JPS592222A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS592222A JPS592222A JP10993682A JP10993682A JPS592222A JP S592222 A JPS592222 A JP S592222A JP 10993682 A JP10993682 A JP 10993682A JP 10993682 A JP10993682 A JP 10993682A JP S592222 A JPS592222 A JP S592222A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shielding
- layer
- magnetic
- patterns
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッド、特に基板上に形成
された磁気抵抗効果素子の両側に高透磁率層からなるシ
ールド層を設けた特に再生ヘッドとして用いられる磁気
抵抗効果型磁気ヘッドに関する。
された磁気抵抗効果素子の両側に高透磁率層からなるシ
ールド層を設けた特に再生ヘッドとして用いられる磁気
抵抗効果型磁気ヘッドに関する。
このような磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以′ＴＭＲヘッ
ドという）は磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を用いた磁
気ヘッドであり、ＭＲ素子は抵抗値が磁界の強さに依存
して変化する特性を利用したもので、再生出力が媒体速
度に依存せず、磁気信号の波長のみによって決まるため
低速でも十分な再生出力が得られ、ＩＣと同様な薄膜技
術で製造することができるため、マルチトラック化が容
易であるなど利点を有し、最近では磁気記録再生装置の
再生用ヘッドとして注目を集めている。このようなＭＲ
ヘッドを短波長までの再生に使用する場合には分解能を
上げるためにＭＲ素子の両側に高透磁率層の磁性体から
なるシールド層を設けて使用している。
ドという）は磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を用いた磁
気ヘッドであり、ＭＲ素子は抵抗値が磁界の強さに依存
して変化する特性を利用したもので、再生出力が媒体速
度に依存せず、磁気信号の波長のみによって決まるため
低速でも十分な再生出力が得られ、ＩＣと同様な薄膜技
術で製造することができるため、マルチトラック化が容
易であるなど利点を有し、最近では磁気記録再生装置の
再生用ヘッドとして注目を集めている。このようなＭＲ
ヘッドを短波長までの再生に使用する場合には分解能を
上げるためにＭＲ素子の両側に高透磁率層の磁性体から
なるシールド層を設けて使用している。
即ち第１図及び第２図に示したように基板１上にシール
ド層２を形成し、これに絶縁層９を施し、続いてＭＲ素
子３，３並びにリード線４，４を形成し、このＭＲ素子
３上に更に絶縁層９を介してシールド層５を形成し一番
外側から保護板６を重ねることによりＭＲヘッドを構成
している。
ド層２を形成し、これに絶縁層９を施し、続いてＭＲ素
子３，３並びにリード線４，４を形成し、このＭＲ素子
３上に更に絶縁層９を介してシールド層５を形成し一番
外側から保護板６を重ねることによりＭＲヘッドを構成
している。
このように従来この種のシールド型ＭＲヘッドニオイて
は一対の高透磁率層から成るシールド層２．５が設けら
れており、これらの一対のシールド層の間隔に関連して
決まる範囲での局所的な磁界強さを検出し実質的に再生
周波数特性を広い範囲にわたって平均化しようとするこ
とが行なわれて因る。従ってこのような構造においては
基板上に形成される第１のシールド層２は、一般にＭＲ
素子部３の面積より大きくなり又厚さも厚くならざるを
得なかった。その結果素子形成過程で応力が発生し膜の
剥れや磁気特性の劣化による出力の低下を招いていた。
は一対の高透磁率層から成るシールド層２．５が設けら
れており、これらの一対のシールド層の間隔に関連して
決まる範囲での局所的な磁界強さを検出し実質的に再生
周波数特性を広い範囲にわたって平均化しようとするこ
とが行なわれて因る。従ってこのような構造においては
基板上に形成される第１のシールド層２は、一般にＭＲ
素子部３の面積より大きくなり又厚さも厚くならざるを
得なかった。その結果素子形成過程で応力が発生し膜の
剥れや磁気特性の劣化による出力の低下を招いていた。
従って本発明はこのような従来の欠点を除去すると同時
に、ノイズを低減し、又高周波ｄおける位相の遅れやシ
ールド層素子間の間隔長さに関連する特定波長の出力低
下を軽減させることが可能な磁気抵抗効果型磁気ヘッド
を提供することを目的とする。
に、ノイズを低減し、又高周波ｄおける位相の遅れやシ
ールド層素子間の間隔長さに関連する特定波長の出力低
下を軽減させることが可能な磁気抵抗効果型磁気ヘッド
を提供することを目的とする。
本発明はこの目的を達成するためにシールド層を構成す
る一対の高透磁率層のうち一方の高透磁率層に複数個の
不連続部分を設けるような構成を採用した。以下添付図
面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
る一対の高透磁率層のうち一方の高透磁率層に複数個の
不連続部分を設けるような構成を採用した。以下添付図
面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
第３図には本発明の一実施例が図示されており、第１図
、第２図の基板１に対応する絶縁材料から成る基板１１
上にシールド層が形成されており、このシールド層はＭ
Ｒ素子１３に対応する素子部（感知部）のシールドパタ
ーン１２とそのシールドパターンを底部としてほぼ等間
隔を隔てて上方に延びる複数のシールドパターン１２ａ
から成っており、ＭＲ素子部以外の所では不連続したシ
ールドパターンとなっている。一方ＭＲ素子部の感知部
に相当する素子部のシールドパターン１２は感知部とほ
ぼ同じ大きさか又はそれ以上の面積で構成されており、
パターンに切り目ないしは不連続部分は設けられていな
い。一方ＭＲ素子感知部以外のシールドパターン１２ａ
には切り目ないしは不連続部分が設けられており、その
場合切断幅は十分小さくされシールドパターン上に更に
他の薄膜を積層する場合良好なステップカバーレッジが
得られ、又磁気的な結合も良好でシールド効果には影響
がない程度に構成される。
、第２図の基板１に対応する絶縁材料から成る基板１１
上にシールド層が形成されており、このシールド層はＭ
Ｒ素子１３に対応する素子部（感知部）のシールドパタ
ーン１２とそのシールドパターンを底部としてほぼ等間
隔を隔てて上方に延びる複数のシールドパターン１２ａ
から成っており、ＭＲ素子部以外の所では不連続したシ
ールドパターンとなっている。一方ＭＲ素子部の感知部
に相当する素子部のシールドパターン１２は感知部とほ
ぼ同じ大きさか又はそれ以上の面積で構成されており、
パターンに切り目ないしは不連続部分は設けられていな
い。一方ＭＲ素子感知部以外のシールドパターン１２ａ
には切り目ないしは不連続部分が設けられており、その
場合切断幅は十分小さくされシールドパターン上に更に
他の薄膜を積層する場合良好なステップカバーレッジが
得られ、又磁気的な結合も良好でシールド効果には影響
がない程度に構成される。
このように第３図のごとくシールド層のパターンを細分
化することにより薄膜作成時の内部応力とができること
が知られている。例えば薄膜の両面（表面と基板固着面
）の圧力差をΔＰとした時薄膜の中央部の応力σは近似
的に ９ ζ■−ΔＰ の関係がある。ここでｄは薄膜の厚さであり、ａは薄膜
の長さである。このような応力の関係式から応力は薄膜
の連続長さの２乗に比例して増大することか理解でき、
本実施例のごとく素子部のシールドパターンを短く細分
することにより応力の増加を防止し、又応力を分散する
ことが可能となり歩留りを大きく向上させることが可能
になる。
化することにより薄膜作成時の内部応力とができること
が知られている。例えば薄膜の両面（表面と基板固着面
）の圧力差をΔＰとした時薄膜の中央部の応力σは近似
的に ９ ζ■−ΔＰ の関係がある。ここでｄは薄膜の厚さであり、ａは薄膜
の長さである。このような応力の関係式から応力は薄膜
の連続長さの２乗に比例して増大することか理解でき、
本実施例のごとく素子部のシールドパターンを短く細分
することにより応力の増加を防止し、又応力を分散する
ことが可能となり歩留りを大きく向上させることが可能
になる。
シールド層の細分化は第３図に図示された例に限定され
ず、例えば第４図、第５図に示したような実施例も考え
られる。即ち第４図に実施例においてはＭＲ素子の感知
部１３に対応する素子部シールドパターン２２と、それ
以外のシールドパターン２２ａから構成されており、シ
ールドパターン２２ａは斜行した複数のパターンから構
成されており、一方ＭＲ素子の感知部に対応するシール
ドパターン２２は細分化されずにＭＲ素子１３に対応し
て形成されている。一方第５図に示す実施例の場合には
素子部シールドパターン３２と細分化された素子部以外
のシールドパターン３３ａから構成されており、この場
合各パターンはほぼ同形状に形成され、互いに等間隔を
おいて配置されている。
ず、例えば第４図、第５図に示したような実施例も考え
られる。即ち第４図に実施例においてはＭＲ素子の感知
部１３に対応する素子部シールドパターン２２と、それ
以外のシールドパターン２２ａから構成されており、シ
ールドパターン２２ａは斜行した複数のパターンから構
成されており、一方ＭＲ素子の感知部に対応するシール
ドパターン２２は細分化されずにＭＲ素子１３に対応し
て形成されている。一方第５図に示す実施例の場合には
素子部シールドパターン３２と細分化された素子部以外
のシールドパターン３３ａから構成されており、この場
合各パターンはほぼ同形状に形成され、互いに等間隔を
おいて配置されている。
尚第４図及び第５図の実施例においても第３図の実施例
と同様に細分化されたパターンの不連続部分ないし切れ
目の切断幅は十分小さくしシールド効果には影響がない
程度にされる。
と同様に細分化されたパターンの不連続部分ないし切れ
目の切断幅は十分小さくしシールド効果には影響がない
程度にされる。
第６図には第５図に示した実施例のシールドパターンを
有するシールド層を用いて構成された取ヘッドが図示さ
れている。即ち基板１１上にＭＲ素子１３の感知部に対
応するシールドパターン３２及び細分化されたシールド
パターン３２ａから成るシールド層を形成し、その後絶
縁層１９を介してＭＲ素子１３並びに接続部１４を形成
し、続いて絶縁層１９を挾んで他方のシールド層１５並
びに保護層１６を用いて磁気ヘッドが構成されている。
有するシールド層を用いて構成された取ヘッドが図示さ
れている。即ち基板１１上にＭＲ素子１３の感知部に対
応するシールドパターン３２及び細分化されたシールド
パターン３２ａから成るシールド層を形成し、その後絶
縁層１９を介してＭＲ素子１３並びに接続部１４を形成
し、続いて絶縁層１９を挾んで他方のシールド層１５並
びに保護層１６を用いて磁気ヘッドが構成されている。
この場合磁気記録媒体４０に記録された磁化パターンが
図示したような場合の時の各シールド層に発生している
磁束パターンが２３で図示されている。シールド層が細
分化されているように磁束パターン２３も第２図に示し
た従来の磁束パターン８と異なり複数の分断した磁束パ
ターンとなっている。なお、細分化するシールド層は他
方のシールド層１５であってもよく、また場合によって
は両方細分化するようにしてもよい。
図示したような場合の時の各シールド層に発生している
磁束パターンが２３で図示されている。シールド層が細
分化されているように磁束パターン２３も第２図に示し
た従来の磁束パターン８と異なり複数の分断した磁束パ
ターンとなっている。なお、細分化するシールド層は他
方のシールド層１５であってもよく、また場合によって
は両方細分化するようにしてもよい。
以上説明したように本発明によればシールド層が細かく
分割されているかもしくは不連続となっているため応力
が分散し素子形成時の膜の倒れや応力による磁気のひず
みの発生がなく素子の歩留りや性能を向上させることが
できると同時にシールド層の効果はほぼ従来と同じよう
な効果にすることができる。
分割されているかもしくは不連続となっているため応力
が分散し素子形成時の膜の倒れや応力による磁気のひず
みの発生がなく素子の歩留りや性能を向上させることが
できると同時にシールド層の効果はほぼ従来と同じよう
な効果にすることができる。
又、シールド層をＭＲ素子の感知部に対応する部分とそ
れ以外の部分に分割し、かつ感知部以外（即ち電極部）
に対応する部分を更に細かく分割することにより磁区構
造を単純化すること力翻丁能となり、従来のようにシー
ルド層の磁壁の引っかかりが不均一となることによる不
整合磁化の発生を低減し、シールドタイプ特有の既成ノ
イズの発生を減少させＳ／Ｎの良好な磁気ヘッドを製造
することが可能になる。又、シールド層を細かく分割し
たことにより高周波による磁界変化に対する応答性が顕
著に現われ、高域での位相特性が改善され、又シールド
層間隔と半波長が一致する点における周波数特性のリッ
プルも改善することが可能になる。
れ以外の部分に分割し、かつ感知部以外（即ち電極部）
に対応する部分を更に細かく分割することにより磁区構
造を単純化すること力翻丁能となり、従来のようにシー
ルド層の磁壁の引っかかりが不均一となることによる不
整合磁化の発生を低減し、シールドタイプ特有の既成ノ
イズの発生を減少させＳ／Ｎの良好な磁気ヘッドを製造
することが可能になる。又、シールド層を細かく分割し
たことにより高周波による磁界変化に対する応答性が顕
著に現われ、高域での位相特性が改善され、又シールド
層間隔と半波長が一致する点における周波数特性のリッ
プルも改善することが可能になる。
第１図、第２図は従来の磁気ヘッドの構造を示す斜視図
及び説明図、第３図〜第５図はシールド層の異なるパタ
ーンの実施例を示す説明図、第６図は第５図のシールド
層を用いた場合の磁気ヘッドの動作を説明する説明図で
ある。 １１・・・基板 １２．１２ａ、２２．２２ａ、３２，
３２ａ・・・シールド層パターン １３・・・
ＭＲ素子１４・・・電極 １５・・・シール
ド層１９・・・絶縁層 １６・・・保護板４
０・・・磁気記録媒体 第１図 第４図 第５図 第６図
及び説明図、第３図〜第５図はシールド層の異なるパタ
ーンの実施例を示す説明図、第６図は第５図のシールド
層を用いた場合の磁気ヘッドの動作を説明する説明図で
ある。 １１・・・基板 １２．１２ａ、２２．２２ａ、３２，
３２ａ・・・シールド層パターン １３・・・
ＭＲ素子１４・・・電極 １５・・・シール
ド層１９・・・絶縁層 １６・・・保護板４
０・・・磁気記録媒体 第１図 第４図 第５図 第６図
Claims (3)
- （１）基板上に形成された磁気抵抗効果素子の両側に高
透磁率層からなるシールド層を設けてなる磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、前記一方の高透磁率層に複数個
の不連続部分を設けたことを特徴とする磁気抵抗効果型
磁気ヘッド。 - （２）前記一方の高透磁率層の磁気抵抗効果素子感知部
以外の部分において不連続部分を設けるようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気抵抗効
果型磁気ヘッド。 - （３） 前記磁気抵抗効果素子感知部に対応する幅よ
りも小さい幅のストライプで不連続部分を設けることを
特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10993682A JPS592222A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10993682A JPS592222A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592222A true JPS592222A (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=14522858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10993682A Pending JPS592222A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592222A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0467457A1 (en) * | 1990-07-18 | 1992-01-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thin-film magnetic head |
| WO2001091116A3 (en) * | 2000-05-25 | 2002-05-10 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP10993682A patent/JPS592222A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0467457A1 (en) * | 1990-07-18 | 1992-01-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thin-film magnetic head |
| WO2001091116A3 (en) * | 2000-05-25 | 2002-05-10 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
| GB2379323A (en) * | 2000-05-25 | 2003-03-05 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
| US6597545B2 (en) | 2000-05-25 | 2003-07-22 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
| GB2379323B (en) * | 2000-05-25 | 2003-12-24 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5836406B2 (ja) | 磁気変換器 | |
| EP0122660B1 (en) | Magnetic head having a thin strip of magnetoresistive material as a reading element | |
| JPH04351706A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド | |
| JPS592222A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH03276411A (ja) | 磁気抵抗効果形ヘッド装置 | |
| JPH1069615A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS63224016A (ja) | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPH05151533A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘツド | |
| JPS58100216A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JPS5971124A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPS5939308Y2 (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH0744817A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及び磁気ディスク装置 | |
| JP2563595B2 (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド | |
| JPS61248212A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘツド | |
| JPS59117726A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH06267027A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JPS5897119A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP2003338013A (ja) | 磁気再生ヘッド | |
| JPS60185220A (ja) | 磁気抵抗効果形薄膜ヘツド | |
| JPS59177715A (ja) | 垂直磁気記録用ヘツド | |
| JPH06251336A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH06267030A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドとその製造方法 | |
| JPS5977614A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH05234030A (ja) | Ｈｄｄ用磁気ヘッド | |
| JPH097125A (ja) | 磁気抵抗効果型複合ヘッド |