JPS59225716A - 半導体デバイス処理液用のフィルタ装置 - Google Patents
半導体デバイス処理液用のフィルタ装置Info
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- JPS59225716A JPS59225716A JP58098504A JP9850483A JPS59225716A JP S59225716 A JPS59225716 A JP S59225716A JP 58098504 A JP58098504 A JP 58098504A JP 9850483 A JP9850483 A JP 9850483A JP S59225716 A JPS59225716 A JP S59225716A
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- JP
- Japan
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- filter
- support layer
- layer
- pore size
- porous ceramic
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- Filtration Of Liquid (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体デバイスを製造する際に用いる処理液体
、例えばエツチング用液、洗滌用液等から浮遊微粒子等
の異物を除去するためのフィルタに関する。
、例えばエツチング用液、洗滌用液等から浮遊微粒子等
の異物を除去するためのフィルタに関する。
最近では半導体デバイスの高□集積化の要求により、ウ
ェハー上に形成される回路パターンの線幅が１μＩＩＩ
Ｌ：１．内、その精度が０．３μｍ１３内となリッつあ
る。このような回路パターンを形成するには、ウェハー
上への微細な粒状又は線状等の安物の１４着を可及的に
少なくすることが要求され、例えば回路パターンの線幅
と同稈度の１μｍ内外の微細な異物の付着でも回路パタ
ーンの欠落又は貨物付管部付近での電気的機能の欠陥等
を惹起する場合がある。
ェハー上に形成される回路パターンの線幅が１μＩＩＩ
Ｌ：１．内、その精度が０．３μｍ１３内となリッつあ
る。このような回路パターンを形成するには、ウェハー
上への微細な粒状又は線状等の安物の１４着を可及的に
少なくすることが要求され、例えば回路パターンの線幅
と同稈度の１μｍ内外の微細な異物の付着でも回路パタ
ーンの欠落又は貨物付管部付近での電気的機能の欠陥等
を惹起する場合がある。
空気中からのウェハーへの微ｍ異物の付着は、クリーン
ルーム内、さらにはクリーンベンチ内容管理された清浄
環境下で半導体デバイスの形成を行なうことにより防１
トされており、一方、エツチング用液又は洗滌処理等の
処理液からのつＴバーへの微細異物の付着は、高分子膜
を用いたフィルタにＪ：り前もって処理液を濾過するこ
とにＪ、り防止されている。
ルーム内、さらにはクリーンベンチ内容管理された清浄
環境下で半導体デバイスの形成を行なうことにより防１
トされており、一方、エツチング用液又は洗滌処理等の
処理液からのつＴバーへの微細異物の付着は、高分子膜
を用いたフィルタにＪ：り前もって処理液を濾過するこ
とにＪ、り防止されている。
ところで、半２９体デバイスの製造に用いられる処理液
、！：、 Ｌ、 Ｔ Ｇ、ｔ、例エバＨＣＩ 、Ｈ２ｓ
０４、１−Ｉ Ｎ Ｏ３、ＨユＯユ、１１Ｆ、ＮＨ４Ｆ
、ｌ−１３ＰＯ４、ＮＨ４ＯＨ等の液状無機薬品、主と
して洗滌用溶剤として用いられる１〜リクロルエヂレン
、アセトン、アルコール類等の液状有機薬品及び純水等
の多種多様のものがあり、これらの処理液に対して混入
した微細異物をフィルタで十分に除去しない限り、前述
の回路パターンの欠落、電気的機能の欠陥等をなくすこ
とは期待し難い。
、！：、 Ｌ、 Ｔ Ｇ、ｔ、例エバＨＣＩ 、Ｈ２ｓ
０４、１−Ｉ Ｎ Ｏ３、ＨユＯユ、１１Ｆ、ＮＨ４Ｆ
、ｌ−１３ＰＯ４、ＮＨ４ＯＨ等の液状無機薬品、主と
して洗滌用溶剤として用いられる１〜リクロルエヂレン
、アセトン、アルコール類等の液状有機薬品及び純水等
の多種多様のものがあり、これらの処理液に対して混入
した微細異物をフィルタで十分に除去しない限り、前述
の回路パターンの欠落、電気的機能の欠陥等をなくすこ
とは期待し難い。
しかし乍ら、高分子膜を用いたフィルタで（Ｊ１使用膜
材質に応じて耐薬品性に限界があり、従って使用膜材質
に対応して適用処理液を限定し又はその濃度若しくはＩ
ＩＨ値を寿命とのからみで制約する必要がある。また高
分子膜を用いたフィルタでは、耐熱性が乏しく安全使用
濡面はおおむね６０℃〜８０℃以内と認められ冑、この
ため常温では粘度が高い処理液体を加熱により温度を１
ばて粘性を減じ、これにより効率よく短時間でδｊ′Ａ
を行２ｔわんと覆る場合には適用し難く、加えて（ａ？
１）純水を加熱により殺菌せんとする場合等の高温濾過
の場合にも同様に高分子膜を用いたフィルタでは耐熱性
の点で問題がある。
材質に応じて耐薬品性に限界があり、従って使用膜材質
に対応して適用処理液を限定し又はその濃度若しくはＩ
ＩＨ値を寿命とのからみで制約する必要がある。また高
分子膜を用いたフィルタでは、耐熱性が乏しく安全使用
濡面はおおむね６０℃〜８０℃以内と認められ冑、この
ため常温では粘度が高い処理液体を加熱により温度を１
ばて粘性を減じ、これにより効率よく短時間でδｊ′Ａ
を行２ｔわんと覆る場合には適用し難く、加えて（ａ？
１）純水を加熱により殺菌せんとする場合等の高温濾過
の場合にも同様に高分子膜を用いたフィルタでは耐熱性
の点で問題がある。
本発明は前記諸魚にｍ ；ｌ） ＜Ｋされたものであり
、その目的とするところは、半ｊ９体デバイスの製造に
おいて用いられる多種多様な処理液に対して−１分な耐
食性を有し得、しかも高温濾過が可能である半導体デバ
イス処理液用のフィルタを捉供づることにある。
、その目的とするところは、半ｊ９体デバイスの製造に
おいて用いられる多種多様な処理液に対して−１分な耐
食性を有し得、しかも高温濾過が可能である半導体デバ
イス処理液用のフィルタを捉供づることにある。
本発明によれば、多孔質のセラミック製の濾過層と、こ
の濾過層を支持すべく、濾過層に重ね合されてｄ３す、
濾過層の孔Ｊ、りも人ぎな孔径を有する多孔質のセラミ
ツクツ！１の支持層とからなる半導体処理液用のフィル
タにＪ：って前述の目的がｉ９成される。
の濾過層を支持すべく、濾過層に重ね合されてｄ３す、
濾過層の孔Ｊ、りも人ぎな孔径を有する多孔質のセラミ
ツクツ！１の支持層とからなる半導体処理液用のフィル
タにＪ：って前述の目的がｉ９成される。
本発明にお【プる１？ラミツク製の濾過層及び支持層は
、アルミナ質、ムライト質、］−ディライト質等々のセ
ラミック材ｒ１を使用して形成され４１．７、これら濾
過層及び支持層からなるフィルタは、片面に濾過層を有
した平板又は内面若しくは外面に濾過層を有した管状体
等々の形態で製造され得る。
、アルミナ質、ムライト質、］−ディライト質等々のセ
ラミック材ｒ１を使用して形成され４１．７、これら濾
過層及び支持層からなるフィルタは、片面に濾過層を有
した平板又は内面若しくは外面に濾過層を有した管状体
等々の形態で製造され得る。
また本発明のフィルタは、クロスフロー濾過形式のフィ
ルタ装置又は垂直濾過（デッドエンド濾過）形式のフィ
ルタ装置等に適用し得る。
ルタ装置又は垂直濾過（デッドエンド濾過）形式のフィ
ルタ装置等に適用し得る。
次に本発明にるフィルタの−っの好ましい纂体例を図面
と共に説明する。
と共に説明する。
第１図及び第２図に示す管状体のフィルタ１は純度９９
．９％のアルミナ（Ａｔ１０３）を用いて形成された１
５／１ｍφ〜２０μｍφの細孔を多数行する多孔質のセ
ラミック製の支持層４の内面に、アルミナスリップ（ア
ルミナ泥禁）を２回施してこれを焼成し実質的に支持層
４と一体な多孔質のセラミック（純度９９．９％のアル
ミナ）製の濾過Ｆ”ｉ５を形５− 成して製造したものである。ここで支持層４の細孔の孔
径よりも小さい孔径を濾過層５の多数の細孔が右すベく
、アルミナスリップの支持層４の内面への適用は、次第
にアルミナ粉粒径が小さくなるようにアルミブ粉の粒石
範囲を管理して行イｔわれた。濾過層５の厚みｄ（３１
、焼成上りで１０μｍ程度であり、濾過可能異物の大き
さを規定する濾過層５の細孔の平均孔径は０．２μｍ１
バブルポイン１へ測定法によれば最大孔径は１．０μｍ
〜１．５μｍであった。このフィルタ １は、前記のＪ
：うに、仝休が一体として一種類の孔径からなるもので
’ｃＫ ＜、大きい孔径をもつ支持層４の内面に小さい
孔径をもつ濾過層５が形成されてなる非対称フィルタで
あり、従来のフィルタと比較して濾過圧損失を少なくＬ
ｌ！’？、単位面積、中位時間、単位濾過圧当りの濾過
量を多くし得、加えて有機高分子膜からなるフィルタと
比較して十分な機械的強磨を右し得６− る」−に、しかも優れた耐熱ｆ［、耐食ｆ１を右し得る
。
．９％のアルミナ（Ａｔ１０３）を用いて形成された１
５／１ｍφ〜２０μｍφの細孔を多数行する多孔質のセ
ラミック製の支持層４の内面に、アルミナスリップ（ア
ルミナ泥禁）を２回施してこれを焼成し実質的に支持層
４と一体な多孔質のセラミック（純度９９．９％のアル
ミナ）製の濾過Ｆ”ｉ５を形５− 成して製造したものである。ここで支持層４の細孔の孔
径よりも小さい孔径を濾過層５の多数の細孔が右すベく
、アルミナスリップの支持層４の内面への適用は、次第
にアルミナ粉粒径が小さくなるようにアルミブ粉の粒石
範囲を管理して行イｔわれた。濾過層５の厚みｄ（３１
、焼成上りで１０μｍ程度であり、濾過可能異物の大き
さを規定する濾過層５の細孔の平均孔径は０．２μｍ１
バブルポイン１へ測定法によれば最大孔径は１．０μｍ
〜１．５μｍであった。このフィルタ １は、前記のＪ
：うに、仝休が一体として一種類の孔径からなるもので
’ｃＫ ＜、大きい孔径をもつ支持層４の内面に小さい
孔径をもつ濾過層５が形成されてなる非対称フィルタで
あり、従来のフィルタと比較して濾過圧損失を少なくＬ
ｌ！’？、単位面積、中位時間、単位濾過圧当りの濾過
量を多くし得、加えて有機高分子膜からなるフィルタと
比較して十分な機械的強磨を右し得６− る」−に、しかも優れた耐熱ｆ［、耐食ｆ１を右し得る
。
従って半導体デバイス製造にお（Ｊる］ニツヂング液用
檗品、例えば′ＣＪ厚酸粗酸化性酸中谷１微粒子をに１
過し臂ると共に、半導体洗滌用の純水をも主どして殺菌
を目的として高温濾過（１００℃から数１００℃）し得
る。例えば外径１’）、 １９ｍｍ１内ｆＭＤ：Ｌ１
！ｉｍｍ、長さｌ ７６０１１１ｍのフィルタ １から
長さ１５ｍｍに注意深く切断された円環状のフィルタ片
では圧環強度７４０１ｔｇ／ｃｍ’ （平均）が得ら
れ、また実際にフィルタ １内外の水圧力差２０気圧以
十を与えても破壊せず、３０気圧の常用圧力差まで保証
された。
檗品、例えば′ＣＪ厚酸粗酸化性酸中谷１微粒子をに１
過し臂ると共に、半導体洗滌用の純水をも主どして殺菌
を目的として高温濾過（１００℃から数１００℃）し得
る。例えば外径１’）、 １９ｍｍ１内ｆＭＤ：Ｌ１
！ｉｍｍ、長さｌ ７６０１１１ｍのフィルタ １から
長さ１５ｍｍに注意深く切断された円環状のフィルタ片
では圧環強度７４０１ｔｇ／ｃｍ’ （平均）が得ら
れ、また実際にフィルタ １内外の水圧力差２０気圧以
十を与えても破壊せず、３０気圧の常用圧力差まで保証
された。
次にこのようなフィルタ １に加えて、フィルタ１と同
様に製造された２本のフィルタを用いたフィルウ装置を
第３図及び第４図と共に説明する。
様に製造された２本のフィルタを用いたフィルウ装置を
第３図及び第４図と共に説明する。
フィルタ２及び３はフィルタ １ど同様にして製造され
たものであり、フィルタ １，２及び３の両端には、ポ
リプロピレン樹脂円板６及び７が接着剤を用いることな
しに直接加熱溶Ｅｔｌｉ接合されて固着されている。円
板６及び７のフィルタ １．２及び３への固着は、例え
ば特願昭５７２０（ｉ４８５日の明細書に記載された方
法で行なうことができる。円板６には、フィルタ １．
２及び３の夫々の内部と連通覆るｎ通孔８，９及び１０
が形成されており、使方の円板７に１）同様な貫通孔（
図示せず）が形成されている。円板６及び７の夫々の一
方の面に例えば耐薬品性フッ素樹脂系ゴムからなるパラ
：１−ン１１及び１２を密着せしめるＪ：うに、例えば
ポリプロピレン樹脂製の流路誘導円板１３及び１４が配
置されている。ビン１５は、円板６とパツキン１１と円
板１３との相亙位冒決め、円板７とパツキン１２と円板
１４との相ｎ位首決めに夫々用いられている。パラ４：
ン１１及び１２には夫々円形貞通孔１６．１７及び短絡
用の長円形貫通孔１８．１９が形成されており、パツキ
ン１１の貫通孔１６は貫通孔８と円心に配置され貫通孔
１８は貫通孔９と１０とにわたって配置されている。パ
ツキン１２の舊通孔１７は、フィルタ３に対応して円板
７に形成された０通孔（図示ｌ！ず）と内心に配置され
貫通孔１９は同じくフィルタ １及び２に対応して円板
７に形成された２つの目通孔（図示せず）にわたって配
置されている。円板１３及び１４には、夫々貫通孔１６
及び１７と円心に配置された貫通孔２０及び２１と、貫
通孔１８及び１９に対向して配置された四部２２及び２
３が形成されている。貫通孔２０は濾過されるべき処理
液に対する導入口を規定しており、貫通孔２１は濾過さ
れるべき処理液に対する導出口を規定しており、四部２
２はフィルタ ２及び３の夫々の一端の内部を相ηに連
通ずる連通路を、凹部２３はフィルタ １及び２の夫々
の一端の内部を相互に連通する連通路を夫々規定してい
る。
たものであり、フィルタ １，２及び３の両端には、ポ
リプロピレン樹脂円板６及び７が接着剤を用いることな
しに直接加熱溶Ｅｔｌｉ接合されて固着されている。円
板６及び７のフィルタ １．２及び３への固着は、例え
ば特願昭５７２０（ｉ４８５日の明細書に記載された方
法で行なうことができる。円板６には、フィルタ １．
２及び３の夫々の内部と連通覆るｎ通孔８，９及び１０
が形成されており、使方の円板７に１）同様な貫通孔（
図示せず）が形成されている。円板６及び７の夫々の一
方の面に例えば耐薬品性フッ素樹脂系ゴムからなるパラ
：１−ン１１及び１２を密着せしめるＪ：うに、例えば
ポリプロピレン樹脂製の流路誘導円板１３及び１４が配
置されている。ビン１５は、円板６とパツキン１１と円
板１３との相亙位冒決め、円板７とパツキン１２と円板
１４との相ｎ位首決めに夫々用いられている。パラ４：
ン１１及び１２には夫々円形貞通孔１６．１７及び短絡
用の長円形貫通孔１８．１９が形成されており、パツキ
ン１１の貫通孔１６は貫通孔８と円心に配置され貫通孔
１８は貫通孔９と１０とにわたって配置されている。パ
ツキン１２の舊通孔１７は、フィルタ３に対応して円板
７に形成された０通孔（図示ｌ！ず）と内心に配置され
貫通孔１９は同じくフィルタ １及び２に対応して円板
７に形成された２つの目通孔（図示せず）にわたって配
置されている。円板１３及び１４には、夫々貫通孔１６
及び１７と円心に配置された貫通孔２０及び２１と、貫
通孔１８及び１９に対向して配置された四部２２及び２
３が形成されている。貫通孔２０は濾過されるべき処理
液に対する導入口を規定しており、貫通孔２１は濾過さ
れるべき処理液に対する導出口を規定しており、四部２
２はフィルタ ２及び３の夫々の一端の内部を相ηに連
通ずる連通路を、凹部２３はフィルタ １及び２の夫々
の一端の内部を相互に連通する連通路を夫々規定してい
る。
フィルタ １，２及び３を収容したポリプロピレン樹脂
製の円筒状容器２４は、両端で夫々円板６及び９− ７に嵌合さねているとｊしにポリプロピレン（ル１脂材
を用いて相ｎに円周り向にそって溶融溶接されており、
フィルタ １，２及び３と容器２７１との間に泊過され
た処理液を捕集する空間２５が形成され−Ｃいる。容器
２４の両端に形成された螺子部２６及び２７に夫々螺合
した例えばポリプロピレン樹脂製の答２８及び２９は夫
々その螺合締めつけにＪこりパツキン１１゜１２を夫々
円板６及び７に、円板１３及び１４を夫々パツキン１１
及び１２に密に圧接している。容器２４、蓋２８、２り
に夫々植設した円筒状接続管３０．３１．３２及び３３
において、接続管３０及び３１は空間２５と連通してお
り、接続管３２はｎ通孔２０に、接続管３３は貫通孔２
１に夫々連通している。接続管３０．３１．３２及び３
３は夫々例えばポリプロピレン樹脂製であり、同様の樹
脂材の溶融肉盛溶接によって夫々容器２４、藍２８．２
９に植設され得る。
製の円筒状容器２４は、両端で夫々円板６及び９− ７に嵌合さねているとｊしにポリプロピレン（ル１脂材
を用いて相ｎに円周り向にそって溶融溶接されており、
フィルタ １，２及び３と容器２７１との間に泊過され
た処理液を捕集する空間２５が形成され−Ｃいる。容器
２４の両端に形成された螺子部２６及び２７に夫々螺合
した例えばポリプロピレン樹脂製の答２８及び２９は夫
々その螺合締めつけにＪこりパツキン１１゜１２を夫々
円板６及び７に、円板１３及び１４を夫々パツキン１１
及び１２に密に圧接している。容器２４、蓋２８、２り
に夫々植設した円筒状接続管３０．３１．３２及び３３
において、接続管３０及び３１は空間２５と連通してお
り、接続管３２はｎ通孔２０に、接続管３３は貫通孔２
１に夫々連通している。接続管３０．３１．３２及び３
３は夫々例えばポリプロピレン樹脂製であり、同様の樹
脂材の溶融肉盛溶接によって夫々容器２４、藍２８．２
９に植設され得る。
このように形成されたクロス７０一法過形式の１０−
フィルタ装置４０において、濾過されるべき処理液が接
続管３２に供給されると、この処理液はまずフィルタ
１に導入され、次に四部２３を介してフィルタ２に供給
され、更に凹部２２を介してフィルタ３に導入された後
、接続管３３から外部に導出され、ポンプ等の液体圧送
手段を介して再び接続管３２に供給され、環流循環され
る。フィルタ １． ２． ３を順番に通過中、フィル
タ １． ２． ３の細孔からなる通路を通過する処理
液から微細な異物は除去され、空間２５には濾過された
処理液が取り出され、この処理液は例えば接続管３１を
介して外部にシワ出され、半導体デバイスの製造用の処
理液として利用される。環流循環される濾過されるべき
処理液において、微細異物（夾雑物）の濃度がある一定
以上になると、一般に廃棄される。尚、接続管３０は、
空間２５と外部との圧力バランス用に設けられたもので
あるが、必要に応じて又は一定時間毎に、接続管３０か
ら濾過されたＩＩＩ！即液体又は伯の液体を空間２５に
圧送してフィルタ １，２及び３の細孔の目詰りを取り
除き、フィルタ １．２及び３を洗滌するようにしても
よい。
続管３２に供給されると、この処理液はまずフィルタ
１に導入され、次に四部２３を介してフィルタ２に供給
され、更に凹部２２を介してフィルタ３に導入された後
、接続管３３から外部に導出され、ポンプ等の液体圧送
手段を介して再び接続管３２に供給され、環流循環され
る。フィルタ １． ２． ３を順番に通過中、フィル
タ １． ２． ３の細孔からなる通路を通過する処理
液から微細な異物は除去され、空間２５には濾過された
処理液が取り出され、この処理液は例えば接続管３１を
介して外部にシワ出され、半導体デバイスの製造用の処
理液として利用される。環流循環される濾過されるべき
処理液において、微細異物（夾雑物）の濃度がある一定
以上になると、一般に廃棄される。尚、接続管３０は、
空間２５と外部との圧力バランス用に設けられたもので
あるが、必要に応じて又は一定時間毎に、接続管３０か
ら濾過されたＩＩＩ！即液体又は伯の液体を空間２５に
圧送してフィルタ １，２及び３の細孔の目詰りを取り
除き、フィルタ １．２及び３を洗滌するようにしても
よい。
ところで前記具体例では、第３図に示すフィルタ １，
２及び３と円板６及び７とからなる組ｖｌ体４１（カー
トリッジという）を、円板６及び７において容器２４と
溶接することにより容器２４内に固定して配置したが、
これに代えて円板６及び７と容器２４との間をテフロン
系ゴム又はシリコーンゴムのパツキン、シールリングを
用いてシールし、カートリッジ４１を交換可能に構成し
てもよい。
２及び３と円板６及び７とからなる組ｖｌ体４１（カー
トリッジという）を、円板６及び７において容器２４と
溶接することにより容器２４内に固定して配置したが、
これに代えて円板６及び７と容器２４との間をテフロン
系ゴム又はシリコーンゴムのパツキン、シールリングを
用いてシールし、カートリッジ４１を交換可能に構成し
てもよい。
また、高純瓜アルミナからなる非対称の平板状フィルタ
を用いて、垂直濾過形式のフィルタ装置を形成してもよ
く、また前記具体例の筒状フィルタを用いて、垂直濾過
形式のフィルタ装置を形成してもＪ：い。
を用いて、垂直濾過形式のフィルタ装置を形成してもよ
く、また前記具体例の筒状フィルタを用いて、垂直濾過
形式のフィルタ装置を形成してもＪ：い。
フィルタ １． ２． ３及びバラ−トン１１．１２以
外は前記具体例ではポリプロピレン樹脂から形成したが
、濾過対象の処理液又はその製電によっては塩化ビニー
ル、酢酸ビニール、ポリスチレン、ポリサルレフオン、
ポリアミド、アセタール、ポリカーボネート等の熱可塑
性樹脂の中から選択したものを用いて形成してもよく、
また二種以上の組合せであってもよい。加えて、これら
をアルミナ質、ムライト質又はコープイライト質などの
セラミック部材で形成してもよく、この場合フィルタ
１゜２及び３と円板６及び７との接着をはじめとして仙
のものでの相互接着は処理液との関連で選ばれる各種の
ガラスソルダーによって行ない冑、場合によってはエポ
キシ樹脂又はシリコーン樹脂を接着剤として適用しても
よい。
外は前記具体例ではポリプロピレン樹脂から形成したが
、濾過対象の処理液又はその製電によっては塩化ビニー
ル、酢酸ビニール、ポリスチレン、ポリサルレフオン、
ポリアミド、アセタール、ポリカーボネート等の熱可塑
性樹脂の中から選択したものを用いて形成してもよく、
また二種以上の組合せであってもよい。加えて、これら
をアルミナ質、ムライト質又はコープイライト質などの
セラミック部材で形成してもよく、この場合フィルタ
１゜２及び３と円板６及び７との接着をはじめとして仙
のものでの相互接着は処理液との関連で選ばれる各種の
ガラスソルダーによって行ない冑、場合によってはエポ
キシ樹脂又はシリコーン樹脂を接着剤として適用しても
よい。
そうしてパツキン１１．１２を用いることなくフィルタ
装置４０の全てをセラミック部材で形成する場１３− 合には、各接合部にガラスソルダー粉の釉桑を塗布した
後、加熱炉内にこの一体組立物を安定に保持してガラス
ソルダー粉を溶融固化けしめて、各接合部を固着するよ
うにしてもよく、この際溶融温度が同一のガラスソルダ
ーを用いて一■稈で固着がなされるようにしてもよく、
又は異なる溶融温咋のガラスソルダーを２種以上用いて
、途中において検査が可能なごとくして、二工程以」二
で固着がなされるようにしてもＪ：い。
装置４０の全てをセラミック部材で形成する場１３− 合には、各接合部にガラスソルダー粉の釉桑を塗布した
後、加熱炉内にこの一体組立物を安定に保持してガラス
ソルダー粉を溶融固化けしめて、各接合部を固着するよ
うにしてもよく、この際溶融温度が同一のガラスソルダ
ーを用いて一■稈で固着がなされるようにしてもよく、
又は異なる溶融温咋のガラスソルダーを２種以上用いて
、途中において検査が可能なごとくして、二工程以」二
で固着がなされるようにしてもＪ：い。
以下本発明の実施例を示す。
裏蓋！−
先の高純度アルミナ多孔質非対称フィルタ １゜２．３
（外径ｒ）１ １９ｍｍ、内径Ｄ１１５ｍｍ、長さノ３
７０ｍｎ＋１平均濾過層孔径０．２μｍ１バブルポイン
ト測定による最大孔径１．５μｍ）を準備し、これを第
３図に示すように直列接続してその伯の部品にはポリプ
ロピレン樹脂材を用いたちのを使用し１４− てクロスフロー濾過形式のフィルタ装置４０を作製した
。作製に先立って主に細孔内部にまで侵入している異物
を取除く目的でフィルタ １． ２． ３はいずれも純
水浴の下で超音波洗滌にＪ：り約３０分清浄された。一
方ポリプロピレン樹脂材からイ【る仙の部品を半導体用
トリクロルエチレン浴で超音波洗滌を１時間、ついでメ
タノールで酋通洗いを行なった後純水でゆすぎ防塵室内
乾燥器で４０℃下で乾燥した。フィルタ １． ２．
３は先の超音波洗滌の後ニッケル板で内張すした電気炉
内に収容し、５００℃に加熱して表面のｎ口脂を行なっ
た。第４図に示すフィルタ装置４０への組立ては、大略
光に説明した手段で行なったが、汚染を避りて防塵室内
で手袋を使用して行なった。
（外径ｒ）１ １９ｍｍ、内径Ｄ１１５ｍｍ、長さノ３
７０ｍｎ＋１平均濾過層孔径０．２μｍ１バブルポイン
ト測定による最大孔径１．５μｍ）を準備し、これを第
３図に示すように直列接続してその伯の部品にはポリプ
ロピレン樹脂材を用いたちのを使用し１４− てクロスフロー濾過形式のフィルタ装置４０を作製した
。作製に先立って主に細孔内部にまで侵入している異物
を取除く目的でフィルタ １． ２． ３はいずれも純
水浴の下で超音波洗滌にＪ：り約３０分清浄された。一
方ポリプロピレン樹脂材からイ【る仙の部品を半導体用
トリクロルエチレン浴で超音波洗滌を１時間、ついでメ
タノールで酋通洗いを行なった後純水でゆすぎ防塵室内
乾燥器で４０℃下で乾燥した。フィルタ １． ２．
３は先の超音波洗滌の後ニッケル板で内張すした電気炉
内に収容し、５００℃に加熱して表面のｎ口脂を行なっ
た。第４図に示すフィルタ装置４０への組立ては、大略
光に説明した手段で行なったが、汚染を避りて防塵室内
で手袋を使用して行なった。
組立後のフィルタ装置４０に対して、限外’ＩＭＡ及び
逆滲透を施された超純水により約３０分の使用前洗滌の
目的でクロス７０−濾過を行なった。尚、この場合、濾
過ＴＴ：０．９ｋｇで１１の濾過量を得るのに３２秒を
要した。これは使用フィルタの表面積から算出して２．
２ｍ’／ １」ｒ、ｍ’の濾過効率に相当し、同程度の
容積をもつ高分子膜中空系フィルタとばば同等の濾過効
率であった。
逆滲透を施された超純水により約３０分の使用前洗滌の
目的でクロス７０−濾過を行なった。尚、この場合、濾
過ＴＴ：０．９ｋｇで１１の濾過量を得るのに３２秒を
要した。これは使用フィルタの表面積から算出して２．
２ｍ’／ １」ｒ、ｍ’の濾過効率に相当し、同程度の
容積をもつ高分子膜中空系フィルタとばば同等の濾過効
率であった。
超純水による前洗滌後、半導体デバイスの処理液として
水道水を仮定し、この水道水をフィルタ装置４０に適用
して濾過前と濾過後の異物粒子数の定量を行なった結果
下記の値が得られた。
水道水を仮定し、この水道水をフィルタ装置４０に適用
して濾過前と濾過後の異物粒子数の定量を行なった結果
下記の値が得られた。
この結果から平均孔径０．２μｍのフィルタ １゜２及
び３によって０．２〜１，０１１ｍ間の水道水中の微粒
子異物は９６．５％除去されていることが判る。
び３によって０．２〜１，０１１ｍ間の水道水中の微粒
子異物は９６．５％除去されていることが判る。
フィルタ中に孔径分布上極めて僅かに存在Ｍ−る１、０
７１ｍ孔径以上の通路によって５〜１０μｍ粒子が０．
１％程度除去されないで１１過水に存在するが、これは
再濾過等の手段にＪ：り除去することが可能であると考
えられる。
７１ｍ孔径以上の通路によって５〜１０μｍ粒子が０．
１％程度除去されないで１１過水に存在するが、これは
再濾過等の手段にＪ：り除去することが可能であると考
えられる。
以上により本発明のフィルタは濃硫酸、濃硝酸等の酸化
性酸におかされず、しかも十分な濾過特性を有し得るも
のである結果、半導体デバイス製造における処理液の濾
過に好ましく適用し得ることが判明した。
性酸におかされず、しかも十分な濾過特性を有し得るも
のである結果、半導体デバイス製造における処理液の濾
過に好ましく適用し得ることが判明した。
第１図は本発明による好ましい一員体例の斜視図、第２
図は第１図に示すフィルタのＩＴ−ＩＴ線断面説明図、
第３図は第４図に示すフィルタ装置の分解説明図、第４
図は第１図に示すフィルタを用１７− いたフィルタ装置の一つの好ましい具体例の斜視図であ
る。 １．２，３・・・・・・フィルタ、４・・・・・・支持
層、５・・・・・・濾過層。 １８− 特開昭５９−２２５７１６ （６）
図は第１図に示すフィルタのＩＴ−ＩＴ線断面説明図、
第３図は第４図に示すフィルタ装置の分解説明図、第４
図は第１図に示すフィルタを用１７− いたフィルタ装置の一つの好ましい具体例の斜視図であ
る。 １．２，３・・・・・・フィルタ、４・・・・・・支持
層、５・・・・・・濾過層。 １８− 特開昭５９−２２５７１６ （６）
Claims (1)
- 多孔質のセラミック製の濾過層と、この濾過層を支持す
べく、濾過層に重ね合されており、濾過層の孔よりも大
きな孔径を有する多孔質のセラミック製の支持層とから
なる半導体デバイス処理液用のフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58098504A JPS59225716A (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-02 | 半導体デバイス処理液用のフィルタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58098504A JPS59225716A (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-02 | 半導体デバイス処理液用のフィルタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59225716A true JPS59225716A (ja) | 1984-12-18 |
| JPH0134090B2 JPH0134090B2 (ja) | 1989-07-18 |
Family
ID=14221469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58098504A Granted JPS59225716A (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-02 | 半導体デバイス処理液用のフィルタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59225716A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61161114A (ja) * | 1985-01-04 | 1986-07-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | セラミツクフイルタ−の濾過装置およびその洗浄方法 |
| JPS63197510A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-16 | Ngk Insulators Ltd | セラミツクフィルタ |
| JPS63236509A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-10-03 | Ebara Corp | セラミツクスフイルタ− |
| JPS6430611A (en) * | 1987-07-24 | 1989-02-01 | Toshiba Ceramics Co | Ceramic filter |
| US4874516A (en) * | 1984-12-29 | 1989-10-17 | Ngk Insulators, Ltd. | A ceramic filter for semi-ultrafiltration |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4918326A (ja) * | 1972-06-10 | 1974-02-18 | ||
| JPS5284571A (en) * | 1975-12-29 | 1977-07-14 | Commissariat Energie Atomique | Method and system for manufacturing tubular filter members |
| JPS52136206A (en) * | 1976-05-07 | 1977-11-14 | Commissariat Energie Atomique | Manufacture of porous pipe members |
-
1983
- 1983-06-02 JP JP58098504A patent/JPS59225716A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4918326A (ja) * | 1972-06-10 | 1974-02-18 | ||
| JPS5284571A (en) * | 1975-12-29 | 1977-07-14 | Commissariat Energie Atomique | Method and system for manufacturing tubular filter members |
| JPS52136206A (en) * | 1976-05-07 | 1977-11-14 | Commissariat Energie Atomique | Manufacture of porous pipe members |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4874516A (en) * | 1984-12-29 | 1989-10-17 | Ngk Insulators, Ltd. | A ceramic filter for semi-ultrafiltration |
| JPS61161114A (ja) * | 1985-01-04 | 1986-07-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | セラミツクフイルタ−の濾過装置およびその洗浄方法 |
| JPS63197510A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-16 | Ngk Insulators Ltd | セラミツクフィルタ |
| JPH0521605B2 (ja) * | 1987-02-10 | 1993-03-25 | Ngk Insulators Ltd | |
| JPS63236509A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-10-03 | Ebara Corp | セラミツクスフイルタ− |
| JPS6430611A (en) * | 1987-07-24 | 1989-02-01 | Toshiba Ceramics Co | Ceramic filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0134090B2 (ja) | 1989-07-18 |
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