JPS5930629Y2 - 直流高電圧発生装置 - Google Patents
直流高電圧発生装置Info
- Publication number
- JPS5930629Y2 JPS5930629Y2 JP11173878U JP11173878U JPS5930629Y2 JP S5930629 Y2 JPS5930629 Y2 JP S5930629Y2 JP 11173878 U JP11173878 U JP 11173878U JP 11173878 U JP11173878 U JP 11173878U JP S5930629 Y2 JPS5930629 Y2 JP S5930629Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high voltage
- shield
- shield body
- voltage generator
- bodies
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- Insulators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、整流回路とケースとの間の絶縁耐力向上用
のシールド体を、はぼ半円状とするとともに、シールド
体の端末部をほぼ半球状とし、シールド体を、絶縁耐力
の低下を招くことなく配設し、シールド体の材料費の半
減を図るとともに、整流回路を構成する整流素子の交換
等の作業性を向上させた直流高電圧発生装置に関する。
のシールド体を、はぼ半円状とするとともに、シールド
体の端末部をほぼ半球状とし、シールド体を、絶縁耐力
の低下を招くことなく配設し、シールド体の材料費の半
減を図るとともに、整流回路を構成する整流素子の交換
等の作業性を向上させた直流高電圧発生装置に関する。
一般に、直流高電圧発生装置は、第１図に示すように、
接地されたケース１内に、複数個の整流回路２を縦続接
続して直流高電圧発生部３を構成し、各整流回路２の近
傍周囲に、シールド体４゜４′を配設し、そのシールド
体４，４′によす、各整流回路２の近傍の電界緩和を行
ない、整流回路２とケース１との間の絶縁耐力の向上を
図っている。
接地されたケース１内に、複数個の整流回路２を縦続接
続して直流高電圧発生部３を構成し、各整流回路２の近
傍周囲に、シールド体４゜４′を配設し、そのシールド
体４，４′によす、各整流回路２の近傍の電界緩和を行
ない、整流回路２とケース１との間の絶縁耐力の向上を
図っている。
なお、５は整流回路２の各整流素子が載置された整流デ
ツキであり、隣接する整流デツキ５，５間には、整流回
路２の発生電圧に対応する電位差か生じている。
ツキであり、隣接する整流デツキ５，５間には、整流回
路２の発生電圧に対応する電位差か生じている。
また、６は直流高電圧発生部３の上部に形成された高圧
充電部である。
充電部である。
ところで、従来のシールド体４，４′の配設手段は、整
流回路２の近傍周囲において、２個ずつの半円状のシー
ルド素体４ａ、４ａ’を、それぞれ一端部をリード線ｌ
をもって電気的に接続して円環状のシールド体４，４′
を形成するとともに、そのシールド体４，４′の開口部
７，７′が重なり合わないように整流回路２の近傍全周
に亘って配設し、下方のシールド体４が整流回路２の発
生電圧の１の電位に、上方のシールド体４′が発生電圧
の各誘電位にそれぞれ電位固定されている。
流回路２の近傍周囲において、２個ずつの半円状のシー
ルド素体４ａ、４ａ’を、それぞれ一端部をリード線ｌ
をもって電気的に接続して円環状のシールド体４，４′
を形成するとともに、そのシールド体４，４′の開口部
７，７′が重なり合わないように整流回路２の近傍全周
に亘って配設し、下方のシールド体４が整流回路２の発
生電圧の１の電位に、上方のシールド体４′が発生電圧
の各誘電位にそれぞれ電位固定されている。
たとえば、整流回路２の発生電圧が８Ｅの場合、下方の
シールド体４が２Ｅに、上方のシールド体４′が６Ｅに
それぞれ電位固定されている。
シールド体４が２Ｅに、上方のシールド体４′が６Ｅに
それぞれ電位固定されている。
したがって、前記従来例は、整流回路２の全周に亘って
２個のシールド体４，４′が配設されているため、整流
デツキ５，５間の空間が狭くなり、手先すら入らず、整
流素子の取り替えの際、シールド体４，４′を取外さね
ばならず、作業性が悪い。
２個のシールド体４，４′が配設されているため、整流
デツキ５，５間の空間が狭くなり、手先すら入らず、整
流素子の取り替えの際、シールド体４，４′を取外さね
ばならず、作業性が悪い。
また、シールド素体４ａ、４ａ’の一端部を電気的に接
続して円環状のシールド体４，４′を構成するため、も
う一方の開口部７，７′も電気的に接続してしまう作業
ミスが生じやすい。
続して円環状のシールド体４，４′を構成するため、も
う一方の開口部７，７′も電気的に接続してしまう作業
ミスが生じやすい。
この考案は、以上の点に留意してなされたものであり、
つぎにこの考案を、第１図および１実施例を示した第４
図以下の図面とともに詳細に説明する。
つぎにこの考案を、第１図および１実施例を示した第４
図以下の図面とともに詳細に説明する。
ケース１内に、複数個の整流回路２を縦続接続して直流
高電圧発生部３を構成し、各整流回路２の近傍周囲に、
複数個のシールド体４，４′を配設した直流高電圧発生
装置において、各シールド体４．４′をほぼ半円状とす
るとともに、シールド体４．４′の端末部４ｂ、４ｂ’
をほぼ半球状とし、第４図ないし第６図に示すように、
２個のシールド体４，４′を、上下方向において、隣接
するシールド体４，４′の端末部４ｂ、４ｂ’を端末部
４ｂ、４ｂ’の球面半径Ｒの２倍以上の距離Ｌオーバラ
ップさせて円環状とし、各々整流回路２のほぼ半周に亘
って配設し、低電位の整流素子に対応する下方のシール
ド体４を、整流回路２の発生電圧の上の電位（たとえば
２Ｂ）に、高電位の整流素子に対応する上方のシールド
体４′を発生電圧の冬の電位（たとえば６Ｅ）に、それ
ぞれ電位固定する。
高電圧発生部３を構成し、各整流回路２の近傍周囲に、
複数個のシールド体４，４′を配設した直流高電圧発生
装置において、各シールド体４．４′をほぼ半円状とす
るとともに、シールド体４．４′の端末部４ｂ、４ｂ’
をほぼ半球状とし、第４図ないし第６図に示すように、
２個のシールド体４，４′を、上下方向において、隣接
するシールド体４，４′の端末部４ｂ、４ｂ’を端末部
４ｂ、４ｂ’の球面半径Ｒの２倍以上の距離Ｌオーバラ
ップさせて円環状とし、各々整流回路２のほぼ半周に亘
って配設し、低電位の整流素子に対応する下方のシール
ド体４を、整流回路２の発生電圧の上の電位（たとえば
２Ｂ）に、高電位の整流素子に対応する上方のシールド
体４′を発生電圧の冬の電位（たとえば６Ｅ）に、それ
ぞれ電位固定する。
なお、第５図におけるＲｆは整流要素を示す。
したがって、前記実施例において、シールド体４．４′
の端末部４ｂ、４ｂ’がオーバラップしているため、両
端末部４ｂ、４ｂ’間に電界が集中せず、部分的絶縁破
壊を起すこともなく、従来と同様に、シールド４，４′
により、ケース１と整流回路２との間の絶縁耐力の向上
が図られている。
の端末部４ｂ、４ｂ’がオーバラップしているため、両
端末部４ｂ、４ｂ’間に電界が集中せず、部分的絶縁破
壊を起すこともなく、従来と同様に、シールド４，４′
により、ケース１と整流回路２との間の絶縁耐力の向上
が図られている。
また、はぼ半周しかシールド体４，４′が配置されてい
ないため、整流デツキ５，５間に空隙が生じ、シールド
体４，４′を取外すことなく、整流素子Ｒｆの交換等を
行なうことができる。
ないため、整流デツキ５，５間に空隙が生じ、シールド
体４，４′を取外すことなく、整流素子Ｒｆの交換等を
行なうことができる。
さらに、従来のように、シールド素体４ａ、４ａ’を電
気的に接続する作業がないため、シールド体４，４′を
電気的に円環状に接続する危険がない。
気的に接続する作業がないため、シールド体４，４′を
電気的に円環状に接続する危険がない。
なお、前記実施例は、２個のシールド体４，４′により
、整流回路２の近傍の電界緩和を行なっているが、３個
以上のシールド体を配設する際は、前記と同様に、隣接
する端末部を、上下方向において端末部の球面半径の２
倍以上オーバラップするようにすれば、この考案の効果
を得ることができる。
、整流回路２の近傍の電界緩和を行なっているが、３個
以上のシールド体を配設する際は、前記と同様に、隣接
する端末部を、上下方向において端末部の球面半径の２
倍以上オーバラップするようにすれば、この考案の効果
を得ることができる。
以上のように、この考案の直流高電圧発生装置によると
、シールド体をほぼ半円状にするとともに、各シールド
体の端末部をほぼ半球状とし、各シールド体を、上下方
向において隣接するシールド体の端末部を端末部の球面
半径の２倍以上オーバラップさせて円環状に配設するこ
とにより、絶縁耐力の低下を招くことなく、シールド体
の材料費を半減することができ、また、整流回路を構成
する整流素子の交換等の作業性を向上することができ、
さらに、作業工程も削減でき、それにともなって作業ミ
スをなくすことができる。
、シールド体をほぼ半円状にするとともに、各シールド
体の端末部をほぼ半球状とし、各シールド体を、上下方
向において隣接するシールド体の端末部を端末部の球面
半径の２倍以上オーバラップさせて円環状に配設するこ
とにより、絶縁耐力の低下を招くことなく、シールド体
の材料費を半減することができ、また、整流回路を構成
する整流素子の交換等の作業性を向上することができ、
さらに、作業工程も削減でき、それにともなって作業ミ
スをなくすことができる。
第１図は直流高電圧発生装置の概略断面図、第２図およ
び第３図は従来のシールド体部の配置説明図および要部
正面図、第４図以下の図面はこの考案の直流高電圧発生
装置の１実施例を示し、第４図はシールド体部の配置説
明図、第５図は要部平面図、第６図は要部正面図である
。 １・・・・・・ケース、２・・・・・・整流回路、３・
・・・・・直流高電圧発生部、４ 、４’・・・・・シ
ルード体、４ｂ、４ｂ’・・・・・・端末部。
び第３図は従来のシールド体部の配置説明図および要部
正面図、第４図以下の図面はこの考案の直流高電圧発生
装置の１実施例を示し、第４図はシールド体部の配置説
明図、第５図は要部平面図、第６図は要部正面図である
。 １・・・・・・ケース、２・・・・・・整流回路、３・
・・・・・直流高電圧発生部、４ 、４’・・・・・シ
ルード体、４ｂ、４ｂ’・・・・・・端末部。
Claims (1)
- ケース内に、複数個の整流回路を縦続接続して直流高電
圧発生部を構成し、前記各整流回路の近傍周囲に、複数
個のシールド体を配設した直流高電圧発生装置において
、前記各シールド体をほぼ半円状とするとともに、前記
各シールド体の端末部をほぼ半球状とし、前記各シール
ド体を、上下方向において隣接するシールド体の端末部
を前記端末部の球面半径の２倍以上オーバラップさせて
円環状に配設した直流高電圧発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11173878U JPS5930629Y2 (ja) | 1978-08-14 | 1978-08-14 | 直流高電圧発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11173878U JPS5930629Y2 (ja) | 1978-08-14 | 1978-08-14 | 直流高電圧発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5529941U JPS5529941U (ja) | 1980-02-27 |
| JPS5930629Y2 true JPS5930629Y2 (ja) | 1984-08-31 |
Family
ID=29059877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11173878U Expired JPS5930629Y2 (ja) | 1978-08-14 | 1978-08-14 | 直流高電圧発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5930629Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7799999B2 (en) * | 2007-08-20 | 2010-09-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Insulated conducting device with multiple insulation segments |
-
1978
- 1978-08-14 JP JP11173878U patent/JPS5930629Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5529941U (ja) | 1980-02-27 |
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