JPS5922249A - 光デイスク - Google Patents
光デイスクInfo
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- JPS5922249A JPS5922249A JP57130615A JP13061582A JPS5922249A JP S5922249 A JPS5922249 A JP S5922249A JP 57130615 A JP57130615 A JP 57130615A JP 13061582 A JP13061582 A JP 13061582A JP S5922249 A JPS5922249 A JP S5922249A
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- JP
- Japan
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- reflectance
- optical
- substrate
- disc
- alumina layer
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/2585—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、画像ファイル、文書ファイル、及び計算機シ
ステム罠おけるファイルメモリ用として用いる光ディス
クに関するものである。
ステム罠おけるファイルメモリ用として用いる光ディス
クに関するものである。
従来、光デイスク基板として用いられていたのはプラス
チック、ガラスが主体であった。と１−ることを考慮す
れば、その割れという欠点はさけられない。ただ光デイ
スク基板としては、平面性を要求されるために、ガラス
の持つ平担性という特許を生かすために、一部に使用さ
れてきたものであり、将来的には使用できないことは明
らかである。また、プラスチック基板は、これまでのと
ころ、ＰＭＭＡ、ＰＣ、セルローズアセテ−） 、ＰＶ
Ｃ，ＰＥ’ｌ’などが検討され工きたが・光デイスク基
板として透明性と、平担性が狭求される。プラスチック
基板は透明性は満足するものの、本賀的にやわらかく、
また、光ヘッドとの関係から、１．２または１．５月と
非常にうすくしなければならない事情もあり、周辺部の
だれが問題となる。従来、この面だれを防ぐため、比較
的厚めの支持板を用いて、はり合せたり、あるいは、ス
ペーサを界して、一体とするという方法をとっていた。
チック、ガラスが主体であった。と１−ることを考慮す
れば、その割れという欠点はさけられない。ただ光デイ
スク基板としては、平面性を要求されるために、ガラス
の持つ平担性という特許を生かすために、一部に使用さ
れてきたものであり、将来的には使用できないことは明
らかである。また、プラスチック基板は、これまでのと
ころ、ＰＭＭＡ、ＰＣ、セルローズアセテ−） 、ＰＶ
Ｃ，ＰＥ’ｌ’などが検討され工きたが・光デイスク基
板として透明性と、平担性が狭求される。プラスチック
基板は透明性は満足するものの、本賀的にやわらかく、
また、光ヘッドとの関係から、１．２または１．５月と
非常にうすくしなければならない事情もあり、周辺部の
だれが問題となる。従来、この面だれを防ぐため、比較
的厚めの支持板を用いて、はり合せたり、あるいは、ス
ペーサを界して、一体とするという方法をとっていた。
このように、ガラス基板は、割れという欠点を持ってお
り、プラスチックには、やわらかいための面だれ、及び
、吸湿性を持つだめの記録層への悪影響が考えられる等
の欠点を有していた〇 光ディスクは、構成法として記録層株数のために、ディ
スク内面に記録層を形成し、基板を通して光を照射し、
記録、再生を行なわせるため、ＡＪ基板は不向きとされ
てきた。また、ＡＪ自身の持つ反射率のために、ノイズ
となるなど従来は使えないと考えられてきた。
り、プラスチックには、やわらかいための面だれ、及び
、吸湿性を持つだめの記録層への悪影響が考えられる等
の欠点を有していた〇 光ディスクは、構成法として記録層株数のために、ディ
スク内面に記録層を形成し、基板を通して光を照射し、
記録、再生を行なわせるため、ＡＪ基板は不向きとされ
てきた。また、ＡＪ自身の持つ反射率のために、ノイズ
となるなど従来は使えないと考えられてきた。
本発明は、アルミナ層を有する基板を用い（、光ディス
クを製作することに特徴を有し、その目的は、光反射率
を低下せしめ、基板からの反射ノイズを防止することに
ある。
クを製作することに特徴を有し、その目的は、光反射率
を低下せしめ、基板からの反射ノイズを防止することに
ある。
〔発明の概要」
本発明は、基板上にスペーヅを介在して保護カバーが設
けられ、前記基板または保護カバーのいずれかに光記録
媒体が設けられた光ディスクにおいて、前記基板として
、ＡＩ！もしくはＡｊ？を含む合金よりなる円盤に、ア
ルミナ層を形成した基板を用いることを特徴とする光デ
ィスクであり、また前記基板として、Ｓ ｉ 、Ｆｅ
、Ｃｕ 、Ｍｇ 。
けられ、前記基板または保護カバーのいずれかに光記録
媒体が設けられた光ディスクにおいて、前記基板として
、ＡＩ！もしくはＡｊ？を含む合金よりなる円盤に、ア
ルミナ層を形成した基板を用いることを特徴とする光デ
ィスクであり、また前記基板として、Ｓ ｉ 、Ｆｅ
、Ｃｕ 、Ｍｇ 。
Ｚｎ 、Ｃｒ 、Ｎｉ 、（ｊｄ 、８ｎｔ、ＩＪｙ
、Ｎｉ 、Ｍｎ 、Ｙ、−Ｖ 、Ｔｉの元素のうちの一
種類または二種類以上とＡＩ！とよりなる合金円盤に、
陽極酸化法によりアルミナ層を形成することにより発色
せしめ、光反射率を低下せしめた基板を用いることを特
徴とする光ディスクであり、また、アルミナ層として、
陽極酸化法により、多孔質アルミナを表面に形成した後
、赤外線吸収色素または例えば８ｎ 、Ｎｉ 、Ｃ。
、Ｎｉ 、Ｍｎ 、Ｙ、−Ｖ 、Ｔｉの元素のうちの一
種類または二種類以上とＡＩ！とよりなる合金円盤に、
陽極酸化法によりアルミナ層を形成することにより発色
せしめ、光反射率を低下せしめた基板を用いることを特
徴とする光ディスクであり、また、アルミナ層として、
陽極酸化法により、多孔質アルミナを表面に形成した後
、赤外線吸収色素または例えば８ｎ 、Ｎｉ 、Ｃ。
等の金属微粒子を孔内に鉄着させることにより、着色し
、光反射率を低下せしめたアルミナ層を用いることを特
徴とする光ディスクであり、また、陽極酸化処理時にお
ける表面アルミノ−と、アルミニウム界面での乱反射を
極力防止するためＫその界面の平担性を保つため、前記
円盤を０．５μｍ以下の精度で表面を仕上げ、しかる後
に、陽極酸化をほどこし、反射率の場所的ゆらぎを２０
チ以下とせしめたことを％徴とする光ディスクであり、
また、陽極酸化後に、アルミツー表面からの光反射の場
所的ゆらぎを押えるために、円盤にアルミナ層を形成し
た基板に、０．２μｎｌ以下の精度で表面研摩をほどこ
したことを特徴とする光ディスクである。
、光反射率を低下せしめたアルミナ層を用いることを特
徴とする光ディスクであり、また、陽極酸化処理時にお
ける表面アルミノ−と、アルミニウム界面での乱反射を
極力防止するためＫその界面の平担性を保つため、前記
円盤を０．５μｍ以下の精度で表面を仕上げ、しかる後
に、陽極酸化をほどこし、反射率の場所的ゆらぎを２０
チ以下とせしめたことを％徴とする光ディスクであり、
また、陽極酸化後に、アルミツー表面からの光反射の場
所的ゆらぎを押えるために、円盤にアルミナ層を形成し
た基板に、０．２μｎｌ以下の精度で表面研摩をほどこ
したことを特徴とする光ディスクである。
第１図は、本発明の実施例であって、１はアルミニウム
円盤、２はアルミナ層、３は媒体支持層、４は光記録媒
体、５はスペーサ、６は、保護カバーである。
円盤、２はアルミナ層、３は媒体支持層、４は光記録媒
体、５はスペーサ、６は、保護カバーである。
光ディスクは警き込み時に、光記録媒体４に穴をあけた
り、または、光変色をおこさせることにより、入射光の
反射率を変化させ読み出しを行な５゜下地が単なるアル
ミニウム基板であれば、その表面からの反射光をも信号
と共に検出してしまうために、信号の上に、アルミニウ
ム基板からの反射が重畳されて出てくる。またアルミニ
ウム基也力２らの反射率の場所的なゆらぎがあれは、そ
れがノイズとなり、Ｓ／Ｎを極端に悪くする。
り、または、光変色をおこさせることにより、入射光の
反射率を変化させ読み出しを行な５゜下地が単なるアル
ミニウム基板であれば、その表面からの反射光をも信号
と共に検出してしまうために、信号の上に、アルミニウ
ム基板からの反射が重畳されて出てくる。またアルミニ
ウム基也力２らの反射率の場所的なゆらぎがあれは、そ
れがノイズとなり、Ｓ／Ｎを極端に悪くする。
第２図は、光記録媒体４を保護カバー６上に形成した例
を示す。この場合も、やはり、支持体としてのアルミニ
ウム面からの反射分布がＳ／Ｎを悪くする。この反射率
を落とし、なおかつ反射率分布を押えるため、光学ヘッ
ドで使用するレーザダイオードの発振波長の７００〜９
ＱＱｎｍ、及びＨｅ−Ｎｅレーザの６３２．８ ｎｍに
おける反射率を２０％以丁、望ましくは１ｏチ以下に押
えるために、アルミナ層２を表面に形成したアルミニウ
ム円盤１よりなる基板な用いることにより、この要求値
を実現できる。
を示す。この場合も、やはり、支持体としてのアルミニ
ウム面からの反射分布がＳ／Ｎを悪くする。この反射率
を落とし、なおかつ反射率分布を押えるため、光学ヘッ
ドで使用するレーザダイオードの発振波長の７００〜９
ＱＱｎｍ、及びＨｅ−Ｎｅレーザの６３２．８ ｎｍに
おける反射率を２０％以丁、望ましくは１ｏチ以下に押
えるために、アルミナ層２を表面に形成したアルミニウ
ム円盤１よりなる基板な用いることにより、この要求値
を実現できる。
第３図に、ｋｌ −１，４％ Ｆｅ合金の陽極酸化試料
のカラーアルミナ層の厚みに対する反射率変化を示す・
この陽極酸化は、１５％Ｈ，８０４水溶液で行なったも
のである。この場合には２０％以下の反射率とするため
に７μｍ 以上のカラーアルミナ層を形成すれはよいこ
とがわかる。また、ＡＪ −４％Ｍｇ合金をリン酸水溶
液で約１．８μｍ厚さのカラーアルミナ層を形成したと
ころ、反射率は、６．７％となった。第４図に、ＡＪ
−４％Ｍ、ｇ合金の反射率の光彼長依存性を示す。この
場合には広い波長域で低反射率を示す。
のカラーアルミナ層の厚みに対する反射率変化を示す・
この陽極酸化は、１５％Ｈ，８０４水溶液で行なったも
のである。この場合には２０％以下の反射率とするため
に７μｍ 以上のカラーアルミナ層を形成すれはよいこ
とがわかる。また、ＡＪ −４％Ｍｇ合金をリン酸水溶
液で約１．８μｍ厚さのカラーアルミナ層を形成したと
ころ、反射率は、６．７％となった。第４図に、ＡＪ
−４％Ｍ、ｇ合金の反射率の光彼長依存性を示す。この
場合には広い波長域で低反射率を示す。
第５図には赤外線吸収色素であるビス（クロロ＃ジチオ
フェノール）・ニッケル・アンモニウム塩を多孔質アル
ミナの孔に吸着させた時の反射率の波長変化を一例とし
て示す、自然発色、即ち、陽極酸化により発色する色は
多種存在し、前に述べたように光源波長には、ある範囲
があることから場合によっては、この波長域では、反射
率低Ｔを必ずしも」・夕ごさない。例えば、ｆｉ−１−
Ｍ ｇ −８ｉ系合金をしゆう酸で陽極（社）化せしめ
た場合には、アルミ方膜は金色を呈し、８００ｎｎｌで
の反身９率は、８５％もの尚い値を示す。
フェノール）・ニッケル・アンモニウム塩を多孔質アル
ミナの孔に吸着させた時の反射率の波長変化を一例とし
て示す、自然発色、即ち、陽極酸化により発色する色は
多種存在し、前に述べたように光源波長には、ある範囲
があることから場合によっては、この波長域では、反射
率低Ｔを必ずしも」・夕ごさない。例えば、ｆｉ−１−
Ｍ ｇ −８ｉ系合金をしゆう酸で陽極（社）化せしめ
た場合には、アルミ方膜は金色を呈し、８００ｎｎｌで
の反身９率は、８５％もの尚い値を示す。
しかるに、上に述べた赤外線吸収色素を吸着せしめれば
金色を呈したままで３ Ｑ Ｑ ｎｍでの反射率を１５
％以下に低下できる。
金色を呈したままで３ Ｑ Ｑ ｎｍでの反射率を１５
％以下に低下できる。
このようにすれば、例えば用途別に基板色調を変え得る
という、使用上の利点が生じる。なお赤外線吸収色素の
かわりに、例えばＳｎ、Ｎｉ。
という、使用上の利点が生じる。なお赤外線吸収色素の
かわりに、例えばＳｎ、Ｎｉ。
Ｃｏ 等の金層微粒子を多孔質アルミナの孔内に吸着
させてもよい。
させてもよい。
第６−図に、通常の陽極酸化をほどこした場合の反射率
の場所の依存性の例を示す。これは、光源を２μＩｎに
絞った状態で、適当な領域を走丘−したときに見られる
反射光強度変化を示す。このように、通常の陽極酸化に
おいてはアルミナとアルミニウム界面での平担性が得ら
れないことから、場所による変動が大きくなる。
の場所の依存性の例を示す。これは、光源を２μＩｎに
絞った状態で、適当な領域を走丘−したときに見られる
反射光強度変化を示す。このように、通常の陽極酸化に
おいてはアルミナとアルミニウム界面での平担性が得ら
れないことから、場所による変動が大きくなる。
反射光はアルミナ表面からのものとアルミナ、アルミニ
ウム界面からのものとの重畳されたものとなっており１
アルミナ表面からの反射の分布は、アルミ六表面を研摩
することにより低減化が可能であり、またこの表面から
の反射は１０チを越えない。従ってアルミナ、アルミニ
ウム界面からの反射が大部分と言える。そこで、ここか
らの反射率分布を小さくする方法としては、 ■ アルミナ層での吸収を大きくすること。
ウム界面からのものとの重畳されたものとなっており１
アルミナ表面からの反射の分布は、アルミ六表面を研摩
することにより低減化が可能であり、またこの表面から
の反射は１０チを越えない。従ってアルミナ、アルミニ
ウム界面からの反射が大部分と言える。そこで、ここか
らの反射率分布を小さくする方法としては、 ■ アルミナ層での吸収を大きくすること。
■ 界面の平担性を向上させること。
がある。
第３図に示したようにカラーアルミナ層の厚さを増すこ
とによって反射率を低減できる。即ち、吸収光量を増す
ことができる。これにより反射率分布は低減化が可能で
あり、第７図に、１’−１−１，４％Ｆｅ合金の反射率
分布（（最扁反射率−最低反射率ン／平均反射率ｘｘＯ
ｏ（９６））を示す。
とによって反射率を低減できる。即ち、吸収光量を増す
ことができる。これにより反射率分布は低減化が可能で
あり、第７図に、１’−１−１，４％Ｆｅ合金の反射率
分布（（最扁反射率−最低反射率ン／平均反射率ｘｘＯ
ｏ（９６））を示す。
これにより、１０％の平均反射率のところで、分布は２
０％と７より、この場合をよ１ｏμｍ１１以上の膜厚で
、分布は要件を満たずことがわかる。
０％と７より、この場合をよ１ｏμｍ１１以上の膜厚で
、分布は要件を満たずことがわかる。
しかるに、本賀的にアルミツー、アルミニウム界面の反
射￥勺イ１１は残るので、陽極ｔβ化時のアルミニウム
の平面性を向上させることにより、 −界面平担度の
向上を図る。第８［８１に、初Ｊす］平担 −曳に幻す
る反則分布を示す。こび）しｊがられかるように０．５
μＩｎの平面反り１・で２υ条以内の分布におさまるこ
とがわかる。
射￥勺イ１１は残るので、陽極ｔβ化時のアルミニウム
の平面性を向上させることにより、 −界面平担度の
向上を図る。第８［８１に、初Ｊす］平担 −曳に幻す
る反則分布を示す。こび）しｊがられかるように０．５
μＩｎの平面反り１・で２υ条以内の分布におさまるこ
とがわかる。
〔実施例１〕
ＡＪ−１，４％Ｆｅ合金上に、ｌＯＩ汀ｌの黒色カラー
アルミナ層を形成し％ ０．３７ｎｍ厚のＰＭＭ層を形
成した上に、Ｔｅ膜を形成し、１．２ ｍｍ厚のＰＭＭ
漣でカバーした構成を持つ光ディスクにおいて８２０
ｎｍ波長のヘッドを用い〜１．５μ＋１１径の（１０１
０１０’）パターンを形成し、信号強度比を測る。
アルミナ層を形成し％ ０．３７ｎｍ厚のＰＭＭ層を形
成した上に、Ｔｅ膜を形成し、１．２ ｍｍ厚のＰＭＭ
漣でカバーした構成を持つ光ディスクにおいて８２０
ｎｍ波長のヘッドを用い〜１．５μ＋１１径の（１０１
０１０’）パターンを形成し、信号強度比を測る。
〔実施例２〕
Ａｔ −Ｍｎ−８ｉ系合金をしゅう酸を用いて陽極酸化
を行ない１０μｍの金色のアルミナ膜を形成した後、赤
外吸収染料を吸着させた後、封孔処理をほどこした基板
を用い、１．２朋厚の保護カバー上にＴｅ を形成す
る構造を持つディスクにおいて％６２ ｄＢのＳ／Ｎ
が得られた。
を行ない１０μｍの金色のアルミナ膜を形成した後、赤
外吸収染料を吸着させた後、封孔処理をほどこした基板
を用い、１．２朋厚の保護カバー上にＴｅ を形成す
る構造を持つディスクにおいて％６２ ｄＢのＳ／Ｎ
が得られた。
〔実施例３〕
Ａｔ−Ｃｕ−８ｉ系合金においてクロム酸を用いて陽極
酸化膜を形成し、赤灰色の１０μｎｌのアルミナ層を形
成した後、赤外線吸収染料を吸着させた基板を用い、実
施例１と同様の構造としたディスクにおいて５５ ｄＢ
のＳ／Ｎが得られた。
酸化膜を形成し、赤灰色の１０μｎｌのアルミナ層を形
成した後、赤外線吸収染料を吸着させた基板を用い、実
施例１と同様の構造としたディスクにおいて５５ ｄＢ
のＳ／Ｎが得られた。
以上述べたように、光ディスクとしてＭ 基板が使用さ
れないのは、光透過性のないことと、反射率が高く、か
つ分布を持つことがその理由となっている０これを解決
するために、反射率を低く、分布をなくすために、カラ
ーアルミナ基板を使用し、かつ、場合にょっ℃は赤外吸
収色素を吸着せしめることにより、反射率を低減させ、
かつ適当なアルミナ層の厚みを選ぶことにより、分布を
押え得るのみならず陽極酸化前の平鋼化処理によっても
分布を押え得る。従ってＡｒ の持つ而ぶれが少なく、
加工性に富み、剛性が高く、かつ強度的にすぐれた特性
を利用できるという大きな利点を治する。
れないのは、光透過性のないことと、反射率が高く、か
つ分布を持つことがその理由となっている０これを解決
するために、反射率を低く、分布をなくすために、カラ
ーアルミナ基板を使用し、かつ、場合にょっ℃は赤外吸
収色素を吸着せしめることにより、反射率を低減させ、
かつ適当なアルミナ層の厚みを選ぶことにより、分布を
押え得るのみならず陽極酸化前の平鋼化処理によっても
分布を押え得る。従ってＡｒ の持つ而ぶれが少なく、
加工性に富み、剛性が高く、かつ強度的にすぐれた特性
を利用できるという大きな利点を治する。
第１図及び第２図は、それぞれ本発明の実施例を示す断
面図、第３図は本発明に係るＡｊ’ −１，４％Ｆｅ合
金の陽極酸化膜の反射率のアルミナ厚さに対する依存性
の一例を示す特性図、第４図は本発明に係るＡＪ−４％
Ｍｇ合金上にアルミナを２μ＋１１ 形成した場合の
反射率の波長依存性の一例を示す特性図、８５図は本発
明に係る赤外吸収色素をアルミナに吸着せしめた時の反
射率の波長依任性の一例を示す特性図、第６図は本発明
に係る透明な陽極酸化膜反射率の場所依存性の一例を示
す特性図、第７図は本発明に係る反射率分布のアルミナ
膜厚依存性の一例を示す特性図、第８図は本発明に係る
陽極酸化前のアルミニウム円盤の平滑性が及ばず反射率
分布の影響の一例を示す特性図である。 １・・・アルミニウム円盤、２用アルミナ層、３・・・
媒体支持層、４・・・光記録媒体、５・・・スペーサ、
６・・・係数カバー。 ２４４ 端１図 第２図 ム 第３図 アノＬミプノ壁ざ （アｍ） 第４図 ノ Ｆ、Ｌ！ （ｎｍ ） 第５＠ ＊□”Ａ （ｎｍ） 第６図 ｗ４り図 ア几Ｓ７ペ（１ｍ） 第８図 干Ｊ旦崖（Ｐ−ｐイ直、ｐｍ）
面図、第３図は本発明に係るＡｊ’ −１，４％Ｆｅ合
金の陽極酸化膜の反射率のアルミナ厚さに対する依存性
の一例を示す特性図、第４図は本発明に係るＡＪ−４％
Ｍｇ合金上にアルミナを２μ＋１１ 形成した場合の
反射率の波長依存性の一例を示す特性図、８５図は本発
明に係る赤外吸収色素をアルミナに吸着せしめた時の反
射率の波長依任性の一例を示す特性図、第６図は本発明
に係る透明な陽極酸化膜反射率の場所依存性の一例を示
す特性図、第７図は本発明に係る反射率分布のアルミナ
膜厚依存性の一例を示す特性図、第８図は本発明に係る
陽極酸化前のアルミニウム円盤の平滑性が及ばず反射率
分布の影響の一例を示す特性図である。 １・・・アルミニウム円盤、２用アルミナ層、３・・・
媒体支持層、４・・・光記録媒体、５・・・スペーサ、
６・・・係数カバー。 ２４４ 端１図 第２図 ム 第３図 アノＬミプノ壁ざ （アｍ） 第４図 ノ Ｆ、Ｌ！ （ｎｍ ） 第５＠ ＊□”Ａ （ｎｍ） 第６図 ｗ４り図 ア几Ｓ７ペ（１ｍ） 第８図 干Ｊ旦崖（Ｐ−ｐイ直、ｐｍ）
Claims (5)
- （１）基板上にスペーサを介在して保護カバーが設けら
れ、前記基板もしくは保護カバーのいずれかに光記録媒
体が設けられた元ディスクにおい王、前記基板として、
ＭもしくはＡｒを含む合金よりなる円盤に、アルミナ層
を形成した基板を用いることを特徴とする光ディスク。 - （２） 円盤として、８ｉ 、Ｆｅ 、Ｃｕ 、Ｍｇ
、Ｚｎ 、Ｃｒ 、Ｎｉ 。 Ｇｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｎｊ 、Ｍｎ、Ｙ、Ｖ、Ｔｉの元素
のうちの一種類もしくは二種類以上とＡＩ！ とより
なる合金円盤を用いることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光ディスク。 - （３）アルミナ層として、多孔質アルミ尤の孔内に赤外
線吸収色素もしくは金属微粒子を吸着させたアルミナ層
を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光ディスク。 - （４）円盤として０．５μｍ以下の精度で表面仕上げし
た円盤を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光ディスク。 - （５）基板として、０．２μｍ以下の精度で表面研摩が
ほどこされた基板を用いることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57130615A JPS5922249A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 光デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57130615A JPS5922249A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 光デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922249A true JPS5922249A (ja) | 1984-02-04 |
Family
ID=15038450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57130615A Pending JPS5922249A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922249A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60173732A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学デイスク |
| JPS60173731A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学デイスク |
| JPS613342A (ja) * | 1984-05-16 | 1986-01-09 | バロース・コーポレーシヨン | 保管可能な光学情報記録を作成する方法 |
| US4858569A (en) * | 1987-02-12 | 1989-08-22 | Autoipari Kutato Es Fejleszto Vallalat | Reciprocating piston-type internal combustion engine with resonance charging |
| US4974568A (en) * | 1988-10-18 | 1990-12-04 | Autoipari Kutato Es Fejleszto Vallalat | Resonance system with variable geometry for the fresh-gas conduit for internal combustion engines. |
-
1982
- 1982-07-27 JP JP57130615A patent/JPS5922249A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60173731A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学デイスク |
| JPS60173732A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学デイスク |
| JPS613342A (ja) * | 1984-05-16 | 1986-01-09 | バロース・コーポレーシヨン | 保管可能な光学情報記録を作成する方法 |
| US4858569A (en) * | 1987-02-12 | 1989-08-22 | Autoipari Kutato Es Fejleszto Vallalat | Reciprocating piston-type internal combustion engine with resonance charging |
| US4974568A (en) * | 1988-10-18 | 1990-12-04 | Autoipari Kutato Es Fejleszto Vallalat | Resonance system with variable geometry for the fresh-gas conduit for internal combustion engines. |
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