JPS5928985B2 - 金属基板の接続方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造方法に関するものである。

パワー用樹脂封止型半導体装置においては、例えば第２
図を参照し、リードフレームの折曲部に半導体ペレット
接続用ヘッダー７の突起部６を挿入し、かしめてなるリ
ードフレーム・ヘッダー接続体が使用され、これに半導
体ペレットのボンディング、あるいは樹脂封止をする場
合、まずヘッダーが最初に加熱され、次いでリードフレ
ームが加熱された状態で行われる。

したがつてその場合に、リードフレームとヘッダーとの
間に温度差が生じ、そして、カシメ用突起をそれよりや
や大きい貫通孔に嵌合してカシメを行うと、該部におい
て遊びがないためにリードフレームにそりが生じる。

そして加熱処理後温度が低下した場合、膨張していたヒ
ートシンク（ヘッダー）は元の寸法に戻るが、リードフ
レームは加熱処理によつて弾性限度以上の歪が生じてい
るので遡性変形し、膨張したままの状態になる。その結
果、リードフレームが反つたままの形で、リードとヘッ
ダーが接触した状態となることがあり好しくなかつた。
本発明はこのような問題を解決すべくなされたもので、
その一つの目的は加熱処理によつてリードフレーム、ヘ
ッダーに反りが生じることを防止することにあり、他の
目的はカシメ用突起部と貫通孔との間に多少の位置ずれ
があつても支障なくカシメを行えるようにすることにあ
る。

上記目的を達成するための本発明の基本的構成は、リー
ドフレームと半導体ペレット接続用ヘッダーとを少なく
とも２点において結合せしめ、しかるのち該結合体に加
熱処理が施される半導体装置の製造方法において、上記
ヘッダーに突起部をまた上記リードフレームに上記突起
部に対して所定方向に遊びを有するように貫通孔を設け
、かつ上記加熱処理時の上記リードフレームとヘッダー
との熱膨張の差によつて所定方向に移動可能な程度に両
者間をかしめて結合することを特徴とするものである。

一般に半導体ペレット接続用ヘッダーは熱放散性を考慮
するため厚く形成され、一方リードフレームは複数のリ
ードを精度よく加工する必要性から薄く形成されるもの
である。

このような状況下において、厚い半導体ペレット接続用
ヘッダーに貫通孔を設けることはむずかしく、逆に薄い
りードフレームにそのような貫通孔を通るような突起部
を設けることはむずかしい。それゆえ、本発明によれば
、半導体ペレツト接続用ヘツダ一およびリードフレーム
の加工の容易性ならびに加工精度という観点をも十分ふ
まえているために、半導体ペレツト接続用ヘツダ一には
突起部を、そしてリードフレームには貫通孔を設けてい
る。また、本発明によれば、加熱冷却処理においてリー
ドフレームとへツダ一との熱膨張の差による熱応力が上
記リードフレームとヘツダ一間に生じても結合部分が移
動するため、ヘツダ一およびリードフレームは互いに拘
束されることなく膨張し、したがつてリードフレームに
は反リが生じない。以下本発明を実施例により説明する
。

第１図〜第３図は本発明の一実施例を示すものである。

１は複数組の半導体集積回路用のリードを一体に連続し
て形成したリードフレーム、２は電極取出用の外部リー
ド、３は電極引出用の内部リード４は上記リードフレー
ムにペレツト接続用のヘツダ一を吊つて固定するための
リードでＬ型に曲げられている。

５は上記ヘツダ一吊９用リード４にあけられたカシメの
ための貫通孔で、ヘツダ一の長手方向に沿つて細長形状
に形成されている。

６はカシメ部、７は半導体ペレツト接続用ヘツダ一８は
ヘツダ―のペレツト接続部である。

すなわち、ヘツダー７に設けられたカシメ用の各突起部
６をそれぞれ対応するヘツダ一吊９用Ｌ字型折曲リード
４の長穴５に挿入してカシメを行うことによＶ１ヘツダ
ー７のリードフレーム１への取９付けを行うものである
。

従来においては、ヘツダ一が取９付けられたリードフレ
ームを加熱処理をした場合、ヘツダ一が最初に加熱され
、リードはヘツダ一より遅れて温度上昇するので、ステ
ムの方がより膨張し、その結果リードフレームに反９が
生じた。

しかるに、本発明においてはカシメ部の穴が長穴形状に
なつているため両者の間に熱応力に基づく歪が生じても
、カシメ部が長穴内を移動し、ヘツダ一はりードフレー
ムに拘束されることなく膨張する。したがつて、リード
フレームには反９が生じない。また、同様に加熱処理後
徐々に冷却されてヘツダ一が収縮し、一方リードフレー
ムが遡性変形したまま収縮しないことによる反９も防止
することができる。したがつて、加熱処理によジリード
とヘツダ一とが接触することを防止することができる。
さらに、本発明によれば、カシメ用突起部が挿入される
貫通孔が長穴になつているので、ヘツダ一吊り用リード
４の折９曲げ精度がいくらか低くても突起部を貫通孔に
挿入できるので、カシメ処理を支障なく行なうことがで
きる。

上記実施例は１つのヘツダ一を４点でカシメたものであ
つたが、第４図に示すように、２点でカシメるようにし
てもよい．このようにすれば、ヘツダ一とリードフレー
ム間に生じる歪を回転方向の逃げによつても吸収するこ
とができ、より完全にリードフレームの反ｖを防止する
ことができるので好ましい。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は本発明の一実施例を示すもので、第
１図は平面図、第２図は斜視図、第３図ａはカシメ部拡
大断面図、ｂはカシメ部拡大平面図である。 第４図は本発明の他の実施例を示す平面図である。１・
・・・・・リードフレーム、２・・・・・・外部リード
、３・・・・・・内部リード、４・・・・・・ヘツダ一
吊９用リード、５・・・・・・貫通孔、６・・・・・・
カシメ部、７・・・・・・ヘツダ一８・・・・・・ペレ
ツト接続部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ リードフレームと半導体ペレット接続用ヘッダーと
   を少なくとも２点において結合せしめ、しかるのち該結
   合体に加熱処理が施される半導体装置の製造方法におい
   て、上記ヘッダーに突起部を、また上記リードフレーム
   に上記突起部に対して所定方向に遊びを有するように貫
   通孔を設け、かつ上記加熱処理時の上記リードフレーム
   とヘッダーとの熱膨張の差によつて所定方向に移動可能
   な程度に両者間をかしめて結合することを特徴とする半
   導体装置の製造方法。