal deterioration due to oxidation is suppressed, so the temperature can be raised further.
In addition to thermal deterioration other than oxidation, thermal deformation also begins to occur.
Its limit is around 30℃. If these conditions are combined and the highest heat treatment within a practical range is performed, the density of the film will be 1. It was +2o1/cr&. Therefore, in order to improve the heat resistance of polyethylene terentalate film capacitors, the density of the film must be 1.4.
05-1420. ! Heat treatment may be performed within the range of i'/ffl depending on the purpose. In other words, the density is 1.405V for the soldering heat resistance of the conventional lead wire type.
A density of 1.40 (1/i or higher) is effective for the soldering heat resistance of chip-shaped products.
尚上記密度の値は、コンデンサ素子より微小片を切り取
りこれを試料として測定して得た密度の値よシ、そのフ
ィルムの蒸着金属の重量を除去しく 6 )
たフィルムのみの密度である。蒸着金属の重量は先づそ
のフィルムの蒸着膜抵抗値より蒸着膜厚を算出し、この
蒸着膜厚にその蒸着金属の比重を乗じて求めた値とする
。The above-mentioned density value is the density of only the film after removing the weight of the vapor-deposited metal 6) from the density value obtained by cutting a minute piece from the capacitor element and measuring it as a sample. The weight of the deposited metal is determined by first calculating the thickness of the deposited film from the resistance value of the deposited film, and then multiplying the thickness of the deposited film by the specific gravity of the deposited metal.
従来コンデンサを製造するに当り、熱処理と称してコン
デンサ素子または半製品をある温度で数時間加熱するこ
とは一般的に広く行なわれている方法である。但しこの
場合の目的は素子の乾燥と素子内部に残存する局部的応
力の緩和およびフィルム内の分子結合の安定化のためで
一般には100〜150℃の温度範囲で行なわれている
ものである。Conventionally, in manufacturing capacitors, heating a capacitor element or semi-finished product at a certain temperature for several hours, called heat treatment, is a widely used method. However, in this case, the purpose is to dry the device, relax local stress remaining inside the device, and stabilize molecular bonds within the film, and is generally carried out at a temperature in the range of 100 to 150°C.
一方、本発明における熱処理はその目的が熱処理により
てフィルムの密度を高め耐熱性を向上するというもので
あシ上記の如き従来の目的と全く異なるものであり、ま
た熱処理の条件も160℃以上で長時間を必要とするも
ので、従来用いられなかった全く新らしい製造方法であ
る。On the other hand, the purpose of the heat treatment in the present invention is to increase the density of the film and improve its heat resistance, which is completely different from the conventional purpose as described above, and the heat treatment conditions are also 160°C or higher. It requires a long time and is a completely new manufacturing method that has not been used before.
因みに、具体例を挙げると160℃で密度を1.405
11/cd以上にするには50時間以上また密度1.4
09g/C11以上にするには100時間以上の長時間
を要し、200(7)
°Cの温度では密度1.405,9/cr1以上に対し
ては2時間以上、密度1.409.!il/d以上に対
しては5時間以上を要する。By the way, to give a specific example, the density at 160℃ is 1.405
To make it 11/cd or more, the density is 1.4 or more for 50 hours or more.
At a temperature of 200 (7) °C, it takes more than 2 hours to achieve a density of 1.405. ! It takes 5 hours or more for il/d or more.
また上記熱処理の場合ある単一の温度だけで行なう必要
はなく、低温度、長時間と高温度、短時間を組合せて行
なっても同一の目的を達することができる。従って、実
際に熱処理条件を設定する場合、要求される耐熱性に応
じた密度が得られるように、製造設備能力の範囲内で最
適な温度、時間、大気圧力または真空度を組合せればよ
いことになる。更に好ましいことは、密度が1.409
11/cII1以上になると電気的特性において従来の
特性以上に好ましい結果が得られることで、コンデンサ
の特性上置も重要視される。静電容量一温度特性と誘電
損失一温度特性が従来の値に比較して格段に改善されて
いることが確認された。第1図と第2図はこれを示して
いる。Further, in the case of the above-mentioned heat treatment, it is not necessary to perform it at a single temperature, but the same purpose can be achieved by performing the heat treatment at a low temperature for a long time and at a high temperature for a short time in combination. Therefore, when actually setting heat treatment conditions, it is only necessary to combine the optimal temperature, time, atmospheric pressure, or degree of vacuum within the capacity of the manufacturing equipment so as to obtain a density that corresponds to the required heat resistance. become. More preferably, the density is 1.409
When the value is 11/cII1 or higher, more favorable results than conventional characteristics can be obtained in terms of electrical characteristics, and therefore, consideration is given to improving the characteristics of the capacitor. It was confirmed that the capacitance-temperature characteristics and dielectric loss-temperature characteristics were significantly improved compared to conventional values. Figures 1 and 2 illustrate this.
以下本発明の具体的実施例を図により説明する第3図は
厚さ3μm1幅4.5朋の1対の片面アルミ蒸着ポリエ
チレンテレフタレートフイルムヲ巻回(8)
した素子を展開した斜視図で、この場合金属溶射て良好
な接触を得るため金属化ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムを0.5igずらす、いわゆるすらl−巻をして
いる。1は巻回した素子本体、2けずらし巻幅を図示し
たものである。これらの素子を巻回後約130〜150
℃で数分間の加熱圧縮を行って偏平形状に整形し両端面
にはんだ等の金属を溶射して素子端面メタリコン部を設
けたのが第4図である。3が扁平に整形された素子、4
が金属溶射したメタリコン部を示す。この試料を恒温槽
中で200°G 10時間の熱処理を行なう。第5図の
5は金属板の外部電極で折り曲げた部分をメタリコン部
4にスポット溶接して(図示せず)取付けたのが第6図
である。第7図はこの試料の外周にエポキシ樹脂による
成型加工で被覆外装をしたもので6で示している。ここ
で外部電極5を適当の長さに切断し、外装に沿って折り
曲げたのが第8図でチップ形コンデンサ7として完成す
る。8は完成後の外部電極である。Hereinafter, a specific embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 3 is a developed perspective view of a device wound with a pair of single-sided aluminum vapor-deposited polyethylene terephthalate films (8) each having a thickness of 3 μm and a width of 4.5 mm. In this case, the metallized polyethylene terephthalate film is shifted by 0.5 ig in order to obtain good contact during metal spraying, so-called flat l-wrap. 1 shows the wound element body and the winding width shifted by 2 degrees. Approximately 130 to 150 after winding these elements
FIG. 4 shows a state in which the element was heated and compressed for several minutes at .degree. C. to form a flat shape, and a metal such as solder was sprayed on both end surfaces to provide metallic contact portions on the end surfaces of the element. 3 is a flat shaped element, 4
shows the metal sprayed metal part. This sample is heat treated at 200°G for 10 hours in a constant temperature bath. 5 in FIG. 5 is a metal plate bent at the external electrode and attached to the metallic contact portion 4 by spot welding (not shown), as shown in FIG. In FIG. 7, the outer periphery of this sample is coated with a covering by molding with epoxy resin, which is indicated by 6. Here, the external electrode 5 is cut to an appropriate length and bent along the exterior to complete the chip-type capacitor 7 as shown in FIG. 8 is the completed external electrode.
尚熱処理工程は上側では金属溶射をしてから行(g)
ったが金属溶射の前でもまた被覆外装加工後に行っても
よい。また耐湿性を向上させるために被覆外装する前の
素子または被覆外装後の製品にワックスを含浸させても
よい。Although the heat treatment step (g) was carried out after the metal spraying on the upper side, it may be carried out before the metal spraying or after the coating and exterior processing. Further, in order to improve moisture resistance, the element before being coated or the product after being coated may be impregnated with wax.
このようにして完成したチップ形コンデンサを第9図に
示すように、耐熱試験用プリント基板の導電部11.1
2に、はんだペーストを塗布(図示せず)してから、点
線の位置15に並べ熱風式加熱炉で150605分間予
備加熱をした後250℃90秒間の加熱を行ってプリン
ト基板にリフローはんだ付をついて特性値の異常は全く
認められなかった。図(10)
次に同様の試料を作り85℃の恒温槽中で125vの直
流電圧を印加して高温寿命試験を行った。その結果は第
10図に示すように絶縁抵抗、静電容量、誘電損失とも
正常な傾向を示し、実用上問題がないことが確認できた
。尚実施例では片面金属化フィルムを用いたコンデンサ
の例を示したが、両面金属化フィルムと非金属化フィル
ムを用い且つ共にフィルムはポリエチレンテレ7タレー
トであるチップ形コンデンサについても同様な特性をも
っことが確かめられている。第11図はリード線形のポ
リエチレンテレフタレートフィルムを用いた金属化プラ
スチックフィルムコンデンサの外観図で9は樹脂外装し
た本体、10はリード線である。この従来のコンデンサ
にも前記のように本発明を適用し、はんだ耐熱性を向上
させることができる。As shown in FIG. 9, the chip-type capacitor completed in this way is shown in the conductive portion 11.1 of the printed circuit board for heat resistance testing.
2. After applying solder paste (not shown), place it at the dotted line position 15 and preheat it in a hot air heating furnace for 150605 minutes, then heat it at 250°C for 90 seconds to reflow solder it to the printed circuit board. No abnormalities were observed in the characteristic values. Figure (10) Next, a similar sample was made and a high temperature life test was conducted by applying a DC voltage of 125 V in a constant temperature bath at 85°C. As shown in FIG. 10, the results showed normal trends in insulation resistance, capacitance, and dielectric loss, and it was confirmed that there were no practical problems. Although the example shows an example of a capacitor using a metalized film on one side, a chip type capacitor using a metalized film on both sides and a non-metalized film, both of which are made of polyethylene tere-7 talate, has similar characteristics. This has been confirmed. FIG. 11 is an external view of a metallized plastic film capacitor using a lead-shaped polyethylene terephthalate film, where 9 is a resin-sheathed main body and 10 is a lead wire. The present invention can be applied to this conventional capacitor as described above to improve the soldering heat resistance.
以上のように本発明は従来量も多く使用されているポリ
エチレンテレフタレートフィルムを用い製造工程中にお
いてフィルムが所定の密度となるよう熱処理を行なうこ
とにより、とれまで困難と(11)
されていたチップ形コンデンサを得ることができると同
時に従来のリード線形の金属化ポリエチレンテレフタレ
ートコンデンサのはんだ耐熱性をも向上することができ
るもので、工業上本発明の効果は著しく大きいものであ
る。As described above, the present invention uses polyethylene terephthalate film, which has conventionally been used in large quantities, and heat-treats the film to a predetermined density during the manufacturing process. It is possible to obtain a capacitor, and at the same time, it is possible to improve the soldering heat resistance of a conventional lead-shaped metallized polyethylene terephthalate capacitor, and the industrial effects of the present invention are extremely large.
第1図は静電容量変化率一温度特性について、第2図は
誘電損失一温度特性について従来のプラスチックフィル
ムコンデンサと本発明によるチップ形プラスチックフィ
ルムコンデンサとの特性比較図である。第3図は本発明
による実施例の片面金属化プラスチックフィルムコンデ
ンサを巻回した素子の展開図である。第4図は第3図の
素子を扁平に整形し、金属溶射を行ってメタリコン部を
設けたものの斜視図である。第5図は外部電極となる金
属板の斜視図、第6図は第4図の素子に外部電極をスポ
ット溶接した正面図(スポット溶接は図示してない)で
ある。第7図は第6図に樹脂を被覆成型したものの正面
図である。第8図は本発明のチップ形プラスチックフィ
ルムコンデンサ(12)
の完成品である。第9図は試験用プリント基板にチップ
形プラスチックフィルムコンデンサを組込む状態を示す
平面図である。第10図は高温寿命試験のデータをグラ
フ化したもの、第11図はリードmm金m化ポリエチレ
ンテレフタレートフィルムコンデンサの斜視図。
l・・・・・・フィルムコンデンサ素子本体 2・・
間ずらし巻巾3・・・・・・扁平に整形した素子本体
4・・曲メタリコン部5・・・・・・外部電極板
6・・・・・・樹脂被覆したチップコンデンサ本体7・
・・・・・チップコンデンサ(完成品) 8・・・・
・・外部電極9・・・・・・リード線形樹脂外装金属化
ポリエチレンテレ7タレートフイルムコンデンサ本体
10・・・・・・リード線 11.12・・・・・
・プリント基板の導電部 13.14・・・・・・測
定用リード線端子15・・・・・・チップ形コンデンサ
取付位置γ/繻
−40−2002040608111100−一一一温
度(”C)
ぽ31八 オゆ、A;f7rA
才子12
λ?14
手鍋1補正t (自警)
250 500 10
00時間(H)
250 500 1000
時間(I()
250 500 1000
特許庁長官 若 杉 和 夫 殿
、事件の表示 特願昭57−140951、発明の名称
金属化プラスチックフィルムコンデンサー補正をする
者 °X壮ゝ気
事件との関係 特許出願人
住 所 東京都渋谷区広尾1丁目3番18号名 称 ニ
ッセイ電機株式会社
代理人
補正の内容
本願明細書添付図面の第10図中、符号の一部に誤りが
ありましたので、これを補正した第10図を付のとおり
提出します。
(1)FIG. 1 is a characteristic comparison diagram of the capacitance change rate versus temperature characteristic, and FIG. 2 is a characteristic comparison diagram of the conventional plastic film capacitor and the chip type plastic film capacitor according to the present invention regarding the dielectric loss versus temperature characteristic. FIG. 3 is a developed view of a device wound with a single-sided metallized plastic film capacitor according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a perspective view of the element shown in FIG. 3 which has been shaped into a flat shape and is provided with a metallic contact portion by metal spraying. FIG. 5 is a perspective view of a metal plate serving as an external electrode, and FIG. 6 is a front view of the element shown in FIG. 4 with spot welding of the external electrode (spot welding is not shown). FIG. 7 is a front view of the structure shown in FIG. 6, which is coated with resin and molded. Figure 8 shows a completed chip-type plastic film capacitor (12) of the present invention. FIG. 9 is a plan view showing how a chip-type plastic film capacitor is assembled into a test printed circuit board. Fig. 10 is a graph of the data of the high temperature life test, and Fig. 11 is a perspective view of a gold-metalized polyethylene terephthalate film capacitor with mm leads. l...Film capacitor element body 2...
Shifting winding width 3... Flat shaped element body
4...Curved metal contact portion 5...External electrode plate
6... Resin-coated chip capacitor body 7.
...Chip capacitor (finished product) 8...
・・External electrode 9・・・・Lead linear resin exterior metallized polyethylene tele-7 talate film capacitor body
10...Lead wire 11.12...
・Conductive part of printed circuit board 13.14...Measurement lead wire terminal 15...Chip type capacitor mounting position γ/Steel-40-2002040608111100-111 Temperature ("C) Po31 8 Oyu, A; f7rA Saiko 12 λ?14 Hand pot 1 correction t (vigilante) 250 500 10
00 hours (H) 250 500 1000
Time (I() 250 500 1000
Mr. Kazuo Wakasugi, Commissioner of the Japan Patent Office, Indication of the case: Japanese Patent Application No. 57-140951, Title of the invention: Person who corrects metallized plastic film capacitors Relationship with the ° 1-3-18 Name Nissay Denki Co., Ltd. Contents of the agent's amendment There was a mistake in some of the symbols in Figure 10 of the drawings attached to the specification of this application, so the corrected Figure 10 is as attached. I'll submit it. (1)
Claims (2)
ムと非金属化フィルムとを巻回あるいは積層してなるプ
ラスチックフィルムコンデンサにおいて、前記金属化フ
ィルムおよび非金属化フィルムにポリエチレンテレフタ
レートを用い、その製造工程において、ポリエチレンテ
レフタレートフィルムの密度が1.405〜1.420
g/Cdの範囲になるまで熱処理を行なう工程を有す
ることを特徴とする金属化プラスチックフィルムコンデ
ンサの製造方法0(1) In a plastic film capacitor formed by winding or laminating single-sided metalized films or double-sided metalized films and non-metalized films, polyethylene terephthalate is used for the metalized film and the non-metalized film, and the manufacturing process thereof , the density of the polyethylene terephthalate film is 1.405 to 1.420.
A method for manufacturing a metallized plastic film capacitor 0, characterized by comprising a step of heat treatment until the g/Cd range is reached.
たは真空中において、行なうことを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の金属化プラスチックフィルムコンデ
ンサの製造方法。(2) The method for manufacturing a metallized plastic film capacitor according to claim 1, wherein the heat treatment is performed in air, reduced pressure, or vacuum.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14095182A JPS5931018A (en) | 1982-08-16 | 1982-08-16 | Method of producing metallized plastic film condenser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14095182A JPS5931018A (en) | 1982-08-16 | 1982-08-16 | Method of producing metallized plastic film condenser |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5931018A true JPS5931018A (en) | 1984-02-18 |
JPH0130286B2 JPH0130286B2 (en) | 1989-06-19 |
Family
ID=15280602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14095182A Granted JPS5931018A (en) | 1982-08-16 | 1982-08-16 | Method of producing metallized plastic film condenser |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5931018A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5948913A (en) * | 1982-09-14 | 1984-03-21 | 松下電器産業株式会社 | Method of producing metallized film condenser |
JPS61176109A (en) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | 日立エーアイシー株式会社 | Manufacture of metalized film capacitor |
JPS6245820U (en) * | 1985-09-09 | 1987-03-19 | ||
JPS62213228A (en) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | 松下電器産業株式会社 | Manufacture of film capacitor |
JP2004119913A (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Nichicon Corp | Film capacitor and its manufacturing method |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS547150A (en) * | 1977-06-16 | 1979-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | Method of making capacitor type electrodes |
-
1982
- 1982-08-16 JP JP14095182A patent/JPS5931018A/en active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS547150A (en) * | 1977-06-16 | 1979-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | Method of making capacitor type electrodes |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5948913A (en) * | 1982-09-14 | 1984-03-21 | 松下電器産業株式会社 | Method of producing metallized film condenser |
JPH0363206B2 (en) * | 1982-09-14 | 1991-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
JPS61176109A (en) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | 日立エーアイシー株式会社 | Manufacture of metalized film capacitor |
JPS6245820U (en) * | 1985-09-09 | 1987-03-19 | ||
JPS62213228A (en) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | 松下電器産業株式会社 | Manufacture of film capacitor |
JPH0461485B2 (en) * | 1986-03-14 | 1992-10-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
JP2004119913A (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Nichicon Corp | Film capacitor and its manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0130286B2 (en) | 1989-06-19 |
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