JPS5925227A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS5925227A JPS5925227A JP13372482A JP13372482A JPS5925227A JP S5925227 A JPS5925227 A JP S5925227A JP 13372482 A JP13372482 A JP 13372482A JP 13372482 A JP13372482 A JP 13372482A JP S5925227 A JPS5925227 A JP S5925227A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- plasma
- temperature
- processed
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマエツチングにおける被処理物であるウ
ェーハの温度の測定および制御とエツチングの終点を高
感度かつ高精度で検出することによりそのプラズマ発振
機系に対し自動制御を加える技術に関する。
ェーハの温度の測定および制御とエツチングの終点を高
感度かつ高精度で検出することによりそのプラズマ発振
機系に対し自動制御を加える技術に関する。
集積回路がより微細化されるに伴いエツチングにおける
加工精度に対する要求は増々厳しくなっている。本発明
はプラズマエツチングの反応速度を大きく左右するウェ
ーハ表面の温１λ〔の制御法とコーノチングの終点検出
に対し感度を上げるだめの改善とウェーハ等の被処理物
である基板の種類の変化に対しても対応出来るように改
イ９し加］−鞘度を上げることを目的としている。
加工精度に対する要求は増々厳しくなっている。本発明
はプラズマエツチングの反応速度を大きく左右するウェ
ーハ表面の温１λ〔の制御法とコーノチングの終点検出
に対し感度を上げるだめの改善とウェーハ等の被処理物
である基板の種類の変化に対しても対応出来るように改
イ９し加］−鞘度を上げることを目的としている。
温度制御に関しては、従来、熱１（イ１対をウェーハの
近傍に設置し、この熱電対による温度測定に１って測定
温度ど設定温度との偏差を制御することで加熱系に対し
フィードバンクする方式が取ら）［ている。この方式の
欠点はウェーハ表面の温度が正確に測定出来ない点、ま
だ、熱’＋ｂ；対自体対組体装置内の清掃時等に破損す
る場合が少（ないことである。これに対し本発明は後述
するが、赤外線ツｌメラを用いることによりウェーハの
表面温度を直接測定することにより反応温度をより正確
に測定することが可能となる。また、本発明は温度検知
器が反応容器の外部に取付けられるため内部の清掃時に
破損する等の問題もなくなる。しうになっている。
近傍に設置し、この熱電対による温度測定に１って測定
温度ど設定温度との偏差を制御することで加熱系に対し
フィードバンクする方式が取ら）［ている。この方式の
欠点はウェーハ表面の温度が正確に測定出来ない点、ま
だ、熱’＋ｂ；対自体対組体装置内の清掃時等に破損す
る場合が少（ないことである。これに対し本発明は後述
するが、赤外線ツｌメラを用いることによりウェーハの
表面温度を直接測定することにより反応温度をより正確
に測定することが可能となる。また、本発明は温度検知
器が反応容器の外部に取付けられるため内部の清掃時に
破損する等の問題もなくなる。しうになっている。
一方、終点検出系に関する従来技術にあっては、プラズ
マ発光時の特定波長を利用する構造となっていることか
ら、′まず、フィルターで波長選択をした後に％定波長
光をオプチカルファイバーにて光検知器へ送シ込み、そ
の電流の強弱を監視する方式が多く取られでいる。この
方式の欠点はフィルターが特定波長用に固定されるだめ
にウェーハ等の基板の種類が変ると信号の検出力が弱く
なること、寸だ、フィルターを交換したとしても交換に
よる繁雑差を伴うことである。さらに、フィルターを通
すことで光の強度自体が減衰する欠点を持っている。上
記のような欠点に加えウェーハ上の被加工面積が小であ
る場合は得られる（ｉｒ号が一層弱くなり、エツチング
の終点の決定が正確でなくなることが多い。
マ発光時の特定波長を利用する構造となっていることか
ら、′まず、フィルターで波長選択をした後に％定波長
光をオプチカルファイバーにて光検知器へ送シ込み、そ
の電流の強弱を監視する方式が多く取られでいる。この
方式の欠点はフィルターが特定波長用に固定されるだめ
にウェーハ等の基板の種類が変ると信号の検出力が弱く
なること、寸だ、フィルターを交換したとしても交換に
よる繁雑差を伴うことである。さらに、フィルターを通
すことで光の強度自体が減衰する欠点を持っている。上
記のような欠点に加えウェーハ上の被加工面積が小であ
る場合は得られる（ｉｒ号が一層弱くなり、エツチング
の終点の決定が正確でなくなることが多い。
ソコテ、本発明では、レンズを用いてプラズマ発光を多
く集光し検知器へ送り込むことと、分光器と組み合わせ
ることにより任意の基板にλＪしその発光スペクトルを
分析可能とすること、さらに、各基板に対する特性スペ
クトルを監視することにより微弱な信号を適切かつ正確
に把えることで加工精度を向−ヒする点を特徴とする。
く集光し検知器へ送り込むことと、分光器と組み合わせ
ることにより任意の基板にλＪしその発光スペクトルを
分析可能とすること、さらに、各基板に対する特性スペ
クトルを監視することにより微弱な信号を適切かつ正確
に把えることで加工精度を向−ヒする点を特徴とする。
以下、本発明のプラズマエツチング装置の一実施５１Ｊ
を図面を用いて説す］する。
を図面を用いて説す］する。
図面は本発明の高精度プラズマエツチング装置の一実施
例の概１賂図である。同図中、］はエツチングチャンバ
ーであり、下部のウェーハ載置台４上に椋処理物である
半導体のウェーハ２を載置する。エツチングチャンバー
１内は１対のプラズマ発振電極３．３′によってプラズ
マ化される。５はｄｉＡ度検知する赤外線ノノメラであ
−）で、プラズマ反応中にウェーハ表面ノ、シ発する赤
外１ｆ１ｉｌを捕えその信号を６の温度制御機へ送る。
例の概１賂図である。同図中、］はエツチングチャンバ
ーであり、下部のウェーハ載置台４上に椋処理物である
半導体のウェーハ２を載置する。エツチングチャンバー
１内は１対のプラズマ発振電極３．３′によってプラズ
マ化される。５はｄｉＡ度検知する赤外線ノノメラであ
−）で、プラズマ反応中にウェーハ表面ノ、シ発する赤
外１ｆ１ｉｌを捕えその信号を６の温度制御機へ送る。
この温度制御機６ｔまウェーハ載置台４の内部に埋め適
寸れたヒータ（図示せず）に対し設定温度と測定温度の
差を補正するように機能する。７は測定温度の記録側で
あり、エツチング中の温度を自動記録する機能を持って
いる。８−プラズマ発光を捕集するレンズであり、この
光をオプチカルファイバー９を通して分光機１０へ導入
する。本分光機では異なる種類の基板の特１」ニスベク
トルの選ＪＲを行なう機能を持たせ、同一種類の基板の
エツチングに対しては波長を固定し、特定ピークの監視
をすることによりその終点の決定を性力う。この場合、
特定ピークの強弱信号をエツチング終点制御機１１へ送
り、この制御機を通してプラズマ発振機１２の印加。
寸れたヒータ（図示せず）に対し設定温度と測定温度の
差を補正するように機能する。７は測定温度の記録側で
あり、エツチング中の温度を自動記録する機能を持って
いる。８−プラズマ発光を捕集するレンズであり、この
光をオプチカルファイバー９を通して分光機１０へ導入
する。本分光機では異なる種類の基板の特１」ニスベク
トルの選ＪＲを行なう機能を持たせ、同一種類の基板の
エツチングに対しては波長を固定し、特定ピークの監視
をすることによりその終点の決定を性力う。この場合、
特定ピークの強弱信号をエツチング終点制御機１１へ送
り、この制御機を通してプラズマ発振機１２の印加。
および停止の動作を制御する。エツチング開始と共に特
定ピークは強くなり、終了と共に弱くなるが、この信号
の変化に対し制御機１１ではエツチング終了後その加工
工程毎に設定されだオーバ・エッチ時間経過後発振機１
２に対し停止の信号を送ることになる。分光機１０ばそ
のスペクトル変化を自動記録する機能も有する。−また
、１３は排気系である。
定ピークは強くなり、終了と共に弱くなるが、この信号
の変化に対し制御機１１ではエツチング終了後その加工
工程毎に設定されだオーバ・エッチ時間経過後発振機１
２に対し停止の信号を送ることになる。分光機１０ばそ
のスペクトル変化を自動記録する機能も有する。−また
、１３は排気系である。
なお、上記実施例では同軸形プラズマ装置に対する適用
例を示［７たが、本発明は各種プラズマエツチング装置
における温度測定、および、エツチング終点検出にすべ
て適用が可能である。
例を示［７たが、本発明は各種プラズマエツチング装置
における温度測定、および、エツチング終点検出にすべ
て適用が可能である。
土述のように、本発明の高精度プラズマエツチング装置
によれば、次のような利点がある。（す。
によれば、次のような利点がある。（す。
プラズマエツチング中のウェーハ温度は赤外光の測定に
よるだめよシ正確に測定することができるだめより加工
ばらつきを低減できる。■、プラズマ発光をレンズで集
光し分光機で特性スペクトルを監視することにより高感
度、かつ高精度でエツチングの終点を決定することがで
きる、（ｑ）、プラズマ発光を分光機で解析することに
、Ｌり基板の種類に固有のスペクトルを監視することが
可能となυ、いか々る基板に対しても最適の加工精度を
求めることかできる。以上のような加二ロ精度の改善に
より半導体デバイスの特性を更に向−ヒすることができ
る。
よるだめよシ正確に測定することができるだめより加工
ばらつきを低減できる。■、プラズマ発光をレンズで集
光し分光機で特性スペクトルを監視することにより高感
度、かつ高精度でエツチングの終点を決定することがで
きる、（ｑ）、プラズマ発光を分光機で解析することに
、Ｌり基板の種類に固有のスペクトルを監視することが
可能となυ、いか々る基板に対しても最適の加工精度を
求めることかできる。以上のような加二ロ精度の改善に
より半導体デバイスの特性を更に向−ヒすることができ
る。
図面は本発明プラズマエツチング装置の１実施例の概略
図である。 １ ・エツチングチャンバー、２・ウェーハ、３゜３仁
プラズマ発振電極、４・・・ウェー・・積載台、５・赤
外線カメラ、６・・温度制御機、７・・温度記録計、８
・・・集光用レンズ、９・・・オプチカルファイバー、
ｌＯ・・分光機、１１・・・エツチング終点制御機、
］２・・プラズマ発振機、１３・・排気系。
図である。 １ ・エツチングチャンバー、２・ウェーハ、３゜３仁
プラズマ発振電極、４・・・ウェー・・積載台、５・赤
外線カメラ、６・・温度制御機、７・・温度記録計、８
・・・集光用レンズ、９・・・オプチカルファイバー、
ｌＯ・・分光機、１１・・・エツチング終点制御機、
］２・・プラズマ発振機、１３・・排気系。
Claims (1)
- １ プラズマエツチング装置において、赤外線カメラに
より被処理物の表面の温度を測定しこの測定情報に基い
てヒータ制御を行うと同時に温度の自動記録を行う機構
と、エツチング中に発光する光をレンズを用いて感度を
上げた状態で集光するとともに分光機で特性スペクトル
を監視しなから自動的にエツチングの終点を決定する機
構と、を有するプラズマエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13372482A JPS5925227A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13372482A JPS5925227A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5925227A true JPS5925227A (ja) | 1984-02-09 |
Family
ID=15111421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13372482A Pending JPS5925227A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5925227A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5147498A (en) * | 1990-04-09 | 1992-09-15 | Anelva Corporation | Apparatus for controlling temperature in the processing of a substrate |
| US5320704A (en) * | 1990-11-28 | 1994-06-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus |
| EP0658416A2 (de) * | 1993-11-23 | 1995-06-21 | Dyconex Patente Ag | Verfahren zur Strukturierung von Polymerfolien |
| WO2006077390A1 (en) * | 2005-01-18 | 2006-07-27 | Point 35 Microstructures Limited | Improved method and apparatus for monitoring a microstructure etching process |
| WO2009094884A1 (fr) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Beijing Nmc Co., Ltd. | Procédé et dispositif permettant de détecter un point final dans un processus |
| EP2024987B1 (en) * | 2006-06-05 | 2017-11-22 | Oerlikon USA Inc. | Temperature control method for photolithographic substrate |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55120886A (en) * | 1979-01-17 | 1980-09-17 | Arrow Dev Co | Passage for amusement vehicle which sharply turn in angle less than complete one cycle and use helix |
-
1982
- 1982-08-02 JP JP13372482A patent/JPS5925227A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55120886A (en) * | 1979-01-17 | 1980-09-17 | Arrow Dev Co | Passage for amusement vehicle which sharply turn in angle less than complete one cycle and use helix |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0658416A3 (ja) * | 1993-11-23 | 1995-07-26 | Heinze Dyconex Patente | |
| WO2006077390A1 (en) * | 2005-01-18 | 2006-07-27 | Point 35 Microstructures Limited | Improved method and apparatus for monitoring a microstructure etching process |
| US7672750B2 (en) | 2005-01-18 | 2010-03-02 | Point 35 Microstructures Ltd. | Method and apparatus for monitoring a microstructure etching process |
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| WO2009094884A1 (fr) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Beijing Nmc Co., Ltd. | Procédé et dispositif permettant de détecter un point final dans un processus |
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