JPS59231424A - 赤外線透過窓 - Google Patents
赤外線透過窓Info
- Publication number
- JPS59231424A JPS59231424A JP58107083A JP10708383A JPS59231424A JP S59231424 A JPS59231424 A JP S59231424A JP 58107083 A JP58107083 A JP 58107083A JP 10708383 A JP10708383 A JP 10708383A JP S59231424 A JPS59231424 A JP S59231424A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- infrared
- infrared ray
- film
- heating element
- ray transmitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 5
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 3
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、調理庫内など汚れ易い雰囲気内で使用さり、
る赤外線センサの赤外線透過窓に関するものである。
る赤外線センサの赤外線透過窓に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、赤外線センサは検出素子１を支持台２に接続した
のち、内部リード線３で検出素子１と外部リード線４と
を電気的に接続し、さらに、赤外線透過性窓５を設けた
保護容器６を支持台２に接続して構成される。
のち、内部リード線３で検出素子１と外部リード線４と
を電気的に接続し、さらに、赤外線透過性窓５を設けた
保護容器６を支持台２に接続して構成される。
このような赤外線センサを調理庫内など汚れ易い雰囲気
内で使用する場合、赤外線透過性窓５の外表面５１が調
理物などで汚れるという欠点があった。調理物などの汚
れは赤外線を透過しないので、外部空間から入射する赤
外線が検出素子１に到達しない。このため赤外線を検出
できない。
内で使用する場合、赤外線透過性窓５の外表面５１が調
理物などで汚れるという欠点があった。調理物などの汚
れは赤外線を透過しないので、外部空間から入射する赤
外線が検出素子１に到達しない。このため赤外線を検出
できない。
この問題点を解消するだめに、従来、赤外線透過性窓５
の外表面５１の前面に、シャッタなどを設けて汚れを防
止していた。しかし、この手段は、構成が煩雑で、価格
が高くなるのみならず、赤外線を検出する場合にはシャ
ッタを開くので、このときに汚れが付着する可能性があ
る。このためシャッタを設けない場合に比べ、汚れの付
着する時間が長くなる効果は得られるが、本質的に汚れ
を防止できない。
の外表面５１の前面に、シャッタなどを設けて汚れを防
止していた。しかし、この手段は、構成が煩雑で、価格
が高くなるのみならず、赤外線を検出する場合にはシャ
ッタを開くので、このときに汚れが付着する可能性があ
る。このためシャッタを設けない場合に比べ、汚れの付
着する時間が長くなる効果は得られるが、本質的に汚れ
を防止できない。
発明の目的
本発明は赤外線透過゛性態に付着した汚れを熱的に除去
することにより、本質的に汚れを防止することができる
赤外線透過性窓を提供することを目的とする。
することにより、本質的に汚れを防止することができる
赤外線透過性窓を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明の赤外線透過性窓は赤外線透過性基板の一方の表
面に赤外線透過性発熱体膜と電極膜とを形成して構成さ
れる。
面に赤外線透過性発熱体膜と電極膜とを形成して構成さ
れる。
赤外線透過性窓の表面が調理物などで汚れだ場合、本発
明の赤外線透過性窓は赤外線透過性発熱体１１ψとＩＬ
電極膜を有１〜でいるので、電極膜を通して赤外線透過
性発熱体膜に電力を印加し、赤外線透過性窓を高温に保
持できる。調理物などの汚りは高温トーで酸化・燃焼さ
せて、赤外線透過性窓から除去される。
明の赤外線透過性窓は赤外線透過性発熱体１１ψとＩＬ
電極膜を有１〜でいるので、電極膜を通して赤外線透過
性発熱体膜に電力を印加し、赤外線透過性窓を高温に保
持できる。調理物などの汚りは高温トーで酸化・燃焼さ
せて、赤外線透過性窓から除去される。
実施例の説明
本発明の赤外線透過性窓の一実施例の断面構成を第２図
に小す。赤外線透過性基板７に８１を用い、その一方の
表面にＡｕ−Ｐｔ電極膜８とＳｉＣ膜て溝成さ、ＩＬだ
赤外線透過性発熱体膜９とを形成した。
に小す。赤外線透過性基板７に８１を用い、その一方の
表面にＡｕ−Ｐｔ電極膜８とＳｉＣ膜て溝成さ、ＩＬだ
赤外線透過性発熱体膜９とを形成した。
ＳｉＣ発熱体膜９はスパッタリング法で膜厚約２μｍ形
成した。このＳｉＣ発熱体膜９の室温での分光赤外線透
過率を第３図に示す。同図に示すように、波長１Ｑμｍ
以下の赤外線領域では８０′ン。以上の透過率を示した
。他方、調理器などの使用温度範囲は、０℃から３００
℃であり、この範囲での赤外線は波長１０μｍ以下の赤
外線が大部分であるので、この波長領域での透過率が重
要である。従って、ＳｉＣ発熱体膜９が１１〜１７μｍ
の波長領域の赤外線に対して不透明であることは、実用
上問題にならない。
成した。このＳｉＣ発熱体膜９の室温での分光赤外線透
過率を第３図に示す。同図に示すように、波長１Ｑμｍ
以下の赤外線領域では８０′ン。以上の透過率を示した
。他方、調理器などの使用温度範囲は、０℃から３００
℃であり、この範囲での赤外線は波長１０μｍ以下の赤
外線が大部分であるので、この波長領域での透過率が重
要である。従って、ＳｉＣ発熱体膜９が１１〜１７μｍ
の波長領域の赤外線に対して不透明であることは、実用
上問題にならない。
また、このＳｉＣ発熱体膜９にＡｕ−Ｐｔ電極膜８を通
して３ ’Ｗ／ａａ の電力を印加１７たとき、Ｓ１赤
外線透過性基板７は約４００℃に加熱さｉｔ、調理物な
どの有機物の汚れは酸化・燃焼してＳｉ赤外線透過性基
板７から除去された。
して３ ’Ｗ／ａａ の電力を印加１７たとき、Ｓ１赤
外線透過性基板７は約４００℃に加熱さｉｔ、調理物な
どの有機物の汚れは酸化・燃焼してＳｉ赤外線透過性基
板７から除去された。
なお、ＳｉＣ発熱体膜９の赤外線透過率は温度上昇と共
に低下するが、調理器などは連続的に使用されることは
なかので、不使用時に前述（〜だ加熱による汚れ除去を
実施し、赤外線透過性窓を清浄に保って、次の調理に備
えることができる。従って、加熱時のＳｉＣ発熱体膜９
の赤外線透過率の低下は、実用上問題にならなか。
に低下するが、調理器などは連続的に使用されることは
なかので、不使用時に前述（〜だ加熱による汚れ除去を
実施し、赤外線透過性窓を清浄に保って、次の調理に備
えることができる。従って、加熱時のＳｉＣ発熱体膜９
の赤外線透過率の低下は、実用上問題にならなか。
また、赤外線透過性基板７として、Ｓｉを例にして説明
したが、このほかにもＧｅ、Ｎａｃｌ、ＫＢｒ。
したが、このほかにもＧｅ、Ｎａｃｌ、ＫＢｒ。
ＭｇＯ，ＣａＦ２．ＢａＦ２などでもよいことは明らか
であろう。
であろう。
発明の効果
本発明の赤外線透過性窓によれば次のような効果が得ら
れる。
れる。
１ 赤外線透過性基板の一方の表面に赤外線透過性発熱
体膜と電極膜とを形成しているので、調理物などの汚れ
が付着した場合、この発熱体膜に電力を印加し、赤外線
透過性窓を加熱して、熱的に汚れを除去できる。
体膜と電極膜とを形成しているので、調理物などの汚れ
が付着した場合、この発熱体膜に電力を印加し、赤外線
透過性窓を加熱して、熱的に汚れを除去できる。
２ 赤外線透過性基板にＮａｃｄなど水溶性材料を用い
た場合でも、赤外線透過性発熱体膜と電極膜とがＮａｃ
ｄ基板表面を被覆しているので、耐水性が向上する。
た場合でも、赤外線透過性発熱体膜と電極膜とがＮａｃ
ｄ基板表面を被覆しているので、耐水性が向上する。
第１図は赤外線センサの構造を示す断面図、第２図は本
発明の赤外線透過窓の一実施例構造を示す断面図、第３
図はＳｉＣ発熱体膜の分光赤外線透過率を示す特性図で
ある。 ７−・・・・赤外線透過性基板、８・・・・電極膜、９
・・・・・赤外線透過性発熱体膜。
発明の赤外線透過窓の一実施例構造を示す断面図、第３
図はＳｉＣ発熱体膜の分光赤外線透過率を示す特性図で
ある。 ７−・・・・赤外線透過性基板、８・・・・電極膜、９
・・・・・赤外線透過性発熱体膜。
Claims (3)
- （１）赤外線透過性基板の一方の表面に赤外線透過性発
熱体膜と電極膜とを形成してなる赤外線透過窓。 - （２）赤外線透過性基板がＳｉ、Ｇｅ、Ｎａｃｌ、ＫＢ
ｒ。 Ｍ ｇ Ｏ、Ｃａ Ｆ ２ 、 Ｂ ａ、 Ｆ ２から
選ばれた１種である特許請求の範囲第１項記載の赤外線
透過窓。 - （３）赤外線透過性発熱体膜がＳｉＣ膜である特許請求
の範囲第１項記載の赤外線透過窓。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58107083A JPS59231424A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 赤外線透過窓 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58107083A JPS59231424A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 赤外線透過窓 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59231424A true JPS59231424A (ja) | 1984-12-26 |
Family
ID=14450041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58107083A Pending JPS59231424A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 赤外線透過窓 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59231424A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130621A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Infrared ray permeating window |
-
1983
- 1983-06-15 JP JP58107083A patent/JPS59231424A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130621A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Infrared ray permeating window |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4280058A (en) | Flame detector | |
| JP3399399B2 (ja) | 赤外線センサ及びその製造方法 | |
| JPH11253303A (ja) | 調理具の温度を測定するための温度センサ―を含む調理具 | |
| US7538938B2 (en) | Optical filter for flash lamps in pulsed thermal imaging | |
| JPS6146768B2 (ja) | ||
| JPS59231424A (ja) | 赤外線透過窓 | |
| JPS6013226A (ja) | 赤外線透過窓 | |
| JPS6039517A (ja) | 赤外線透過窓 | |
| JP3217533B2 (ja) | 赤外線センサ | |
| ES2045509T3 (es) | Pared acristalada calentada. | |
| JPS6179124A (ja) | 焦電型赤外線センサ | |
| JP2531231B2 (ja) | 熱型赤外線センサ | |
| JP2955157B2 (ja) | 電気炊飯器 | |
| JPS6160363B2 (ja) | ||
| JPS60171425A (ja) | 焦電形熱検出素子 | |
| JP2517199Y2 (ja) | サーモパイル | |
| JPS6138427A (ja) | 赤外線検出素子 | |
| JPS60154125A (ja) | 赤外線検出器 | |
| JPH0718984Y2 (ja) | 高感度温度検出器 | |
| JPS5950320A (ja) | 調理器 | |
| JPS61165988A (ja) | 加熱調理器 | |
| JPH01210830A (ja) | 赤外線温度分布測定装置 | |
| Imaz et al. | IR sensor for temperature measurement in domestic induction heating systems | |
| JPS5918243Y2 (ja) | 高周波加熱装置 | |
| JPH0614934U (ja) | 赤外線検出センサ |