JPS5922698B2 - ホゴサレタアミノキモシクハ ヒドラジノキオユウスルカゴウブツノセイゾウホウ - Google Patents
ホゴサレタアミノキモシクハ ヒドラジノキオユウスルカゴウブツノセイゾウホウInfo
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- JPS5922698B2 JPS5922698B2 JP13128975A JP13128975A JPS5922698B2 JP S5922698 B2 JPS5922698 B2 JP S5922698B2 JP 13128975 A JP13128975 A JP 13128975A JP 13128975 A JP13128975 A JP 13128975A JP S5922698 B2 JPS5922698 B2 JP S5922698B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はペプタイドその他アミノ基、ヒドラジノ基含有
化合物の合成中間体として有用な保護されたアミノ基も
しくはヒドラジノ基を有する化合物の製造法に関する。
化合物の合成中間体として有用な保護されたアミノ基も
しくはヒドラジノ基を有する化合物の製造法に関する。
さらに詳しくは、本発明は一般式
R−O−C−A田
(式中、Rは3級アルキル基、置換分を有していてもよ
いベンジル基を、Aはアミン類もしくはヒドラジン類の
アミノ基、ヒドラジノ基から水素原子一個を除いて形成
される基を示す)で表わされる化合物の製造法に関する
。
いベンジル基を、Aはアミン類もしくはヒドラジン類の
アミノ基、ヒドラジノ基から水素原子一個を除いて形成
される基を示す)で表わされる化合物の製造法に関する
。
上記一般式(I)の化合物は、アミン類もしくはヒドラ
ジン類のアミノ基もしくはヒドラジノ基にR−O−C−
を導入することによつて製造されるが、従来知られてい
るこの種化合物の製造法としては、保護基導入剤として
を−ブトキシカルボニルヒドラジドなどを使用する方法
〔ジヤナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイエテ
イ、第79巻、第442頁(1957年)■同第81巻
、第955頁(1959年);日本化学会誌、第85巻
、第591頁(1964年)〕、を−アミルオキシクロ
ロホルメートなどを反応させる方法〔ビユリチン・オブ
・ケミカル・ソサイエテイ・オブ・ジャパン、第38巻
、第1522頁(1965年)〕を−ブトキシカルボニ
ルーN−ハイドロスクシンインドエステルなどを反応さ
せる方法〔テトラヘドロン・レタース、第39巻、第4
765頁(1966年)〕その他が挙げられる。
ジン類のアミノ基もしくはヒドラジノ基にR−O−C−
を導入することによつて製造されるが、従来知られてい
るこの種化合物の製造法としては、保護基導入剤として
を−ブトキシカルボニルヒドラジドなどを使用する方法
〔ジヤナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイエテ
イ、第79巻、第442頁(1957年)■同第81巻
、第955頁(1959年);日本化学会誌、第85巻
、第591頁(1964年)〕、を−アミルオキシクロ
ロホルメートなどを反応させる方法〔ビユリチン・オブ
・ケミカル・ソサイエテイ・オブ・ジャパン、第38巻
、第1522頁(1965年)〕を−ブトキシカルボニ
ルーN−ハイドロスクシンインドエステルなどを反応さ
せる方法〔テトラヘドロン・レタース、第39巻、第4
765頁(1966年)〕その他が挙げられる。
しかしながら、これらの方法はいずれも保護基導入剤の
合成が困難であつたり、アミン類あるいはヒドラジン類
との反応操作が煩雑であつたり、原料物質が高価であつ
たり、収率が悪かつたり、反応試薬が不安定であつたり
、生成物の分離が困難であつたりしていずれも工業的製
法としては適当なものでない。
合成が困難であつたり、アミン類あるいはヒドラジン類
との反応操作が煩雑であつたり、原料物質が高価であつ
たり、収率が悪かつたり、反応試薬が不安定であつたり
、生成物の分離が困難であつたりしていずれも工業的製
法としては適当なものでない。
本発明者らは従来法の欠点を克服すべく研究を重ねた結
果、新規な一般式(式中、Rは前記と同意義)で表わさ
れる化合物がアミノ基、ヒドラジノ基の保護基導入剤と
して極めてすぐれたものであることを見出し本発明を完
成した。
果、新規な一般式(式中、Rは前記と同意義)で表わさ
れる化合物がアミノ基、ヒドラジノ基の保護基導入剤と
して極めてすぐれたものであることを見出し本発明を完
成した。
すなわち、本発明は一般式()で表わされる化合物と1
級または2級のアミン類もしくはヒドラジン類と反応さ
せることによる一般式(1)で表わされる化合物の製造
法である。
級または2級のアミン類もしくはヒドラジン類と反応さ
せることによる一般式(1)で表わされる化合物の製造
法である。
前記一般式(1)及び()に関して、Rで表わされる3
級アルキル基としては炭素数4〜10、なかんづくt−
ブチル,t−アミールなどの炭素数4,5のものが好ま
しい。
級アルキル基としては炭素数4〜10、なかんづくt−
ブチル,t−アミールなどの炭素数4,5のものが好ま
しい。
また置換分を有していてもよいベンジル基における置換
分としてはメトキシ,ニトロ,ハロゲン原子(塩素、臭
素、フツ素、ヨウ素),フエニルなどがあげられる。該
置換分の置換位置はベンジル基のフエニル部分、メチレ
ン部分のいずれでもよいが、好ましい態様はメトキシ,
ニトロ,ハロゲンはフエニル部分に、フエニルはメチレ
ン部分に置換している場合である。かかる置換分を有し
ていてもよいベンジル基の例としてはベンジル,p−メ
トキシベンジル,ジフエニルメチルなどが挙げられる。
本発明で用いられるアミン類は脂肪族アミン、芳香族ア
ミンのいずれでもよく、アミノ基の置換位置もいずれで
もよい。
分としてはメトキシ,ニトロ,ハロゲン原子(塩素、臭
素、フツ素、ヨウ素),フエニルなどがあげられる。該
置換分の置換位置はベンジル基のフエニル部分、メチレ
ン部分のいずれでもよいが、好ましい態様はメトキシ,
ニトロ,ハロゲンはフエニル部分に、フエニルはメチレ
ン部分に置換している場合である。かかる置換分を有し
ていてもよいベンジル基の例としてはベンジル,p−メ
トキシベンジル,ジフエニルメチルなどが挙げられる。
本発明で用いられるアミン類は脂肪族アミン、芳香族ア
ミンのいずれでもよく、アミノ基の置換位置もいずれで
もよい。
またこれらアミン類は適宜の位置に適宜の置換分(たと
えば、カルボキシル,スルホニル,スルフイニル,ヒド
ロキシ,ニトロ,ハロゲンなど)を有していてもよい。
かかるアミン類としては、たとえばアミノ酸(アラニン
,バリン,ロイシン,トリプトフアン,フエニルアラニ
ン,メチオニン,イソロイシン,プロリン,β−アラニ
ン,γ−アミノブチリツクアシドなど),その塩(ナト
リウム,カリウム,マグネシウム塩など),その誘導体
(エステル,酸アミドなど),ペプチド(アラニルバリ
ン,メチオニルフエニルアラニン,ロイシルグリシルセ
リン,フエニルアラニルグリシルバリルロイシンなど)
.アミノ糖系抗生物質(アミノサイクリトール,ストレ
プトマイシン,カナマイシン,ブレオマイシン,ネオマ
イシン,パロモマイシン,カスガマイjシンなど)など
があげられる。
えば、カルボキシル,スルホニル,スルフイニル,ヒド
ロキシ,ニトロ,ハロゲンなど)を有していてもよい。
かかるアミン類としては、たとえばアミノ酸(アラニン
,バリン,ロイシン,トリプトフアン,フエニルアラニ
ン,メチオニン,イソロイシン,プロリン,β−アラニ
ン,γ−アミノブチリツクアシドなど),その塩(ナト
リウム,カリウム,マグネシウム塩など),その誘導体
(エステル,酸アミドなど),ペプチド(アラニルバリ
ン,メチオニルフエニルアラニン,ロイシルグリシルセ
リン,フエニルアラニルグリシルバリルロイシンなど)
.アミノ糖系抗生物質(アミノサイクリトール,ストレ
プトマイシン,カナマイシン,ブレオマイシン,ネオマ
イシン,パロモマイシン,カスガマイjシンなど)など
があげられる。
本発明で用いられるヒドラジン類は脂肪族、芳香族いず
れでもよく、ヒドラジノ基の置換位置もいずれでもよい
。
れでもよく、ヒドラジノ基の置換位置もいずれでもよい
。
またこれらヒドラジン類は適宜の位置に適宜の置換分(
たとえばカルボキシル,スルホニル,スイフイニル,ヒ
ドロキシ,ニトロ,ハロゲンなどを有していてもよい。
かかるヒドラジン類としては、たとえばヒドラジン,フ
エニルヒドラジン,メチルヒドラジン,ヒドラジノアニ
ソールなどがあげられる。本発明の反応には溶媒は必ず
しも必須ではないが、通常溶媒の存在下に行われる。
たとえばカルボキシル,スルホニル,スイフイニル,ヒ
ドロキシ,ニトロ,ハロゲンなどを有していてもよい。
かかるヒドラジン類としては、たとえばヒドラジン,フ
エニルヒドラジン,メチルヒドラジン,ヒドラジノアニ
ソールなどがあげられる。本発明の反応には溶媒は必ず
しも必須ではないが、通常溶媒の存在下に行われる。
該溶媒としては化合物(),アミン類,ヒドラジン類と
反応しないものであればいずれでもよく、たとえば、水
、低級アルコール類(メタノール,エタノ・−ルなど)
エーテル類(ジオキサン,テトラヒドロフランなど),
ニトリル類(アセトニトリル),アミピ類(ジメチルホ
ルムアミド類)などがあげられ、好ましくは水と他の溶
媒の混合溶媒を用いる。反応温度は通常−10℃〜80
℃、好ましくは15℃〜80℃、更に好ましくは20℃
〜30℃で行われる。この反応において、アミン類もし
くはヒドラジン類中にアミノ基もしくはヒドラジノ基が
塩の形になつている場合塩基を添加することが好ましい
。塩基としてはトリエチルアミン,N−アルキルモルホ
リン、ピリジンなどの3級アミン,炭酸水素ナトリウム
,重炭酸水素ナトリウム,炭酸カリウム,重炭酸カリウ
ム,水酸化ナトリウム,水酸化カリウム,水酸化マグネ
シウムなどがあげられる。反応終了後、生成物はたとえ
ば酢酸、石油エーテルなどで再結晶をするなど自体公知
の適宜の手段で分離、精製することができるしまた分離
、精製することなく次の反応に付してもよい。
反応しないものであればいずれでもよく、たとえば、水
、低級アルコール類(メタノール,エタノ・−ルなど)
エーテル類(ジオキサン,テトラヒドロフランなど),
ニトリル類(アセトニトリル),アミピ類(ジメチルホ
ルムアミド類)などがあげられ、好ましくは水と他の溶
媒の混合溶媒を用いる。反応温度は通常−10℃〜80
℃、好ましくは15℃〜80℃、更に好ましくは20℃
〜30℃で行われる。この反応において、アミン類もし
くはヒドラジン類中にアミノ基もしくはヒドラジノ基が
塩の形になつている場合塩基を添加することが好ましい
。塩基としてはトリエチルアミン,N−アルキルモルホ
リン、ピリジンなどの3級アミン,炭酸水素ナトリウム
,重炭酸水素ナトリウム,炭酸カリウム,重炭酸カリウ
ム,水酸化ナトリウム,水酸化カリウム,水酸化マグネ
シウムなどがあげられる。反応終了後、生成物はたとえ
ば酢酸、石油エーテルなどで再結晶をするなど自体公知
の適宜の手段で分離、精製することができるしまた分離
、精製することなく次の反応に付してもよい。
本発明の方法によれば、アミノ基、ヒドラジノ基を選択
的に保護することができ、また広範囲の保護基について
利用でき、さらに化合物()はきわめて安定で取扱いが
容易である。
的に保護することができ、また広範囲の保護基について
利用でき、さらに化合物()はきわめて安定で取扱いが
容易である。
しかも本発明の反応において副生するN−ハイドロオキ
シ−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミドは
水に溶けやすく反応系からの除去がすこぶる容易であり
高純度、高収率に目的とする化合物()を得ることがで
きる。本発明で使用される化合物(…)は新規化合物で
あり、その製造法としてたとえば次の方法があげられる
。
シ−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミドは
水に溶けやすく反応系からの除去がすこぶる容易であり
高純度、高収率に目的とする化合物()を得ることがで
きる。本発明で使用される化合物(…)は新規化合物で
あり、その製造法としてたとえば次の方法があげられる
。
方法 1
一般式
(式中、Rは前記と同意義)又はその塩と一般式(式中
Xはハロゲンを示す)で表わされる化合物とを反応させ
る方法。
Xはハロゲンを示す)で表わされる化合物とを反応させ
る方法。
方法 2
化合物()中、Rが置換分を有していてもよいベンジル
基である化合物は一般式(式中、R′は置換分を有して
いてもよいベンジル基を、Xはハロゲン原子を表わす)
で表わされる化合物と一般式又はその塩とを反応させる
方法。
基である化合物は一般式(式中、R′は置換分を有して
いてもよいベンジル基を、Xはハロゲン原子を表わす)
で表わされる化合物と一般式又はその塩とを反応させる
方法。
前記一般式0V)及び(に関して、Xで表わされるハロ
ゲン原子としては塩素、臭素、フツ素、ヨ一素があげら
れ、特に好ましいものとして塩素があげられる。
ゲン原子としては塩素、臭素、フツ素、ヨ一素があげら
れ、特に好ましいものとして塩素があげられる。
方法1に関して、化合物(l)の塩としては化合物0V
)におけるXで表わされるハロゲン原子と反応しうるも
のであればいずれでもよく、その好適な例としてアルカ
リ金属塩、なかんずくナトリウム塩があげられる。
)におけるXで表わされるハロゲン原子と反応しうるも
のであればいずれでもよく、その好適な例としてアルカ
リ金属塩、なかんずくナトリウム塩があげられる。
方法1における反応は好ましくは不活性溶媒(たとえば
ベンゼン,トルエン,クロロホルム,ジクロルメタン,
テトラヒドロフラン,ジオキサン,酢酸エチル,アセト
ニトリル,エーテル)中で行われる。反応温度は−10
℃〜60℃、好ましくは00C〜10℃であり、反応時
間は通常30分〜180分、好ましくは60分〜100
分である。本反応においては通常化合物0V)に対して
1〜2倍量の化合物(I)を使用する。また本反応は塩
基、なかんずく3級アミンの存在下に行うのが有利であ
り、該3級アミンは化合物0V)に対して1〜2倍モル
量用いるのが好ましい。なお、方法1で用いられる化合
物AV)は、たとえばN−ハイドロオキシ−5−ノルボ
ルネン−2,3−ジカルボキシイミド又はその塩基性塩
と) (式中Xはハロゲン原子を表わす)とを反応させること
により得られる。
ベンゼン,トルエン,クロロホルム,ジクロルメタン,
テトラヒドロフラン,ジオキサン,酢酸エチル,アセト
ニトリル,エーテル)中で行われる。反応温度は−10
℃〜60℃、好ましくは00C〜10℃であり、反応時
間は通常30分〜180分、好ましくは60分〜100
分である。本反応においては通常化合物0V)に対して
1〜2倍量の化合物(I)を使用する。また本反応は塩
基、なかんずく3級アミンの存在下に行うのが有利であ
り、該3級アミンは化合物0V)に対して1〜2倍モル
量用いるのが好ましい。なお、方法1で用いられる化合
物AV)は、たとえばN−ハイドロオキシ−5−ノルボ
ルネン−2,3−ジカルボキシイミド又はその塩基性塩
と) (式中Xはハロゲン原子を表わす)とを反応させること
により得られる。
また方法2に関して、化合物(V1)の塩としては化合
物(中のXで表わされるハロゲン原子と反応するもので
あればいずれでもよく、たとえばアルカリ金属塩、なか
んずくナトリウム塩があげられる。
物(中のXで表わされるハロゲン原子と反応するもので
あればいずれでもよく、たとえばアルカリ金属塩、なか
んずくナトリウム塩があげられる。
方法2における反応条件は前記方法1の反応条件と同様
である。かくして得られた化合物()は、自体公知の手
段(たとえば抽出、再結晶あるいはクロマトグラフイな
ど)で容易に単離精製することができる。
である。かくして得られた化合物()は、自体公知の手
段(たとえば抽出、再結晶あるいはクロマトグラフイな
ど)で容易に単離精製することができる。
かくして得られた化合物()は製造が容易で、かつアミ
ン類,ヒドラジン類への保護基導入剤としては極めて安
定な化合物であり取り扱いが極めて簡便である。また、
保護基導入の際副生するNーハイドロオキシ−5−ノル
ボルネン−2,3−ジカルボキシイミドは水に易溶性で
すこぶる反応系からの除去が容易であるなど化合物()
は保護基導入剤として極めてすぐれた性質を有するもの
である。次に参考例および実施例を用いて本発明をより
具体的に説明する。なお実施例中のアミノ酸あるいはア
ミノ酸残基は特定しない限りL体である。また略号とし
て次のものを用いる。HONB:N−ヒドロキシ−5−
ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミドエステル BOC−:t−ブチルオキシカルボニル Z−リカルボベンゾキシ PMZ−:p−メトキシカルボベンゾキシAla:アラ
ニン Val.バリン Phe:フエニノレアラニン Trp:トリプトフアン Asp:アスパラギン酸 Met:メチオニン PrO:プロリン ILe:イソロイシン Leu:ロイシン 参考例 1 B0C0NBの製造 その1 H0NB35.89(0.2モル)をテトラヒドロフラ
ン150m1にとかし0℃に冷却してホスゲン269を
加える。
ン類,ヒドラジン類への保護基導入剤としては極めて安
定な化合物であり取り扱いが極めて簡便である。また、
保護基導入の際副生するNーハイドロオキシ−5−ノル
ボルネン−2,3−ジカルボキシイミドは水に易溶性で
すこぶる反応系からの除去が容易であるなど化合物()
は保護基導入剤として極めてすぐれた性質を有するもの
である。次に参考例および実施例を用いて本発明をより
具体的に説明する。なお実施例中のアミノ酸あるいはア
ミノ酸残基は特定しない限りL体である。また略号とし
て次のものを用いる。HONB:N−ヒドロキシ−5−
ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミドエステル BOC−:t−ブチルオキシカルボニル Z−リカルボベンゾキシ PMZ−:p−メトキシカルボベンゾキシAla:アラ
ニン Val.バリン Phe:フエニノレアラニン Trp:トリプトフアン Asp:アスパラギン酸 Met:メチオニン PrO:プロリン ILe:イソロイシン Leu:ロイシン 参考例 1 B0C0NBの製造 その1 H0NB35.89(0.2モル)をテトラヒドロフラ
ン150m1にとかし0℃に冷却してホスゲン269を
加える。
かきまぜながらトリエチルアミン28m1を1時間かけ
て滴下する。この際反応液は10℃以下に保つ。さらに
室温で1時間かきまぜて、析出した不溶物をろ去してろ
液を減圧濃縮する。残渣を石油ベンジンで結晶化すると
409のClCOONBをうる。このうち24.19(
0.1モル)をテトラヒドロフラン60m11にとかし
3級ブタノール8.9gを加え室温ではげしくかきまぜ
ながらピリジン9.59を30分かけて滴下する。さら
に室温で1時間かきまぜてのち、テトラヒドロフランを
減圧留去して残渣に酢酸エチル100m11水100m
1を加え酢酸エチル層はよく水洗して無水Na2sO4
で乾燥する。酢酸エチルを留去して石油ベンジンで結晶
化する。酢酸エチル−石油ベンジンで再結晶する、収量
14.6f!(52%)。融点122〜123℃元素分
析 Cl4H,7O5Nlとして 理論値 C6O.2O;H6.l4;N5.O2C59
.97;H5.9O;N4.93BOCONBの製造
その2 1)NaONBの製造 HONB2l59(1.2モル)とカセイソーダ529
(1.3モノ(ハ)を水200WLIIに加熱溶解し、
室温に放置する。
て滴下する。この際反応液は10℃以下に保つ。さらに
室温で1時間かきまぜて、析出した不溶物をろ去してろ
液を減圧濃縮する。残渣を石油ベンジンで結晶化すると
409のClCOONBをうる。このうち24.19(
0.1モル)をテトラヒドロフラン60m11にとかし
3級ブタノール8.9gを加え室温ではげしくかきまぜ
ながらピリジン9.59を30分かけて滴下する。さら
に室温で1時間かきまぜてのち、テトラヒドロフランを
減圧留去して残渣に酢酸エチル100m11水100m
1を加え酢酸エチル層はよく水洗して無水Na2sO4
で乾燥する。酢酸エチルを留去して石油ベンジンで結晶
化する。酢酸エチル−石油ベンジンで再結晶する、収量
14.6f!(52%)。融点122〜123℃元素分
析 Cl4H,7O5Nlとして 理論値 C6O.2O;H6.l4;N5.O2C59
.97;H5.9O;N4.93BOCONBの製造
その2 1)NaONBの製造 HONB2l59(1.2モル)とカセイソーダ529
(1.3モノ(ハ)を水200WLIIに加熱溶解し、
室温に放置する。
析出した結晶をろ取する。ろ液にアセトン200m1,
を加えて析出する結晶をろ取し、一番晶と合して水−ア
セトンより再結晶する。収量2309(96%)。融点
302〜304収C(分解)元素分析 C,H8NO3
Naとして 理論値 C53.77;H4.Ol;N6.96;Na
ll.44実測値 C53.58;H4,Ol;N7,
O3:Nall.232) ClCOONBの製造 NaONB2229(1.1モル)をベンゼン5009
にけんだくし、−10℃に冷却したホスゲン(1709
)のベンゼン(500祷)溶ノ液にかきまぜながら加え
る。
を加えて析出する結晶をろ取し、一番晶と合して水−ア
セトンより再結晶する。収量2309(96%)。融点
302〜304収C(分解)元素分析 C,H8NO3
Naとして 理論値 C53.77;H4.Ol;N6.96;Na
ll.44実測値 C53.58;H4,Ol;N7,
O3:Nall.232) ClCOONBの製造 NaONB2229(1.1モル)をベンゼン5009
にけんだくし、−10℃に冷却したホスゲン(1709
)のベンゼン(500祷)溶ノ液にかきまぜながら加え
る。
この際発熱しないように氷でよくひやし30分の時間を
かけて徐徐に加える。さらに室温で2時間かきまぜる。
析出した食塩をろ去して、ろ液を減圧濃縮すると結晶が
析出する。石油ベンジンを加えてろ取する。収量179
9(65%)。融点97℃元素分析 ClOH8O4N
Clとして理論値 C49.7O;H3.34:N5.
79:Cll4.67実測値 C5O.Ol;H3.2
8:N6.O6;Cll4.5l3)BOCONBの製
造 3級ブタノール759、ピリジン799をベンゼン20
0m1にとかし、O℃に冷却してCllCOONBl4
59(0.6モル)を30分かけて少量ずつ加える。
かけて徐徐に加える。さらに室温で2時間かきまぜる。
析出した食塩をろ去して、ろ液を減圧濃縮すると結晶が
析出する。石油ベンジンを加えてろ取する。収量179
9(65%)。融点97℃元素分析 ClOH8O4N
Clとして理論値 C49.7O;H3.34:N5.
79:Cll4.67実測値 C5O.Ol;H3.2
8:N6.O6;Cll4.5l3)BOCONBの製
造 3級ブタノール759、ピリジン799をベンゼン20
0m1にとかし、O℃に冷却してCllCOONBl4
59(0.6モル)を30分かけて少量ずつ加える。
さらに室温で2時間かきまぜてのちベンゼンを留去して
残留物を酢酸エチル500m1にとかし、水でよく洗う
。酢酸エチル層は無水Na2sO4で乾燥する。酢酸エ
チルを減圧留去して石油ベンジンで結晶化する。酢酸エ
チル−石油ベンジンで再結晶する。収量999(64%
)。融点121〜122℃・元素分析 Cl4Hl7O
5Nlとして 理論値 C6O.2O;H6.l4;N5.O2実測値
C6O.l2;H6.35;N4.9l参考例 2Z
・0NBの製造 HONBl89をテトラヒドロフラン300dにとかし
、これを0℃に冷却してZCOOCll7.29を20
9のテトラヒドロフランにとかした溶液をゆつくり滴下
し、さらにトリエチルアミン15m1を加えて4時間か
きまぜる。
残留物を酢酸エチル500m1にとかし、水でよく洗う
。酢酸エチル層は無水Na2sO4で乾燥する。酢酸エ
チルを減圧留去して石油ベンジンで結晶化する。酢酸エ
チル−石油ベンジンで再結晶する。収量999(64%
)。融点121〜122℃・元素分析 Cl4Hl7O
5Nlとして 理論値 C6O.2O;H6.l4;N5.O2実測値
C6O.l2;H6.35;N4.9l参考例 2Z
・0NBの製造 HONBl89をテトラヒドロフラン300dにとかし
、これを0℃に冷却してZCOOCll7.29を20
9のテトラヒドロフランにとかした溶液をゆつくり滴下
し、さらにトリエチルアミン15m1を加えて4時間か
きまぜる。
生ずるトリエチルアミンの塩酸塩を済去して、済液を減
圧乾固すると結晶が残る。少量の酢酸エチルに加熱溶解
して、石油ベンジンを加えて放置すると結晶が析出する
ので、済取して乾燥する。収量26.8g。融点91、
C元素分析 Cl7Hl5O5Nとして 理論値 C65.l7;H4.82;N4.7l実測値
C64.86;H4.9l;N4.9l参考例 3P
MZ−0NBの製造 アニスアルコール9.2a,ピリジン7.9m1,をベ
ンゼン507n1にとかし、0℃に冷却してClCOO
NBl49を加えはげしくかきまぜる。
圧乾固すると結晶が残る。少量の酢酸エチルに加熱溶解
して、石油ベンジンを加えて放置すると結晶が析出する
ので、済取して乾燥する。収量26.8g。融点91、
C元素分析 Cl7Hl5O5Nとして 理論値 C65.l7;H4.82;N4.7l実測値
C64.86;H4.9l;N4.9l参考例 3P
MZ−0NBの製造 アニスアルコール9.2a,ピリジン7.9m1,をベ
ンゼン507n1にとかし、0℃に冷却してClCOO
NBl49を加えはげしくかきまぜる。
室温で3時間かきまぜてのち、反応液に酢酸エチル20
0m1を加えよく水洗してのち酢酸エチル層を無水Na
2sO4で乾燥する。酢酸エチルを減圧留去し、残渣を
石油ベンジンで結晶化する。酢酸エチ .′ル一石油ベ
ンジンで再結晶する。12.19(6101))。
0m1を加えよく水洗してのち酢酸エチル層を無水Na
2sO4で乾燥する。酢酸エチルを減圧留去し、残渣を
石油ベンジンで結晶化する。酢酸エチ .′ル一石油ベ
ンジンで再結晶する。12.19(6101))。
融点91〜92ンC元素分析 C,8Hl7O6Nlと
して 理論値 C62.97;H4.99;N4,O8実測値
C62.79;H4.93;N3.88l実施例 1
B0C−ALaの製造 ALa−891η(10ミリモル)をジオキサン30m
1と水10m1の混合溶媒に加え、かきまぜながらトリ
エチルアミン2.1m1を滴下する。
して 理論値 C62.97;H4.99;N4,O8実測値
C62.79;H4.93;N3.88l実施例 1
B0C−ALaの製造 ALa−891η(10ミリモル)をジオキサン30m
1と水10m1の混合溶媒に加え、かきまぜながらトリ
エチルアミン2.1m1を滴下する。
さらにBOCONB2,O69(11ミリモル)を加え
て室温で2時間はげしくかきまぜる。ジオキサンを減圧
留去して、反応液にエーテル50m1を加えて洗う。水
層は10%クエン酸水で酸性とし、酢酸エチル(50m
1×2)で抽出し、酢酸エチル層は食塩水でよく洗い無
水Na2sO4で乾燥する。酢酸エチルを留去して残渣
を石油ベンジンで結晶化する。酢酸エチル−石油ベンジ
ンで結晶化する。収量1,579(83%)。融点81
〜82。C〔α〕ヤ一23.1(c−1 酢酸中)元素
分析 C8H,,O4N,として 理論値 C5O.78;H7.99;N7.4O実測値
C5l.O6;H7.86;N7.37実施例 2B
0C−VaLの製造 Vall.l79(10ミリモル)を0.5N−カセイ
ソーダ水にとかしてジオキサン20m1を加える。
て室温で2時間はげしくかきまぜる。ジオキサンを減圧
留去して、反応液にエーテル50m1を加えて洗う。水
層は10%クエン酸水で酸性とし、酢酸エチル(50m
1×2)で抽出し、酢酸エチル層は食塩水でよく洗い無
水Na2sO4で乾燥する。酢酸エチルを留去して残渣
を石油ベンジンで結晶化する。酢酸エチル−石油ベンジ
ンで結晶化する。収量1,579(83%)。融点81
〜82。C〔α〕ヤ一23.1(c−1 酢酸中)元素
分析 C8H,,O4N,として 理論値 C5O.78;H7.99;N7.4O実測値
C5l.O6;H7.86;N7.37実施例 2B
0C−VaLの製造 Vall.l79(10ミリモル)を0.5N−カセイ
ソーダ水にとかしてジオキサン20m1を加える。
室温でかきまぜながらBOCONB3.O69(11ミ
リモル)を加え室温ではげしくかきまぜる。2時間後0
.5N−NaOH2mlを反応液に加え終夜室温でかき
まぜる。
リモル)を加え室温ではげしくかきまぜる。2時間後0
.5N−NaOH2mlを反応液に加え終夜室温でかき
まぜる。
ジオキサンを減圧留去して、反応液に水50m11エチ
ルエーテル50m1を加え、分液して水層は10%クエ
ン酸水で酸性とし、酢酸エチル(50m1×2)で抽出
する。酢酸エチル層は水洗してのち無水Na2sO4で
乾燥する。酢酸エチルを減圧留去して、石油ベンジンで
結晶化する。酢酸エチル−石油ベンジンで再結晶する。
収量1.759(81%)。融点78〜79すc,〔α
〕D−5.7(c−1酢酸中)。元素分析 ClOH,
,O4Nlとして 理論値 C55.28;H8.82;N6.45実測値
C55.58;H8.49;N6.46実施例1また
は2と同様にして得られたBOC−アミノ酸類の収率、
融点、比旋光度を表に示す。
ルエーテル50m1を加え、分液して水層は10%クエ
ン酸水で酸性とし、酢酸エチル(50m1×2)で抽出
する。酢酸エチル層は水洗してのち無水Na2sO4で
乾燥する。酢酸エチルを減圧留去して、石油ベンジンで
結晶化する。酢酸エチル−石油ベンジンで再結晶する。
収量1.759(81%)。融点78〜79すc,〔α
〕D−5.7(c−1酢酸中)。元素分析 ClOH,
,O4Nlとして 理論値 C55.28;H8.82;N6.45実測値
C55.58;H8.49;N6.46実施例1また
は2と同様にして得られたBOC−アミノ酸類の収率、
融点、比旋光度を表に示す。
実施例 3Z−D−Tyr−0H−DCHA塩の製造D
−Tyrl.8l9をジオキサン−水(20m1一20
m0の混合溶媒にけんだくし、冷却してトリエチルアミ
ン1.68m1を滴下する。
−Tyrl.8l9をジオキサン−水(20m1一20
m0の混合溶媒にけんだくし、冷却してトリエチルアミ
ン1.68m1を滴下する。
かきまぜながらZ−0NB3.449を加えそのまま4
時間かきまぜる。ジオキサンを留去してエーテル100
m1で洗い、水層はN一塩酸で酸性として、酢酸工チル
100aで抽出して水洗し、Na2sO4で乾燥する。
酢酸エチルを減圧留去し、残渣を酢酸エチル30dにと
かして、シンクロヘキシルアミン2m1を加える。酢酸
エチルを留去してエーテルで固める。酢酸エチル−エー
テルで再結晶する。3.69(73%)。
時間かきまぜる。ジオキサンを留去してエーテル100
m1で洗い、水層はN一塩酸で酸性として、酢酸工チル
100aで抽出して水洗し、Na2sO4で乾燥する。
酢酸エチルを減圧留去し、残渣を酢酸エチル30dにと
かして、シンクロヘキシルアミン2m1を加える。酢酸
エチルを留去してエーテルで固める。酢酸エチル−エー
テルで再結晶する。3.69(73%)。
融点115〜116℃、旋光度〔α〕D−31.1c=
1 ジメチルホルムアミド中。元素分析 C2,H4O
O,N2として 理論値 C7O.l3;H8.l2:N5.64実測値
C69.98:H8.22;N5.45実施例 4P
MZ−Pheの製造 Phe83OTl9(5ミリモル)をジオキサン−水(
10d−10m0の混合溶媒にけんだくし、トリエチル
アミン1.057!11を滴下する。
1 ジメチルホルムアミド中。元素分析 C2,H4O
O,N2として 理論値 C7O.l3;H8.l2:N5.64実測値
C69.98:H8.22;N5.45実施例 4P
MZ−Pheの製造 Phe83OTl9(5ミリモル)をジオキサン−水(
10d−10m0の混合溶媒にけんだくし、トリエチル
アミン1.057!11を滴下する。
かきまぜながらPMZ−0NB1.899を加える。室
温で3時間かきまぜてのち、ジオキサンを減圧留去し、
エーテルで洗い、クエン酸水を加えて酸性とし、酢酸エ
チル(50w11×2)で抽出する。水洗して無水Na
2sO4で乾燥し、酢酸エチルを留去して石油ベンジン
で結晶化する。エーテル一石油ベンジで再結晶する、1
.509(91(F6)。融点88℃、旋光度:〔α〕
D+6.6(c=1 酢酸中)。元素分析 Cl8H,
,O,Nlとして理論値 C65.64;H5.82;
N4.25実測値 C65.7O;H5.63;N4,
OO実施例 5B0C−NH−NHC6H5の製造 ジオキサン−水(20Tn1−20m1)の混合溶液に
塩酸フエニルヒドラジン1.449をとかして、この溶
液にトリエチルアミン1.4mjを滴下する〇室温でか
きまぜながら、さらにBOC・0NB3.069を加え
て終夜室温でかきまぜる。
温で3時間かきまぜてのち、ジオキサンを減圧留去し、
エーテルで洗い、クエン酸水を加えて酸性とし、酢酸エ
チル(50w11×2)で抽出する。水洗して無水Na
2sO4で乾燥し、酢酸エチルを留去して石油ベンジン
で結晶化する。エーテル一石油ベンジで再結晶する、1
.509(91(F6)。融点88℃、旋光度:〔α〕
D+6.6(c=1 酢酸中)。元素分析 Cl8H,
,O,Nlとして理論値 C65.64;H5.82;
N4.25実測値 C65.7O;H5.63;N4,
OO実施例 5B0C−NH−NHC6H5の製造 ジオキサン−水(20Tn1−20m1)の混合溶液に
塩酸フエニルヒドラジン1.449をとかして、この溶
液にトリエチルアミン1.4mjを滴下する〇室温でか
きまぜながら、さらにBOC・0NB3.069を加え
て終夜室温でかきまぜる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは3級アルキル基、置換分を有していてもよ
いベンジル基)で表わされる化合物と1級または2級の
アミン類もしくはヒドラジン類とを反応させることを特
徴とする一般式▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは上記と同意義、Aはアミン類もしくはヒド
ラジン類のアミノ基、ヒドラジノ基から水素原子1個を
除いて形成される基を示す)で表わされる化合物の製造
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13128975A JPS5922698B2 (ja) | 1975-10-30 | 1975-10-30 | ホゴサレタアミノキモシクハ ヒドラジノキオユウスルカゴウブツノセイゾウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13128975A JPS5922698B2 (ja) | 1975-10-30 | 1975-10-30 | ホゴサレタアミノキモシクハ ヒドラジノキオユウスルカゴウブツノセイゾウホウ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5257123A JPS5257123A (en) | 1977-05-11 |
JPS5922698B2 true JPS5922698B2 (ja) | 1984-05-28 |
Family
ID=15054466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13128975A Expired JPS5922698B2 (ja) | 1975-10-30 | 1975-10-30 | ホゴサレタアミノキモシクハ ヒドラジノキオユウスルカゴウブツノセイゾウホウ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5922698B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
YU144584A (en) * | 1983-08-25 | 1987-06-30 | Akad Wissenschaften Ddr | Process for making n-(chlorocarbonyloxi)-s-norbornen-2,3-dicarboximide |
DD219481B1 (de) * | 1983-08-25 | 1987-06-17 | Adw Ddr | Verfahren zur herstellung von n-(chlorcarbonyloxy)-5-norbornen-2,3-dicarboximid |
-
1975
- 1975-10-30 JP JP13128975A patent/JPS5922698B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5257123A (en) | 1977-05-11 |
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