JPS5925252A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、半導体装置に係り、！１′ｋＫｌＩＩｌ′Ｉ
湿性が“Ｊ−ぐれ／こ樹脂封止型半導体装置に関する。 従来から、半導体素子の表面にポリイミド樹脂、シリ−
１−ン樹脂の保護コートを施した半２８１体装置は知ら
れていた。 しかしながら、ポリイミド樹脂は一般に素子との接着性
が悪く、特に吸湿時に接着＆、Ｌ　＜　１’！Ｉｆを生
じやすく、アルミ配紛なと素子の腐食性８１（分が、：
１！、１止品内部に侵入した水分により、腐食断線した
り、吸湿時にリーク電流が増大するなどの問題があった
。寸だ、シリコーン樹脂は、透湿率、吸湿率が大きく、
枝溝時のリーク電流の増大が問題である。 本発明の目的は、素子との適合性が良く、耐湿試験にお
いてもリーク電流の増大が少・γく、腐食断線等の問題
も起り離い樹脂封止型半導体装１１１′全提供すること
にある。 本発明は、樹脂封止型半導体装置においで、素子表面が
、一般式 ０ １１１１ １ Ｘ　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｘ〔式中、Ｘは
−ＣＩｌ、ＣＪＪ＝ＣＩ（、、−ＣＯＣＩＩ＝ＣＩ（、
。 −ＣＯＣ（Ｃ１ｌ、　）＝ＣＩＩ２．−ＣＯＯＣＩＩ　
＝ＣＴＴ２゜Ｃ００Ｃ（ＣＩＪｓ　）＝ＣＩ−、ｆ２．
−０ＯＣＣｒｌ＝ＣｆＩ、。 −０ＯＣ（づ（Ｃ１正５）＝ＣＨ，を示すＪで表わ込ノ
Ｌる化合物を少ろくとも含む樹脂４１１１ｊ’Ｚ物でニ
ー＋　−１・され、さらに（☆１脂で材面されでいるこ
とをｔ［！ｌ「改どする半導体装１ｔ！’ｉである。 この保ｄ色コート膜のｒａｙさケ、し、１へ□２００１
ｌｍ程後背の４ｔ？ｊ脂の）１ノさく」１、一般にＤ；
−８〜５ｍｍ１７度ＶＣ＞８（，１゛かる。 ｆｌｉｒｉ！’ｔコート膜の厚さＣ」１、半導体装置が
メモリの場合、３５μＩｌ＋以−ヒに選べば、α線によ
るソフト：Ｉ−ジーを防止ｊ−るためにも有効である。 この際、ウラン、トリウムの含有舟が１．０１）　ｐ　
ｌ＋収−トになる。しうに希′製すれば、保１；φコー
ト膜樹脂１１ｔ’ｈからのα線の発生は実際−ヒ問題に
ならない。 保詠コート膜（？＃Ｉ脂の精製は、モノマＮ−溶々１１
、金山結晶、劉華、蒸留などによって４１（茅Ｖずイ、
のが便利である。 また、耐湿性試験時の腐食、リーク？ｔｆ　ｉ）Ｒ：の
増加などを抑えるために、塩素イオンのｎイＵ’　、ｊ
ｉｌ、’　＆Ｊ’、　５ｐｐｎ＋以下になるように精製
するが、」二配の、１７製と同じ工程で行うことが可能
である。 上記の一般式 ％式％ 〔式中、Ｘは＝ＣＨ，ＣＨ＝ＣＨ，、−ＣＯＣＩＩ　＝
ＣＩＩ、　。 −ＣＯＣ（ＣＩ、）＝ＣＨ，、−０００ＣＨ＝ＣＨ，。 −ＣＯＯＣ（ＣＩ−１３）　＝ＣＨ，、−００ＣＣＨ＝
ＣＩＩ、　。 −（、ｌυＣＣ＜ＣＤ、）＝＝ＣＨ，を丙ミーＪ〕で々
′〈さノしる化合′吻（」、ジ°アリル・ｆノンアヌレ
ー用・あるいは、ジアクリル・ｆノゾアヌレー　トド、
一般式 〔式中、ＹＵ、塩メ＜、臭ぶ、ヨウ素のハ１１７ゲン原
子を示す〕で表わされるα、α′−キジレンジハラ・ｆ
　ｌ−’を反応さすることによって製造される。Ｎ。 ＮＺ　−ジメチルポルムアミド１．Ｎ、Ｎ’−ジメチル
−アセトアミド等の溶媒中で水酸化カリウム、炭１′貸
すｌ・リウｊ、青のｊ話店（↑生′吻質、あるいはピリ
ジン、トリエヂルアミン等の４ｒイＥＦにおい−Ｃ，４
０〜１４０ｔ、’、１００〜２００分ＩＨＪ反１ｉ、、
、さぜた後、アルカリ水溶液で精製して得られる。共体
例どし＝こけ、０−ヤ゛／レンーα、α′−ジ・ｆルー
ビス〔：３゜５−ジー（２−プロペニル）−１，３，５
〜トリアジン′−２、４、６−（ＬＩＴ、　　３１１．
　５Ｈ）　ｌ・り刊ン〕、■−キルンーα、α′−ジイ
ル−ビス〔３，５−ジー（２−プロペニル）−１，３，
５−１・リアジン−２，４，６−（ＩＩＬ　：口１．，
５１１）トリオン〕、ｐ−キシレン−α、α′〜シー（
ルービス〔３，５−ジー（２−プロペニルｉ−１，３゜
５−トリアジン−２，４，６−（ＩＩＩ、Ｉｌｌ。 ５１Ｎｌ・リオン〕、ｐ−キ／レン−ジｒノし−ビス〔
３，５−ジビニルオキ７カルボメＪ−ルーＪ、３゜５−
トリアジン−２，４，６−（ＩＩＩ、３１１゜５　Ｈ）
−）リオン〕、ｐ−キンレ／−ジ・［ルービス〔３，５
−ジアクリロイル−１，３，５−ｈリアジン−２，４，
６−（ＩＨ，３Ｉ（，５１１１−）リオン〕、ｐ−キシ
レン−ジイル−ビス［３，５−ジアクリロイルン−１＋
　３＋　　５〜トす゛）′ジンー２．４．６−（ＩＨ，
３Ｈ，５Ｉｉ）−トリオン〕、１１１−ギルノン−ジイ
ル−ビス［３，５〜ジアクリロオキシ−１，３，５−１
リアジン−２，４，６−（ＩＨ，３Ｈ，５ｌ−Ｉ）−）
リオン〕、０−キソレンージイルービス（３，，５−シ
アクリ「１オギン−１，３，５−）リアジン−２，４，
６−（１０゜３Ｈ，５）Ｉ）−トワオン〕ｌどがある。 次に、上記キシレン誘導体の製造例を・示す。 製造１列Ｉ ＩＶ７−拌（幾及び冷却器の付いた２ｔの３つ目丸底フ
ラスコニ、シアリルイソシアヌレート２０９ｇ（１モル
）、α、α′−ジクロＩＪ　−（１−キシレノ８７．５
ｇ（０，５モル）及び炭酸カリウム８２９ｇ（０，６モ
ル）さらに溶媒とじｉＤＭＦ１２００ｎ＋ｌＱ付込み攪
拌しながら−ｙＩ温し、反応ｒｔｒｈ度１１０ｔ？で９
０分反応した３、この時点でハ４け１のα、α′−ジク
ロロー〇−キ／レンがなくなっ一〇いる事を薄層クロマ
トグラフィーで確認し、次いで減圧下でＤへ４Ｆを留去
した後、反応生成物にクロロポルム９００ｍ６を加えｌ
」的生成′吻を抽出した。この抽出液を１０％水酸化す
トリウム水溶液、次いで水で洗／７＋後硫酸マグネシウ
ムで乾燥し次いで溶媒を留去する小により純１現９８％
の０−キンレンーα。 α′−ジイルービス〔３，５−ジ＝（２−プロペニル）
　−１，３，５−トリアジン−２，４，６−（］０．：
目Ｊ、５Ｊｉ）−）り側ン〕の白色結晶２：３４）、４
ｇ（収率９２％）がイＩＩられた。このうちの−ｉ！１
（を分析用試別とし、で約２５倍Ｒ１のイソプロパツー
ルで再結晶し、はぼ純度１００％の白色例（Ｋ結晶を得
た。（化合物１） 製造例２ 製造例１と同様の反応装置ｆｆに、ジアリル・ｒノンア
ヌし／−ト２３０ｇ（１，１モル）、α、α′−ジブロ
モーｎ】−キシン／１３２ｇ（０，５；ｔ＝　／ｌ／　
）　、及び炭酸カリウム９６．７ｇ（０，７モル）、溶
媒とし５ｉＪ）ＭＦ　１０００＋ｎｌを仕込み攪拌しな
がら９０　Ｕで１２０分反応した。次に減圧−ドでＪ〕
へＩＪパ奮１）′Ｉ太し反応生成物に塩化メチレン７０
０ｍ１’５加え−Ｕ　ｌ＋Ｉ的生酸生成物出し、この抽
出液を１０％水酸化すトリウム水溶液、次いで水で洗浄
後、硫酸マグネシウムで乾燥し次いで溶媒を留去する事
により純度９８％ｍ　−キシレン−α、α′−シイルー
ビス〔３，５−ジー（２−プロペニル）−１，３，５−
トリアジン−２，４，６（１１１，３１１，５Ｈ）−ト
リオン１２４２ｇ　（収率９３％）がイ（Ｊられた。 （化合物２） 製造例３ 製造例１と同様の反応装置に、ジアリルイソノアヌレ−
１・２１（３ｇ（１，１モノ１勺、α、α′−シフ゛目
モーｐ−キン１／〕１３２ｇ（０，５モール）及び炭螺
カリウ、／、、　９６．７　ｇ　（（１，７−れ〕

【伺
、溶媒のＤＭＦｌ　２００　ｒｎどを仕込）ｈ　ｉｊ！
、拌しながら９０Ｃで９０分反応した。その後の操作ｒ
、ｌ：製ｊδ例１と回１求に処理し４＋ｌＩ度９３％の
１）−キシレノ−α、α′−ジイル−ビス［３，５−ジ
ー（２−ブ「ｊベニル）−１，３゜５−トリアジン−２
，４，（３−（Ｉｌｌ、３１１゜５！ｌ）−トリオン」
の白色結晶２４２ｇ　（収率０３％）が得られた。この
うりの一部を分析用状オ、・１とり、−ｃ約２０倍量の
メタノールで再結晶１〜、はは純度１００％の白色金１
状結晶を得た。（化合物３） 製造例１．２及び３で得られた化ａ物の赤外紗吸収スペ
クトル、核磁気共鳴スペクトル、分子は、元５（、分析
１直を第−表に示した。この結果、製造例１の化合物ｒ
−ｔ、ｏ−キゾレー／−α、α′　−ジイル−し−ス〔
３，５−ジー（２−ゾロベニル）−１゜３．５−ｌ　　
　リ　ノ′ジン　−−２，４，（ｉ−（１，１１，３Ｉ
（。 ５Ｈ）−）リオン〕、製ｆ青例２の化合物（」、１１１
−キンレンーα、α′−シイルービスＣ３，５−’２−
（２−プロペニル）−１，３，−５−）リアジン−２，
４，６−（１１−Ｉ、３Ｈ，５Ｈ）　　　ｌ　り飼ン〕
、製造例３の化合物は、ｐ−キシレン−（、ｆ、α′−
ジイルービス〔３，５−ジー（２−ゾロベニル）−１，
３，５−）リアジン−２、４，（３−（１，１１゜３１
■、　５Ｈ）−トリオン〕である事が（ｒ（Ａ認できた
。 製造例４ 製造例３で得られたｐ−キルン−α、α′−ジイル−ビ
ス〔３，５−ジー（２−プロペニル）−１，３，５−ト
リアジン−２，４，６−（ＩＪＬ３Ｈ，、５Ｈ）　−）
リオン］　１０　ｇにジク／ルパーオキザイド０．１ｇ
を添加し、これをアセ１ノ］Ｏｇに溶解した。この溶液
を軟銅板の」−に塗布し７．１５０Ｃで３０分加熱する
と３０ミクし！ンの厚みをもつ゛まったく亀裂のない平
ｒ斤な１萌化１１Ｑが？！７１）れた。 本発明のコート樹脂には、不飽和ポリエステル樹脂、ジ
アリルフタレートならびにトリノ′リルイソシアヌレ−
１・のモノマ、プレポリマ、＝１ポリマ、エチレン、ブ
チレン、プロピレン、ブタン上／、などのジエン系化合
物、スヂレンジビニル７人ヂレン、アクリル酸、メタア
クリル酸、ヒドロギソルスチレン、ポリヒドロキシスグ
ーレン、伺加型イミド、エポキシ樹脂、フェノールｉ（
＋’ｌ脂、メラミン樹脂などを併用して用いることが出
来る。 また、本発明の組成物には、目的に応じ−こ、次の各Ｎ
累月のＪ種以上を１１１用し、て用いてもかまわない。 ′１なわち、ジルコン、シリカ、溶融石英ガラス、り１
／−水酸化アルミナ、炭酸カル７ウノ・、石英ガラス、
ガラース、゛ｒスベス）・、ボイス力、石コウ、マ／ネ
リ°−ｆト、マイカ、力８リン、イ（ルク、黒鉛、セメ
ント、カーボニルアイアン、７７、Ｊ〜ラ−（ト、鉛化
合物、二（ｉ’ｎｅ化−七すブテノ、亜鉛華、ｆ−タン
白、カーボンブラック、珪砂、ウオラストす［トなどの
無（港質充」１′Ｉｔ利料あるいＶ」、脂肪酸、Ｉノッ
、ラス類などの＋ｔｘｔ、　型剤、エポキシシラン、ビ
ニルンラン、ボラン系化合物、アルコキシチクネート系
化合物等のカンブリング剤ｆ　Ｉｊ１２用でき２）。ま
た、必要に応じてアンチモン、燐化合物などからなる公
知の難燃４．ｊｌ　を）４）いは町撓化利を用いること
ができる。 また、コート樹脂ｔ［、ワニス状態で塗布されるかりニ
スの用途にｔ、ｌ４、各種の溶剤群が使用できる。 例えば有機１色性溶剤群として、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ、Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ。 Ｎ−ジメヂルポルノ・アミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルポルム
アミド、Ｎ−メチルポルムアミド、ジメチルスルホオキ
シド、Ｎ、Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルメトキシプセトアミｌ゛、ヘギザメチルホスホルアミ
ド、ピリジン、ジメチルスルポン、テトラメチルスルポ
ン、ジメチルデｉ・ラメヂレンスルポン等があり、寸た
、フェノール系溶剤群としては、フェノール、クレゾー
ル、・＼゛−シし／ノールなどがある。 以上のものについては単独丑たｌｄ２種以上の混合で使
用される。 寸だ、その量が若干量であれば）・ルＪ−ン、−Ｙシラ
ン、石油ナフサ等の非溶剤を併用することができる。 上記、コート樹脂組成物＆：ｌ：　、、半導体素子に塗
布し、１２０〜２５０ｃ程度で敬時間焼（＝Ｊける。 ソノ後、エホキシ樹脂、ジアリルフクレー　１・樹脂、
フェノール樹脂、不飽和ポリニスデル樹脂、シリコーン
樹脂、イミド樹脂、ボリフェニｌ／ンスルフイドなどの
成形利料で、注型、トランスファ成型、射出成型などに
より、０．２〜５ｍｒｎ程度の７−１７さにモールドさ
れる。 以」−により、一般のポリイミドやシリコーン樹月旨で
１呈護コートした与ら合一や、１．！＋３ｎ〔−ｌ−ト
なしでイ立Ｊ脂卦］市した’ｌ＝）針に比べ一〇耐習性
にすぐれた半導体装Ｉ１“１．がイＩＩられる。 実施例１ キシレ／−α、α′−ジイルービスＣ３，５−ジー　（
２−プロペニル）１，３．５−トリアジン−２，４，６
（Ｌｌｌ、３１１，５１１）　−）　リオン〕１０重用
ｆ＜１；をトルエンＩ、　００　、ｉｌｉ、　ｌｉｔ、
部に溶）管した後、これに、ジクミルパーオへ′す・ｆ
ド０．３−ｉＴｉ尾。 ｉ′〜（ｉを加えた。 この溶２＋１を、Ｍ　ＯＳ型４０ビン１７Ｓ　、Ｌ素子
表面に所布し、１００　Ｃ，：３０分＋１８０Ｃ，１時
間加熱して約４０μＩＩ＋のコートｔ＋ｙｘを７（ζ子
表面に形成１７た。 次いで、エポキシ（１）１脂成形利料（ノボラックフェ
ノール（（ｉＪ脂イ１す官ヒエボギシ系：日立化成社製
）で、１８０Ｕ、２分、　７０　ＫＶ／　ｔｙｔｔ’の
条１牛でトランスファ成形して、１刺脂封屯型２１／、
導体装ｊａを得だ。 との半導体装１ａのプレッシャ・フッカ試験（１２１１
，２気圧過飽和水蒸気中放１ｉ’７　）　、１０００時
間後の故障率は０．１％とすぐれていノｃ０比較例Ｉ Ｌ　Ｓ　Ｉ素子表面ｒ（コート膜を形成し／Ｃいて（１
γ１脂封止した半導体装置の、実施例１と同条ｆＩ　ｌ
’の故障率は５０％であった。 実施例２ キシレン−α、α′−ジイル−ビス［３，５−ジー（２
−プロペニル）１，３．５−）リアジン−２，４，６＝
（１１（，３１−Ｉ、５１１）−トリオン〕５沖量部と
ポリアミノビスマレイミド（ケル・ｆミドＪ＜、６０１
；ローン・ブーラン社製）５爪１１ｔ　ｒｓｔ＋を、Ｎ
−）　チル−２−ｆｆｏ　ＩＪ　ドア　ｌ　００　ｊｌ
’Ｂ、−Ｆ４ｊ’ｔｌｉに０４　＄４した後、これにジ
クミルパーオギ゛す゛・「１・゛（１，３７１（酸部を
加えた。 この溶ｈｔを、６４■（ピットメモリ用へ４０８型１）
ｒｔｌＡＭ−Ｌ　Ｓ　Ｉ　（７）Ｘ子表面に塗布し、１
５０１．”。 ３０分＋２５０Ｇ、１時間加熱して、約：３５〜７０μ
ｍ１】のコート膜を素子表向に形成したっθξいＣ、エ
ボ・）・シ）Ｄｊ脂成形Ａｊオ１−Ｃ１１８０Ｃ。 ２分、　７　（］　ｌ（ｇ　／　ｔ１ｎ２の東件でトラ
ンスファ成形して１、ｌｆｌ　１１７ｔ　：１’：ｌ　
上型＃”　＞薄体装置ｉｔ、　ｋ　イ４）　Ａ：。 このメモリ川り、８Ｉの、実施例１と同条件下での１１
１１湿性は、プレン／−）゛・フッカ試験、１０００時
間後の故１５１工率Ｑ口）、２％とすぐれていた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　樹脂封止型半導体装置において、素子表面が一般式 ） 〔式中、Ｘは−Ｃｌ１２Ｃ］］：＝ＣｌＩ２　、−ＣＯ
   ＣＨ＝ＣＪＩ２　。 ＣＯＣ（ＣＩＩｓ　）＝ＣＨ２、ＣｏｏＣＨ＝ＣＩＩｚ
   　　。 ＣＯＯＣ（ＣＬ］３）　−Ｃ１−１２、ＯＯＣＣＩ［−
   Ｃ１ｉ　２　。 −０ＯＣＣ（ＣＨ３）　−ＣＨ２を示す〕で表わさノＬ
   る化合物を少なくとも含む（☆ｊ脂組成物でコートされ
   、さらに、樹脂で月面してなることを１１を徴とする半
   導体装置。