JPS59223967A - 光デイスク - Google Patents
光デイスクInfo
- Publication number
- JPS59223967A JPS59223967A JP9718383A JP9718383A JPS59223967A JP S59223967 A JPS59223967 A JP S59223967A JP 9718383 A JP9718383 A JP 9718383A JP 9718383 A JP9718383 A JP 9718383A JP S59223967 A JPS59223967 A JP S59223967A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- optical
- layer
- thin film
- memories
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B13/00—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for
- G11B13/04—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for magnetically or by magnetisation and optically or by radiation, for changing or sensing optical properties
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光磁気薄膜層とその他の光メモリー薄膜層（金
属薄膜、金属化合物薄膜、カルコゲナイド化合物薄膜、
色素入り高分子薄膜、金属粒含有ポリマー）の二層膜を
有するレザー光によシ書き込み、読出しあるいは消去の
できる光デイスクメモリー媒体に関するものである。
属薄膜、金属化合物薄膜、カルコゲナイド化合物薄膜、
色素入り高分子薄膜、金属粒含有ポリマー）の二層膜を
有するレザー光によシ書き込み、読出しあるいは消去の
できる光デイスクメモリー媒体に関するものである。
従来から光磁気ディスクやその他の光メモＩＪ ＋のデ
ィスクは多く示さｆし又実用化している。こしらは従来
の磁気ディスクに比べ磁化が面内でなく膜面に垂直であ
る光磁気メモリーそして磁気ヘッドでは無い光ピツクア
ップに工り録再しておシ、レザービームによっているた
め非常に記録密度が大きい。このように光磁気ディスク
やその他の光メモリ−ディスクはこの大きな記録密度を
特徴として急速に各梱機器への応用が急が！している。
ィスクは多く示さｆし又実用化している。こしらは従来
の磁気ディスクに比べ磁化が面内でなく膜面に垂直であ
る光磁気メモリーそして磁気ヘッドでは無い光ピツクア
ップに工り録再しておシ、レザービームによっているた
め非常に記録密度が大きい。このように光磁気ディスク
やその他の光メモリ−ディスクはこの大きな記録密度を
特徴として急速に各梱機器への応用が急が！している。
しかしこτしらのメモリーディスクの記録密度Ｃビット
／ｄノはレザー光の絞７しるスポット径に依存し又トラ
ック密度に依存している、このために現在のレザースポ
ットが１μ惧直径前後であるこトカラ１０″〜１０’
ピット／ｃｒＩが限界であり、こ丁し以上高めること
は不可である欠点を有している。
／ｄノはレザー光の絞７しるスポット径に依存し又トラ
ック密度に依存している、このために現在のレザースポ
ットが１μ惧直径前後であるこトカラ１０″〜１０’
ピット／ｃｒＩが限界であり、こ丁し以上高めること
は不可である欠点を有している。
本発明上記欠点を改良し二層膜構造にして両層に記録再
生又は消去ができるディスク構成とすることにニジ２倍
の記録密度を可能としたことにある以下本発明の詳細な
説明する。
生又は消去ができるディスク構成とすることにニジ２倍
の記録密度を可能としたことにある以下本発明の詳細な
説明する。
従来公知である膜面に垂直な方間に砒化容易軸を有しか
つ光ビーム（レザー光）によシ情報を１込み、読出し、
消去できる磁性膜合金としては多結晶としてＭ、Ｂｚ、
ＭｎｏＢＢｉ、 Ｐｔａ６゜○ｏａｒ、Ｆ３ｍｃｏ、
単結晶としてＧｄ工Ｇ、 Ｔｂ７４０、ＹＧ、工ＧＸＢ
ｔＥｍＥｒＧａ工Ｇ１そして非晶質とＧｄ０ｏ、Ｔｂ’
Ｆｅ、Ｄｙ’Ｈ６、ＧｄＦｇＢｊ、ＧｄＴｂＦｇ、Ｔｂ
ＤｙＦｅあるいは各種添加元素を入ｌｒしたメモリーが
多くあるがこの中でも非晶質材料が一番良い材料として
実用化が進めらｎている。こ扛らの光磁気メモリー薄膜
はディスク基板であるＰＭＭＡ （透明アクリル樹脂）
、ＰＯ（ポリカーボネイト樹脂）、ガラス材料の上にス
パッターや蒸着によって作製さｎるそして保護ＦＩＸト
シテＳｉ ＯＲＢ ｉ Ｏ，、Ｓ ４．Ｎその他樹脂が
コーティングさｎる。こ牡らにも反射膜Ａ ｔ、 Ｏｚ
、 Ａ ｉ 、 Ａ ｕ又熱バッフ了一層を入ｎたり
多くの多層膜構造が考えらｎており、カー回転角（θｋ
）やＥｌ ／ Ｎ比を多くする方法がある。このような
光磁気薄膜であるメモリ一層は単層構造であるそしてこ
のメモリ一層にレザー光のスポットを照射し外部にバイ
アス磁界一般には数１００エルステツドを印力口するこ
とによりそのスポット部の垂直磁化が反転してビットと
して書き込ｔｎる。こｒしはθｋによって読出すことが
できるし又レザー光を照射して消去することができる。
つ光ビーム（レザー光）によシ情報を１込み、読出し、
消去できる磁性膜合金としては多結晶としてＭ、Ｂｚ、
ＭｎｏＢＢｉ、 Ｐｔａ６゜○ｏａｒ、Ｆ３ｍｃｏ、
単結晶としてＧｄ工Ｇ、 Ｔｂ７４０、ＹＧ、工ＧＸＢ
ｔＥｍＥｒＧａ工Ｇ１そして非晶質とＧｄ０ｏ、Ｔｂ’
Ｆｅ、Ｄｙ’Ｈ６、ＧｄＦｇＢｊ、ＧｄＴｂＦｇ、Ｔｂ
ＤｙＦｅあるいは各種添加元素を入ｌｒしたメモリーが
多くあるがこの中でも非晶質材料が一番良い材料として
実用化が進めらｎている。こ扛らの光磁気メモリー薄膜
はディスク基板であるＰＭＭＡ （透明アクリル樹脂）
、ＰＯ（ポリカーボネイト樹脂）、ガラス材料の上にス
パッターや蒸着によって作製さｎるそして保護ＦＩＸト
シテＳｉ ＯＲＢ ｉ Ｏ，、Ｓ ４．Ｎその他樹脂が
コーティングさｎる。こ牡らにも反射膜Ａ ｔ、 Ｏｚ
、 Ａ ｉ 、 Ａ ｕ又熱バッフ了一層を入ｎたり
多くの多層膜構造が考えらｎており、カー回転角（θｋ
）やＥｌ ／ Ｎ比を多くする方法がある。このような
光磁気薄膜であるメモリ一層は単層構造であるそしてこ
のメモリ一層にレザー光のスポットを照射し外部にバイ
アス磁界一般には数１００エルステツドを印力口するこ
とによりそのスポット部の垂直磁化が反転してビットと
して書き込ｔｎる。こｒしはθｋによって読出すことが
できるし又レザー光を照射して消去することができる。
このようにして情報全書込、読出し、消去する場合で現
在記録密度として１０″′〜１０８ ビットＺｃｒｌ
を得ておシこの辺がビーム径の大きさからしても限界で
あり単層膜でなく立体的膜構成によらなけ扛ばその了ツ
ブは不可能と考え本発明に致った。
在記録密度として１０″′〜１０８ ビットＺｃｒｌ
を得ておシこの辺がビーム径の大きさからしても限界で
あり単層膜でなく立体的膜構成によらなけ扛ばその了ツ
ブは不可能と考え本発明に致った。
又−刃元磁気以外の光メモリーとして考えら扛る多くの
物質があるがその一つとして金Ｆｌｕ膜としてＡ ｔ、
Ｏｒ、 Ｐ ｂ 、 Ａ ｕ 、 Ｒｈ 、 Ｚ
ｎ 、 ＯｕＳｂ、Ｔｅ、■ｎ、Ｂｉ 、ｈｇ、ａ、
１．ｓｆＬ、ａｅ、の単元素金属、非金属、金属合金、
非金属合金であるＰｄ−８ｉ、Ｐｔ−Ｂ１．Ｒｈ−８ｉ
。
物質があるがその一つとして金Ｆｌｕ膜としてＡ ｔ、
Ｏｒ、 Ｐ ｂ 、 Ａ ｕ 、 Ｒｈ 、 Ｚ
ｎ 、 ＯｕＳｂ、Ｔｅ、■ｎ、Ｂｉ 、ｈｇ、ａ、
１．ｓｆＬ、ａｅ、の単元素金属、非金属、金属合金、
非金属合金であるＰｄ−８ｉ、Ｐｔ−Ｂ１．Ｒｈ−８ｉ
。
５７−ｃｏ、ｖ−ｓ７ 、Ｍｏ−８ｉ、ｚｒ−ｓ６、Ｎ
ｂ−Ｅｌ 、ＡｌＬ−Ｇ、等があるがその他の多元合金
はすべて用いることが可能である。
ｂ−Ｅｌ 、ＡｌＬ−Ｇ、等があるがその他の多元合金
はすべて用いることが可能である。
金属化合物としてＴ＃−〇、ｒ６ｏ、、、ａｓ。
Ｔ、、Ａ、９−８−０．Ｓ、Ｓ等が考えらｎている。又
ホトクロミック材料でも可能である。
ホトクロミック材料でも可能である。
カルコゲナイド化合物としてはＡ５Ｔ６ 、へ６日−８
Ｇｇ 、Ｂｂｆ３ｇ 、Ｔｇ８６ 、Ｇｅ５６や、カル
コゲナイド系７モルフ了ス化合物である、αｓ （Ｈ，
αＧ、Ｈ，’Ｉ’、Ａ８等があシアモルファスと結晶の
相変態による光学的性質の変化（反射率、透過率、屈折
率〕を利用してレザー光のビットを情報のメモリーとす
る。
Ｇｇ 、Ｂｂｆ３ｇ 、Ｔｇ８６ 、Ｇｅ５６や、カル
コゲナイド系７モルフ了ス化合物である、αｓ （Ｈ，
αＧ、Ｈ，’Ｉ’、Ａ８等があシアモルファスと結晶の
相変態による光学的性質の変化（反射率、透過率、屈折
率〕を利用してレザー光のビットを情報のメモリーとす
る。
更に色素入り高分子としてスチレンポリゴマ−１色素ポ
リマー、シ了ニン色素等がある。こｎらは色素の変色等
を利用している。
リマー、シ了ニン色素等がある。こｎらは色素の変色等
を利用している。
金属粉含有ポリマーとしてはｈｇポリマー、ノ・ロゲン
化鋏、Ｃ１Ｌコロイド、Ａｐ−８−Ａｇポリマー、その
他の金属、合金、化合物が含有さｎるポリマーであシ、
光によって光学的性質の変化を利用する。
化鋏、Ｃ１Ｌコロイド、Ａｐ−８−Ａｇポリマー、その
他の金属、合金、化合物が含有さｎるポリマーであシ、
光によって光学的性質の変化を利用する。
以上のように多くの光メモリーも光磁気メモリ５−
一と同じように作製さｎ光デイスクメモリーとして利用
さｎつつある。
さｎつつある。
そして録再可能なメモリーは光磁気、カルコゲナイド化
合物、色素入り高分子等でそし以外は一回ノ記録のみで
消去は出来ないメモリーである。
合物、色素入り高分子等でそし以外は一回ノ記録のみで
消去は出来ないメモリーである。
このような光メモリーは今まであくまでも単層メモリー
であシ平面的ディスクメモリーである。
であシ平面的ディスクメモリーである。
よってレザービームのビーム径によって記録密度は限定
さｎてしまい１０″〜１０８ ビット／ｄであシ史に大
きくすることは不可能であった。
さｎてしまい１０″〜１０８ ビット／ｄであシ史に大
きくすることは不可能であった。
本発明はこｎらの欠点を無くし記録密度を２倍に了ツブ
する方法を発明したことにある。すなわち光磁気メモリ
ーとその他の上述した光メモリーの二層のメモリーを持
つ膜構成を考え、こｎを作製したことにある。この発明
は光磁気メモリーはレザー光を当ててもバイアス磁界を
与えないと磁化は反転しないが一方その他の光メモリー
は光学的性質が変化しビラトラ形成する。このようにバ
イアス磁界の有無で光磁気とその他の光メモリーへの書
込が自由に変えら扛ることを利用し立体的６一 な二層メモリーを考えたものである。
する方法を発明したことにある。すなわち光磁気メモリ
ーとその他の上述した光メモリーの二層のメモリーを持
つ膜構成を考え、こｎを作製したことにある。この発明
は光磁気メモリーはレザー光を当ててもバイアス磁界を
与えないと磁化は反転しないが一方その他の光メモリー
は光学的性質が変化しビラトラ形成する。このようにバ
イアス磁界の有無で光磁気とその他の光メモリーへの書
込が自由に変えら扛ることを利用し立体的６一 な二層メモリーを考えたものである。
すなわち始めにバイアス磁界を印加しなけ扛ばその他の
光メモリ一層に情報を書込むことができる。もし光磁気
も温度上昇によシ反磁界によって磁化の反転の危険が６
７”Ｌは反転しない方間にバイアス磁界を印加しておけ
ばよい。
光メモリ一層に情報を書込むことができる。もし光磁気
も温度上昇によシ反磁界によって磁化の反転の危険が６
７”Ｌは反転しない方間にバイアス磁界を印加しておけ
ばよい。
次にバイアス磁界を印加してレザー光スポットによシ情
報を書込めば光磁気メモリ一層にメモリーさ扛る。この
場合性の光メモリーも光学的性質が変化する危険が考え
らｎるが、一般に光磁気メモリーの磁化反射温度より光
メモリーの光学的性質の変化する温度が高いし又低い場
合高い物質を選べば良い。そしてレザーパワーを光磁気
メモリーと他の光メモリーへの書込時に変えて記録す扛
ば良い。このように光む気メモリーと他の光メモリーの
立体的積層構造にして、バイアス磁界や、レザーパワー
を変化させることによシ両者のメモリ一層に別々に■込
むことができる。こしによって従来０２倍の記録密度が
達成することが可能となった。当然ではあるが、この二
層メモリー間にはｓｈｏ等のバッフ了一層をもうけて良
いし、保護膜や反射膜等の利用によシよシ一層優ｎたデ
ィスクメモリーとすることも可能である。
報を書込めば光磁気メモリ一層にメモリーさ扛る。この
場合性の光メモリーも光学的性質が変化する危険が考え
らｎるが、一般に光磁気メモリーの磁化反射温度より光
メモリーの光学的性質の変化する温度が高いし又低い場
合高い物質を選べば良い。そしてレザーパワーを光磁気
メモリーと他の光メモリーへの書込時に変えて記録す扛
ば良い。このように光む気メモリーと他の光メモリーの
立体的積層構造にして、バイアス磁界や、レザーパワー
を変化させることによシ両者のメモリ一層に別々に■込
むことができる。こしによって従来０２倍の記録密度が
達成することが可能となった。当然ではあるが、この二
層メモリー間にはｓｈｏ等のバッフ了一層をもうけて良
いし、保護膜や反射膜等の利用によシよシ一層優ｎたデ
ィスクメモリーとすることも可能である。
この工つなメモリ一層が二層となっていることからレザ
ー光が下層に十分照射さｎパワーが十分乗らないとメモ
リーとして磁化の反転や光学的性質の変化が生じないた
め膜の厚さが重要となってぐる。こｎらはレザーパワー
との関係にも依存するがやはり膜厚が１００ＯＡ以下で
ないと下層のメモリーに十分記録さ扛ないし再生光も十
分取しな（Ｓ／Ｎ比も悪くなることが確認さｌｆ″した
。
ー光が下層に十分照射さｎパワーが十分乗らないとメモ
リーとして磁化の反転や光学的性質の変化が生じないた
め膜の厚さが重要となってぐる。こｎらはレザーパワー
との関係にも依存するがやはり膜厚が１００ＯＡ以下で
ないと下層のメモリーに十分記録さ扛ないし再生光も十
分取しな（Ｓ／Ｎ比も悪くなることが確認さｌｆ″した
。
メモリーの消去にさいしては記録の時の逆にすｎば良い
やはシバイ了ス磁界のＭ無と有る場合の磁界方間そして
レザーパワー強弱の変化によって光磁気か他の光メモリ
一層のいづ扛かをそして光磁気のｓ化の方間を変えるこ
とによって可能である。
やはシバイ了ス磁界のＭ無と有る場合の磁界方間そして
レザーパワー強弱の変化によって光磁気か他の光メモリ
一層のいづ扛かをそして光磁気のｓ化の方間を変えるこ
とによって可能である。
再生に関しては光磁気メモリーは検光子が２θ １に
ずらして配置さｎておけば磁化の反転の有無が明暗でダ
イオードで検出さｎる。又その他のメモリーについても
ビット形成さｎた光学的性質の変化により明暗が検出さ
ｎる。そしてこｎらの４つの明暗の組合せにより４種の
明暗比が得らｎることになシこの内２種づつが光磁気か
他覚メモリーの組合せとなることからこの明暗比がらど
ちらのメモリーかの判別とそのメモリー内の明暗が検出
できる。
ずらして配置さｎておけば磁化の反転の有無が明暗でダ
イオードで検出さｎる。又その他のメモリーについても
ビット形成さｎた光学的性質の変化により明暗が検出さ
ｎる。そしてこｎらの４つの明暗の組合せにより４種の
明暗比が得らｎることになシこの内２種づつが光磁気か
他覚メモリーの組合せとなることからこの明暗比がらど
ちらのメモリーかの判別とそのメモリー内の明暗が検出
できる。
以上のようにして従来は平面的な単層メモリーであった
ものを光磁気と他覚メモリーの立体的な二層メモリーと
することによって記録密度が２倍に同上することが可能
となった。
ものを光磁気と他覚メモリーの立体的な二層メモリーと
することによって記録密度が２倍に同上することが可能
となった。
第１図、第２図はそｎぞ扛従来の光磁気メモリーディス
クの例を示す断面図である。単層メモリーを示している
。 第３図、第４図はそｎぞ牡本発明の光磁気メモリ一層３
とその他の光メモリ一層７の立体的２層メモリー構造の
例を示す断面図である。ここに１は透明基板材、２，６
は保護膜層、３は光磁９− 気メモリ一層、４は熱バツフア層、５は反射１膜層、７
は他の光メモリ一層（金属薄膜、金属化合物薄膜、カル
コゲナイド化合物薄膜、色素入り高分子薄、嘆、金属含
有ポリマー薄膜） 以上 出願人 株式会社第二精工舎 代理人 弁理士最上 務 １０−
クの例を示す断面図である。単層メモリーを示している
。 第３図、第４図はそｎぞ牡本発明の光磁気メモリ一層３
とその他の光メモリ一層７の立体的２層メモリー構造の
例を示す断面図である。ここに１は透明基板材、２，６
は保護膜層、３は光磁９− 気メモリ一層、４は熱バツフア層、５は反射１膜層、７
は他の光メモリ一層（金属薄膜、金属化合物薄膜、カル
コゲナイド化合物薄膜、色素入り高分子薄、嘆、金属含
有ポリマー薄膜） 以上 出願人 株式会社第二精工舎 代理人 弁理士最上 務 １０−
Claims (2)
- （１）膜面に垂直な方間に磁化容易軸を有する非晶質光
磁気薄膜層と金属薄膜層、金属化合物薄膜層、カルコゲ
ナイド化合物薄膜層、色素入り高分子薄膜層、あるいは
金属粒含有ポリマー薄膜層のいづ７Ｌかの一層とを重ね
合せた二層膜構造を有する光ディスク。 - （２）特許請求範囲第１項記載の各薄膜層の厚さを１０
０ＯＡ以下としたことを特徴とする特許請求範囲第１項
記載の光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9718383A JPS59223967A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | 光デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9718383A JPS59223967A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | 光デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59223967A true JPS59223967A (ja) | 1984-12-15 |
Family
ID=14185461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9718383A Pending JPS59223967A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | 光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59223967A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63102031U (ja) * | 1986-12-22 | 1988-07-02 | ||
| EP0434230A2 (en) * | 1989-11-22 | 1991-06-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording medium and method of recording and reproducing information thereon |
| EP0523900A2 (en) * | 1991-07-08 | 1993-01-20 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | method of detecting information from an optical or magnetooptical recording medium, and an optical recording medium |
-
1983
- 1983-06-01 JP JP9718383A patent/JPS59223967A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63102031U (ja) * | 1986-12-22 | 1988-07-02 | ||
| EP0434230A2 (en) * | 1989-11-22 | 1991-06-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording medium and method of recording and reproducing information thereon |
| EP0523900A2 (en) * | 1991-07-08 | 1993-01-20 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | method of detecting information from an optical or magnetooptical recording medium, and an optical recording medium |
| EP0523900A3 (en) * | 1991-07-08 | 1993-06-23 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Method of detecting information from an optical or magnetooptical recording medium, and an optical recording medium |
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