JPS59226115A - 均質なフオルステライト質絶縁被膜を有する一方向性珪素鋼板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、均質なフォルステライト質絶縁被膜善を図
ろうとするものである。

変圧器、電動機などの鉄心用材料としての用途をもつ一
方向性珪素鋼板に要求される重要′ｆ！、特性の一つは
、一定の磁化力において得られる磁束密度が高いこと〔
一般にＢ１０値で代表される〕および一定の磁束密度を
与えた場合にその鉄損が低いこと（Ｗ□７／、。値で代
表される）である。その他この両特性以外にも、鉄損軽
減のための絶縁被膜としての役割を担うフォルステライ
ト質被膜の被膜特性とくに表面注状および密着性なども
重要視される。一般に一方向性珪素鋼板は、フォルレス
テライト質被膜の形成後にガラス質のコーティングが施
されるが、このコーティングは非常゛に薄く透明である
ためフォルステライト質被膜が製品の最終的な外観を決
定する。従ってその外観の良否は製品価値を大きく左右
し、不良な被膜をもつものは製品として不適当とされる
など被膜性状が製品歩留りに及ぼす影響は極めて大きい
のである。また密着性は鉄損に関係する特性で、鋼板と
の密着性が劣る場合、製品コイル全打ち抜き、ｔＦｔＪ
〜して変圧器などの鉄心に組み立てる際、打ち抜き時に
エツジ部のコーティング及びフォルステライト質被膜の
剥離が生じ、との導通部分に起因して、実機の鉄損が劣
化する。

以上のような理由によりフォルステライト質被膜はその
外観が良好なことと鋼板との密着性にすぐれていること
が要求されるのである。とくに最近、需要の増大してい
る高磁束密度一方向性珪素鋼板においては、フォルステ
ライト質被膜は絶縁・被膜としての役割と同時に、二次
再結晶粒内の磁区中をせまくすることや実機鉄心におけ
る磁歪特注の劣化を防ぐことなどによる磁性の改善への
寄与が期待されている。従って、良好なフォルステライ
ト質被膜とは上述の外観と密着性が良好でなければなら
ないのと同時に、二方向性珪素鋼板の最も重要な特性で
ある磁気特性の改善も併せて達成し得るものでなければ
ならないわけである。

ところでかような一方向性珪素鋼板のフォルステライト
質被膜は、脱炭焼鈍後の鋼板表面に形成されるｓｉｏ、
　’ｒ：主成分とするサブスケールと、最終仕上げ焼鈍
時において鋼板同志の焼付き防止剤（以下、分離剤とよ
ぶ）として用いられるＭｇＯとを、最終仕上げ焼鈍時に
反応させることによって形成するのが一般的である。こ
のフォルステライト質被膜の形成は、分離剤に極めて敏
感であり１そのため従来から被膜特注向上のために数多
くの研究がなされ、たとえばＭｇＯ中の不純物や粉体特
性に関する研究、またＭｇＯに添加する化合物に関する
研究などがある。分離剤の主成分であるＭｇＯの重要な
特性で、とくに混入不純物と活性はトＣま、同一製品に
おける製造ロットの違いや塗布時の水る一ラリー状態な
どの小さな差によっても変化し、ひいては被膜形成に大
きな影響を及ぼす。

このようにＭｇＯは、その製造工程や使用過程における
わずかの違いによって、その特性が大きく変動するので
、フォルステライト質被膜の形成をＭｇＯの膜特性を制
御することによって安定化を図ることは極めて難しく、
このことが磁気萌性の劣イヒヲ招くことなしに７オルス
テライト質被膜を安定して形成し得ない、一つの理由に
なっていたのであるＯ この発明は、上記の問題を有利に解決するもので、Ｍｇ
Ｏの影響を最小限にとどめ、磁気特性の改善ニ併せて均
質なフォルステライト質被膜を安定して形成し得る、一
方向性珪素鋼板の製造方法を提案することを目的とする
。

さてフォルステライト質絶縁被膜は、前述したとおり鋼
板を湿水素中で脱炭焼鈍する際に鋼板表面に形成される
５ｉｎ２を主成分とするサブスケ−・ルと焼鈍分離剤と
して塗布されるＭｇＯとカニ最終仕上げ焼鈍中に高温で
反応することにより形成される。この被膜の外観に大き
な影響を与えるものとして、部分的に地鉄が裸出する点
状欠陥があるが・発明者らはこの点状欠陥について詳細
に検討した結果、サブスケール中にＦｅを含んだ酸化物
とくにファイアライト（Ｆｅ、Ｓｉｎ、　）が多いとフ
ォルステライト質被膜形成時に８１０．の異常生成をひ
きおこすこと、そしてこの５１０２の異常生成は素材に
よっては非常に不均一におこるため局部的に厚いフォル
ステライト質被膜が形成され、その部分が機械的に剥離
し点状欠陥が発生するという知見を得ている。

ところでサブスケールの組成は、主に脱炭焼鈍時の酸化
性（ＰＨＯ／ＰＨ）と雰囲気温度、均熱時２ 間によって決定され、酸化性が高いほどＦｅを含んだ酸
化物Ｆｅ２５ｉＯ，、ＦｅＯなどの含有量が多くなる。

そして脱炭焼鈍後のサブスケール中の酸素量は５ｉｎ２
のほかにこれらの酸化物を含んだものの合計として求め
られる。これまでの研究結果ではサブスケール中の酸素
量（厚みとして表わすこともできろうが過少な状態で、
フォルステライト質被膜を形成させると概して密着性が
悪くなるためある程度の酸素量が必要とされていたが、
この点必要な酸素量を点状欠陥に関連するＦｅ２５ｉｎ
、、　ＦｅＯの生成しない酸化性雰囲気で脱炭焼鈍する
ことによって得ることは可能である。しかし、このよう
な雰囲気酸化性では、目標とするサブスケールの酸素量
を得るには非常な長時間を要すること、捷た脱炭が不十
分と７１ｉ：りやすく実用的ではないところに問題があ
った。工業的にはこれ丑で、短時間で目標とする酸素数
を得るため、丑た十分に脱炭するために、ある程度の高
い雰囲気酸化性の下に脱炭焼鈍を行うことを余儀なくて
れ、従ってＦｅ成分を含んだ酸化物の生成は避けられな
かったのである。咬た、単に５１０２のみのサブスケー
ルから形成されるフォルステライト質被膜は非常に不均
一な外観で、白っぽくなることが多く密着性も悪いこと
が実験的に明らかになっておジ、Ｆｅ成分が皆無のサブ
スケールはフォルステライトｉｓ膜には不適当であって
、この点からもある水準の雰囲気酸化性が必要とされて
いたのである。

なおサブスケール中の酸素量は雰囲気の酸化性が高いほ
ど、また均熱時間が長いほど多くなるが単に５１０２が
増加するというわけではない。熱力学的に考察すれば雰
囲気の酸化性が高いほどファイアライトが多くなシ、雰
囲気温度が高いほどシリカが多くなるはずであるが実際
には平衡論とは異なり雰囲気温度が高いとファイアライ
トが多く生成する。すなわち酸化性が高い程・貰た雰囲
気温度が高い程ファイアライトが多く生成するのである
。さらに素材によっては、一定の雰囲気温度なサブスケ
ール酸素量を均熱時間を長くすること、あるいは雰囲気
の酸化性をあげることによって得ようとした場合には、
ファイアライトがシリカ以上に増加するために点状欠陥
の発生が助長されるのみで、良好なフォルステライト質
被膜形成のためのサブスケールの質的制御は不可能であ
った。さらにはファイアライトが７＠、激に鋼板表面に
密な層を形成するため本来の目的である脱炭も不良とな
り勝ちであったのである。

以上のような現状に鑑み、発明者らは、単に分離剤に正
寸らず、素材成分ならびに熱処理条件を含めた広範囲に
わたる検削を行ったところ、素材中にＭＯを少量添力Ｉ
Ｉ　した上で、脱炭焼鈍に工夫を加えることによシ、磁
気特性を損うことなしに均質なフォルステライト質被膜
全安定して形成し得ることを究明し、かくしてこの発明
を完成させるに至ったのである。

ｊなわちこの発明は、Ｃ：　Ｕ、０１〜０．０６重世％
（以下単に％で示す〕、ｓｉ　：　２．０−４．０％を
含み、かつインヒビターとして０．００８〜０．１％の
Ｓおよびｏ、ｏｏａ〜０．１％の３８のうち少くとも一
種を含有する組成になる一方向性珪素鋼板用素材を、熱
間圧延し、ついで中間焼鈍を含む１回以上の冷間圧延を
施して最終板厚としたのち、−次男結晶を兼ねた脱炭焼
鈍を施し、しかるのち最終仕上げ焼鈍を施して（１１０
）（００１）万位の二次再結晶粒を発達させる一連の工
程よりなる一方向性珪素鋼板の製造法において、上記素
材中にＭＯｉ　０．００３〜０．１％の範囲で含有させ
ると共に、脱炭焼鈍を、雰囲気温度：８２０〜８６０°
Ｃでかつ、Ｈ２０／　ＰＨ。

で表わされる雰囲気酸化性：　Ｏ，ａＯ〜０．５０の条
件下に行って、鋼板表面に形成されるサブスケール中の
シリカ（５ｉＯ３）とファイアライト（Ｆｅ２Ｓｉｎ４
）との比Ｆｅ２５土０４／ＳｉＯ２を０．０５〜０．４
５の範囲に調整することをもって、フォルステライト質
絶縁被膜の不均一形成に対する解決手段とするものであ
る。

従来においても、たとえば特開昭５５−’６５３６７号
などに開示されているように、脱炭焼鈍前の素材鋼板に
各種の薬剤を塗布することによってファイアライトの生
成を抑制し得ることが知られている。しかしながらこの
発明は、かような従来技術とは発想を全く異にするもの
であって、素材自体のファイアライト生成抑制効果によ
って良好な被膜形成を達成するものであり、さらに１掲
従来例の如く脱炭焼鈍前に素材鋼板に特別な処理を施す
必要がないため、工業的な効率化および経済的な点にお
いても極めて有効であると言える。

なお、ＭＯ添加による磁気特性の改善については、これ
寸でにもたとえは特開昭５５−１１１０８号公報などに
おいて報告されているが、１４０の添加に起因したファ
イアライトの抑制効果によるフォルステライト質被膜の
改善ということについては、これ壕で報告された例は’
ｆｘ　（、さらに磁気％性を向上させ得る被膜形成とい
う面からの検討もなされていなかった。

これに対しこの発明は、脱炭焼鈍をサブスケール形成と
一次再結晶組織形成という、被膜特性ならひに磁気特性
の両面から検討し、その結果、磁気特性の向上と共に良
好な絶縁被膜の形成を併せて達成したものであり、この
点従来とは全く異なる新規なものである。

以下、この発明において、珪素鋼用素材の基本成分を前
記のとおりに限定した理由について説明する。

ｃ　：　ｏ、ｕ１〜０．０６％ Ｃは、０．０１％より少ないと熱延時に粗大）くンド組
織が板厚中央に残存し、二次再結晶が不完全になシ、一
方０．０６％より多いと脱炭に長時間を要し、脱炭不良
を招き磁気特性上好ましくないので０．０１〜０．０６
％の範囲に限定した。

Ｓｉ　：　２．０〜４．０％ Ｓｉは、２．０％より少ないと素材の電気抵抗が低く、
渦電流損失に基づく鉄損値が大きくなり、−万４．０％
より多いと冷延の際に板割れを生じ易いため、２．０〜
４．０％の範囲に限定した。

Ｓ　：　０．００８〜０．１％、　Ｂｅ　：　０．００
８〜０．１％ｓ　、　ｓｅは共に、Ｍｎと結合してＭｎ
Ｓ　、　Ｍｎ５８などのインヒビターを形成する元素で
おるが、Ｓがｏ、ｏｏｓ％未満、またＳｅがｏ、ｏｏａ
％未満の場合には生成するＭｎＳ　、　ＭｎＳｅの一次
再結晶粒成長抑制効果が弱く、−万いずれも０．１％を
超えると熱間及び冷間加工性が著しく劣化するので、Ｓ
はｏ、ｔ＋ｏｓ％〜０．１％、　ｓｅはｏ、ｏｏａ％〜
０．１％の範囲に限定した。

次にＭＯについてであるが、以下に述べる実験結果から
も明らかなように、Ｍｏ含有片が０．００３％未満の場
合にはファイアライトの生成抑制効果に乏しく、−万０
．１％を超えると熱間および冷間での加工性が低下し、
また磁気特性も劣化するので、ＭＯはｏ、ｏｏａ〜０．
１％の範囲に限定した。

す。実験は、素材としてＱ　：　０．０４８％、　Ｓｉ
　：３．３０％、　Ｍｎ　：　０．０６５％、　Ｓｅ　
：　０．０１８％およびＳｂ二０．０２３％を含む基本
組成になるもの、ならびにさらにＭＯをそれぞれｏ、ｏ
ｏａ％、　ｏ、ｏｏｓ％、　０．０２％。

０．０５％、　０．１０％および０．２１％と種々に変
化させて添加配合したものを用いた。脱炭焼鈍条件は１
温度＝８４０℃、雰囲気酸化性”Ｉ（２０／ＰＨ２＝　
０．４５、均熱時間：５分で、かような条件下に鋼板表
面に形成されたサブスケールを剥離し、赤外吸収分光法
によってファイアライトとシリカの比を測定した。つい
で當法に従う最終仕上げ焼鈍を施して＼鋼板表面に７オ
ルステライト質被膜を形成し、得られた被膜の外観、密
着性、さらには冷間加工性について調べた。なお密着性
は、被膜付き鋼板を種々の直径にな不円柱状棒鋼に角度
１８ｏ０の巻き付けを行なったとき、その内面の被膜が
剥離を生じない最小径（朋）で評価した。

表１に示した結果から明らかなように、ＭＯ含有量がｏ
、ｏｏａ％未満では、ファイアライトとシリカの比が無
添加の場合と大差なくて点状欠陥の発生防止効果に乏し
く、また密着性も劣る。これに対しＭＯ含有量がｕ、ｏ
ｏａ％以上になるとファイアライトとシリカの比はほぼ
一定になって、被膜外観、密着性および冷間加工性とも
良好となるが、ＭＯＯ１２１％を超えて多量に含有する
と冷間加工性が悪くなる。

次に脱炭焼鈍条件の違いによるサブスケール組成の変化
を示す例として、この発明に従うＭＯ含有材と従来材と
につき、焼鈍温度の変化に伴うファイアライト／シリカ
比について調べた結果を第１図に示す。焼鈍の雰囲気酸
化性”Ｈ２ｏｚ’ＰＨ２は０．４０、均熱時間は４分で
ある。

第１図から明らかなように、従来材は、８２０℃を超え
る温度でファイアライトが増加し始めるが、ＭＯ含有材
は８６０℃までファイアライトの増加は少なく、また低
温における変動もほとんどない。

これは、従来材に比ベサブスケール組成が安定になった
ことを意味し、ひいてはフォルステライト質被膜の形成
を安定化させることが可能になったことを示している。

ところで脱炭焼鈍は、サブスケールの形成と同時に一次
再結晶工程でもあり、その集合組織の良否は二次再結晶
後の磁気特性を大きく左右する０表層の（ｈｋｏ）〈ｏ
ｏｉ）繊維状組織が強いほど成品の磁気特性は良い。

ここで、この発明に従うＭＯ含有量およびＭＯの含有の
ない従来材に、７８０〜９００℃の種々の温度で脱炭焼
鈍を施した後の、表面層の集合組織について調べた結果
を、各焼鈍温度毎に第２〜５図ａ、ｂに（２００）極点
図でそれぞれ示す。各図のａが従来材、同すがこの発明
に従う材料であり＼従来材の基本成分は、Ｏ：　０．０
４３％、　Ｓｉ　：　８．２０％、　Ｉｎ　：　０．０
（＋５％、　Ｓｅ　：　０．１１１８％およびＳｂ二０
．０２５％で、発明拐はさらにＭＯｆ：０．（１１５％
含有させたものである。

脱炭焼鈍温度が７８０℃（第２図）の場合には、両者で
ほとんど差がないが、該温度が８２０°Ｃ（第８図〕お
よび８６０°Ｃ（第４図〕の場合には、従来材に比し発
明材の方が（ｈｋｏ　）（ｏ　０１＞方位の強°度は圧
倒的に強い。−万該温度が９００℃になると両者とも該
方位の集積度は低下する。

上記の結果、およびサブスケール組成について調べた前
掲第１図に示した結果から、脱炭焼鈍における雰囲気温
度、につき、この発明では８２０°Ｃ〜８６０”０の範
囲に限定したのである。

また脱炭焼鈍における雰囲気酸化性については、ＰＨ２
０／ＰＨ８が０．８０未満では、サブスケール形成に長
時間を要する他、脱炭も不十分になり易＜、−万０．５
０を超えると、表面層に急速なファイアライト形成が生
じてサブスケール組成の制御が困難となる他、その酸化
層によって脱炭が阻害され磁気特性が劣化するので、Ｐ
Ｈ２０／ＰＲは０．３０〜０．５０の範囲に限定した。

次にサブスケール中のファイアライト量ヲシリ力量との
兼ね合いで”２Ｓ１０４／ＳｉＯ□：　０．０５〜０．
４５の範囲に限定した理由について説明する。

前述のようにＦｅ、Ｓｉｎ、が過多の場合Ｊ’ＳｉＯ，
）異常生成をひきおこし、フォルステライト質被膜の点
状欠陥全助長する。逆に過少な場合、被膜の外観の均一
性を損なう。

Ｇ　　Ｏ，０４０％、　Ｓｉ　　３．０５％、　Ｒ（ｎ
　　０．０６８％。

ＭＯ０，０１５％、　Ｓ　Ｏ，０１８％を含有する熱延
板に均一化焼鈍および１回の中間焼鈍を含む２回の冷間
圧延を施して０．３ｍｍの最終板厚とした後、湿水素中
で下記の表２に示すようなサブスケールを形成きせた。

その素材のフォルステライト質被膜の密着性および外観
について調べた結果を同表に示す。

表２に示したように、Ｆｅ２５ｉｎ、／　５ｉｎ２が０
．０５に満たない素材は不均一で曲げ密着性も極めて悪
い。逆に０．４５を越える素材は点状欠陥の発生が著し
い。この結果に基づき、Ｆ’ｅ２Ｓｉｎ４／５ｉｎ２の
値は０，０５〜０．４５の範囲に限定した。

以下この発明の実施例について説明する。

実施例１ ＣＵ、０４０％、　ｓｉ　ａ、ｏｏ％、　Ｍｎ　０．０
６２％、　ＭＯｏ、０１３％、およびＳ　Ｏ，０１８％
を含有するスラブを熱間圧延し、ついで均一化焼鈍およ
び１回の中間焼鈍を含む２回の冷間圧延を施して０．３
朋の最終板厚としたのち、湿水素中で雰囲気温度８３０
”Ｃ１芽囲気酸化性ＰＨ２０／ＰＨ二〇。４５の条件下
に、焼鈍時間を種々変化させた脱炭焼鈍を施して表３に
示す種々のファイアライト／シリカ比になるサブスケー
ルを生成させ、ついでＭｇＯ７５塗布し乾燥したのち、
コイルに巻取った。ついでこれらの鋼帝ヲそれぞれ８２
０”Ｃから３°Ｃ／１１の加熱速度で１０００°″Ｃま
で昇温した後１１８（＋”０の水素雰囲気中で５時間の
純化焼鈍を行なった。

得られた各一方向性珪素鋼板について、形成されたフォ
ルステライト質被膜の外観および鋼板との密着性ならび
に磁気特性について調べた結果を表８に併せて示す。な
お比較のため脱炭温度がこの発明の適正範囲を逸脱する
８１０℃および８８０°Ｃで脱炭焼鈍を施した場合の成
績も表３に併記した。

、　ファイアライト／シリカが０．０５より少ない場合
には白く不均一な外観であったが、この発明の適正範囲
を満足する０、０５から０．４５の範囲では良好なフォ
ルステライト質被扁が形成され、丑た密着性も良好であ
り１さらに磁気特性も優れていた。

しかしながら０．４５を超えると、点状の欠陥が発生し
た。なおファイアライト／シリカ比は適正範囲を満足し
ていても脱炭温度が８１０℃とこの発明の下限を下回る
場合は被膜特性は良好であったが、磁気特性が悪く、ま
た適正範囲の上限を上回る８８０℃の高温で脱炭した場
合には磁気特性のみならず密着性も劣化した。

実施例２ （３０，０４１％、　Ｓｉ　３．０５％、　Ｉｎ　０．
０６６％、　Ｍ。

Ｏ，０１８％およびＳｅ　Ｏ，０１７％全含有するスラ
ブを　・熱間圧延し、ついで均一化焼鈍および１回の中
間焼鈍を含む２回の冷間圧延を施してｏ、ａｍｍの最終
板厚としたのち、湿水素中で雰囲気温度：８３゜℃、雰
囲気酸化性Ｈ２Ｑ／ＰＨ２＝　０．４５の条件丁に・焼
鈍時間を種々変化させた脱炭焼鈍を施して表４、に示す
神々のファイアライト／シリカ比になるす“ブスケール
を生成させ、ついでＭｇ０ｆ塗布し乾燥Ｌ７”Ｃのちコ
イルに巻取った。ついでこれらの銅帯を８５０’Ｃで５
０時間保持する２次再結晶焼鈍を行なったのち、１１８
０°Ｃの水素雰囲気中で５時間の純化焼鈍全行なった。

得られた各一方向惰ユ珪素制板について、形成されたフ
ォルステライト貿被膜の外に２および銅板との密着性な
らびに磁気特性について調べた結果を表４、に併せて示
す。なお比較のため脱炭温度がこの発明の適正範囲を逸
脱する８１０’Ｃおよび８８　Ｕ　”０で脱炭焼鈍を施
した場合の成紙も表４に併記した０、　ファイアライト
／シリカがこの発明の適正範囲を下回った場合に（σ被
膜外観は不良で、また密着性も悪かったのに対し、この
発明の適正範囲を満足する０、０５〜０．４５の場合に
は破膜特性および磁気特性とも良好であった。なおファ
イアライト／シリカ比（ハ適正であっても、８１０°Ｃ
と低温で脱炭焼を屯を実施した場合には被膜特性は良好
であつ・たが磁気特性が劣化し、また適正温度範囲の上
限を上回る８８０℃で焼鈍を施した場合には、実施例］
と同様に密着性だけでなく磁気特性も極めて悪・かった
。

実施例３ ００．０４７％、　Ｓｉ　ａ、ａｏ％、　Ｍｎ　Ｏ，（
１（＋５％、　ＭＯｏ、０１５％、　Ｓｅ　Ｏ，０１８
％およびＳｂ　Ｏ，０２５％を含有する熱延板に、均一
化焼鈍および１回の中間焼鈍を含む２回の冷間圧延を施
して０．３朋の最終板厚としたのち、湿水素中で、＃囲
気温度二８８０℃、雰囲気酸化性ＰＨ２０／ＰＨ２＝　
０．４５の条件下に、焼鈍時間を種々に変化させた脱炭
焼鈍を施して表５に示す種々のファイアライト／シリカ
比になるサブ・スケールを生成させ、ついでＭｇＯ金塗
布し乾燥し゛たのちに、コ・イルに巻取った。次にこれ
らの各銅帯を８５０℃で５０時間保持する２次再結晶焼
鈍を行なったのち、１１８０℃の水素界囲気中で５時間
の純化焼鈍を行なった。

得られた各一方向性珪素鋼板について、形成されたフォ
ルステライト質被膜の外観および鋼板との密着性ならび
に磁気特性について調べた結果を表５に併せて示す。な
お比較のため焼鈍温度８１０℃および８８０　’Ｏで脱
炭焼鈍を施した場合の成績も表５に併記した。

表５から明らかなように、ファイアライト／シリカ比が
この発明の適正範囲である０、０５〜０．４・５を満足
し、しかも適切な焼鈍温度で脱炭焼鈍温度したときのみ
、良好な被膜特性を呈し、また磁気特性もよい。

以上述べたようにこの発明によれば、一方向性珪素鋼板
の製造に際し、磁気特性を劣化させることなしに、該珪
素鋼板表面に外観および密着性に優れたフォルステライ
ト質絶縁被膜を安定して被成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来材とこの発明に従うＭＯ含有材とにおけ
る、脱炭焼鈍温度とサブスケール中の′ファイアライト
／シリカ比との関係を比較して示したグラフ、 第２図ａ、ｂ〜第５図ａ、ｂは、従来材（ａ）とこの発
明に従うＭＯ含有材（ｂ）それぞれの、焼鈍温度が７８
０℃、８２０℃、８６０℃および９００℃のときにおけ
る集合組織を比較して示した（２００）極点図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ＬＯ：０．０１〜０．０６重量％。 Ｓｉ　：　２．０〜４．０重量％ を含み、かつインヒビターとしてｏ、ｏｏｓ〜０．１重
   量％のＳおよびｏ、ｏｏａ〜０．１重世％のＳｅのうち
   少くとも一種を含有する組成になる一方向性珪素鋼板用
   素材を１熱間圧延し・ついで中間焼鈍を含む１回以上の
   冷間圧延を施して最終板厚としたのち、−次男結晶を兼
   ねた脱炭焼鈍全施し、しかるのち最終仕上げ焼鈍を施し
   て（１１０）（００１）方位の二次再結晶粒を発達させ
   る一連の工程よりなる一方向性珪素鋼板の製造法におい
   て、上記素材中にＭＯをｏ、ｏｏａ〜０．１重量％の範
   囲で含有させると共に、脱炭焼鈍を、雰囲気温度：８２
   ０〜°°°″０″’Ｑｆ）ｓｏ・ＰＨ・ｏ／ｐＨ，′″
   表わされ６雰囲気酸化性：　Ｏ，ａＯ〜０．５０の条件
   下に行って、鋼板表面に形成されるサブスケール中のシ
   リ整することを特徴とする、均質なフォルスプライト質
   絶縁被膜をそなえる一方向性珪素鋼板の製造方法。